信息存储应用技术
  • 用于生成秘密数据串的集成电路和方法与流程
    实施例及实现方式涉及一种用于生成秘密数据串的集成电路和方法,特别是用于防止通过逆向工程技术获取秘密数据串的保护。、存在被称为逆向工程的技术,能够拆解集成电路并从中得出观察结果,使得能够复制其结构和操作,特别是提取可能记录在非易失性存储器中的潜在秘密数据。、记录在非易失性存储器中的数据可以通...
  • 一种测试固态硬盘NAND链路可靠性的方法与流程
    本发明涉及固态硬盘,一种测试固态硬盘nand链路可靠性的方法。、随着ssd在数据中心、云计算和移动设备中的广泛应用,其数据可靠性和寿命成为关键指标。ssd的核心存储单元是nand flash颗粒,其通过多组高速信号线与主控芯片连接,形成复杂的物理链路。在实际应用中,链路的完整性直接影响ss...
  • 一种硬盘的防护外壳的制作方法
    本技术属于硬盘,具体为一种硬盘的防护外壳。、在对硬盘进行存放的时候,一般是将其保存在特定的结构内,以避免硬盘而可能被损坏。现有的存放盒大多是不透明的结构,用户在对硬盘进行存放的时候,有时候需要在存放盒上贴上标签,以便在需要的时候,能够快速的找到对应型号的硬盘。但存放盒反复使用,每次均需要贴...
  • 一种多功能移动硬盘的制作方法
    本技术涉及硬盘,具体为一种多功能移动硬盘。、现有的移动硬盘应用于手机时,一般通过数据线连接手机。而目前实时存储需求的激增,特别是户外实时拍摄、直播等自媒体行业的壮大,传统的移动硬盘由于不方便用户同时握住手机与硬盘,因此已不便于实时的使用。、为此,本申请提出一种方便实时搭配手机使用的多功能移...
  • 故障处理方法、装置、设备及存储介质与流程
    本申请实施例涉及数据存储,尤其涉及故障处理方法、装置、设备及存储介质。、在现代固态硬盘(ssd,solid state drive)控制器中,通道用于与多个nand闪存的晶片die进行数据传输,每个通道可通过独立的晶片使能信号(ce,chip enable)并行操作多个die。ssd固件将...
  • 半导体装置以及半导体芯片
    本发明涉及半导体装置以及半导体芯片。、已知一种如下方法:通过层叠形成有多个半导体芯片的半导体基板,将构成不同层的半导体基板的半导体芯片彼此以能够传递信号的方式进行连接后,将半导体芯片部分单片化,来制造半导体装置。、<现有技术文献>、<专利文献>、专利文献:国际公开第...
  • 一种基于信息交互的数据备份装置的制作方法
    本技术涉及数据备份,具体为一种基于信息交互的数据备份装置。、随着社会的发展,科技的不断进步,信息科技的不断发展,在信息交互的过程中,需要对数据进行存储备份,目前对于数据信息的管理与存储还是保持在主动备份的状态,为了维护计算机系统安全、数据库服务器的管理的时候就需要对数据进行备份,所以常常使...
  • 一种基于6T-SRAM和本地运算单元的存内计算电路及芯片
    本发明涉及集成电路的一种存内计算电路,尤其涉及一种基于t-sram和本地运算单元的存内计算电路,还涉及一种存内计算芯片。、近年来,随着人工智能与边缘计算领域的迅猛发展以及落地应用的持续深化,对硬件系统的低功耗特性与高速读取能力提出了迫切需求。然而,在传统的冯·诺伊曼架构中,数据需要在存储器...
  • 一种基于AI数据分析的3D堆叠忆阻器阵列优化方法与流程
    本发明涉及存储器控制与人工智能,具体为一种基于ai数据分析的d堆叠忆阻器阵列优化方法。、随着人工智能与大数据计算需求的指数级增长,基于忆阻器的存内计算架构因其高存储密度和非易失性特征而受到广泛关注。为了进一步突破摩尔定律的物理限制,忆阻器阵列逐渐从二维平面结构向三维垂直堆叠(dvertic...
  • 基于数据错误程度指标判向的读取电压校准方法、设备及存储介质与流程
    本申请涉及数据处理,尤其涉及基于数据错误程度指标判向的读取电压校准方法、设备及存储介质。、在nand flash存储系统中,由于nand flash颗粒在长期使用过程中会受到工艺波动、反复擦写导致的磨损等因素影响,存储单元的阈值电压分布发生偏移,因此需要对读取参考电压进行校准优化。、nan...
  • 包括多个存储装置的存储器封装件的制作方法
    本公开涉及一种存储器封装件,并且更具体地,涉及一种包括多个存储装置的存储器封装件。、通用闪存存储(ufs)是用于支持高速数据传输的存储接口,并且广泛用在紧凑型电子装置(诸如,移动装置)中。根据定义了用于ufs装置的标准规范的联合电子装置工程委员会(jedec)的ufs.标准,主机与ufs装...
  • 数据存储装置及解码组合选择方法与流程
    本发明涉及一种数据存储装置及数据解码方法,尤其涉及一种数据存储装置及解码组合选择方法。、闪存是一种非挥发性存储器,具有断电后数据不丢失的特点。与传统的随机存取存储器(ram)不同,闪存不能进行复盖写,既不能直接在原有数据上进行修改,而是需要先擦除整个块,然后再写入新的数据。、闪存中的基本存...
  • 双多晶硅非易失性存储器位单元的制作方法
    本公开总体上涉及集成电路技术,并且具体地涉及制造非易失性存储器设备的设计和方法。、集成电路可被制造为包括数据处理单元(诸如中央处理单元或图形处理单元)以及可被用于存储供数据处理单元使用的数据的存储器块两者。在一些配置中,存储器块可包括非易失性存储器(nvm),诸如电可擦除可编程只读存储器(...
  • 存储装置的最优读电压确定方法、电子设备及存储介质与流程
    本申请涉及存储,特别是涉及存储装置的最优读电压确定方法、电子设备及存储介质。、存储装置在进行数据读取时,最优的读电压可以提供最低的数据错误率,进而大大提高纠错码的译码成功概率。、在实际应用中,由于受到保留时间和擦写次数等多种现实因素的影响,可能使得基于默认阈值电压得到的统计信息产生偏移。而...
  • 一种磁随机存储器数据写入方法、装置及系统
    本申请涉及随机存储器领域,具体涉及一种磁随机存储器数据写入方法、装置及系统。、在信息存储技术向高密度、低功耗、高可靠方向快速演进的过程中,自旋轨道矩磁随机存储器凭借其读写速度快、擦写寿命长、非易失性等突出优势,成为替代传统存储器件的核心候选技术之一,sot-mram 的核心工作机制是在自旋...
  • SONOS存储器的存储阵列及其编程方法与流程
    本发明涉及半导体集成电路制造,尤其涉及一种sonos存储器的存储阵列及其编程方法。、随着技术的发展,对大数据的分析对数据的存储与处理的需求越来越高,因此对非易失性存储器也随之升高。非易失性存储器作为计算机中必不可少的存储设备,对所处理的信息起着重要的存储功能。在非易失性存储器中,sonos...
  • 智能感知存储器的进化方法、系统和装置与流程
    本申请涉及数据存储,特别涉及一种智能感知存储器的进化方法、系统和装置。、随着边缘智能及具身智能等技术的高速发展,市场对存储器的数据搬运开销提出了严苛要求,集成了存算一体技术的存储器能够在存储器内完成计算,缓解了数据搬运开销。、目前,现有的存算一体的存储器,通常是使用固定的参数进行计算,无法...
  • 低温SF-eDRAM及低温自适应基准电压生成电路
    本发明涉及一种基于tc(个晶体管个电容,tc)结构的低温嵌入式动态随机存储器(embedded dynamic random access memory,edram)宏单元,用于近似搜索内容寻址存储器(approximately content-addressable memory,acam)与存...
  • 磁性结存储器设备及其写入方法与流程
    本公开涉及磁性结存储器设备及其写入方法。、随机存取存储器(random-access memory,ram)可以包括易失性存储器和非易失性存储器。易失性存储器每当电源被切断时就会丢失其中存在的数据,非易失性存储器即使当电源被切断时也会保留其存储。、作为一种非易失性存储器,自旋转移力矩磁随机...
  • 一种多块嵌入式闪存测试电路及其测试方法与流程
    本发明属于半导体存储器测试,特别涉及一种多块嵌入式闪存测试电路及其测试方法,适用于对嵌入式flash存储器进行功能验证、性能测试及量产筛选。、随着半导体工艺的不断进步,嵌入式闪存广泛应用于微控制器(mcu)、系统级芯片(soc)等集成电路中,以满足代码存储与数据存储的需求。在一些成熟的中高...
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