一种同位素电源的结构分析方法及同位素电源与流程

文档序号:37936708发布日期:2024-05-11 00:15阅读:7来源:国知局
一种同位素电源的结构分析方法及同位素电源与流程

本申请涉及热电电源,尤其涉及一种同位素电源的结构分析方法及同位素电源。


背景技术:

1、同位素电源是基于热电材料的塞贝克效应,将同位素的衰变热转换为电能的一类热电源,包括放射性同位素源芯、热电转换系统以及支撑系统等。同位素源芯通常采用238pu、90sr等半衰期较长的同位素,使得同位素电源具有寿命长、可靠性高等优点,满足长期作业的需要,因此在太空、深海和极地等探测环境中有着广泛的应用前景。

2、相关技术中,由于同位素电源服役环境的极端性和同位素的放射性,同位素电源的力学安全性考核显得尤为重要。


技术实现思路

1、有鉴于此,本申请期望提供一种同位素电源的结构分析方法及同位素电源,能够用于考核同位素电源的力学安全性。

2、本申请实施例第一方面提供一种同位素电源的结构分析方法,包括:

3、建立同位素电源的有限元模型;

4、对所述有限元模型施加约束和载荷,以获取响应特征;

5、确定所述响应特征是否满足预设条件。

6、一些实施例中,建立同位素电源的有限元模型,包括:

7、简化所述同位素电源的同位素源芯;和/或,

8、简化所述同位素电源的紧固件;和/或,

9、简化所述同位素电源的热电转换组件。

10、一些实施例中,建立同位素电源的有限元模型,包括:

11、采用非线性机械求解器对所述有限元模型进行网格划分。

12、一些实施例中,对所述有限元模型施加约束和载荷,以获取响应特征,包括:

13、确定所述有限元模型初始约束条件,对所述有限元模型施加约束。

14、一些实施例中,确定所述有限元模型初始约束条件,对所述有限元模型施加约束,包括:

15、确定所述同位素电源的紧固件的位置和所述紧固件的预紧力。

16、一些实施例中,对所述有限元模型施加约束和载荷,以获取响应特征,包括:

17、根据工况对所述有限元模型施加载荷。

18、一些实施例中,所述工况包括储存工况、运输工况、装载工况和服役工况中的至少一种。

19、一些实施例中,所述载荷包括外压载荷、随机振动载荷、正弦振动载荷、冲击载荷和加速度过载中的至少一种。

20、一些实施例中,所述结构分析方法包括:

21、根据所述响应特征调整所述有限元模型的结构参数,直至所述响应特征满足所述预设条件。

22、本申请实施例第二方面提供一种同位素电源,采用前述任一项所述的结构分析方法,包括:

23、外壳组件,包括外壳体和两个端盖,两个所述端盖分别设置于所述外壳体沿轴向的两端,以共同限定出容纳空间,紧固件穿设于所述外壳体与所述端盖;

24、同位素源芯,设置于所述容纳空间内,所述同位素源芯散发热能;

25、热电转换组件,设置于所述容纳空间内,所述热电转换组件将所述同位素源芯的热能转换为电能。

26、本申请实施例提供的结构分析方法,通过有限元模型获取响应特征包括应力应变分布等,能够模拟实际工况下同位素电源的力学状态,考核同位素电源的力学安全性,一方面,可以预判风险源,减少对同位素电源的反复修改及试验,缩短研发周期,降低制造成本,提高生产效率,另一方面,由于有限元模型模拟同位素电源的整机结构,能够更准确地反应出同位素电源的结构特性。



技术特征:

1.一种同位素电源的结构分析方法,其特征在于,包括:

2.根据权利要求1所述的结构分析方法,其特征在于,建立同位素电源的有限元模型,包括:

3.根据权利要求1所述结构分析方法,其特征在于,建立同位素电源的有限元模型,包括:

4.根据权利要求1所述的结构分析方法,其特征在于,对所述有限元模型施加约束和载荷,以获取响应特征,包括:

5.根据权利要求4所述的结构分析方法,其特征在于,确定所述有限元模型初始约束条件,对所述有限元模型施加约束,包括:

6.根据权利要求1所述的结构分析方法,其特征在于,对所述有限元模型施加约束和载荷,以获取响应特征,包括:

7.根据权利要求6所述结构分析方法,其特征在于,所述工况包括储存工况、运输工况、装载工况和服役工况中的至少一种。

8.根据权利要求1所述结构分析方法,其特征在于,所述载荷包括外压载荷、随机振动载荷、正弦振动载荷、冲击载荷和加速度过载中的至少一种。

9.根据权利要求1所述结构分析方法,其特征在于,所述结构分析方法包括:

10.一种同位素电源,采用权利要求1~9任一项所述的结构分析方法,其特征在于,包括:


技术总结
本申请涉及热电电源技术领域,提供一种同位素电源的结构分析方法及同位素电源,结构分析方法包括建立同位素电源的有限元模型;对有限元模型施加约束和载荷,以获取响应特征;确定所述参数是否满足预设条件。本申请实施例的结构分析方法,通过有限元模型获取响应特征包括应力应变分布等,能够模拟实际工况下同位素电源的力学状态,考核同位素电源的力学安全性。

技术研发人员:谷嘉琳,武伟名,何虎
受保护的技术使用者:中国原子能科学研究院
技术研发日:
技术公布日:2024/5/10
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