一种基于多对多模式计算等效电阻的方法与流程

本专利申请属于电路设计，尤其涉及一种基于多对多模式计算等效电阻的方法。

背景技术：

1、在当前芯片制程不断发展的背景下，在电路仿真中，要求对大规模集成电路版图中寄生参数做提取和分析，而在该提取和分析中，会涉及等效电阻的计算。除此之外，由于等效电阻可以度量一张电路版图中两个定点的相似度，因此等效电阻计算也广泛应用于数据挖掘中的图谱稀疏化方面。但是，由于电路仿真和数据挖掘所处理的电阻网络规模巨大，对数量巨大的节点对进行等效电阻的准确分析成为计算性能的瓶颈。

技术实现思路

1、本专利申请提供一种基于多对多模式计算等效电阻的方法，以克服或者缓解现有技术的缺陷。

2、本申请实施例提供的技术方案如下：

3、一种基于多对多模式计算等效电阻的方法，其包括：

4、基于等效电阻的待求解节点，对对应电阻网络的导纳矩阵进行填充得到扩充矩阵

5、对扩充矩阵做预排序，以确定置换矩阵p；

6、对所述扩充矩阵进行ldlt分解，以计算所述等效电阻所需的下三角阵l和对角矩阵d并确定稀疏矩阵f中的非零元位置；

7、根据稀疏矩阵f中的非零元位置和下三角阵l与所述对角矩阵d，计算目标矩阵z的矩阵元；

8、根据所述目标矩阵z，计算所述等效电阻。

技术特征：

1.一种基于多对多模式计算等效电阻的方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，基于等效电阻的待求解节点，对对应电阻网络的导纳矩阵进行填充得到扩充矩阵包括：基于等效电阻的待求解节点，在的稀疏压缩存储结构中增加指定的位置并填充0元素。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述基于等效电阻的待求解节点，在的稀疏压缩存储结构中增加指定的位置并填充0元素，包括：如果等效电阻的待求解节点为(i,j)节点对的等效电阻，则在导纳矩阵的压缩存储结构中对第i行第j列和第j行第i列的两个元素按照如下方式进行填充：如果在该位置或者则不对做处理；否则，在此基础上，在压缩存储结构中额外增加两个填充位置(i,j)和(j,i)，并将这两个填充位置的数值置零，即针对该两个填充位置(i,j)和(j,i)，

4.根据权利要求1所述的方法，基于如下公式(2)对所述扩充矩阵进行ldlt分解：

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，确定稀疏矩阵f中非零元位置时，通过构造一个和lt相同但不包含值的压缩存储结构，得到了f中的非零元位置。

6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，按照如下公式(3)、(4)，根据稀疏矩阵f中的非零元位置和下三角阵l与所述对角矩阵d，计算目标矩阵z的矩阵元：

7.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，针对目标矩阵z，按照如下公式(5)表示z中的非对角元zpq，对角元zpp按照公式(6)计算：

8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，如果等效电阻的待求解节点对为(i,j)节点对，则可以按照如下公式(7)来计算(i,j)节点对的能效电阻：

技术总结
本申请公开一种基于多对多模式计算等效电阻的方法，其包括：基于等效电阻的待求解节点，对对应电阻网络的导纳矩阵进行填充得到扩充矩阵对扩充矩阵做预排序，以确定置换矩阵P；对所述扩充矩阵进行LDLT分解，以计算所述等效电阻所需的下三角阵L和对角矩阵D并确定稀疏矩阵F中的非零元位置；根据稀疏矩阵F中的非零元位置和下三角阵L与所述对角矩阵D，计算目标矩阵Z的矩阵元；根据所述目标矩阵Z，计算所述等效电阻。为此，本申请不需要求解中所有矩阵元，只需要计算与F非零元位置分布一致的的矩阵元即Z，从而有效地降低了计算量。由于Z是稀疏矩阵而一般是稠密矩阵，如此，总的计算量会因为Z有较少的非零元而大大减小。

技术研发人员：肖璇,陈婧蕊,程明厚,张进宇,吴大可,周振亚
受保护的技术使用者：深圳华大九天科技有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/3/12