专利名称：半导体发光器件的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种半导体发光器件。
背景技术：
III-V族半导体已经被广泛地应用于诸如蓝色和绿色发光二极管(LED)这样的光 学器件、诸如金属半导体场效应晶体管(MOSFET)和高电子迁移率晶体管(HEMT)这样 的高速开关器件、以及照明装置或者显示装置的光源。特别地，使用III族氮化物半导体 的发光器件具有与从可视射线到紫外线的区域相对应的直接跃迁带隙并且能够实现高效 率光辐射。氮化物半导体主要被用于LED或者激光二极管(LD)，并且已经继续地进行研究 以提高氮化物半导体的光效率或者制造处理。
发明内容
实施例提供一种半导体发光器件，该半导体发光器件包括在多个化合物半导体 层下的第二电极层和其外侧中的第一电极。实施例提供一种半导体发光器件，该半导体发光器件包括第二电极层，该第二 电极层被设置在发光结构下；绝缘体，该绝缘体被设置在第二电极层的一侧上；以及第 一电极，该第一电极被设置在绝缘体上。实施例提供一种半导体发光器件，该半导体发光器件包括第一导电半导体 层；在第一导电半导体层下的有源层；在有源层下的第二导电半导体层；在第二导电半 导体层下的第二电极层；第二电极层的一侧上的绝缘体；以及绝缘体上的被电连接到第 一导电半导体层的一端的第一电极。实施例提供一种半导体发光器件，该半导体发光器件包括发光结构，该发光 结构包括第一导电半导体层、在第一导电半导体层下的有源层、以及在有源层下的第二 导电半导体层；在发光结构下的第二电极层；在发光结构的外侧的被电连接到第一导电 半导体层的第一电极；以及在第一电极和第二电极之间的绝缘体。在附图和下面的描述中提出一个或者多个实施例的细节。根据描述和附图以及 权利要求，其它的特征将会是显然的。
图1是根据一个实施例的半导体发光器件的侧截面图。图2是示出布线与图1的第一电极相接合的示例的图。图3至图8是示出根据一个实施例的制造半导体发光器件的处理的图。图9是根据另一实施例的半导体发光器件的侧截面图。
具体实施例方式现在详细地参考本公开的实施例，在附图中示出其示例。在下面的描述中，将会理解的是，当层(或膜)被称为在另一层或衬底“上” 时，它能够直接地在另一层或者衬底上，或者还可以存在中间层。此外，将会理解的 是，当层被称为在另一层“下”时，它能够直接地在另一层下，并且还可以存在一个或 者多个中间层。另外，还将会理解的是，当层被称为两个层“之间”时，它能够是两个 层之间的唯一层，或者还可以存在一个或者多个中间层。图1是根据一个实施例的半导体发光器件的侧截面图。图2是示出布线与图1 的第一电极相接合的示例的图。参考图1，半导体发光器件100包括第一导电半导体层110、有源层120、第二导 电半导体层130、第二电极层140、导电支撑构件150、绝缘体160、以及第一电极170。半导体发光器件100包括使用III-V族化合物半导体的发光二极管(LED)。LED 可以是发射诸如蓝色光、红色光或者绿色光这样的有色光的有色LED，或者可以是紫外 线(UV)LED。在实施例的精神和范围内可以不同地实现LED的发光。第一导电半导体层110可以从例如GaN、A1N、AlGaN、InGaN、InN、 InAlGaN、AlInN、AlGaAs> GaP> GaAs以及GaAsP的III-V族元素的化合物半导体中 选择。第一导电掺杂剂被掺杂在第一导电半导体层110中。当第一导电半导体层110是N型半导体层时，第一导电掺杂剂包括诸如Si、 Ge、Sn、Se以及Te这样的N型掺杂剂。第一导电半导体层110可以用作电极接触层， 并且可以被形成在单层或者多层中，但是不限于此。第一电极170被电连接到第一导电半导体层110的一端115。第一电极170可以 被设置在第一导电半导体层110的一端115下，或者可以被布置在外侧的行中。具有第一 极性的电源被施加给第一电极170。在此，特定形状的粗糙(未示出)可以被形成在第一 导电半导体层UO的整个表面上，并且在实施例的精神和范围内可以进行添加或者修改。此外，透明电极层(未示出)可以被形成在第一导电半导体层110上，并且将具 有第一极性的通过第一电极170施加的电源扩散给整个区域。透明电极层可以包括铟锡 氧化物(ITO)、铟锌氧化物(IZO)、铟锌锡氧化物(IZTO)、铟铝锌氧化物(IAZO)、铟镓 锌氧化物(IGZO)、铟镓锡氧化物(IGTO)、铝锌氧化物(AZO)、锑锡氧化物(ATO)、镓 锌氧化物(GZO)、IrOx> RuOx> RuOx/ITO、Ni/IrOx/Au 以及 Ni/IrOx/Au/ITO 中的至 少一个。有源层120被形成在第一导电半导体层110下，并且有源层120可以被形成在单 量子阱结构或者多量子阱结构中。有源层120通过使用III-V族元素的化合物半导体材料 可以形成阱层和阻挡层的周期，例如，InGaN阱层/GaN阻挡层的周期或者AlGaN阱层/ GaN阻挡层的周期。有源层120可以由具有根据发射光的波长的带隙能的材料形成。有源层120可 以包括发射诸如具有蓝色波长的光、具有红色波长的光以及具有绿色波长的光这样的有 色光的材料。导电包覆层可以被形成在有源层120上和/或下，并且可以以AlGaN层形 成。第二导电半导体层130被形成在有源层120下，并且可以由例如GaN、A1N、AlGaN、InGaN、InN、InAlGaN、AlInN、AlGaAs、GaP、GaAs 以及 GaAsP 的 III_V 族
元素的化合物半导体中的至少一个形成。第二导电掺杂剂被掺杂在第二导电半导体层130 中。当第二导电半导体层130是P型半导体层时，第二导电掺杂剂可以包括诸如Mg和 Ze这样的P型掺杂剂。第二导电半导体层130可以用作电极接触层、并且可以被形成在 单层或者多层中，但是不限于此。在此，第一导电半导体层110、有源层120以及第二导电半导体层130可以被定 义为发光结构135。此外，第一导电半导体层110可以由P型半导体形成，并且第二导 电半导体层130可以由N型半导体形成。第三导电半导体层，例如，N型半导体层或者 P型半导体层，可以被形成在第二导电半导体层130下。因此，发光结构135可以包括 N-P结结构、P-N结结构、N-P-N结结构以及P-N-P结结构中的至少一个。第二电极层140被形成在第二导电半导体层130下。第二电极层140可以由反 射电极材料形成，或者可以由Ag、Ni、Al、Rh、Pd、Ir、Ru、Mg、Zn、Pt、Au、Hf 和它们的选择性组合组成的材料中的至少一个形成。在此，反射电极材料可以由具有其 中反射率等于或者高于50%的特性的材料组成。其中以矩阵形或/和层式而形成多个图案的欧姆接触层(未示出)可以被形成 在第二电极层140中。欧姆接触层包括诸如ITO、IZO、AZO、IZTO、IAZO、IGZO、 IGTO以及ATO这样的材料中的至少一个。在此，第二电极层140可以与第二导电半导体层130肖特基接触或者欧姆接触。 当欧姆接触层存在时，第二电极层140与第二导电半导体层130肖特基接触，并且欧姆接 触层与第二导电半导体层130欧姆接触。因此，第二电极层140和欧姆接触层可以分开 被施加给第二导电半导体层130的电流，因为它们具有不同的电特性。第二电极层140用作电极，该电极将具有第二极性的电源稳定地提供给发光结 构135，并且反射通过第二导电半导体层130入射的光。导电支撑构件150被形成在第二电极层140下。导电支撑构件150可以由铜 (Cu)、金(Au)、镍(Ni)、钼(Mo)、铜钨(Cu-W)以及诸如 Si、Ge、GaAs、ZnO、SiC
等这样的载具晶圆中的至少一个形成。在电镀处理中可以形成导电支撑构件150，但是不 限于此。第二电极层140和导电支撑构件150可以被用作将具有第二极性的电源提供给发 光结构135的第二电极构件，并且第二电极构件可以被形成在单层或者多层中。在此， 具有单层的第二电极构件可以利用粘合剂而被附接在第二导电半导体层130下。在发光结构135的外侧中存在被蚀刻的区域A1，其可以被设置在比第二电极层 140的边缘更加向内。第一电极170通过绝缘体160而与层120、130以及140绝缘，并且被电连接到 第一导电半导体层110。第一电极170可以由Ti、Al、In、Ta、Pd、Co、Ni、Si、Ge、 Ag以及Au中的至少一个形成，但是不限于此。绝缘体160包括侧壁部分161和162、底部163、以及支撑部分164。绝缘体160 可以由Si02、Si3N4、A1203以及Ti02中的至少一个形成。绝缘体160的侧壁部分161和 162被形成在第一电极170的外表面中，并且可以以圆形或者多角形形成。在这样的情况 下，可以以圆形或者多角形形成第一电极170。
侧壁部分161和162的内侧壁部分161被设置在第一电极170与第二导电半导体 层130以及有源层120的外侧之间，并且将第一电极170的内侧表面与层120和130绝 缘。此外，内侧壁部分161被延伸到第一导电半导体层110的一端115的下部，并且能 够电断开第一电极170和有源层120。第一导电半导体层110的一端115被形成以部分地 重叠在第一电极170上。侧壁部分161和162的外侧壁部分162绝缘在芯片的沟道区域中的第一电极170 的另一侧表面，并且防止第一电极170的外侧被暴露。底部163被形成在第一电极170和第二电极层140之间，并且被设置在侧壁部分 161和162下。底部163被形成在第二电极层140的一侧上，并且电绝缘第一电极170和 第二电极层140。被延伸到底部163的内侧的支撑部分164被设置在第二导电半导体层130和第二 电极层140之间，并且防止绝缘体160从芯片分离。钝化层165可以被形成在第二电极层140的顶部周围。钝化层165具有环状或 者带状，并且可以被连接到绝缘体160的底部163。钝化层165的材料可以与绝缘体160 的相同。即，绝缘体160可以进一步包括钝化层165。此外，钝化层165可以以不同于绝缘体160的材料而被形成，例如导电材料。例 如，钝化层 165 可以包括 ITO、IZO> AZO> IZTO> IAZO> IGZO> IGTO 以及 ATO 中
的至少一个。钝化层165可不被形成。钝化层165将发光结构135与第二电极层140分离，并且因此，能够防止从第二 电极层140向发光结构135的侧壁传递的影响。第一电极170通过绝缘体160被设置在发光结构135的外侧并且在第二电极层 140的一侧上，被电连接到第一导电半导体层110，并且与层120、130以及140电断开。参考图2，布线180被接合在第一电极170上。在这样的情况下，布线180被连 接到设置在半导体发光器件100的外侧中的第一电极170，并且因此，可以被设置在半导 体发光器件100外。具有第一极性的电源通过第一电极170被提供给第一导电半导体层110，并且具 有第二极性的电源通过导电支撑构件150和第二电极层140被提供。在正向方向中照射 从半导体发光器件100的有源层120照射的光。这时，在第一导电半导体层110的顶表面中不存在障碍物，因此减少了阻隔光 Ll的传播的障碍物。例如，如果第一电极被设置在第一导电半导体层的顶部中并且布线被接合，那 么可能出现下述限制。第一电极和布线可以用作阻隔被提取到第一导电半导体层的顶表 面的光路径的障碍物。即，可能出现如下限制被设置在第一导电半导体层的顶表面中 的第一电极和布线吸收光。第一电极170被设置在半导体发光器件100的侧面中，并且因此，布线180没有 经过半导体发光器件100的上部。因此，能够提高光提取效率。图3至图8是示出根据一个实施例的制造半导体发光器件的处理的图。参考图3，在其上多个化合物半导体层被堆叠的发光结构135被形成在衬底101 上。发光结构135可以包括被顺序地堆叠的第一导电半导体层110、有源层120以及第二导电半导体层130。可以从蓝宝石衬底(A1203)、GaN、SiC、ZnO、Si、GaP、InP以及 GaAs 组成
的组中选择衬底101。凹凸图案可以被形成在衬底101上，但是不限于此。III-V族化合物半导体可以生长在衬底101上。在此，通过电子束蒸镀机、物理 气相沉积(PVD)、化学气相沉积(CVD)、等离子体激光沉积(PLD)、复式热蒸镀机、溅 射以及金属有机化学气相沉积(MOCVD)可以实现化合物半导体的生长设备，但是不限 于此。缓冲层(未示出)或/和未掺杂的半导体层(未示出)可以被形成在衬底101上。 缓冲层可以由单晶缓冲层或者III-V族化合物半导体形成，并且减小与衬底110的晶格常 数差。未掺杂的半导体层可以由GaN基半导体形成。在薄膜的生长之后，衬底101、 缓冲层以及未掺杂的半导体层可以被分离或者被移除。在此，单独的图案化的金属材料 (未示出)可以被形成在第一导电半导体层110和衬底101之间以用于保护有源层120。第一导电半导体层110被形成在衬底101上。例如，第一导电半导体层110 可以从化合物半导体，例如，GaN、A1N、AlGaN、InGaN、InN、InAlGaN、AlInN、 AlGaAs、GaP、GaAs以及GaAsP中选择。第一导电掺杂剂被掺杂在第一导电半导体层 110 中。当第一导电半导体层110是N型半导体层时，第一导电掺杂剂包括诸如Si、 Ge、Sn、Se以及Te这样的N型掺杂剂。在第一导电层110上，有源层120由III-V族化合物半导体形成，并且具有单量 子阱结构或者多量子阱结构。有源层120可以包括发射诸如具有蓝色波长的光、具有红 色波长的光以及具有绿色波长的光这样的有色光的材料。导电包覆层可以被形成在有源 层120上和/或下并且可以以AlGaN层形成，但是不限于此。第二导电半导体层130被形成在有源层120上，并且可以由例如GaN、A1N、 AlGaN、InGaN、InN、InAlGaN、AlInN、AlGaAs、GaP、GaAs 以及 GaAsP 的 III-V 族
元素的化合物半导体中的至少一个形成。第二导电掺杂剂被掺杂在第二导电半导体层130 中。当第二导电半导体层130是P型半导体层时，第二导电掺杂剂可以包括诸如Mg和 Ze这样的P型掺杂剂。第三导电半导体层，例如，N型半导体层或者P型半导体层，可以被形成在第二 导电半导体层130上。因此，发光结构135可以包括N-P结结构、P-N结结构、N-P-N 结结构以及P-N-P结结构中的至少一个。参考图4，在第一台面蚀刻处理中暴露第二导电半导体层110的一侧区域167。 在此，在第二导电半导体层130的部分中执行第一台面蚀刻处理，直到在干或/和湿蚀刻 处理中暴露第一导电半导体层110。在实施例的精神和范围内可以更改蚀刻处理。第一电极170被形成在第一导电半导体层110的一侧区域167中。第一电极170 可以由Ti、Al、In、Ta、Pd、Co、Ni、Si、Ge、Ag以及Au中的至少一个形成，但是 不限于此。第一导电半导体层110的一侧接触第一电极170的下表面，并且可以根据通 过第一台面蚀刻处理的蚀刻区域而更改接触区域的大小。在此，第一电极170的底部可以被电连接到第一导电半导体层110。第一电极170的厚度HI高于或者低于第二导电半导体层130的顶表面。
8
第一电极170以特定的间隔与第二导电半导体层130和有源层120的侧表面分 离，并且可以以圆形、多角形或者线形形成。参考图5，绝缘体160被形成在第一电极170的外表面和顶表面中。绝缘体160 包括侧壁部分161和162、底部163以及支撑部分164，并且覆盖第一电极170的被暴露 的区域。绝缘体160可以是由Si02、Si3N4、Al2O3以及TiO2中的至少一个形成。侧壁部分161和162被形成在第一电极170的外表面中。内侧壁部分161将第 一电极170的内侧表面与第一导电半导体层110、有源层120和第二导电半导体层I30的 一侧绝缘。外侧壁部分162绝缘在芯片的沟道区域中的第一电极170的另一侧表面。因 此，侧壁部分161和162防止第一电极170的外侧被暴露。底部163被形成在第一电极170的顶部中，并且绝缘第一电极170的顶表面。被 延伸到底部163的内侧的支撑部分164支撑整个绝缘体160。沿着第二导电半导体层130的顶表面的外侧可以形成钝化层165。钝化层165具 有环状或者带状，并且可以被连接到绝缘体160的底部163。钝化层165的材料可以与绝 缘体160的相同。S卩，绝缘体160可以进一步包括钝化层165。此外，钝化层165可以以不同于绝缘体160的材料而被形成，例如导电材料。例 如，钝化层 165 可以包括 ITO、IZO> AZO> IZTO> IAZO> IGZO> IGTO 以及 ATO 中
的至少一个。钝化层165可不被形成。参考图6，第二电极层140被形成在第二导电半导体层130和绝缘体160上，导 电支撑构件150被形成在第二电极层140上。被设置在第二导电半导体层130的顶表面的周围的钝化层165将发光结构135与 第二电极层140分离，并且因此，能够防止从第二电极层140向发光结构135的侧壁传递 的影响。第二电极层140可以由例如Ag、Ni、Al、Rh、Pd、Ir、Ru、Mg、Zn、Pt、Au、
Hf以及由它们的选择性组合组成的材料这样的反射电极材料中的至少一个形成。其中以 矩阵形或/和层式形成多个图案的欧姆接触层(未示出)可以被形成在第二电极层140和 第二导电半导体层130之间。欧姆接触层包括诸如ITO、IZO> AZO> IZTO> IAZO> IGZO> IGTO以及ATO这样的材料中的至少一个。第二电极层140用作电极，该电极将具有第二极性的电源稳定地提供给发光结 构135。在此，第二电极层140可以与第二导电半导体层130肖特基接触或者欧姆接触。 当存在欧姆接触层时，欧姆接触层和第二电极层140可以分开被施加给第二导电半导体 层130的电流，因为它们具有不同的电阻。导电支撑构件150可以由Cu、Au、Ni、Mo、Cu_W以及诸如Si、Ge、GaAs>
ZnO, SiC等这样的载具晶圆中的至少一个形成。在此，例如，在溅射处理中可以形成第 二电极层140。例如，在镀处理中可以形成导电支撑构件150。在实施例的精神和范围 内可以更改形成处理。参考图6和图7，衬底101被移除。在这样的情况下，衬底101被布置向上并且 被移除。在物理/化学处理中被设置在第一导电半导体层110下的衬底101被移除。例 如，当具有特定区域的波长的激光射线被照射到衬底101时，热能被集中在衬底101和第一导电半导体层110之间的边界表面上，并且因此衬底101被分离。此外，在从此衬底 101已经被移除的第一导电半导体层110的表面上可以执行使用感应耦合等离子体/反应 离子蚀刻(ICP/RCE)处理的处理。当非导电半导体层，例如，缓冲层和/或未掺杂的半导体层存在于衬底101和 第一导电半导体层110之间时，在蚀刻处理或者抛光处理中可以将其移除，但是不限于 此。参考图7和图8，第一导电半导体层110的一侧被设置在第一电极170和绝缘体 160 上。特定形状的粗糙(未示出)可以被形成在第一导电半导体层110的顶部上。此 外，透明电极层(未示出)可以被形成在第一导电半导体层110上，并且可以扩散电流。 透明电极层可以包括ITO、IZO、IZTO、IAZO、IGZO、IGTO、AZO、ATO、镓锌氧化 物(GZO)、IrOx、RuOx、RuOx/ITO、Ni/IrOx/Au 以及Ni/IrOx/Au/ITO 中的至少一个。对发光结构135执行第二台面蚀刻处理。在这样的情况下，被蚀刻的区域A1存 在于发光结构135的外周，其被设置比第二电极层140的边缘更加向内。在此，区域A1 可以不存在。第二台面蚀刻处理可以使用湿或/和干蚀刻处理，并且可以在实施例的精神和 范围内进行更改。当在第一导电半导体层110的一侧区域D1的部分中执行第二台面蚀刻处理时， 在第一导电半导体层110的该一侧中，第一电极170的顶部被暴露。由于第一导电半导体层110的特定区域D2被设置以重叠在第一电极170上，所 以第一电极170被电连接到第一导电半导体层110的一端115。在半导体发光器件100中，第一电极170被设置在第一导电半导体层110的侧方 向中，并且被接合到第一电极170的布线可以被设置在半导体发光器件100的外侧中。因 此，能够提高半导体发光器件100的光提取效率。图9是根据另一实施例的半导体发光器件的侧截面图。在另一实施例的描述 中，将会省略与所述一个实施例相同的关于相同元件的重复描述并且参考所述一个实施 例。参考图9，根据另一实施例的半导体发光器件100A包括第一导电半导体层110、 有源层120、第二导电半导体层130、第二电极层140、导电支撑构件150、多个绝缘体 160和160A、以及多个第一电极170和170A。多个绝缘体160和160A分别被设置在发光结构135的两侧中，并且电绝缘第一 电极170、170A层与120、130和140。关于绝缘体160和160A的详细描述参考所述一 个实施例。在多个第一电极170和170A中，其中第一导电半导体层110的一侧115和另一 侧117重叠的区域D2和D3可以相同或者相互不同。通过被形成在第一导电半导体上的电极图案可以相互电连接多个第一电极170 和 170A。在半导体发光器件100A中，第一电极170和170A分别被设置在第一导电半导 体层110的两侧方向中，并且被接合到第一电极170和170A的多条布线可以被设置在半导体发光器件100A的外侧中。因此，半导体发光器件100A的光提取效率能够被提高。实施例将第一电极设置在多个化合物半导体层的外侧中，从而解决由于第一电 极和布线引起的光吸收限制。实施例能够提高光效率。实施例能够提高半导体发光器件的可靠性。虽然已经参照本发明的多个示例性实施例描述了实施例，但是应该理解，本领 域的技术人员可以想到多个其它修改和实施例，这将落入本发明原理的精神和范围内。 更加具体地，在本说明书、附图和所附权利要求的范围内的主要内容组合布置的组成部 件和/或布置中，各种变化和修改都是可能的。除了组成部件和/或布置中的变化和修 改之外，对于本领域的技术人员来说，替代使用也将是显而易见的。
权利要求
1.一种半导体发光器件，包括 第一导电半导体层；在所述第一导电半导体层下的有源层； 在所述有源层下的第二导电半导体层； 在所述第二导电半导体层下的第二电极层； 在所述第二电极层的一侧上的绝缘体；以及在所述绝缘体上的被电连接到所述第一导电半导体层的一端的第一电极。
2.根据权利要求1所述的半导体发光器件，包括在所述第二电极层下的导电支撑构件。
3.根据权利要求1所述的半导体发光器件，其中所述绝缘体包括 在所述第二电极层的一侧上并且在所述第一电极下的底部；和所述第一电极周围的侧壁部分。
4.根据权利要求3所述的半导体发光器件，其中所述绝缘体包括在所述第二电极和所 述第二导电半导体层之间的从所述底部部分地延伸的支撑部分。
5.根据权利要求3所述的半导体发光器件，其中所述侧壁部分将所述第二导电半导体 层、所述有源层与所述第一电极电绝缘。
6.根据权利要求3所述的半导体发光器件，其中在所述底部上以圆形、多角形或者线 形而形成所述第一电极。
7.根据权利要求1所述的半导体发光器件，包括在所述第二电极层的另一侧和所述 第二导电半导体层之间的第二绝缘体、或者在所述第二电极层的所述另一侧的第二绝缘 体、和在所述第二绝缘体上的另一第一电极。
8.根据权利要求1所述的半导体发光器件，其中所述第二电极层的反射率等于或者高 于 50%。
9.一种半导体发光器件，包括发光结构，所述发光结构包括第一导电半导体层、在所述第一导电半导体层下的有 源层、以及在所述有源层下的第二导电半导体层； 在所述发光结构下的第二电极层；在所述发光结构的外侧的被电连接到所述第一导电半导体层的第一电极；以及 在所述第一电极和所述第二电极层之间的绝缘体。
10.根据权利要求9所述的半导体发光器件，其中所述发光结构包括在所述第二导电 半导体层和所述第二电极层之间的N型半导体层或者P型半导体层。
11.根据权利要求9所述的半导体发光器件，其中所述绝缘体将所述第一电极与所述 有源层和所述第二导电半导体层的外侧绝缘。
12.根据权利要求9所述的半导体发光器件，其中所述第一电极与所述第二导电半导 体层和所述有源层分离，并且被形成在所述第一导电半导体层的一端下。
13.根据权利要求9所述的半导体发光器件，其中 设置多个所述第一电极和所述绝缘体，将所述多个第一电极被分别地设置在所述第二电极层的两侧，并且 将所述多个绝缘体被分别地设置在所述第二电极层的两侧。
14.根据权利要求9所述的半导体发光器件，包括在所述第一导电半导体层上的透明 电极层或/和粗糙。
15.根据权利要求9所述的半导体发光器件，包括在所述第二电极层下的包括多个图案的欧姆接触层；和 在所述第二电极层和所述欧姆接触层下的导电支撑构件。
全文摘要
实施例提供一种半导体发光器件，其包括第一导电半导体层；第一导电半导体层下的有源层；有源层下的第二导电半导体层；第二导电半导体层下的第二电极层；第二电极层的一侧上的绝缘体；以及绝缘体上的被电连接到第一导电半导体层的一端的第一电极。
文档编号H01L33/38GK102017195SQ200980113897
公开日2011年4月13日 申请日期2009年4月16日 优先权日2008年4月24日
发明者李尚烈 申请人:Lg伊诺特有限公司