基于LMS算法的电阻校准方法及系统与流程

本申请涉及计算机，特别是涉及一种基于lms算法的电阻校准方法、系统、计算机设备、存储介质和计算机程序产品。

背景技术：

1、在模拟集成电路中的特定任务需求下，需要在电路中设置高阻值的电阻以实现特定功能，比如在信号链路中要实现1兆欧姆的电阻，此类电阻一般是由n型多晶硅或者p型多晶硅实现；由于此类电阻存在衬底电压效应，电阻的衬底电压的波动会直接影响到此类电阻的线性度信息，电阻的阻值呈现出二阶甚至高阶的衬底电压相关性，降低整个电路的线性度信息。

2、传统方法主要通过调整待校准电阻所在电路的电路参数，利用不同电路参数下特定电路元件的相关参数，对待校准电阻进行校准，然而，传统方法的校准准确率易受电路环境影响，在不同电路环境下的校准效果差异较大，且容易对电路元件造成损伤，不利于提高电阻校准的准确率。

技术实现思路

1、基于此，有必要针对上述技术问题，提供一种能够提高电阻校准的准确率的基于lms算法的电阻校准方法、系统、计算机设备、计算机可读存储介质和计算机程序产品。

2、第一方面，本申请提供了一种基于lms算法的电阻校准方法，包括：

3、在待校准电阻对应的电压波动值大于预设波动阈值的情况下，确定所述待校准电阻与标准电阻之间的电阻差值；

4、基于lms算法，根据所述电阻差值对所述待校准电阻进行预设次数的校准，确定第一电阻校准信息，并获取所述预设次数的校准过程中的校准参数信息；

5、根据所述校准参数信息确定算法性能值，在所述算法性能值小于或等于预设性能阈值的情况下，根据所述第一电阻校准信息和所述待校准电阻的电阻值，确定针对所述待校准电阻的校准系数。

6、在其中一个实施例中，所述根据所述校准参数信息确定算法性能值，包括：

7、获取所述lms算法对应的权值向量初始值、预设步长值和滤波器长度预设值；

8、将所述校准参数信息、所述权值向量初始值、所述预设步长值和所述滤波器长度预设值输入至算法性能值确定模型，得到所述算法性能值。

9、在其中一个实施例中，所述方法还包括：

10、所述算法性能值确定模型表示为：

11、，

12、其中，xlms为所述算法性能值，δv为所述校准参数信息中的权值向量更新值之和，vcsz为所述权值向量初始值，dcs为所述预设次数，bc为所述校准参数信息中的实际平均步长值，by为所述预设步长值，lc为所述校准参数信息中的滤波器实际长度平均值，ly为所述滤波器长度预设值。

13、在其中一个实施例中，所述方法还包括：

14、在所述算法性能值大于所述预设性能阈值的情况下，获取所述lms算法对应的步长初始值；

15、将所述校准参数信息和所述步长初始值输入至步长调节值确定模型，得到步长调节值。

16、在其中一个实施例中，所述方法还包括：

17、所述步长调节值确定模型表示为：

18、，

19、其中，tbc为所述步长调节值，bcs为所述步长初始值，bc为所述校准参数信息中的实际平均步长值，lc为所述校准参数信息中的滤波器实际长度平均值，xlms为所述算法性能值，α为预设参数。

20、在其中一个实施例中，所述方法还包括：

21、根据所述步长调节值对所述lms算法进行调整，得到调整后lms算法；

22、基于所述调整后lms算法，根据所述电阻差值对所述待校准电阻进行校准，得到第二电阻校准信息，并获取所述调整后lms算法对应的校准参数信息；

23、根据所述调整后lms算法对应的校准参数信息，确定所述调整后lms算法对应的算法性能值，在所述调整后lms算法对应的算法性能值大于所述预设性能阈值的情况下，根据所述第二电阻校准信息和所述待校准电阻的电阻值，确定针对所述待校准电阻的校准系数。

24、在其中一个实施例中，所述方法还包括：

25、根据所述校准系数对所述待校准电阻进行校准，确定校准后电阻值；

26、获取所述校准后电阻值对应的线性度信息，在所述线性度信息大于或等于预设线性度阈值的情况下，判定所述校准后电阻值满足预设的校准要求。

27、第二方面，本申请还提供了一种基于lms算法的电阻校准系统，包括：

28、差值确定模块，用于在待校准电阻对应的电压波动值大于预设波动阈值的情况下，计算所述待校准电阻与标准电阻之间的电阻差值；

29、信息获取模块，用于基于lms算法，根据所述电阻差值对所述待校准电阻进行预设次数的校准，得到第一电阻校准信息，并获取所述预设次数的校准过程中的校准参数信息；

30、系数确定模块，用于根据所述校准参数信息确定算法性能值，在所述算法性能值小于或等于预设性能阈值的情况下，根据所述第一电阻校准信息和所述待校准电阻的电阻值，确定针对所述待校准电阻的校准系数。

31、第三方面，本申请还提供了一种计算机设备。所述计算机设备包括存储器和处理器，所述存储器存储有计算机程序，所述计算机程序被处理器执行时实现上述的方法的步骤。

32、第四方面，本申请还提供了一种计算机可读存储介质。所述计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，所述计算机程序被处理器执行时实现上述的方法的步骤。

33、第五方面，本申请还提供了一种计算机程序产品。所述计算机程序产品，包括计算机程序，所述计算机程序被处理器执行时实现上述的方法的步骤。

34、上述基于lms算法的电阻校准方法、系统、计算机设备、存储介质和计算机程序产品，通过在待校准电阻对应的电压波动值大于预设波动阈值的情况下，确定待校准电阻与标准电阻之间的电阻差值，从而在待校准电阻对应的电压波动过大时，准确获取待校准电阻与标准电阻之间的电阻差，为后续电阻校准提供数据基础；基于lms算法，根据电阻差值对待校准电阻进行预设次数的校准，确定第一电阻校准信息，并获取预设次数的校准过程中的校准参数信息，从而采用lms算法对待校准电阻进行校准，并准确记录校准过程中的校准参数，为后续验证算法性能提供数据基础；根据校准参数信息确定算法性能值，在算法性能值小于或等于预设性能阈值的情况下，根据第一电阻校准信息和待校准电阻的电阻值，确定针对待校准电阻的校准系数，从而在算法性能符合要求时，利用电阻校准信息，确定针对待校准电阻的校准系数，能够基于lms算法，结合待校准电阻和标准电阻之间的电阻差对待校准电阻进行校准，并利用校准过程中的校准参数对lms算法的性能进行及时分析，从而在算法性能满足对应要求时，根据校准得到的电阻校准信息确定针对待校准电阻的校准系数，实现在保证lms算法适应待校准电阻对应的电路环境且满足精度要求的同时，对待校准电阻进行精确地校准操作，进而提高电阻校准的准确率。

技术特征：

1.一种基于lms算法的电阻校准方法，其特征在于，所述方法包括：

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述根据所述校准参数信息确定算法性能值，包括：

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：

4.根据权利要求1至3中任意一项所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：

6.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：

7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：

8.一种基于lms算法的电阻校准系统，其特征在于，所述系统包括：

9.一种计算机设备，包括存储器和处理器，所述存储器存储有计算机程序，其特征在于，所述处理器执行所述计算机程序时实现权利要求1至7中任一项所述的方法的步骤。

10.一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，其特征在于，所述计算机程序被处理器执行时实现权利要求1至7中任一项所述的方法的步骤。

技术总结
本申请涉及一种基于LMS算法的电阻校准方法及系统。所述方法包括：在待校准电阻对应的电压波动值大于预设波动阈值的情况下，确定待校准电阻与标准电阻之间的电阻差值；基于LMS算法，根据电阻差值对待校准电阻进行预设次数的校准，确定第一电阻校准信息，并获取预设次数的校准过程中的校准参数信息；根据校准参数信息确定算法性能值，在算法性能值小于或等于预设性能阈值的情况下，根据第一电阻校准信息和待校准电阻的电阻值，确定针对待校准电阻的校准系数。采用本方法能够在保证LMS算法适应待校准电阻对应的电路环境且满足精度要求的同时，对待校准电阻进行精确的校准操作，进而提高电阻校准的准确率。

技术研发人员：李鹏,习伟,陈军健,张巧惠,陶伟,吴雨沼,向柏澄,关志华
受保护的技术使用者：南方电网数字电网研究院股份有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/4/17