本发明涉及变压器磁屏蔽，特别是涉及一种变压器磁屏蔽结构优化方法。
背景技术：
1、随着电力变压器容量逐渐增大，杂散损耗增加与局部过热问题也变得日益突出。而电力变压器漏磁场分布情况复杂，油箱和屏蔽结构等部件中的杂散损耗难以直接测量，并且依靠制造样机进行实验对比的方式进行变压器磁屏蔽结构优化设计耗时长且成本高。
2、因此，亟需一种变压器磁屏蔽结构优化方法，以解决上述问题。
技术实现思路
1、本发明的目的是提供一种变压器磁屏蔽结构优化方法，减少变压器磁屏蔽结构优化所需要的时间和成本。
2、为达此目的，本发明采用以下技术方案：
3、一种变压器磁屏蔽结构优化方法，包括如下步骤：
4、根据变压器设计运行工况对待测变压器磁屏蔽结构进行仿真计算，确定待测变压器磁屏蔽结构中各漏磁流通部件所处位置的磁场强度；
5、根据待测变压器磁屏蔽结构中各漏磁流通部件所处位置的磁场强度和待测变压器磁屏蔽结构中各漏磁流通部件对应的磁场强度许用阈值，判断待测变压器磁屏蔽结构是否满足第一预设条件，如果待测变压器磁屏蔽结构满足第一预设条件，则以当前待测变压器磁屏蔽结构为预期优化变压器磁屏蔽结构。
6、作为上述技术方案的改进，第一预设条件为待测变压器磁屏蔽结构中各漏磁流通部件所处位置的磁场强度均小于各漏磁流通部件对应的磁场强度许用阈值。
7、作为上述技术方案的改进，还包括：
8、根据预期优化变压器磁屏蔽结构中各漏磁流通部件所处位置的磁场强度和预期优化变压器磁屏蔽结构中各漏磁流通部件对应的磁场强度许用阈值，确定预期优化变压器磁屏蔽结构中各漏磁流通部件的裕度值，其中漏磁流通部件的裕度值为该漏磁流通部件的磁场强度许用阈值与该漏磁流通部件所处位置的磁场强度的比值；
9、根据预期优化变压器磁屏蔽结构中各漏磁流通部件的裕度值，确定预期优化变压器磁屏蔽结构的漏磁通平衡标准偏离度指标；
10、判断预期优化变压器磁屏蔽结构的漏磁通平衡标准偏离度指标是否满足第二预设条件，如果预期优化变压器磁屏蔽结构的漏磁通平衡标准偏离度指标不满足第二预设条件，则对预期优化变压器磁屏蔽结构进行调整，将调整后的预期优化变压器磁屏蔽结构作为新的待测变压器磁屏蔽结构，并返回执行确定待测变压器磁屏蔽结构中各漏磁流通部件所处位置的磁场强度的步骤，如果预期优化变压器磁屏蔽结构的漏磁通平衡标准偏离度指标满足第二预设条件，则将当前预期优化变压器磁屏蔽结构作为优化后变压器磁屏蔽结构。
11、作为上述技术方案的改进，漏磁通平衡标准偏离度指标计算公式为：
12、
13、其中，为漏磁通平衡标准偏离度指标，为预期优化变压器磁屏蔽结构中第个漏磁流通部件的裕度值，为正整数。
14、作为上述技术方案的改进，第二预设条件为预期优化变压器磁屏蔽结构的漏磁通平衡标准偏离度指标不大于预设平衡标准偏离度指标。
15、作为上述技术方案的改进，变压器磁屏蔽结构包括铁芯、高压绕组、低压绕组、油箱和多个磁屏蔽件。
16、作为上述技术方案的改进，高压绕组和低压绕组绕设于铁芯上，上夹件与下夹件配合夹紧铁芯，上夹件位于高压绕组以及低压绕组上方，下夹件位于高压绕组以及低压绕组下方；
17、多个磁屏蔽件中包括上夹件屏蔽件、下夹件屏蔽件和油箱屏蔽件，上夹件屏蔽件位于上夹件的下方，且位于高压绕组以及低压绕组的上方，下夹件屏蔽件位于高压绕组以及低压绕组的下方，且位于下夹件上方，油箱屏蔽件位于高压绕组与油箱的箱壁之间。
18、作为上述技术方案的改进，变压器磁屏蔽结构中的漏磁流通部件包括铁芯、上夹件、下夹件、油箱的箱壁、上夹件屏蔽件、下夹件屏蔽件和油箱屏蔽件。
19、作为上述技术方案的改进，对待测变压器磁屏蔽结构进行调整和对预期优化变压器磁屏蔽结构进行调整均包括调整磁屏蔽件的结构。
20、作为上述技术方案的改进，对待测变压器磁屏蔽结构进行调整和对预期优化变压器磁屏蔽结构进行调整均还包括调整磁屏蔽件的位置。
21、与现有技术相比，本发明有益效果在于：
22、本发明提供的变压器磁屏蔽结构优化方法，通过仿真计算的方式确定待测变压器磁屏蔽结构中各漏磁流通部件所处位置的磁场强度，并根据仿真计算所得到的待测变压器磁屏蔽结构中各漏磁流通部件所处位置的磁场强度，结合待测变压器磁屏蔽结构中各漏磁流通部件对应的磁场强度许用阈值，判断待测变压器磁屏蔽结构是否满足第一预设条件，如果待测变压器磁屏蔽结构满足第一预设条件，则以当前待测变压器磁屏蔽结构为预期优化变压器磁屏蔽结构。相比将变压器磁屏蔽结构设计方案制造出样机直接测量对比的方式，本发明提供的变压器磁屏蔽结构优化方法，能够减少变压器磁屏蔽结构优化所需要的时间和成本。
1.一种变压器磁屏蔽结构优化方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的变压器磁屏蔽结构优化方法，其特征在于，第一预设条件为待测变压器磁屏蔽结构中各漏磁流通部件所处位置的磁场强度均小于各漏磁流通部件对应的磁场强度许用阈值。
3.根据权利要求2所述的变压器磁屏蔽结构优化方法，其特征在于，还包括：
4.根据权利要求3所述的变压器磁屏蔽结构优化方法，其特征在于，漏磁通平衡标准偏离度指标计算公式为：
5.根据权利要求3所述的变压器磁屏蔽结构优化方法，其特征在于，第二预设条件为预期优化变压器磁屏蔽结构的漏磁通平衡标准偏离度指标不大于预设平衡标准偏离度指标。
6.根据权利要求1-5任一项所述的变压器磁屏蔽结构优化方法，其特征在于，变压器磁屏蔽结构包括铁芯、高压绕组、低压绕组、油箱和多个磁屏蔽件。
7.根据权利要求6所述的变压器磁屏蔽结构优化方法，其特征在于，高压绕组和低压绕组绕设于铁芯上，上夹件与下夹件配合夹紧铁芯，上夹件位于高压绕组以及低压绕组上方，下夹件位于高压绕组以及低压绕组下方；
8.根据权利要求7所述的变压器磁屏蔽结构优化方法，其特征在于，变压器磁屏蔽结构中的漏磁流通部件包括铁芯、上夹件、下夹件、油箱的箱壁、上夹件屏蔽件、下夹件屏蔽件和油箱屏蔽件。
9.根据权利要求8所述的变压器磁屏蔽结构优化方法，其特征在于，对待测变压器磁屏蔽结构进行调整和对预期优化变压器磁屏蔽结构进行调整均包括调整磁屏蔽件的结构。
10.根据权利要求9所述的变压器磁屏蔽结构优化方法，其特征在于，对待测变压器磁屏蔽结构进行调整和对预期优化变压器磁屏蔽结构进行调整均还包括调整磁屏蔽件的位置。