专利名称：用于硅片掺杂的定点注射扩散炉的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及一种半导体生产工艺用扩散炉，尤其涉及一种用于改善硅片掺杂均勻性的扩散炉装置。
背景技术：
扩散炉是在半导体器件生产过程中普遍使用的一种掺杂设备，而硅片半成品掺杂工艺的均勻性很大程度上影响产品的电特性。因此扩散炉是保证产高品质、高良品率的关键设备。现有普通的扩散炉仅由炉尾通入杂质源，随着距离杂质源的变化在扩散炉腔中形成不均勻的分布，这将导致扩散炉内的杂质气体无法准确、均勻地命中硅片，从而导致产品返工，报废。
发明内容鉴于上述现有技术存在的缺陷，本实用新型的目的是提出一种用于硅片掺杂的定点注射扩散炉，解决通用扩散炉杂质源不能定点命中硅片，导致硅片中的掺杂量均勻性差的问题。本实用新型的目的，将通过以下技术方案得以实现用于硅片掺杂的定点注射扩散炉，具有圆柱形的石英扩散炉腔，所述石英扩散炉腔中设有用于盛放硅片的石英舟浆装置，其特征在于所述石英扩散炉腔的底部设有管状的注射管，且所述注射管面向石英舟浆装置的一侧设有一排注射孔，且注射孔孔径沿远离杂质气源方向逐渐变大。进一步地，所述一排注射孔的孔间距离与盛放在石英舟浆装置上的硅片相匹配。进一步地，所述石英扩散炉腔具有炉口和炉尾，所述注射管自炉尾插入石英扩散炉腔的底部，且所述炉口设有排风装置。本实用新型定点注射扩散炉的应用实施，可以实现杂质源气体定点注射，精确命中标的硅片，降低掺杂工艺返工率，提升产品良率。以下便结合实施例附图，对本实用新型的具体实施方式
作进一步的详述，以使本实用新型技术方案更易于理解、掌握。
图1是本实用新型定点注射扩散炉的侧视结构示意图；图2是图1所示定点注射扩散炉的另一方向结构示意图。
具体实施方式
本实用新型为了解决通用扩散炉杂质源不能定点命中硅片，导致硅片中的掺杂量均勻性差的问题，提供了一种带有特殊喷射装置、可定点注射掺杂的扩散炉装置。
3[0014]为达到上述目的及效果，如图1和图2所示，本实用新型技术方案的结构组成包括该定点注射扩散炉具有圆柱形的石英扩散炉腔1，该石英扩散炉腔1中设有用于盛放硅片2的石英舟浆装置5。其特别之处主要体现在该石英扩散炉腔1的底部设有管状的注射管4，且注射管4面向石英舟浆装置5的一侧设有一排注射孔，且该排注射孔的孔间距离与盛放在石英舟浆装置上的硅片相匹配，注射孔孔径沿远离杂质气源方向逐渐变大(未图示)，即越接近注射管的掺杂气源的注射孔孔径越小，反之越大，这样每个硅片2所接受到的杂志环境便相对均衡，从而实现所有硅片在相同的杂质气体氛围中反应。此外，该石英扩散炉腔具有炉口和炉尾，所述注射管自炉尾插入石英扩散炉腔的底部，且该炉口设有排风装置。通过以上扩散炉结构使得反应室内所有硅片掺杂总量一致。从工艺过程来看，杂质源气体从炉尾通过注射管4进入石英扩散炉腔1的反应室中，注射管4对应硅片2的位置设计有向上的小孔(即注射孔)，杂质源气体通过小孔穿过镂空的石英舟浆装置5，定点注射到硅片2上。上述的定点注射方式可以使硅片内片间掺杂程度相同，处于腔体内部的硅片方块电阻分布均勻。通过以上装置结构及工作过程的简述可见本实用新型的突出效果它可以实现杂质源气体定点注射，精确命中标的硅片，降低掺杂工艺返工率，提升产品良率。
权利要求1.用于硅片掺杂的定点注射扩散炉，具有圆柱形的石英扩散炉腔，所述石英扩散炉腔中设有用于盛放硅片的石英舟浆装置，其特征在于所述石英扩散炉腔的底部设有管状的注射管，且所述注射管面向石英舟浆装置的一侧设有一排注射孔，且注射孔孔径沿远离杂质气源方向逐渐变大。
2.根据权利要求1所述的用于硅片掺杂的定点注射扩散炉，其特征在于所述一排注射孔的孔间距离与盛放在石英舟浆装置上的硅片相匹配。
3.根据权利要求1所述的用于硅片掺杂的定点注射扩散炉，其特征在于所述石英扩散炉腔具有炉口和炉尾，所述注射管自炉尾插入石英扩散炉腔的底部，且所述炉口设有排风装置。
专利摘要本实用新型揭示了一种用于硅片掺杂的定点注射扩散炉，具有圆柱形的石英扩散炉腔，该石英扩散炉腔中设有用于盛放硅片的石英舟浆装置。特别地，该石英扩散炉腔的底部设有管状的注射管，且该注射管面向石英舟浆装置的一侧设有一排注射孔，且注射孔孔径沿远离杂质气源方向逐渐变大。该石英扩散炉腔具有炉口和炉尾，注射管自炉尾插入石英扩散炉腔的底部，且炉口设有排风装置。本实用新型定点注射扩散炉的应用实施，可以实现杂质源气体定点注射，精确命中标的硅片，降低掺杂工艺返工率，提升产品良率。
文档编号H01L21/223GK202210515SQ20112034131
公开日2012年5月2日 申请日期2011年9月13日 优先权日2011年9月13日
发明者丁乙人, 刘明, 谈晶 申请人:康可电子(无锡)有限公司