半环形单频及双频选择表面结构的制作方法

本发明涉及一种选择表面结构，尤其是一种半环形单频及双频选择表面结构，属于集成电路和表面波技术领域。

背景技术：

表面波传输可以实现单导体的高频电磁波传输，其拥有良好的可弯曲和易加工，在通带范围内可实现低损耗的电磁波传输。在未来通信技术中，表面波结构可以实现高度集成化和小型化，对通信行业和集成电路行业有非常大的应用价值。

据调查与了解，已经公开的现有技术如下：

1)中国专利号为201310222354.6的发明专利，公开了一种用于微带和表面等离子激元相互转换的装置，其包括介质基板，设置在所述介质基板一面的微带巴伦、与所述微带巴伦连接的两段渐变金属线、连接于一段渐变金属线一端的金属光栅和连接于另一段渐变金属线一端的金属尖劈，以及设置在介质基板另一面的金属地。

2)中国专利申请号为201510591849.5的发明专利申请，公开了一种一种超宽带人工表面等离子激元低通滤波器，其由介质基板及印制于介质基板上下表面的金属箔层组成，金属箔层上刻有波导结构，波导结构包括两端对称的微带线结构、微带线结构到表面等离子基元波导结构的过渡结构，以及中间的表面等离子激元波导结构，所述过渡结构由第一过渡结构和第二过渡结构连接组成。

3)中国专利申请号为201610513698.6的发明专利申请，公开了一种基于表面等离子激元的带通滤波器，其具有结构设计合理、带宽大、频率可控及插损低的特点，同时，通过适当调整结构的参数，改变金属表面的色散曲线，可以实现滤波器工作频率的变化，调整方式相当简单，电路加工容易，易于与其他微波电路集成。

上述现有技术都是使用微带线转表面结构，由于微带线不能是单层金属，必须要有底层金属地，所以在一个平面内不能集成表面波和微带电路。

技术实现要素：

本发明的目的是为了解决上述现有技术的缺陷，提供了一种半环形单频选择表面结构，该结构可以在介质基板无底层金属地的情况下实现TEM波到表面波的转换，而且还可以在单个不同的通带范围内低损耗的传输电磁波，达到频率选择的效果。

本发明的另一目的在于提供一种半环形双频选择表面结构，该结构同样可以在介质基板无底面金属地的情况下实现TEM波到表面波的转换，而且还可以在两个不同的通带范围内低损耗的传输电磁波，实现频率选择的效果。

本发明的目的可以通过采取如下技术方案达到：

半环形单频选择表面结构，包括介质基板，还包括第一共面波导、第二共面波导、第一半环形过渡结构、第二半环形过渡结构、半环形表面波结构和半环形耦合结构，所述第一共面波导、第二共面波导、第一半环形过渡结构、第二半环形过渡结构、半环形表面波结构和半环形耦合结构设置在介质基板的同一层上；

所述第一共面波导和第二共面波导左右对称，所述第一半环形过渡结构和第二半环形过渡结构左右对称，第一共面波导通过第一半环形过渡结构与半环形表面波结构的左端连接，第二共面波导通过第二半环形过渡结构与半环形表面波结构的右端连接，所述半环形耦合结构位于半环形表面波结构的上方，且开口向上，所述半环形表面波结构的中间由缝隙隔开，且开口向下。

作为一种优选方案，所述第一半环形过渡结构包括多个第一半环形过渡单元和位于第一半环形过渡单元两侧的第一地板过渡单元；所述第一半环形过渡单元与半环形表面波结构的左端连接，第一半环形过渡单元从左到右依次连接，并逐渐变大，多个第一半环形过渡单元连接而成的结构开口向下，第二地板过渡单元从左到右逐渐远离第一半环形过渡单元，并在第一半环形过渡单元与半环形表面波结构左端的连接处消失；

所述第二半环形过渡结构包括多个第二半环形过渡单元和位于第二半环形过渡单元两侧的第二地板过渡单元；所述第二半环形过渡单元与半环形表面波结构的右端连接，第二半环形过渡单元从右到左依次连接，并逐渐变大，多个第二半环形过渡单元连接而成的结构开口向下，第一地板过渡单元从右到左逐渐远离第二半环形过渡单元，并在第二半环形过渡单元与半环形表面波结构右端的连接处消失。

作为一种优选方案，所述半环形表面波结构由多个尺寸相一致的半环形单元组成，多个半环形单元的中间由缝隙隔开分为左右对称的第一半环形单元和第二半环形单元，所述第一半环形单元按照周期排列，并依次连接在一起，所述第二半环形单元按照周期排列，并依次连接在一起。

作为一种优选方案，所述半环形耦合结构由多个尺寸相一致的第三半环形单元组成，多个第三半环形单元按照周期排列，并依次连接在一起。

作为一种优选方案，所述介质基板采用PCB板。

本发明的另一目的可以通过采取如下技术方案达到：

半环形双频选择表面结构，包括介质基板，还包括第一共面波导、第二共面波导、第一半环形过渡结构、第二半环形过渡结构、第三半环形过渡结构、第四半环形过渡结构、第一半环形表面波结构、第二半环形表面波结构、第一半环形耦合结构和第二半环形耦合结构，所述第一共面波导、第二共面波导、第一半环形过渡结构、第二半环形过渡结构、第三半环形过渡结构、第四半环形过渡结构、第一半环形表面波结构、第二半环形表面波结构、第一半环形耦合结构和第二半环形耦合结构设置在介质基板的同一层上；

所述第一共面波导和第二共面波导左右对称，所述第一半环形过渡结构和第二半环形过渡结构左右对称，所述第三半环形过渡结构和第四半环形过渡结构左右对称；所述第一共面波导和第二共面波导以水平线分割成上、下两部分，所述第一半环形过渡结构、第二半环形过渡结构、第一半环形表面波结构和第一半环形耦合结构组成了上部分小半环形结构，第三半环形过渡结构、第四半环形过渡结构、第二半环形表面波结构和第二半环形耦合结构组成了下部分大半环形结构；

第一半环形表面波结构的左端通过第一半环形过渡结构与第一共面波导连接，右端通过第二半环形过渡结构与第二共面波导连接，第二半环形表面波结构的左端通过第三半环形过渡结构与第一共面波导连接，右端通过第四半环形过渡结构与第二共面波导连接；所述第一半环形耦合结构位于第一半环形表面波结构的上方，且开口向上，所述第一半环形表面波结构的中间由缝隙隔开，且开口向下；所述第二半环形耦合结构位于第二半环形表面波结构的下方，且开口向下，所述第二半环形表面波结构的中间由缝隙隔开，且开口向上。

作为一种优选方案，所述第一半环形过渡结构包括多个第一半环形过渡单元和位于第一半环形过渡单元上侧的第一地板过渡单元；所述第一半环形过渡单元与第一半环形表面波结构的左端连接，第一半环形过渡单元从左到右依次连接，并逐渐变大，多个第一半环形过渡单元连接而成的结构开口向下，第一地板过渡单元从左到右逐渐远离第一半环形过渡单元，并在第一半环形过渡单元与第一半环形表面波结构左端的连接处消失；

所述第二半环形过渡结构包括多个第二半环形过渡单元和位于第二半环形过渡单元上侧的第二地板过渡单元；所述第二半环形过渡单元与第一半环形表面波结构的右端连接，第二半环形过渡单元从右到左依次连接，并逐渐变大，多个第二半环形过渡单元连接而成的结构开口向下，第二地板过渡单元从右到左逐渐远离第二半环形过渡单元，并在第二半环形过渡单元与第二半环形表面波结构右端的连接处消失；

所述第三半环形过渡结构包括多个第三半环形过渡单元和位于第三半环形过渡单元下侧的第三地板过渡单元；所述第三半环形过渡单元与第二半环形表面波结构的左端连接，第三半环形过渡单元从左到右依次连接，并逐渐变大，多个第三半环形过渡单元连接而成的结构开口向上，第三地板过渡单元从左到右逐渐远离第三半环形过渡单元，并在第三半环形过渡单元与第二半环形表面波结构左端的连接处消失；

所述第四半环形过渡结构包括多个第四半环形过渡单元和位于第四半环形过渡单元下侧的第四地板过渡单元；所述第四半环形过渡单元与第四半环形表面波结构的右端连接，第四半环形过渡单元从右到左依次连接，并逐渐变大，多个第四半环形过渡单元连接而成的结构开口向上，第四地板过渡单元从右到左逐渐远离第四半环形过渡单元，并在第二半环形过渡单元与第二半环形表面波结构右端的连接处消失。

作为一种优选方案，所述第一半环形表面波结构由多个尺寸相一致的半环形单元组成，多个半环形单元的中间由缝隙隔开分为左右对称的第一半环形单元和第二半环形单元，所述第一半环形单元按照周期排列，并依次连接在一起，所述第二半环形单元按照周期排列，并依次连接在一起；

所述第二半环形表面波结构由多个尺寸相一致的半环形单元组成，多个半环形单元的中间由缝隙隔开分为左右对称的第三半环形单元和第四半环形单元，所述第三半环形单元按照周期排列，并依次连接在一起，所述第四半环形单元按照周期排列，并依次连接在一起；

所述第三半环形单元和第四半环形单元的尺寸均大于第一半环形单元和第二半环形单元的尺寸。

作为一种优选方案，所述第一半环形耦合结构由多个尺寸相一致的第五半环形单元组成，多个第五半环形单元按照周期排列，并依次连接在一起；

所述第二半环形耦合结构由多个尺寸相一致的第六半环形单元组成，多个第六半环形单元按照周期排列，并依次连接在一起；

所述第六半环形单元的尺寸大于第五半环形单元的尺寸。

作为一种优选方案，所述介质基板采用PCB板。

本发明相对于现有技术具有如下的有益效果：

1、本发明的单频选择表面结构在介质基板的同一层左右两边分别设置共面波导和半环形过渡结构，在中间设置半环形表面波结构，以及在半环形表面波结构上方设置半环形耦合结构，实现了无金属地的平面电路结构，半环形表面波结构的中间由缝隙隔开，电磁波在半环形过渡结构从共面波导的TEM波变成了表面波，表面波再从半环形过渡结构进入半环形表面波结构，实现了共面波导与半环形表面波结构之间的转换，半环形耦合结构可以将半环形表面波结构的两部分耦合，以实现单频带的频率选择功能。

2、本发明的双频选择表面结构在介质基板的同一层左右两边分别设置共面波导，两个共面波导以水平线分割成上、下两部分，上部分由小半环形结构组成，下部分由大半环形结构组成，分别对应两个频带，上部分的左右两边设置半环形过渡结构，中间设置半环形表面波结构，以及在上部分的半环形表面波结构上方设置半环形耦合结构，下部分的左右两边设置半环形过渡结构中间设置半环形表面波结构，以及在下部分的半环形表面波结构下方设置半环形耦合结构，实现了无金属地的平面电路结构，两个半环形表面波结构的中间均由缝隙隔开，电磁波在半环形过渡结构从共面波导的TEM波变成了表面波，表面波再从半环形过渡结构进入半环形表面波结构，实现了共面波导与半环形表面波结构之间的转换，半环形耦合结构可以将半环形表面波结构的两部分耦合，以实现双频带的频率选择功能。

3、本发明的单频及双频选择表面结构中，半环形过渡结构包括多个半环形过渡单元和地板过渡单元，半环形过渡单元依次连接，并逐渐变大，金属单元逐渐远离半环形过渡单元，最后完全消失，半环形过渡单元可以根据实际使用场合变化，越多的过渡单元，转换的越平滑。

4、本发明的单频及双频选择表面结构中，半环形表面波结构和半环形耦合结构均由多个尺寸相一致的半环形单元组成，半环形单元的数量可以根据实际需要设置，其可以弯曲设置，使得走线更灵活，可以根据所需的频率应用范围，对每个半环形单元的高度、宽度和粗细程度以及相邻的两个半环形单元之间的距离进行调整。

附图说明

图1为本发明实施例1的半环形单频选择表面结构示意图。

图2为本发明实施例2的半环型双频表面结构结构示意图。

图1中，1-介质基板，2-第一共面波导，3-第二共面波导，4-第一半环形过渡单元，5-第二地板过渡单元，6-第一半环形过渡单元，7-第二地板过渡单元，8-第一半环形单元，9-第二半环形单元，10-第三半环形单元。

图2中，1-介质基板，2-第一共面波导，3-第二共面波导，4-第一半环形过渡单元，5-第二地板过渡单元，6-第一半环形过渡单元，7-第二地板过渡单元，8-第三半环形过渡单元，9-第三地板过渡单元，10-第四半环形过渡单元，11-第四地板过渡单元，12-第一半环形单元，13-第二半环形单元，14-第三半环形单元，15-第四半环形单元，16-第五半环形单元，17-第六半环形单元。

具体实施方式

下面结合实施例及附图对本发明作进一步详细的描述，但本发明的实施方式不限于此。

实施例1：

如图1所示，本实施例提供了一种半环形单频选择表面结构，该半环形单频选择表面结构包括介质基板1、第一共面波导2、第二共面波导3、第一半环形过渡结构、第二半环形过渡结构、半环形表面波结构和半环形耦合结构，介质基板1采用PCB(Printed Circuit Board，印制电路板)板，第一共面波导2、第二共面波导3、第一半环形过渡结构、第二半环形过渡结构、半环形表面波结构和半环形耦合结构设置在介质基板1的同一层上，在本实施例中设置在顶层，介质基板1的底层无覆铜地，第一共面波导2和第二共面波导3左右对称，第一半环形过渡结构和第二半环形过渡结构左右对称，第一共面波导2作为端口Port1，第二共面波导3作为端口Port2；

所述第一半环形过渡结构包括多个第一半环形过渡单元4和位于第一半环形过渡单元4两侧的第一地板过渡单元5；所述第一半环形过渡单元4与半环形表面波结构的左端连接，第一半环形过渡单元4从左到右依次连接，并逐渐变大，多个第一半环形过渡单元4连接而成的结构开口向下，第二地板过渡单元5也是从左到右逐渐变大，即逐渐远离第一半环形过渡单元4，并在第一半环形过渡单元4与半环形表面波结构左端的连接处消失，第一半环形过渡单元4可以根据实际使用场合变化，越多的第一半环形过渡单元4，转换的越平滑；

所述第二半环形过渡结构包括多个第二半环形过渡单元6和位于第二半环形过渡单元6两侧的第二地板过渡单元7；所述第二半环形过渡单元6与半环形表面波结构的右端连接，第二半环形过渡单元6从右到左依次连接，并逐渐变大，多个第二半环形过渡单元6连接而成的结构开口向下，第一地板过渡单元7也是从右到左逐渐变大，即逐渐远离第二半环形过渡单元6，并在第二半环形过渡单元6与半环形表面波结构右端的连接处消失，第二半环形过渡单元6可以根据实际使用场合变化，越多的第二半环形过渡单元6，转换的越平滑。

所述半环形表面波结构开口向下，其由多个尺寸相一致的半环形单元组成，多个半环形单元的中间由缝隙隔开分为左右对称的第一半环形单元8和第二半环形单元9，所述第一半环形单元8按照周期排列，并依次连接在一起，所述第二半环形单元9按照周期排列，并依次连接在一起；所述半环形耦合结构位于半环形表面波结构的上方，且开口向上，其由多个尺寸相一致的第三半环形单元10组成，多个第三半环形单元10按照周期排列，并依次连接在一起，可以根据所需的频率应用范围，对每个半环形单元的高度、宽度和粗细程度以及相邻的两个半环形单元之间的距离进行调整。

本实施例的半环形单频选择表面结构工作原理如下：

TEM(Transverse Electric and Magnetic Field，指电磁波的电场和磁场都在垂直于传播方向的平面上)波从第一共面波导2输入，经过第一半环形过渡单元4和第一地板过渡单元5变成了表面波，表面波从第一半环形过渡结构进入半环形表面波结构的第一半环形单元8，再依次经过第三半环形单元10和第二半环形单元9进入第二半环形过渡结构，经第二半环形过渡单元6和第二地板过渡单元7传输给第二共面波导3，由第二共面波导3输出，实现单频带的频率选择功能；

同理，TEM波也可以从第二共面波导3输入，经过第二半环形过渡单元6和第二地板过渡单元7变成了表面波，表面波从第二半环形过渡结构进入半环形表面波结构的第二半环形单元9，再依次经过第三半环形单元10和第一半环形单元8进入第一半环形过渡结构，经第一半环形过渡单元4和第一地板过渡单元5传输给第一共面波导2，由第一共面波导2输出，实现单频带的频率选择功能。

实施例2：

如图2所示，本实施例提供了一种半环形双频选择表面结构，该半环形双频选择表面结构包括介质基板1、第一共面波导2、第二共面波导3、第一半环形过渡结构、第二半环形过渡结构、第三半环形过渡结构、第四半环形过渡结构、第一半环形表面波结构、第二半环形表面波结构、第一半环形耦合结构和第二半环形耦合结构，介质基板1采用PCB板，所述第一共面波导2、第二共面波导3、第一半环形过渡结构、第二半环形过渡结构、第三半环形过渡结构、第四半环形过渡结构、第一半环形表面波结构、第二半环形表面波结构、第一半环形耦合结构和第二半环形耦合结构设置在介质基板1的同一层上，在本实施例中设置在顶层，介质基板1的底层无覆铜地，第一共面波导2和第二共面波导3左右对称，第一半环形过渡结构和第二半环形过渡结构左右对称，第三半环形过渡结构和第四半环形过渡结构左右对称。

所述第一共面波导2和第二共面波导3以水平线分割成上、下两部分，所述第一半环形过渡结构、第二半环形过渡结构、第一半环形表面波结构和第一半环形耦合结构组成了上部分小半环形结构，第三半环形过渡结构、第四半环形过渡结构、第二半环形表面波结构和第二半环形耦合结构组成了下部分大半环形结构。

所述第一半环形过渡结构包括多个第一半环形过渡单元4和位于第一半环形过渡单元4上侧的第一地板过渡单元5；所述第一半环形过渡单元4与第一半环形表面波结构的左端连接，第一半环形过渡单元4从左到右依次连接，并逐渐变大，多个第一半环形过渡单元4连接而成的结构开口向下，第一地板过渡单元5也是从左到右逐渐变大，即逐渐远离第一半环形过渡单元4，并在第一半环形过渡单元4与第一半环形表面波结构左端的连接处消失，第一半环形过渡单元4可以根据实际使用场合变化，越多的第一半环形过渡单元4，转换的越平滑；

所述第二半环形过渡结构包括多个第二半环形过渡单元6和位于第二半环形过渡单元6上侧的第二地板过渡单元7；所述第二半环形过渡单元6与第一半环形表面波结构的右端连接，第二半环形过渡单元6从右到左依次连接，并逐渐变大，多个第二半环形过渡单元6连接而成的结构开口向下，第二地板过渡单元7也是从右到左逐渐变大，即逐渐远离第二半环形过渡单元6，并在第二半环形过渡单元6与第二半环形表面波结构右端的连接处消失，第二半环形过渡单元6可以根据实际使用场合变化，越多的第二半环形过渡单元6，转换的越平滑；

所述第三半环形过渡结构包括多个第三半环形过渡单元8和位于第三半环形过渡单元8下侧的第三地板过渡单元9；所述第三半环形过渡单元8与第二半环形表面波结构的左端连接，第三半环形过渡单元8从左到右依次连接，并逐渐变大，多个第三半环形过渡单元8连接而成的结构开口向上，第三地板过渡单元9从左到右也是逐渐变大，即逐渐远离第三半环形过渡单元8，并在第三半环形过渡单元8与第二半环形表面波结构左端的连接处消失，第三半环形过渡单元8可以根据实际使用场合变化，越多的第三半环形过渡单元8，转换的越平滑；

所述第四半环形过渡结构包括多个第四半环形过渡单元10和位于第四半环形过渡单元10下侧的第四地板过渡单元11；所述第四半环形过渡单元10与第四半环形表面波结构的右端连接，第四半环形过渡单元10从右到左依次连接，并逐渐变大，多个第四半环形过渡单元10连接而成的结构开口向上，第四地板过渡单元11从右到左也是逐渐变大，即逐渐远离第四半环形过渡单元10，并在第二半环形过渡单元10与第二半环形表面波结构右端的连接处消失，第四半环形过渡单元10可以根据实际使用场合变化，越多的第四半环形过渡单元10，转换的越平滑。

从图中可以，第三半环形过渡单元8的数量多于第一半环形过渡单元4的数量，第四半环形过渡单元10的数量多于第二半环形过渡单元6的数量，第三地板过渡单元9的斜边长度大于第一地板过渡单元5的斜边长度，第四地板过渡单元11的斜边长度大于第二地板过渡单元7的斜边长度。

所述第一半环形表面波结构开口向下，由多个尺寸相一致的半环形单元组成，多个半环形单元的中间由缝隙隔开分为左右对称的第一半环形单元12和第二半环形单元13，所述第一半环形单元12按照周期排列，并依次连接在一起，所述第二半环形单元13按照周期排列，并依次连接在一起；

所述第二半环形表面波结构开口向上，由多个尺寸相一致的半环形单元组成，多个半环形单元的中间由缝隙隔开分为左右对称的第三半环形单元14和第四半环形单元15，所述第二半环形过渡单元6按照周期排列，并依次连接在一起，所述第四半环形单元15按照周期排列，并依次连接在一起；

所述第一半环形耦合结构位于第一半环形表面波结构的上方，且开口向上，其由多个尺寸相一致的第五半环形单元16组成，多个第五半环形单元16按照周期排列，并依次连接在一起；

所述第二半环形耦合结构位于第二半环形表面波结构的下方，且开口向下，其由多个尺寸相一致的第六半环形单元17组成，多个第六半环形单元17按照周期排列，并依次连接在一起。

对于上述的第一半环形单元12、第二半环形单元13、第三半环形单元14、第四半环形单元15、第五半环形单元16和第六半环形单元17，可以根据所需的频率应用范围，对每个半环形单元的高度、宽度和粗细程度以及相邻的两个半环形单元之间的距离进行调整。

从图中可以看到，所述第三半环形单元14和第四半环形单元15的尺寸均大于第一半环形单元12和第二半环形单元13的尺寸，第六半环形单元17的尺寸大于第五半环形单元16的尺寸；第一半环形过渡单元4和第一半环形单元12连接而成的结构，与第三半环形过渡单元8和第三半环形单元14连接而成的结构，正好构成圆环结构，同样，第二半环形过渡单元6和第二半环形单元13连接而成的结构，与第四半环形过渡单元10和第四半环形单元15连接而成的结构，也正好构成圆环结构。

本实施例的半环形单频选择表面结构工作原理如下：

TEM波从第一共面波导2输入，在上部分，经过第一半环形过渡单元4和第一地板过渡单元5变成了表面波，表面波从第一半环形过渡结构进入第一半环形表面波结构的第一半环形单元12，再依次经过第五半环形单元16和第二半环形单元13进入第二半环形过渡结构，经第二半环形过渡单元6和第二地板过渡单元7传输给第二共面波导3，最后由第二共面波导3输出，上部分实现第一个频带的频率选择；在下部分，经过第三半环形过渡单元8和第三地板过渡单元9变成了表面波，表面波从第三半环形过渡结构进入第二半环形表面波结构的第三半环形单元14，再依次经过第六半环形单元17和第四半环形单元15进入第四半环形过渡结构，经第四半环形过渡单元10和第四地板过渡单元11传输给第二共面波导3，最后由第二共面波导3输出，下部分实现第二个频带的频率选择；

同理，由于结构是左右对称，TEM波也可以从第二共面波导3输入，第一共面波导2输出，同样也能实现双频滤波特性。

综上所述，本发明的单频选择表面结构在介质基板的同一层左右两边分别设置共面波导和半环形过渡结构，在中间设置半环形表面波结构，以及在半环形表面波结构上方设置半环形耦合结构，实现了无金属地的平面电路结构，半环形表面波结构的中间由缝隙隔开，电磁波在半环形过渡结构从共面波导的TEM波变成了表面波，表面波再从半环形过渡结构进入半环形表面波结构，实现了共面波导与半环形表面波结构之间的转换，半环形耦合结构可以将半环形表面波结构的两部分耦合，以实现单频带的频率选择功能；本发明的双频选择表面结构在介质基板的同一层左右两边分别设置共面波导，两个共面波导以水平线分割成上、下两部分，上部分由小半环形结构组成，下部分由大半环形结构组成，分别对应两个频带，上部分的左右两边设置半环形过渡结构，中间设置半环形表面波结构，以及在上部分的半环形表面波结构上方设置半环形耦合结构，下部分的左右两边设置半环形过渡结构中间设置半环形表面波结构，以及在下部分的半环形表面波结构下方设置半环形耦合结构，实现了无金属地的平面电路结构，两个半环形表面波结构的中间均由缝隙隔开，电磁波在半环形过渡结构从共面波导的TEM波变成了表面波，表面波再从半环形过渡结构进入半环形表面波结构，实现了共面波导与半环形表面波结构之间的转换，半环形耦合结构可以将半环形表面波结构的两部分耦合，以实现双频带的频率选择功能。

以上所述，仅为本发明专利较佳的实施例，但本发明专利的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明专利所公开的范围内，根据本发明专利的技术方案及其发明构思加以等同替换或改变，都属于本发明专利的保护范围。