一种防止涡流热冲击损伤芯片的非接触智能卡的制作方法

本技术涉及非接触智能卡领域，尤其涉及一种防止涡流热冲击损伤芯片的非接触智能卡。

背景技术：

1、非接触智能卡在各个领域的应用越来越普遍，其无源和感应通信的特点，使用户的使用和操作非常便利。近年来，手机无线充电技术越来越成熟，充电效率和功率不断提升，非接触智能卡和手机往往会重叠在一起，比如有用户将非接触智能卡直接放在手机背面的保护套里，也有用户误将非接触智能卡(比如汽车钥匙卡)放在汽车的手机无线充电器表面，手机再叠放在卡片之上。当上述情况启动了无线充电器工作，手机与无线充电器之间会产生强大的电场。在强大的电场作用下，夹在手机和无线充电器中间的非接触智能卡，将被手机的金属化或类金属化的后盖影响进而形成涡流。当涡流达到一定的程度，非接触智能卡的天线开始发热，直接作用于智能卡的芯片上，将芯片损坏。

技术实现思路

1、本实用新型所要解决的技术问题是：提供一种能够减少涡流影响，保护芯片的防止涡流热冲击损伤芯片的非接触智能卡。

2、为了解决上述技术问题，本实用新型采用的技术方案为：一种防止涡流热冲击损伤芯片的非接触智能卡，包括激励天线体和微型模块；所述微型模块包括芯片和第一导电线圈，所述第一导电线圈与芯片的两端连接；所述第一导电线圈与激励天线体互感；所述第一导电线圈的截面积小于激励天线体的截面积。

3、进一步地，所述激励天线体的截面积为第一导电线圈的截面积的10-100倍。

4、进一步地，所述激励天线体的截面积为第一导电线圈的截面积的30倍。

5、进一步地，所述激励天线体两端为开放式结构；所述激励天线体的两端之间设有绝缘层；所述激励天线体的两端与绝缘层形成电容器。

6、进一步地，所述第一导电线圈由漆包线环绕而成，所述第一导电线圈为单层平面线圈或多层立体线圈。

7、进一步地，所述第一导电线圈由导电材料在薄膜上通过减除法或加成法制作而成；所述导电材料为单面、双面或多层。

8、进一步地，所述激励天线体为多圈环绕结构；所述第一导电线圈设于激励天线体内圈一侧；所述第一导电线圈与激励天线体部分重叠。

9、进一步地，所述激励天线体包括顺向绕制的漆包线。

10、进一步地，所述激励天线体包括在薄膜上经过减除法或加成法制作的导电材料。

11、进一步地，还包括微型发光模块，所述微型发光模块包括发光二极管和第二导电线圈，所述第二导电线圈与发光二极管的两端连接；所述第二导电线圈与激励天线体互感。

12、本实用新型的有益效果在于：由激励天线体与第一导电线圈的互感，当外部阅读器与激励天线体配合时，由激励天线体为第一导电线圈、芯片提供能量；激励天线体和第一导电线圈的互感设计使得芯片、第一导电线圈不会直接与激励天线体连接，进而避免了涡流产生时直接作用于芯片，减小受涡流影响的第一导电线圈的截面积，来达到降低涡流强度的目的；同时将第一导电线圈截面积设置小于激励天线体截面积，即使在强大的电场作用下，涡流产生的热量也不足以对芯片产生致命的损伤。

技术特征：

1.一种防止涡流热冲击损伤芯片的非接触智能卡，其特征在于，包括激励天线体和微型模块；所述微型模块包括芯片和第一导电线圈，所述第一导电线圈与芯片的两端连接；所述第一导电线圈与激励天线体互感；所述第一导电线圈的截面积小于激励天线体的截面积。

2.根据权利要求1所述的防止涡流热冲击损伤芯片的非接触智能卡，其特征在于，所述激励天线体的截面积为第一导电线圈的截面积的10-100倍。

3.根据权利要求2所述的防止涡流热冲击损伤芯片的非接触智能卡，其特征在于，所述激励天线体的截面积为第一导电线圈的截面积的30倍。

4.根据权利要求1所述的防止涡流热冲击损伤芯片的非接触智能卡，其特征在于，所述激励天线体两端为开放式结构；所述激励天线体的两端之间设有绝缘层；所述激励天线体的两端与绝缘层形成电容器。

5.根据权利要求1所述的防止涡流热冲击损伤芯片的非接触智能卡，其特征在于，所述第一导电线圈由漆包线环绕而成，所述第一导电线圈为单层平面线圈或多层立体线圈。

6.根据权利要求1所述的防止涡流热冲击损伤芯片的非接触智能卡，其特征在于，所述第一导电线圈由导电材料在薄膜上通过减除法或加成法制作而成；所述导电材料为单面、双面或多层。

7.根据权利要求1所述的防止涡流热冲击损伤芯片的非接触智能卡，其特征在于，所述激励天线体为多圈环绕结构；所述第一导电线圈设于激励天线体内圈一侧；所述第一导电线圈与激励天线体部分重叠。

8.根据权利要求1所述的防止涡流热冲击损伤芯片的非接触智能卡，其特征在于，所述激励天线体包括顺向绕制的漆包线。

9.根据权利要求1所述的防止涡流热冲击损伤芯片的非接触智能卡，其特征在于，所述激励天线体包括在薄膜上经过减除法或加成法制作的导电材料。

10.根据权利要求1所述的防止涡流热冲击损伤芯片的非接触智能卡，其特征在于，还包括微型发光模块，所述微型发光模块包括发光二极管和第二导电线圈，所述第二导电线圈与发光二极管的两端连接；所述第二导电线圈与激励天线体互感。

技术总结
本技术涉及非接触智能卡领域，尤其涉及一种防止涡流热冲击损伤芯片的非接触智能卡，其包括激励天线体和微型模块；微型模块包括芯片和第一导电线圈，第一导电线圈与芯片连接；第一导电线圈与激励天线体互感；第一导电线圈的截面积小于激励天线体的截面积。激励天线体和第一导电线圈的互感设计使得芯片、第一导电线圈不会直接与激励天线体连接，进而避免了涡流产生时直接作用于芯片，减小受涡流影响的第一导电线圈的截面积，来达到降低涡流强度的目的；同时将第一导电线圈截面积设置小于激励天线体截面积，即使在强大的电场作用下，涡流产生的热量也不足以对芯片产生致命的损伤。

技术研发人员：杨辉峰,林加良,陈建文
受保护的技术使用者：厦门英诺尔电子科技股份有限公司
技术研发日：20230418
技术公布日：2024/1/15