本发明涉及存储器后端应用,特别是涉及一种重读电压纠正方法、装置、可读存储介质及电子设备。
背景技术:
1、目前主流的闪存类存储产品例如emmc,ufs等产品,其内部均包含一种read retry纠错机制。当闪存类存储产品在数据读取过程中发生ecc(error control coding,纠错码)无法纠正的错误时,通过read retry纠错机制找到合适的电压偏移值进行重读纠正。
2、通常在read retry流程中,厂商会提供经过实验测试的重读电压偏移纠正值,并将它们以矩阵数组的方式进行存放。但由于read retry过程需要遍历整个数组才能够找到合适的电压偏移值执行重读纠正,同时闪存类存储产品读取数据的过程中存在较多的重读操作,导致闪存类存储产品读取效率降低。
技术实现思路
1、本发明所要解决的技术问题是:提供一种重读电压纠正方法、装置、可读存储介质及电子设备,提高闪存类存储产品read retry流程的效率,从而提高产品的数据读取效率和性能。
2、为了解决上述技术问题,本发明采用的技术方案为:
3、一种重读电压纠正方法,包括:
4、获取待重读目标数据页的数据页类型;
5、根据所述数据页类型得到对应的目标电压偏移区间;
6、获取重读电压区间表,判断所述目标电压偏移区间是否位于所述重读电压区间表的首位,若否,则将所述目标电压偏移区间置于所述重读电压区间表的首位;
7、依次遍历所述重读电压区间表内每一电压偏移区间中的每一纠正电压,并根据当前遍历到的纠正电压对所述待重读目标数据页进行重读操作,直至重读成功。
8、为了解决上述技术问题,本发明采用的另一技术方案为:
9、一种重读电压纠正装置,包括:
10、第一获取模块,用于获取待重读目标数据页的数据页类型;
11、第二获取模块,用于根据所述数据页类型得到对应的目标电压偏移区间;
12、判断模块,用于获取重读电压区间表,判断所述目标电压偏移区间是否位于所述重读电压区间表的首位,若否,则将所述目标电压偏移区间置于所述重读电压区间表的首位;
13、遍历模块,用于依次遍历所述重读电压区间表内每一电压偏移区间中的每一纠正电压,并根据当前遍历到的纠正电压对所述待重读目标数据页进行重读操作,直至重读成功。
14、为了解决上述技术问题,本发明采用的另一技术方案为:
15、一种计算机可读存储介质,其上存储有计算机程序,其特征在于,所述计算机程序被处理器执行时实现如上述的一种重读电压纠正方法各个步骤。
16、为了解决上述技术问题,本发明采用的另一技术方案为:
17、一种电子设备,包括存储器、处理器及存储在存储器上并可在处理器上运行的计算机程序,其特征在于,所述处理器执行所述计算机程序时实现如上述的一种重读电压纠正方法各个步骤。
18、本发明的有益效果在于:通过在对待重读目标数据页进行重读时,获取其对应的数据页类型以及目标电压偏移区间,并将目标电压偏移区间调整至重读电压区间表的首位,使得通过重读电压区间表对待重读目标数据页进行重读操作时,能够先获取目标电压偏移区间中的纠正电压对待重读目标数据页进行重读操作,由于目标电压偏移区间中的纠正电压与待重读目标数据页的数据页类型相对应,从而能更快速的遍历到相应的纠正电压并完成重读操作,进而提高重读流程的效率,提高产品的数据读取效率和性能。
1.一种重读电压纠正方法,其特征在于,包括:
2.根据权利要求1所述的一种重读电压纠正方法,其特征在于,所述获取重读电压区间表之前包括:
3.根据权利要求1所述的一种重读电压纠正方法,其特征在于,所述直至重读成功之后还包括:
4.根据权利要求3所述的一种重读电压纠正方法,其特征在于,所述将重读成功的所述纠正电压作为目标纠正电压之后还包括:
5.根据权利要求4所述的一种重读电压纠正方法,其特征在于,所述判断所述目标纠正电压是否属于所述目标电压偏移区间还包括:
6.根据权利要求3所述的一种重读电压纠正方法,其特征在于,所述将所述目标纠正电压置于对应的所述电压偏移区间的首位还包括:
7.根据权利要求3所述的一种重读电压纠正方法,其特征在于,电压偏移值包括左偏移、右偏移以及杂乱偏移;
8.一种重读电压纠正装置,其特征在于,包括:
9.一种计算机可读存储介质,其上存储有计算机程序,其特征在于,所述计算机程序被处理器执行时实现如权利要求1-7任意一项所述的一种重读电压纠正方法各个步骤。
10.一种电子设备,包括存储器、处理器及存储在存储器上并可在处理器上运行的计算机程序,其特征在于,所述处理器执行所述计算机程序时实现如权利要求1-7任意一项所述的一种重读电压纠正方法中的各个步骤。