本技术实施例涉及但不限于存储，尤其涉及一种闪存测试方法、电子设备以及存储介质。
背景技术：
1、在相关技术中，随着闪存存储密度和制程工艺的不断提升，其在异常电源工况下的可靠性问题日益突出。在实际应用中，闪存不仅会遭遇突然断电、电源抖动等异常电源工况，更关键的是这些电源异常往往与设备正在执行的异常命令（如非法操作指令、越界地址访问等）产生协同效应，形成复合故障模式。
2、目前的闪存测试方式是通过监控闪存的r/b引脚来识别工作状态，当检测到繁忙状态时触发可控电源的断电操作，最终通过采集断电后的阈值电压分布图进行评估，然而这种测试方式仅能模拟单一电源异常场景，无法测试异常命令与电源故障之间的协同作用对闪存所带来的影响，导致无法完整地对闪存可靠性进行评估。
技术实现思路
1、本技术实施例提供一种闪存测试方法、电子设备以及存储介质，能够测试异常命令与电源故障之间的协同作用对闪存所带来的影响，从而可以提高闪存测试的可靠性。
2、一方面，本技术实施例提供了一种闪存测试方法，包括：
3、确定异常供电场景和异常操作命令；
4、响应于根据所述异常供电场景对待测闪存进行供电，根据所述异常操作命令对所述待测闪存进行操作；
5、响应于所述异常供电场景结束，对所述待测闪存进行数据检测，得到所述待测闪存的测试结果。
6、在一实施例中，所述对所述待测闪存进行数据检测，得到所述待测闪存的测试结果，包括：
7、对所述待测闪存进行闪存初始化，得到所述待测闪存的运行异常状态信息；
8、对所述待测闪存的数据进行数据比对，得到所述待测闪存的数据异常状态信息；
9、根据所述运行异常状态信息和所述数据异常状态信息确定所述测试结果。
10、在一实施例中，所述根据所述异常操作命令对所述待测闪存进行操作，包括：
11、响应于所述异常操作命令包括写入命令，根据所述写入命令进行所述待测闪存中的待测数据块的确定；
12、响应于所述待测数据块合法，对所述待测数据块进行擦除；
13、将预设的待写入数据向经过了擦除的所述待测数据块进行写入。
14、在一实施例中，所述对所述待测闪存的数据进行数据比对，得到所述待测闪存的数据异常状态信息，包括：
15、响应于所述异常供电场景包括掉电场景，确定掉电时刻在所述待测闪存中对应的目标写入页；
16、确定在所述待测数据块中，所述目标写入页之前的数据页在所述待写入数据中对应的第一目标数据；
17、将所述第一目标数据与在所述待测闪存中，所述目标写入页之前的所有数据进行比较，得到所述数据异常状态信息。
18、在一实施例中，所述将所述第一目标数据与在所述待测闪存中，所述目标写入页之前的所有数据进行比较，得到所述数据异常状态信息，包括：
19、响应于所述第一目标数据与在所述待测闪存中，所述目标写入页之前的所有数据相同，确定在所述待测数据块中，所述目标写入页在所述待写入数据中对应的第二目标数据；
20、根据所述第二目标数据进行验证，得到所述数据异常状态信息。
21、在一实施例中，所述方法还包括：
22、响应于所述写入命令在向经过了擦除的所述待测数据块进行写入的过程中发生更新，中止所述待写入数据对所述待测数据块的写入，并根据更新的所述写入命令进行新的待测数据块的确定；
23、响应于所述新的待测数据块合法，对所述新的待测数据块进行擦除；
24、将预设的新的待写入数据向经过了擦除的所述新的待测数据块进行写入。
25、在一实施例中，所述对所述待测闪存的数据进行数据比对，得到所述待测闪存的数据异常状态信息，包括：
26、响应于所述异常供电场景为掉电场景且在所述写入命令更新前后均发生掉电，确定所述写入命令更新前的掉电时刻在所述待测数据块中对应的第一目标写入页，以及所述写入命令更新后的掉电时刻在所述新的待测数据块中对应的第二目标写入页；
27、确定在所述待测数据块中，所述第一目标写入页之前的数据页在所述待写入数据中对应的第三目标数据，以及在所述新的待测数据块中，所述第二目标写入页之前的数据页在所述新的待写入数据中对应的第四目标数据；
28、将所述第三目标数据与在所述待测数据块中，所述第一目标写入页之前的所有数据进行比较，以及将所述第四目标数据与在所述新的待测数据块中，所述第二目标写入页之前的所有数据进行比较，以确定所述数据异常状态信息。
29、在一实施例中，所述将所述第三目标数据与在所述待测数据块中，所述第一目标写入页之前的所有数据进行比较，以及将所述第四目标数据与在所述新的待测数据块中，所述第二目标写入页之前的所有数据进行比较，以确定所述数据异常状态信息，包括：
30、响应于所述第三目标数据与在所述待测数据块中，所述第一目标写入页之前的所有数据相同，确定在所述待测数据块中，所述第一目标写入页在所述待写入数据中对应的第五目标数据；
31、根据所述第五目标数据进行验证，得到第一验证结果；
32、响应于所述第四目标数据与在所述新的待测数据块中，所述第二目标写入页之前的所有数据相同，确定在所述新的待测数据块中，所述第二目标写入页在所述新的待写入数据中对应的第六目标数据；
33、根据所述第六目标数据进行验证，得到第二验证结果；
34、根据所述第一验证结果和所述第二验证结果，得到所述数据异常状态信息。
35、另一方面，本技术实施例还提供了一种电子设备，包括：至少一个处理器；至少一个存储器，用于存储至少一个程序；当至少一个所述程序被至少一个所述处理器执行时实现如前面所述的闪存测试方法。
36、另一方面，本技术实施例还提供了一种计算机可读存储介质，存储有计算机可执行指令，其特征在于，所述计算机可执行指令用于执行如前面所述的闪存测试方法。
37、另一方面，本技术实施例还提供了一种计算机程序产品，包括计算机程序或计算机指令，所述计算机程序或所述计算机指令存储在计算机可读存储介质中，电子设备的处理器从所述计算机可读存储介质读取所述计算机程序或所述计算机指令，所述处理器执行所述计算机程序或所述计算机指令，使得所述电子设备执行如前面所述的闪存测试方法。
38、本技术实施例提供了一种闪存测试方法、电子设备以及存储介质，方法包括：确定异常供电场景和异常操作命令；响应于根据所述异常供电场景对待测闪存进行供电，根据所述异常操作命令对所述待测闪存进行操作；响应于所述异常供电场景结束，对所述待测闪存进行数据检测，得到所述待测闪存的测试结果。通过根据异常供电场景对待测闪存进行供电过程中，对进行闪存进行操作，这样就可以模仿闪存在供电情况下依旧需要根据预先设置好的命令进行操作的过程，在此基础上，由于预先设置好的命令是异常命令，因此这一工作过程会受到异常命令以及异常供电场景的耦合影响，从而能够实现对异常命令与电源故障之间的协同作用的模仿，进而能够准确地对闪存引入协同作用所带来的影响，以此完整地对闪存可靠性进行评估。