有机发光二极管及其制备方法

专利名称：有机发光二极管及其制备方法
技术领域：
本发明涉及一种有机发光二极管及其制备方法。具体而言，本发明涉及一种有机 发光二极管及其制备方法，该有机发光二极管最大程度地降低了从器件发射的光的全内反 射，提高了出光效率。
本申请要求于2008年5月23日向韩国知识产权局(KIPO)提交的第 10-2008-0048216号韩国专利申请的优先权，并在此将其公开的全部内容通过引用方式并 入本申请。
背景技术：
如图1所示，有机发光二极管(OLED)由两个电极(即阳极20和阴极40)组成，它 们形成于具有合适的机械强度且平坦的基板10上，且有机材料的薄膜多层30夹于其中。此 有机发光二极管商业上用于彩色平板显示器的制备，且近来，在OLED的光学应用上进行了 许多研究。
通常，有机发光二极管通过这样的现象运行其中空穴和电子分别由阳极和阴极 注入有机材料中，且这些载流子再结合以使光从器件发出。此时，驱动电压受到在阳极材料 和有机材料之间的界面处的空穴注入势垒高度和在阴极材料和有机材料之间的界面处的 电子注入势垒高度的影响。
有机发光二极管需要具有高功率效率和耐久度的性能。如图2所示，为了实现这 些性能，组成器件的有机材料具有多层结构空穴注入层31、空穴传输层32、发光层33和电 子传输层34，且已经持续研发了具有新的和稳定的分子结构的材料作为组成各个层的有机 材料。
在具有这样结构的有机发光二极管中，在基板的底部设置有光提取层，以防止由 器件发射的光在基板和空气之间的界面处的全内反射。图3图示说明了一种有机发光二极 管，其在基板的底部上设置有光提取层90。
特别地，发光层由主体材料和掺杂物构成，其中主体材料同时接收电子和空穴，掺 杂物将通过电子和空穴的再结合而形成的激子有效地转换为光。通常使用将单重态激子转 换为光的荧光掺杂物。最近，采用了将三重态激子转换为光的磷掺杂物以制备高量子效率 的器件。
最近，本发明人已发明了一种新的运行方法，其中电子和空穴在空穴注入层和空 穴传输层之间产生，且它们各自被传输到阳极和发光层，而不是由阳极向空穴注入层注入 空穴。这个新的运行方法是在有机材料之间产生电荷，而不是由阳极注入空穴。因此，其不 再需要克服空穴注入势垒，且由于使用在稳定界面处产生的电荷，也确保了低驱动电压和 高稳定性。
为了有效地向有机层注入电子和空穴，已经开发了不同的材料作为阴极和阳极材 料。将有机发光二极管制备为穿过基板发光的器件(底部发射)或在基板的相反方向发光 的器件(顶部发射)。发光方向由穿过光线的电极的透明度决定。在使用厚的具有高反射率的材料，如铝的情况下，电极反射光。在使用具有高透明度的材料，如金属氧化物或具有 能通过光的厚度的金属薄膜的情况下，光穿过电极。此外，如果两个电极都具有高透明度， 光可以从两侧发射。
在有机发光二极管中，阴极要求具有迅速向与其交界的电子传输层注入电子的性 能。由阴极向电子传输层的电子注入与电子传输层的LUMO(最低未占分子轨道)能级和阴 极材料的功函数的差密切相关，且这个差被称为电子注入势垒。有机发光二极管的驱动电 压取决于电子注入势垒高度。低电子注入势垒有助于降低驱动电压，且高电子注入势垒会 导致驱动电压增加。因此，为了降低电子注入势垒的高度，并在低电压下驱动器件，使用了 具有低功函数的金属。合适的阴极材料包括镁(Mg)、锂(Li)、铯(Cs)、钙(Ca)等，且为了改 进界面粘合性、抗氧化活性和反射性的目的，可以将它们与其他金属混合。由于这些材料具 有小于^V的功函数，电子注入势垒(即功函数和电子传输材料的LUMO能级之间的差)较 低。相反，可以使用具有高于4eV的功函数的金属，如铝(Al)作为阴极。然而，当铝用作阴 极时，由于其高电子注入势垒，需要较高的驱动电压。为了克服这个问题，如图14所示，将 绝缘材料薄膜41插入到有机层和阴极42之间，藉此极大地降低了驱动电压。绝缘材料的 例子以氟化锂(LiF)为代表。通过向器件施加电压，以5至30 A的厚度的薄膜形成的氟化 锂的作用是通过隧道效应增强由阴极向电子传输层的电子注入，或者通过在氟化锂和在其 上沉积的铝之间的化学反应而产生具有低功函数的锂原子，藉此促进了电子注入。
包含具有低功函数的材料或铝的阴极通过热蒸发形成。通常，通过溅射、电子束、 化学气相沉积(CVD)、热蒸发等使用金属或金属氧化物进行形成电极的工艺。然而，在有机 发光二极管的制备中，形成阴极的工艺是在形成阳极和有机材料的工艺之后进行的。因此， 在形成阴极的工艺中需要较低能量的热蒸发最大程度地降低了对之前沉积的有机材料的 损伤。出于此原因，在制备有机发光二极管中欲使用的阴极材料选自可以用于热蒸发的具 有相对较低熔点的金属中。
此外，阴极材料的选择取决于光是穿过基板还是在基板的相反方向发射。为了穿 过基板发光，放置于基板上的阳极选自具有高透明度的材料中，且阴极选自具有高反射率 的材料中，从而发光方向由基板的相反方向被诱导到向基板方向。作为适于此目的的阴极， 通常使用上述的铝。反之，为了在基板的相反方向发光，如图16所示，在具有高反射性的材 料21上沉积透明阳极22，或使用具有高反射性和高功函数(>4』eV)的材料作为阳极。 同时，如图15所示，具有低反射性的材料作为薄膜形成以形成阴极43，其中，为了防止在薄 膜阴极上发生的表面等离子体激元或者改进薄膜阴极的电导率，在阴极上以合适的厚度形 成高度透明的介电材料层或者透明导电材料层44以增加透明度。用于此目的使用的阴极 包括镁或者含镁的合金，且高介电或透明导电材料包括金属氧化物、金属混合物的氧化物、 氧化硅、氮化硅，但不限于此。
为了增加每单位面积的光强，将两个或更多个有机发光二极管结构沉积在一个基 板上以制备具有多层结构的器件。该器件的特征在于将两个或更多个有机发光二极管结构 串联连接，且其包括两个外电极(阳极和阴极)和插置于重复的有机发光二极管单元之间 的电荷产生层。该器件显示出这样的性能与常规的有机发光二极管相比，每单位面积的光 强度增加，且驱动电压与重复单元的数量成比例增加，但电流以反比降低，从而改进了器件 的耐久度。
如上所述，有机发光二极管可能具有彼此不同的结构，且因此可以使用不同的材 料。然而，该器件具有不同的结构，但具有一些共同的性能。也即是说，该共同性能为需 要具有适于制备有机发光二极管的机械强度的基板，在基板上需要两个或更多个具有不同 极性的电极，以及在两个不同极性的电极之间设置具有电子传输和发光性能的有机材料薄 层。两个不同极性的电极通常分为阴极和阳极，且它们分别用于向有机材料注入电子和空 穴。发明内容
技术问题
如上所述，本发明的一个目的是提供一种有机发光二极管及其制备方法，该有机 发光二极管最大程度地降低了由器件发射的光的全内反射，从而提高了发光效率。具体而 言，本发明人发现在由玻璃或塑料制备的基板和空气之间的界面处产生的全内反射，以及 在透明电极和基板之间产生的全内反射极大地影响发光效率，因此，已知的在有机发光二 极管的基板的底部上形成光提取层的方法在提高发光效率上有局限。因此，基于这个事实， 本发明的一个目的是提供一种有机发光二极管及其制备方法，其最大程度地降低了在由玻 璃或塑料制备的基板和空气之间的界面处产生的全内反射，以及在透明电极和基板之间产 生的全内反射。
技术方案
为了实现上述目的，本发明提供了一种有机发光二极管，其包括基板；第一电 极，其设置于所述基板上；一个或多个有机材料层，其设置于所述第一电极上；第二电极， 其设置于所述有机材料层上；以及光提取层，其设置于所述第二电极的顶部上。
此外，本发明提供了一种有机发光二极管，其包括基板；第一电极，其设置于所 述基板上；两个或更多个发光单元，其设置于所述第一电极上且包括一个或多个有机材料 层；中间电极，其设置于所述发光单元之间；第二电极，其设置于所述发光单元上；以及光 提取层，其设置于所述第二电极上。
此外，本发明提供了一种制备有机发光二极管的方法，其包括以下步骤在基板上 形成第一电极；在该第一电极上形成一个或多个有机材料层；在该有机材料层上形成第二 电极；以及在该第二电极的顶部上形成光提取层。
此外，本发明提供了一种制备有机发光二极管的方法，其包括以下步骤在基板 上形成第一电极；在该第一电极上形成两个或更多个发光单元，其包括一个或多个的有机 材料层；在形成该发光单元中的任意一个以后形成中间电极；在该发光单元上形成第二电 极；以及在该第二电极上形成光提取层。
有益效果
与现有技术中的在与空气接触的基板上形成光提取膜不同，本发明提供了一种高 效率的有机发光二极管，其通过在有机发光二极管(其包含在基板上形成的两个电极和插 置其间的至少一层有机材料)中与空气接触的最上部的透明电极上形成光提取膜，其能够 最大程度地降低在所述透明电极和基板之间的全内反射。此外，由于根据现有技术的有机 发光二极管的光提取膜暴露于外部，机械摩擦可能导致表面损坏。同时，由于根据本发明的 有机发光二极管的光提取膜置于保护基板内，其不会暴露于机械摩擦，从而使得耐久性改进了。


图1图示说明了常规的有机发光二极管的结构；
图2图示说明了图1的有机发光二极管的有机材料层的结构；
图3图示说明了在已知的基板的底部上设置有光提取层的已知的有机发光二极 管的结构；
图4图示说明了由高折射率的介质向低折射率的介质传播的光的路径；
图5图示说明了由在底部发射型有机发光二极管中的有机材料层产生的光的路 径；
图6图示说明了根据本发明的反向有机发光二极管的结构，其在上部电极的顶部 上设置有光提取层；
图7至12图示说明了设置于根据本发明的有机发光二极管的上部电极上的光提 取层；
图13图示说明了根据本发明的正向有机发光二极管的结构，其在上部电极的顶 部上设置有光提取层；
图14至15图示说明了所述有机发光二极管的阴极的结构；以及
图16图示说明了所述有机发光二极管的阳极的类型；具体实施方式
以下将详细描述本发明。
根据本发明的有机发光二极管具有以下结构其包括基板；设置在所述基板上的 两个电极；和插置在两个电极之间的有机材料层，其中，与现有技术中将光提取层设置于基 板的底部上不同，本发明的光提取层被设置在不与所述基板接触的第二电极的顶部上。
在有机发光二极管中，光由有机材料层产生，且有机发光二极管被分为穿过基板 发光的器件、在相反方向发光的器件或在基板两侧发光的器件。为了将有机材料层产生的 光发射到外部，取决于有机发光二极管的结构，光必须穿过若干界面。例如，如果光穿过基 板发出，由有机发光层产生的光穿过空穴传输层、空穴注入层、透明电极层和基板，并发射 到空气中。
当光向空气传播时，其穿过具有不同折射率的材料层。如图4所示，当光由高折射 率的层向低折射率的层传播时，根据折射率的差会发生全内反射。例如，玻璃或塑料基板具 有约1. 5至1. 6的折射率，且空气具有1的折射率。当光由玻璃或塑料基板传播至空气中 时，仅发射出相当于公式l/2n2的光，而其他光由于全内反射被困在具有高折射率的玻璃或 塑料基板中，并转化为热。
随着相邻介质的折射率的差的增加，全内反射增加。因此，在通常的有机发光二极 管中，在基板(玻璃或透明塑料)和空气之间的界面处发生的全内反射更高。当在一个介质 中的任意一点产生的光传播到具有较低折射率的介质中时，由法线(由该点向这两种介质 之间的界面所做的垂直线)和入射线(连接该点和在这两种介质之间的界面上的任意一点 所形成的线)所形成的角被定义为θ，则产生全内反射的角为Θ。= SirT1Ol2All),其中，η2为具有较低的折射率的介质的折射率，且H1为具有较高的折射率的介质的折射率(图4)。
如图3所示，为了最大程度地降低由于在有机发光二极管的基板和空气之间发生 的全内反射导致的光的损失，在现有技术中，尝试了在基板10的底部上形成光提取层90的 方法。
然而，人们意识到已知方法在提高有机发光二极管的光提取效率上存在局限。具 体而言，如图5所示，在基板和空气之间的界面处发生的全内反射在电极20和基板10之间 的界面处和在基板10和空气层之间的界面处发生了，且因此在透明电极和基板之间的界 面处的全内反射和在基板和空气层之间的界面处的全内反射显著地影响了从器件中提取 光的效率。
根据现有技术，由于在透明电极和基板之间发生的全内反射导致的光损失是不能 减少的。也就是说，由于通常的透明阳极材料，ITO或IZO具有1.7至2. 2的折射率，其高 于具有1. 5至1. 6的折射率的玻璃或塑料基板的折射率，部分光由于在透明电极和基板之 间的全内反射而不能发射出去。在电极和玻璃基板之间和在玻璃基板和空气层之间的界面 处的光损失分别为约50%和30%。
据此，在本发明中，光提取层被形成在上部电极上，而不是在有机发光二极管的基 板的底部上，从而防止了由于在透明电极和基板之间的界面处的全内反射和在器件和空气 之间的界面处的全内反射导致的光的损失。图6图示说明了根据本发明的器件的结构，其 中，包含高反射性金属的阴极层40、有机材料层30和高度透明的阳极层20被依次沉积在基 板10的顶部，且光提取层90被附于阳极层20上。
在根据本发明的有机发光二极管中，对光提取层的结构或材料没有特别的限制， 只要其能够改进由器件的光提取。
优选地，该光提取层具有较低的光吸收。可用的材料优选为柔性成型的聚合材料， 和在可见光区域的透射率> 50%，且更优选的，透射率为> 80%的材料。当向聚合物中添 加折射率差为0. 1以上的填料以为了改进光提取效率的目的而诱导散射时，形成膜的聚合 物和形成填料的材料中的每一个都优选具有< 50%的光吸收，更优选具有< 30%的光吸 收。
光提取层可以由如下的材料制备该材料的折射率在不与根据本发明的器件的基 板接触的上部电极(第二电极)的折射率和空气的折射率之间。此外，为了改进光提取层 的光提取效率，该光提取层优选具有1. 3至2. 5的平均折射率。因为光提取层具有更高的 折射率，因此进一步提高了光提取效率，这优选可以通过提高用于形成光提取层的聚合物 的折射率而实现。该聚合物的光折射率可以受组成聚合物的原子、官能团和密度等的影响， 且相对于由碳和氢组成的聚合物，更优选使用含有高原子序数原子(如氧或氮)的聚合物。 此外，在聚合物的分子结构中可包含硫或溴以增加折射率。
光提取层被设置成与第二电极相接触，其中，光提取层和第二电极之间的折射率 的差优选为0. 5以下，更优选为0. 2以下。
光提取层可以形成为表面起伏结构、透镜结构、具有不同折射率的材料的混合层 结构，或者梯形断面形状，这减少了全内反射，但其并不限于此。光提取层可具有多层结构， 且分为附到第二电极(上部电极)的支撑层和具有用于光提取的形状的层。
如图7所示，表面起伏的膜90a附于上部电极和空气之间的界面处，或者在上部电极上形成表面起伏以产生光散射，从而防止光的全内反射。
如图8所示，半球形透镜型的膜附于上部电极的外部或者半球形透镜90b被直接 形成在上部电极上以增加满足光与空气在临界角内的几率，从而减少全内反射。
如图9所示，光提取层形成为具有重复半球状图案90c的膜，其中，半球的半径和 高度以及半球透镜之间的间距可以根据目的优化。
除了半球状图案以外，如图10所示，粘附了具有通过去除圆锥顶部而形成的形状 (即，梯形断面形状)的膜90d，且如图11所示，将具有重复梯形断面形状的膜90e附于其上。
如图12所示，将含有具有不同折射率的两种或更多种材料的膜90f附于上部电极 上以引发漫反射，从而最小化全内反射，藉此改进光提取效率。
在本发明中，除了光提取层以外的有机发光二极管的组成将描述如下。
根据本发明的一个实施方式的有机发光二极管包括基板；第一电极，其设置于 所述基板上；一个或多个有机材料层，其设置于所述第一电极上；以及第二电极，其设置于 所述有机材料层上；其中所述光提取层设置于所述第二电极的上部上。
根据本发明的另一个实施方式的有机发光二极管包括基板；第一电极，其设置 于所述基板上；两个或更多个发光单元，其设置于所述第一电极上且包括一个或多个有机 材料层；中间电极，其设置于所述发光单元之间；以及第二电极，其设置于所述发光单元 上；其中所述光提取层设置于所述第二电极上。
根据本发明的有机发光二极管可以是顶部发射型或两侧发射型。此外，根据本发 明的有机发光二极管可以是正向0LED，其中首先在基板上形成阳极，然后形成有机材料层， 如空穴注入层、空穴传输层、发光层和电子传输层，最后形成阴极(见图13)。反之，根据本 发明的有机发光二极管也可以是反向0LED，其中首先在基板上形成阴极，然后形成有机材 料层，如电子传输层、发光层、空穴传输层和空穴注入层，最后形成阳极。在本发明中，有机 发光二极管优选为反向0LED，其中所述上部电极是透明阳极。
在本发明中，第一电极可以由具有高反射性的金属制备，且优选使用具有4. MV 以下的低功函数的材料。其具体例子可包括铝、钙、镁、银、铯(Cs)、锂或其合金。或者，通过 用具有低功函数的材料或具有η型性能的有机材料掺杂包含在有机材料层中的电子传输 材料来使用透明氧化物，如ITO(氧化铟锡)或IZO(氧化铟锌)作为第一电极，从而光可以 由第一电极和第二电极的两侧发出。
如图14所示，如果第一电极为阴极42，将绝缘材料的薄膜41插置于该阴极和有机 材料层之间，藉此降低驱动电压。绝缘材料的例子以氟化锂(LiF)为代表，但并不限于此。 当向器件施加电压时，以5至30 A的厚度的薄膜形成的氟化锂的作用是通过隧道效应增强 由阴极向电子传输层的电子注入，或者通过在氟化锂和在其上沉积的铝之间的化学反应而 产生的具有低功函数的锂原子，藉此以促进电子注入。
第二电极可优选由具有高透明度的材料制备，且其例子包括金属或合金的氧化 物，具体而言，氧化铟锡、氧化铟锌、通过向所述氧化物中加入如其他金属(如铝)、非金属 或两性元素而制备的氧化物。可以使用导电聚合物作为第二电极。此外，第二电极也可以 以金属薄膜形成。第二电极优选具有50%以上的透射率。对第二电极的折射率没有特别限 制，但当第二电极由透明导电氧化物制备时，其折射率为1. 7至2. 3。
包含具有低功函数的材料或铝的电极可通过热蒸发形成，且使用金属或金属氧化 物形成电极的工艺可以通过溅射、电子束、化学气相沉积(CVD)或热蒸发进行，但并不限于 此。
如果根据本发明的有机发光二极管为顶部发射型，在基板的对侧设置的第二电极 可以选自具有高透明度的材料中。因此，在基板上设置的第一电极选自具有高反射性的材 料中以从该侧向基板的对侧发光。在顶部发射有机发光二极管中，如果第一电极为阳极，如 图16所示，在具有高反射性的材料21上沉积透明阳极22，或使用具有高反射性和功函数 (> 4. 5eV)的材料作为阳极材料。关于这一点，如图15所示，将具有低反射性的材料形成 为薄膜以形成作为第二电极的阴极，其中，为了防止在薄膜阴极上发生的表面等离子体激 元或者改进薄膜阴极的电导率，在阴极上以合适的厚度形成高度透明的介电材料层或者透 明导电材料层44以增加透明度。用于此目的的阴极包括镁或者含镁的合金，且高介电或透 明导电材料包括金属氧化物、金属混合物的氧化物、氧化硅、氮化硅，但不限于此。
中间电极可以由作为第一电极或第二电极材料的示例材料制备。
根据本发明的有机发光二极管进一步包括在第二电极(其在有机材料层上形成) 和光提取层(其在第二电极上形成)之间的透明保护层，其中，所述透明保护层可以使用氧 化硅、氮化硅、氮氧化硅等通过CVD(化学气相沉积)形成。利用此方法，可以保护有机发光 二极管不受水汽或氧的损害，同时，可以最大程度地减少在粘附光提取层时产生的机械损 害。通过该方法沉积的氧化硅、氮化硅或氮氧化硅的折射率可以通过控制化学计量组成而 改变，且该折射率被优化为使光提取效率最大化。优选地，该保护层的折射率为1. 3至2. 5， 且其厚度为IOOnm至500nm。
保护层被插置于第二电极和光提取层之间，且保护层与第二电极之间的折射率差 异和保护层与光提取层之间的折射率差异优选为0. 5以下，更优选为0. 2以下。
根据本发明的有机发光二极管可以进一步在第二电极(其在有机材料层上形成) 和光提取层(其在第二电极上形成)之间包括粘合层。粘合层可由环氧树脂或丙烯酸树脂 制备，将低聚物材料涂覆于光提取膜上，然后压到第二电极上并通过热或紫外固化而附着。 利用此方法，可以保护有机发光二极管不受水汽或氧的损害，同时，可以最大程度地降低在 连接光提取层中可能产生的机械损害。
粘合层被插置于第二电极和光提取层之间，且粘合层与第二电极之间的折射率差 异和粘合层与光提取层之间的折射率差异优选为0. 5以下，更优选为0. 2以下。
组成本发明的有机发光二极管的有机材料层可以使用现有技术已知的结构或材 料形成。有机材料层可以由单层构成或者具有两层或更多层的多层结构。例如，有机材料 层可包括空穴注入层、空穴传输层、发光层和电子传输层。
实施例
以下，本发明将参考实施例更详细地描述。然而，这些例子仅出于举例说明的目 的，并且本发明并不限于这些实施例。
实施例1
通过热蒸发在透明玻璃基板(Corning 7059玻璃)上依次沉积铝000 A)和氟化 锂(LiF)以形成阴极。在阴极上沉积9，10-二-2-萘基-2-[4-(N-苯基苯并咪唑基)苯 基]蒽(化学式A)以形成厚度为200人的电子传输层。在上述工艺中，沉积速率维持在1人/sec。在真空中以94 6的体积比在电子传输层上沉积具有化学式B结构的发光主体 材料作为发光层，以及具有化学式C结构的掺杂物材料以形成厚度为300 A的掺杂发光层。 在该工艺中，发光主体的沉积速率维持在1人/sec。在真空中通过加热在发光层上依次沉积 具有化学式D的结构的化合物和具有化学式E结构的化合物以形成厚度分别为400 A和 700 A的空穴传输层和空穴注入层。在该工艺中，沉积速率维持在1 A/sec。通过溅射在空 穴注入层上沉积IZO(氧化铟锡)至厚度为1750 A以形成阳极。通过上述工艺制备的有机 发光二极管具有如图6所示的反向OLED的性能，且发光面积为4mm2。当向有机发光二极管 施加50mA/cm2的电流时，驱动电压为4. 8V且亮度为15. 3流明。在该有机发光二极管中， 将光提取膜附着于IZO阳极上，在所述光提取膜中，折射率为1. 5、半径为25 μ m的半球状透 镜(图9)以53μπι的间距以六边形的形状排列。当施加与附着光提取层之前施加的相同 的电流时，观察到了 19.6流明的亮度。在阳极上附着光提取层以后，亮度增加了观％。
化学式A化学式B
权利要求
1.一种有机发光二极管，其包括基板；第一电极，其设置于所述基板上；一个或多个 有机材料层，其设置于所述第一电极上；第二电极，其设置于所述有机材料层上；以及光提 取层，其设置于所述第二电极的顶部上。
2.一种有机发光二极管，其包括基板；第一电极，其设置于所述基板上；两个或更多 个发光单元，其设置于所述第一电极上且包括一个或多个有机材料层；中间电极，其设置于 所述发光单元之间；第二电极，其设置于所述发光单元上；以及光提取层，其设置于所述第 二电极上。
3.根据权利要求1或2所述的有机发光二极管，其中，所述光提取层被设置为与所述第 二电极相接触，且所述光提取层和第二电极之间的折射率的差为0. 5以下。
4.根据权利要求1或2所述的有机发光二极管，其中，所述光提取层在可见光波长区域 具有超过50%的透射率。
5.根据权利要求1或2所述的有机发光二极管，其中，所述光提取层具有1.3至2. 5的 平均折射率。
6.根据权利要求1或2所述的有机发光二极管，其中，所述光提取层被形成为表面起伏 结构、透镜结构、具有不同折射率的材料的混合层结构，或者梯形断面形状。
7.根据权利要求1或2所述的有机发光二极管，其中，所述光提取层具有多层结构，该 多层结构由附于所述第二电极的支撑层和具有光提取结构的层组成。
8.根据权利要求1或2所述的有机发光二极管，其中，所述有机发光二极管为顶部发射 类型或两侧发射类型。
9.根据权利要求1或2所述的有机发光二极管，其中，所述有机发光二极管为反向有机 发光二极管。
10.根据权利要求1或2所述的有机发光二极管，其中，绝缘材料薄膜被插置在所述第 一电极和有机材料层之间。
11.根据权利要求1或2所述的有机发光二极管，其中，所述第二电极由金属氧化物或 合金氧化物制备。
12.根据权利要求1或2所述的有机发光二极管，其中，所述第二电极由导电聚合物制备。
13.根据权利要求1或2所述的有机发光二极管，其中，所述第二电极由折射率为1.7 至2. 3的材料制备。
14.根据权利要求1或2所述的有机发光二极管，其在所述第二电极和所述光提取层之 间进一步包括保护层。
15.根据权利要求14所述的有机发光二极管，其中，所述保护层通过沉积氧化硅、氮化 硅或氮氧化硅形成。
16.根据权利要求14所述的有机发光二极管，其中，所述保护层被插置在第二电极和 光提取层之间，且所述保护层与第二电极之间的折射率差异和所述保护层与光提取层之间 的折射率差异分别为0.5以下。
17.根据权利要求1或2所述的有机发光二极管，其在所述第二电极和所述光提取层之 间进一步包括粘合层。
18.根据权利要求17所述的有机发光二极管，其中，所述粘合层被插置在第二电极和光提取层之间，且所述粘合层与第二电极之间的折射率差异和粘合层与光提取层之间的折 射率差异分别为0.5以下。
19.一种制备有机发光二极管的方法，其包括以下步骤在基板上形成第一电极；在该 第一电极上形成一个或多个有机材料层；在该有机材料层上形成第二电极；以及在该第二 电极的顶部上形成光提取层。
20.一种制备有机发光二极管的方法，其包括以下步骤在基板上形成第一电极；在该 第一电极上形成两个或更多个发光单元，其包括一个或多个有机材料层；在形成所述发光 单元中的任意一个以后形成中间电极；在该发光单元上形成第二电极；以及在该第二电极 上形成光提取层。
全文摘要
本发明提供了一种有机发光二极管及其制备方法，所述有机发光二极管包括基板；第一电极，其设置于所述基板上；一个或多个有机材料层，其设置于所述第一电极上；第二电极，其设置于所述有机材料层上；以及光提取层，其设置于所述第二电极的顶部上。根据本发明的有机发光二极管最大程度地降低了从器件发出的光的全内反射，提高了发光效率。
文档编号H01L51/50GK102037580SQ200980118792
公开日2011年4月27日 申请日期2009年5月22日 优先权日2008年5月23日
发明者姜旼秀, 孙世焕, 崔贤, 金正凡 申请人:Lg化学株式会社