专利名称：存储阵列装置及其减小读电流的方法
技术领域：
本发明涉及一种存储阵列装置及其减小读电流的方法，特别是涉及一种电可操除可编程只读存储器及其减小读电流的方法。
背景技术：
随着技术的发展，微处理器的速度以每年60%的速度激增，但主存的速度仅以每年10%的速度增加，两者的差异越来越大，因此存储器的速度成为限制微处理器及存储器等系统性能的重要速度。存储器一般由存储阵列结构组成，存储阵列结构由一个或多个存储阵列(Array)组成，Array由多个排列整齐的存储单元组成。图I为现有技术一种存储器之存储阵列结构的示意图。如图I所示，该存储器的存储阵列结构包含多行存储阵列CrowO rowm),每 行的存储阵列包含两个子存储阵列第一子存储阵列101及第二子存储阵列102，第一子存储阵列101及第二子存储阵列102之间设有开关，且每个子存储阵列由n+1个排列整齐的存储单元b0 bn组成,每个存储单元用于存储一个bit。然而，上述的存储阵列结构却存在如下问题当数据bO-bn被擦除后即全为I时读出电流最大，这样增加读出功耗，不利于低功耗场合应用，并可能影响存储器的速度。
发明内容
为克服上述现有技术存在的不足，本发明之目的在于提供一种存储阵列装置及其减小读电流的方法，其可以减小存储器的读出电流，减小存储器的读出功耗，利于存储速度的提闻。为达上述及其它目的，本发明提供一种存储阵列装置，包含多行存储阵列，每行存储阵列包含第一子存储阵列及第二子存储阵列，其中，于每个子存储阵列的首尾分别具有一编程标志位及反相标志位，该编程标志位用于记录当前子存储阵列是否被编程，该反相标志位用于表示原始数据是否反相后被写入当前子存储阵列。进一步地，该编程标志位为O表示当前子存储阵列被编程过，该编程标志位为I表示当前子存储阵列未被编程过。进一步地，该反相标志位为O表示原始数据被反相过后才写入当前子存储阵列，该反相标志位为I表示原始数据写入当前子存储阵列时没有被反相。为达到上述及其他目的，本发明提供一种减小存储阵列装置读电流的方法，包括如下步骤步骤一，于每行存储阵列的每个子存储阵列首尾分别设置一编程标志位及一反相标志位并初始化；步骤二，编程时，根据一预定规则检验确定反相标志位，并设定该子存储阵列的编程标志位为被编程过；以及步骤三，根据确定的反相标志位将相应的数据及该反相标志位一起写入。
进一步地，该方法还包括如下步骤当读取该存储阵列装置时，首先读取该编程标志位并判断当前子存储阵列是否被编程过；若判断结果为当前子存储阵列未被编程过，则无需从当前子存储阵列读数据，而直接输出数据‘I’。若判断结果为当前子存储阵列被编程过，读出该编程标志位后的数据，并对最后的反相标志位进行校验；若校验的结果为数据写入时被反相过，则将数据反相后再输出，若校验的结果为数据写入时没有被反相过，则直接输出数据。进一步地，该预定规则为 写入当前子存储阵列的数据是否I的个数大于或等于n/2 ；若是，则令该反相标志位表示数据写入时反相，并将数据反相后连同该反相标志位一起写入；否则，则令该反相标志位表示数据写入时未反相，并将数据连同该反相标志位一起与入。进一步地，若写入当前子存储阵列的数据是否I的个数大于或等于n/2，则令该反相标志位为O,否则为I。进一步地，于步骤二中，将该编程标志位设定为O。与现有技术相比，本发明一种存储阵列装置及其减小读电流的方法，通过于每个子存储阵列的首尾设置编程标志位及反相标志位，于编程时设定标志位，并于读取数据时根据相应的标志位进行相应处理，其可以达到减小存储器的读出电流、降低存储器的读出功耗的目的，有利于存储速度的提闻。
图I为现有技术一种存储器之存储阵列结构的示意图；图2为本发明之存储阵列装置之较佳实施例中某行存储阵列的结构示意图；图3为本发明一种减小存储器读电流的方法之步骤流程图。
具体实施例方式以下通过特定的具体实例并结合
本发明的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所揭示的内容轻易地了解本发明的其它优点与功效。本发明亦可通过其它不同的具体实例加以施行或应用，本说明书中的各项细节亦可基于不同观点与应用，在不背离本发明的精神下进行各种修饰与变更。图2为本发明之存储阵列装置之较佳实施例中某行存储阵列的结构示意图。如图2所示，本发明一种存储阵列装置，包含多行存储阵列，其中每行存储阵列包含多个子存储阵列，每个子存储阵列之间均设有开关，于本发明较佳实施例中，每行存储阵列包含两个子存储阵列第一子存储阵列201及第二子存储阵列202，第一子存储阵列201及第二子存储阵列202之间设有开关，每个子存储阵列由n+1个排列整齐的存储单元b0 bn组成，每个存储单元用于存储一个bit，同时于每个子存储阵列(如第一子存储阵列201及第二子存储阵列202)首尾分别设置一编程标志位b_l及反相标志位bn+Ι，其中编程标志位b_l用于记录该子存储阵列是否被编程，b_l = O表示被编程过，b_l = I表示未被编程过；反相标志位bn+Ι用于表示原始数据是否反相后被写入存储阵列，bn+Ι = O表示原始数据被反相过后才写入存储器，bn+Ι = I表示原始数据写入存储器时没有被反相。图3为本发明一种减小存储器读电流的方法之步骤流程图。如图3所示，本发明一种减小存储器读电流的方法，包括如下步骤步骤301，于每行存储阵列的每个子存储阵列首尾设置编程标志位及反相标志位，并初始化；步骤302，编程时，检验所要写入当前子存储阵列的数据是否I的个数大于或等于n/2，并设定该子存储阵列的编程标志位b_l，；步骤303，若是，则令该子存储阵列的反相标志位bn+Ι为0，并把数据b0_bn反相后连同反相标志位bn+Ι = O 一起写入；否则令该子存储阵列的反相标志位bn+Ι为1，把数 据bO-bn连同反相标志位bn+Ι = O 一起写入。相应地，当读取该存储阵列装置时，首先读取编程标志位b_l并判断当前子存储阵列是否被编程过；若判断结果为当前子存储阵列未被编程过，则无需从当前子存储阵列读数据，而直接输出数据‘I’。若判断结果为当前子存储阵列被编程过，则说明该子存储阵列被编程过，可以读其中的数据，读出编程标志位后的数据，并对最后的反相标志位进行校验；若校验的结果为数据写入时被反相过，数据需要经过反相后再输出，若校验的结果为数据写入时没有被反相过，则直接输出数据。以下将继续配合图2及图3通过一具体实施例来进一步说明本发明之工作原理。读取上述存储阵列装置时，首先读取b_i，Sb_i = I则说明该子存储阵列未被编程过即字节数据全部为I，若b_l = O则说明该子存储阵列被编程过，可以读其中的数据，数据读出后先校验bn+Ι，如果bn+Ι = 0，则说明数据写入时被反相过，数据需要经过反相后再输出，若如果bn+Ι = 1，则说明数据写入时没有被反相过，数据可以直接输出；当对上述存储阵列装置编程时，先检验所要写入的数据是否I的个数大于或等于n/2，若是则令bn+Ι = O并把数据bO-bn反相后连同反相标志位bn+Ι = O 一起写入到存储器，此时写入的I的个数最多只有n/2个，读出电流小；若所要写入的数据中I的个数少于一半则令bn+Ι = 1，数据b0_bn连同反相标志位bn+1 = I 一起写入存储器,这样在读出时bO-bn+Ι最多有n/2的I,读出电流小。可见，本发明一种存储阵列装置及其减小读电流的方法，通过于每个子存储阵列的首尾设置编程标志位及反相标志位，于编程时设定标志位，并于读取数据时根据相应的标志位进行相应处理，其可以达到减小存储器的读出电流、降低存储器的读出功耗的目的，有利于存储速度的提闻。上述实施例仅例示性说明本发明的原理及其功效，而非用于限制本发明。任何本领域技术人员均可在不违背本发明的精神及范畴下，对上述实施例进行修饰与改变。因此，本发明的权利保护范围，应如权利要求书所列。
权利要求
1.一种存储阵列装置，包含多行存储阵列，其特征在于每行存储阵列包含多个子存储阵列，每个子存储阵列之间设有开关，于每个子存储阵列的首尾分别具有一编程标志位及反相标志位，该编程标志位用于记录当前子存储阵列是否被编程，该反相标志位用于表示原始数据是否反相后被写入当前子存储阵列。
2.如权利要求I所述的存储阵列装置，其特征在于该编程标志位为O表示当前子存储阵列被编程过，该编程标志位为I表示当前子存储阵列未被编程过。
3.如权利要求I所述的存储阵列装置，其特征在于该反相标志位为O表示原始数据被反相过后才写入当前子存储阵列，该反相标志位为I表示原始数据写入当前子存储阵列时没有被反相。
4.一种减小存储阵列装置读电流的方法，包括如下步骤 步骤一，于每行存储阵列的每个子存储阵列首尾分别设置一编程标志位及一反相标志位并初始化； 步骤二，编程时，根据一预定规则检验确定反相标志位，并设定该子存储阵列的编程标志位为被编程过；以及 步骤三，根据确定的反相标志位将相应的数据及该反相标志位一起写入。
5.如权利要求4所述的一种减小存储阵列装置读电流的方法，其特征在于，该方法还包括如下步骤 当读取该存储阵列装置时，首先读取该编程标志位并判断当前子存储阵列是否被编程过； 若判断结果为当前子存储阵列未被编程过，则无需从当前子存储阵列读数据，而直接输出数据‘I’ ; 若判断结果为当前子存储阵列被编程过，读出该编程标志位后的数据，并对最后的反相标志位进行校验； 若校验的结果为数据写入时被反相过，则将数据反相后再输出，若校验的结果为数据写入时没有被反相过，则直接输出数据。
6.如权利要求4所述的一种减小存储阵列装置读电流的方法，其特征在于，该预定规则为 写入当前子存储阵列的数据是否I的个数大于或等于n/2 ； 若是，则令该反相标志位表示数据写入时反相，并将数据反相后连同该反相标志位一起写入；否则，则令该反相标志位表示数据写入时未反相，并将数据连同该反相标志位一起写入。
7.如权利要求5所述的一种减小存储阵列装置读电流的方法，其特征在于若写入当前子存储阵列的数据是否I的个数大于或等于n/2，则令该反相标志位为O，否则为I。
8.如权利要求4所述的一种减小存储阵列装置读电流的方法，其特征在于于步骤二中，将该编程标志位设定为O。
全文摘要
本发明公开一种存储阵列装置及其减小读电流的方法，该装置包含多行存储阵列，每行存储阵列包含多个子存储阵列，每个子存储阵列之间设有开关，其中，于每个子存储阵列的首尾分别具有一编程标志位及反相标志位，该编程标志位用于记录当前子存储阵列是否被编程，该反相标志位用于表示原始数据是否反相后被写入当前子存储阵列，通过本发明，可达到减小存储器的读出电流、降低存储器的读出功耗的目的。
文档编号G11C16/06GK102903387SQ201210366869
公开日2013年1月30日 申请日期2012年9月27日 优先权日2012年9月27日
发明者杨光军 申请人:上海宏力半导体制造有限公司