专利名称：一种功率模块的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及一种功率模块。
背景技术：
目前，IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor,绝缘栅双极型晶体管)模块或FRD (Fast Recovery Diode，快恢复二极管)模块在应用时经常会发生主电极脱落的失效，造成电极脱落的原因是焊料在高温且有机械应力的条件下加速蠕变断裂，从而导致电极脱落
实用新型内容
本实用新型的目的在于提供一种可以尽量避免电极脱落的功率模块。一种功率模块，包括两电极、外壳、陶瓷基板及铜基板，所述陶瓷基板与铜基板焊接在一起，所述外壳设置于铜基板之上；所述两电极的第一端焊接至陶瓷基板之上，每一电极的第二端穿过所述外壳且延伸出外壳，所述电极延伸出外壳的部分被横向弯折，且电极上被横向弯折的部位与外壳的上表面之间具有一定的空隙。进一步地，每一电极的第一端弯折成一倒“V，字形。进一步地，所述陶瓷基板与铜基板通过焊锡片或者焊锡膏焊接在一起，所述两电极通过焊锡片或者焊锡膏焊接至陶瓷基板之上。进一步地，所述空隙的高度为O. 7 1. 0mm。上述功率模块及其制造方法通过在电极与外壳之间设置一空隙，可避免电极在其延伸出外壳的一端被折弯时产生较大的向上拉力继而可避免在电极与陶瓷基板相焊接的部位产生较大的机械应力，即可大大减少功率模块在使用过程中产生电极脱落失效的概率。
图1为本实用新型功率模块的较佳实施方式的示意图。图2为图1中功率模块的制造方法的流程图。
具体实施方式
本实用新型功率模块的较佳实施方式包括两电极1、外壳3、陶瓷基板5及铜基板7。当然，所述功率模块中还包括有其他元件，如电路板、电阻、电容等，由于其与本实用新型的构思关系不大，故在此不再赘述。所述陶瓷基板5与铜基板7通过焊锡片或者焊锡膏焊接在一起，所述外壳3则设置于铜基板7之上。所述两电极I通过焊锡片或者焊锡膏焊接至陶瓷基板5之上，且每一电极I与陶瓷基板5相连接的一端弯折成一倒“V，字形，以增大电极I与陶瓷基板5的接触面积，进而可较好的与陶瓷基板5相焊接。[0013]每一电极I的另一端穿过所述外壳3且延伸出外壳3,所述电极I延伸出外壳3的部分则被横向弯折，且电极I上被横向弯折的部位与外壳3的上表面之间具有一定的空隙9，该空隙可设置在O. 7 1. Omm0如此，可避免电极I在其延伸出外壳3的一端被折弯时产生较大的向上拉力，继而可避免在电极I与陶瓷基板5相焊接的部位产生较大的机械应力，即可大大减少功率模块在使用过程中产生电极I脱落失效的概率。请参考图2，上述功率模块的制造方法的较佳实施方式包括以下步骤步骤S1:将所述陶瓷基板5与铜基板7通过焊锡片或者焊锡膏焊接在一起。步骤S2 :将两电极I弯折后的第一端通过焊锡片或者焊锡膏焊接至陶瓷基板5之上。步骤S3 :将每一电极I的第二端穿过所述外壳3且延伸出外壳3。步骤S4 :将所述外壳3固定于铜基板7之上。步骤S5 :在电极I上待被弯折的部位与外壳3的上表面之间插入一薄片，将所述电极I延伸出外壳3的部分横向弯折。步骤S6 :取下薄片，如此即可使得电极I上被横向弯折的部位与外壳3的上表面之间具有一定的空隙9。以上所述仅为本实用新型的较佳实施例而已，并不用以限制本实用新型，凡在本实用新型的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本实用新型的保护范围之内。
权利要求1.一种功率模块，包括两电极、外壳、陶瓷基板及铜基板，所述陶瓷基板与铜基板焊接在一起，所述外壳设置于铜基板之上；所述两电极的第一端焊接至陶瓷基板之上，每一电极的第二端穿过所述外壳且延伸出外壳，所述电极延伸出外壳的部分被横向弯折，且电极上被横向弯折的部位与外壳的上表面之间具有一定的空隙。
2.如权利要求1所述的功率模块，其特征在于每一电极的第一端弯折成一倒“7”字形。
3.如权利要求1所述的功率模块，其特征在于所述陶瓷基板与铜基板通过焊锡片或者焊锡膏焊接在一起，所述两电极通过焊锡片或者焊锡膏焊接至陶瓷基板之上。
4.如权利要求1所述的功率模块，其特征在于所述空隙的高度为O.7 1. 0mm。
专利摘要一种功率模块，包括两电极、外壳、陶瓷基板及铜基板，所述陶瓷基板与铜基板焊接在一起，所述外壳设置于铜基板之上；所述两电极的第一端焊接至陶瓷基板之上，每一电极的第二端穿过所述外壳且延伸出外壳，所述电极延伸出外壳的部分被横向弯折，且电极上被横向弯折的部位与外壳的上表面之间具有一定的空隙。上述功率模块可大大降低使用过程中电极脱落的概率。
文档编号H01L23/488GK202855729SQ20122048646
公开日2013年4月3日 申请日期2012年9月21日 优先权日2012年9月21日
发明者武艳霞 申请人:深圳市立德电控科技有限公司