本揭示是关于一种记忆体装置及其操作方法。、近记忆体运算记忆体装置，经设计以通过接近记忆体储存进行运算来增强能量效率，需要高电源电压以用于扩大采样范围并减少记忆体内运算操作的结果的杂讯干扰，这引发了关于耦接至高压的记忆体装置中的标头电路的可靠性的担忧。技术实现思路、本揭示的一实施例提供一种记...

本发明的实施方式涉及磁盘装置。、在hdd(hard disk drive，硬盘驱动器)那样的盘装置中，多个磁盘、spm(spindlemotor，主轴马达)、头组件等电子部件收容于壳体内部。在该壳体的底面，搭载有能够与收容于壳体内部的电子部件、连接hdd的外部设备电连接的pcb(print...

本发明关于一种快闪存储器测试机制，尤指使用于快闪存储器控制器之解码器内的解码方法、快闪存储器控制器、对于快闪存储器进行测试的主机装置、快闪存储器的测试方法。、现今的快闪存储器(例如nand型快闪存储器)的技术已经进入了四层单元qlc(quad-level cell)、五层单元plc(pen...

本申请实施例涉及芯片，尤其涉及一种芯片的内测试方法、芯片及相关设备。、当前的系统级芯片(system on chip，soc)包含有大量的嵌入式存储器，其类型主要为静态随机访问存储器(static random access memory，sram)和只读存储器(readonly memo...

本发明涉及存储器，具体涉及存储器的操作方法、存储器及存储器系统。、nand存储器是一种非易失性存储设备(nonvolatile memory device)，其广泛应用于嵌入式产品中，如数码相机、随身听记忆卡等。随着nand存储器的发展，其存储单元(cell)可以对应多个编程态；为了满足更...

本技术涉及nand测试领域，具体是一种基于pcie的nand flash颗粒测试系统。、nand flash因其物理特性，在不同的温度、擦写次数、静置时长等条件情况下，其读取数据中的错误数会有不同的分布，一般表现为随着温度升高、擦写次数增加、静置时间增长，错误数会有明显的增加。但由于错误数...

、.、本公开总体上涉及非易失性存储器，并且更具体地涉及经过优化以在非常高的读取性能操作并且具有非常低的功耗的改进的存储器设备。、.相关技术、半导体存储器广泛用于各种电子设备，诸如蜂窝电话、数码相机、个人数字助理、医疗电子器件、移动计算设备、服务器、固态驱动器、非移动计算设备以及其他...

本公开实施例涉及半导体，特别涉及一种存储器装置及其操作方法、存储器系统。、存储器装置是现代信息技术中用于保存信息的记忆设备。作为一种典型的非易失性半导体存储器，nand闪存(nand flash memory)存储器由于具有较高的存储密度、可控的生产成本、合适的编擦速度及保持特性，已经成为...

本技术涉及固态硬盘生产测试设备领域，特别涉及一种固态硬盘测试设备。、固态硬盘，又称固态驱动器，是用固态电子存储芯片阵列制成的硬盘。为保证固态硬盘的品质性能，在固态硬盘完成生产后需要进行多项检测。在检测过程中将固态硬盘插接到检测设备上进行，测试完成后再将固态硬盘拔下。现有的测试操作大部分分为...

本发明涉及磁带存储，特别涉及一种高集成度多值磁带读取soc芯片架构及磁带读取方法。、随着数据存储需求的不断增长，磁带存储技术因其高容量、低成本和长期保存特性仍然受到重视。为了进一步提高磁带存储密度，多值存储技术被引入，通过将多个比特信息编码到单个磁畴中，可以显著提高存储容量。然而，多值存储...

本发明涉及半导体，特别是涉及一种分栅存储器阵列结构及其操作方法。、现有技术的基于热载流子注入的浮栅型存储器，具有写入时间快等优势，但操作电压和写入时电流都较大，可能带来潜在的功耗问题；而现有技术的sonos型存储器，利用f-n隧穿效应进行擦写操作，沟道电流几乎为，且具有低电压的优势，但相比...

本公开涉及一种半导体装置，并且具体地，涉及一种包括竖直沟道晶体管的半导体装置。、随着半导体装置的尺寸缩小，开发能够增加半导体装置的集成密度并提高操作速度和产量的制造技术是有益的。因此，已经提出了具有竖直沟道晶体管的半导体装置，以增加半导体装置的集成密度并改善晶体管的电阻和电流驱动特性。技术...

本申请实施例涉及通信领域，具体而言，涉及一种存储器读地址的置位方法。、传统的dac内分频器和随机存取存储器的初始化复位，通常通过pll时钟对输入系统基准信号input sysref进行采样并和时钟一起传输到dac，在接收到系统基准同步信号后，在其第一个上升沿产生同步复位脉冲sync res...

本技术涉及芯片测试领域，具体是一种兼容多种nand socket的测试板。、在soc芯片设计过程中，需要熟练掌握nand flash的特性。同时，因为当前市场上nand flash种类及型号多种多样，所以要求芯片可以兼容不同厂家不同型号的nandflash，所以在芯片测试的同时，如果可以同...

本技术涉及信息安全存储设备，尤其涉及一种信息安全用存储设备防护装置。、信息安全用存储设备是指专门用于保护和存储信息，以确保信息的安全性、完整性和可用性的设备，其中包括硬盘、u盘和光盘等。、如中国专利cnu公开了一种信息安全用存储设备防护装置，包括储存箱体，储存箱体的内侧壁固定安装有至少两个...

本发明涉及存储器，尤其涉及一种otp控制器的控制方法、一种计算机可读存储介质、一种otp控制器的控制装置和一种otp存储器。、otp存储器是一种非易失性存储器技术，允许用户在芯片制造后编程一次，之后该存储器中的数据将永久保存，无法被擦除或重写，然而，相关技术的问题在于，因为otp存储器只能...

本申请涉及相变存储器，具体为一种存储器以及存储器的操作方法。、pcm(phase change memory，相变存储器)是一种非易失性存储器，其通过相变材料的电阻差异表示数据状态。读取数据过程中，通常通过bl(bit line，位线)与dl(dataline，数据线)之间的电荷共享实现对...

本发明涉及光盘离线存储管理，具体而言，涉及一种带有智能存取系统的光盘库离线柜及存取方法。、光盘库是一种带有自动换盘机构（机械手）的光盘网络共享设备。光盘库一般由放置光盘的光盘架、自动换盘机构（机械手）和驱动器三部分组成。近年来，由于单张光盘的存储容量大大增加，光盘库相较于常见的存储设备如磁...

本发明涉及一种半导体集成电路的制造方法，特别是涉及一种nord闪存耐久性(endurance)拖尾位(tail bit)的筛选方法。、如图所示，是现有nord闪存的存储单元的电路结构示意图；如图所示，是现有nord闪存的存储单元的剖面结构示意图；现有nord闪存如闪存包括多个存储单元，由多...

本申请涉及相变存储器，具体为一种存储器以及存储器的操作方法。、pcm(phase change memory，相变存储器)是一种非易失性存储器，其通过相变材料的电阻差异表示数据状态。读取数据过程中，通常通过bl(bit line，位线)与dl(dataline，数据线)之间的电荷共享实现对...