显示设备及其制造方法与流程

1.本公开涉及显示设备和制造该显示设备的方法。


背景技术：

2.近年来，对信息显示的兴趣增加。因此，持续地执行对显示设备的研究和开发。


技术实现要素：

3.技术问题
4.通过本公开将要实现的目的是，提供能够根据包括贯通孔的衬底的压力差而在竖直方向上对准和固定发光元件的显示设备和制造该显示设备的方法。
5.本公开的目的不限于上述目的，并且本领域中技术人员将从以下描述中清楚地理解未描述的其它技术目的。
6.技术解决方案
7.根据用于实现上述目的的本公开的实施方式，显示设备可以包括衬底和第一发光元件，其中，衬底包括第一发射区域，第一发光元件设置在衬底上，衬底可以包括在第一发射区域中穿过衬底的第一孔，并且第一发光元件的至少部分可以设置在第一孔中。
8.第一发光元件可以包括彼此相对的第一表面和第二表面，第一表面可以设置在衬底的下表面侧上，第二表面可以设置在衬底的上表面侧上，并且第一发光元件的纵横比可以大于1。
9.在平面图中，第二表面的直径可以大于第一表面的直径，并且第一发光元件可以包括设置在第一表面和第二表面之间的侧表面。
10.第一发光元件的侧表面可以与第一孔的内圆周表面接触。
11.第一孔可以包括与衬底的下表面垂直的侧壁，第一孔的直径可以大于第一表面的直径并且可以小于第二表面的直径，并且第一发光元件的部分可以向衬底的外部突出。
12.显示设备还可以包括填充在第一孔的侧壁和第一发光元件之间的填充件。
13.第一孔可以包括与衬底的下表面垂直的竖直表面和相对于衬底的下表面具有预定角度的倾斜表面，并且第一发光元件的侧表面可以接触倾斜表面接触并且不接触竖直表面。
14.在平面图中，第一表面的直径和第二表面的直径可以相同。
15.第一孔可以包括相对于衬底的下表面具有预定角度的侧壁，第一发光元件的直径可以大于第一孔的下贯通表面的直径并且可以小于第一孔的上贯通表面的直径，并且第一发光元件的部分可以向衬底的外部突出。
16.显示设备还可以包括填充在第一孔的侧壁和第一发光元件之间的填充件。
17.第一孔可以包括与衬底的下表面垂直的侧壁，衬底可以包括从第一孔的侧壁突出并且与衬底集成的突出部，突出部可以接触第一表面的部分，并且突出部可以暴露第一表面的另一部分。
18.衬底的厚度可以小于第一发光元件的长度，并且第一发光元件的部分可以向衬底的外部突出。
19.衬底的厚度可以大于第一发光元件的长度，并且第一发光元件可以设置在衬底内。
20.显示设备还可以包括公共电极和像素电极，其中，公共电极设置在衬底的下表面上并且电连接到第一发光元件的第一表面，像素电极设置在衬底的上表面上并且电连接到第一发光元件的第二表面。
21.显示设备还可以包括在与第一发射区域相邻的第一电路区域中设置在衬底的上表面上的晶体管，并且晶体管可以电连接到像素电极。
22.显示设备还可以包括发射的光的颜色与第一发光元件发射的光的颜色不同的第二发光元件，衬底还可以包括在与第一发射区域相邻的第二发射区域中穿过衬底的第二孔，在平面图中，第二孔的直径可以小于第一孔的直径，并且第二发光元件的至少部分可以设置在第二孔中。
23.第二发光元件的直径可以小于第一发光元件的直径。
24.显示设备还可以包括公共电极、第一像素电极和第二像素电极，其中，公共电极设置在衬底的下表面上并且电连接到第一发光元件的第一表面和第二发光元件的第一表面，第一像素电极设置在衬底的上表面上并且电连接到第一发光元件的第二表面，第二像素电极设置在衬底的上表面上并且电连接到第二发光元件的与第二发光元件的第一表面相对的第二表面。
25.可以包括设置在衬底之下的多个通道壁，并且多个通道壁可以不与第一孔重叠。
26.根据用于实现上述目的的本公开的实施方式，制造显示设备的方法可以包括：制备包括第一孔的衬底；在衬底上提供包括第一发光元件的第一混合液；以及通过将衬底的上部分的第一压力设定为高于衬底的下部分的第二压力，将第一发光元件竖直对准在第一孔中，并且第一孔穿过衬底。
27.第一发光元件可以包括彼此相对的第一表面和第二表面，并且第一发光元件的纵横比可以大于1。
28.第一表面的直径可以小于第二表面的直径，并且在竖直对准第一发光元件时，第一表面可以设置在衬底的下表面侧上以及第二表面可以设置在衬底的上表面侧上。
29.衬底还可以包括穿过衬底的第二孔，该方法还可以包括：在衬底上提供包括第二发光元件的第二混合液，第二发光元件发射的光的颜色与第一发光元件发射的光的颜色不同；以及通过将第一压力设定为高于第二压力，将第二发光元件竖直对准在第二孔中，第二孔的直径可以小于第一孔的直径，并且第二发光元件的直径可以小于第一发光元件的直径。
30.衬底还可以包括穿过衬底的第三孔，该方法还可以包括：在衬底上提供包括第三发光元件的第三混合液，第三发光元件发射的颜色与第一发光元件和第二发光元件发射的颜色不同；以及通过将第一压力设定为高于第二压力，将第三发光元件竖直对准在第三孔中，并且第三孔的直径可以小于第一孔的直径和第二孔的直径，并且第三发光元件的直径可以小于第一发光元件的直径和第二发光元件的直径。
31.该方法还可以包括：在衬底的下表面上设置电连接到第一发光元件的第一表面和
第二发光元件的第一表面的公共电极；在衬底的上表面上设置电连接到第一发光元件的第二表面的第一像素电极；以及在衬底的上表面上设置电连接到第二发光元件的第二表面的第二像素电极。
32.其它实施方式的细节包括在详细描述和附图中。
33.有益效果
34.根据依据本公开的实施方式的显示设备和制造显示设备的方法，发光元件可以根据包括贯通孔的衬底的压力差而在竖直方向上对准和固定。因此，可以广泛地确保在其中设置发光元件的区域，并且可以实现高分辨率显示设备。
35.此外，由于发光元件设置在竖直方向上，因为从发光元件发射的光直接向上发射，所以可以改善显示设备的光输出效率，并且可以省略用于在竖直方向上反射水平方向的光的单独的反射分隔壁。
36.此外，由于发光元件根据衬底的上部分和下部分之间的压力差物理地固定在衬底的孔中，因此可以省略用于固定发光元件的单独的固定层，并且可以改善显示设备中的发光元件的对准精度。
37.此外，通过调整发光元件的尺寸和衬底的孔的尺寸，可以将期望的颜色的发光元件设置在期望的位置处。
38.根据实施方式的效果不受上面内容的限制，并且本说明书中包括更多的各种效果。
附图说明
39.图1和图2是示出根据实施方式的发光元件的立体图和剖视图。
40.图3是示出根据另一实施方式的发光元件的立体图。
41.图4是示出根据又一实施方式的发光元件的剖视图。
42.图5是示出根据又一实施方式的发光元件的立体图。
43.图6和图7是示出根据又一实施方式的发光元件的立体图。
44.图8是示意性地示出根据实施方式的显示设备的平面图。
45.图9a至图9c是分别示出根据实施方式的像素的电路图。
46.图10是示出根据另一实施方式的像素的电路图。
47.图11是图8的显示设备的示意性分解立体图。
48.图12是图11的显示设备的平面图。
49.图13是沿着图12的线a-a’截取的显示设备的剖视图。
50.图14是沿着图12的线b-b’截取的显示设备的剖视图。
51.图15至图20是根据各种实施方式的显示设备的剖视图，并且具体地，是与图12的线b-b’对应的剖视图。
52.图21至图27是顺序地示出根据本公开的实施方式的制造显示设备的方法的立体图和剖视图。
具体实施方式
53.参考下面结合附图详细描述的实施方式，本公开的优点和特征以及实现它们的方
法将变得显而易见。然而，本公开不限于下面公开的实施方式，并且可以以各种不同的形式来实现。提供本实施方式使得本公开将是彻底的和完整的，并且本公开所属领域中的技术人员可以完全理解本公开的范围。本公开仅由权利要求的范围来限定。
54.其中元件或层被称为在另一元件或层“上”的情况，包括其中另一层或另一元件直接设置在所述另一元件上或直接设置在其它层之间的情况。用于描述实施方式的附图中公开的形状、尺寸、比率、角度、数量等是示例性的，并且因此，本公开不限于此。在整个说明书中，相同的参考标记表示相同的组件。此外，在附图中与本公开无关的部分可以省略，或简单地表达以便阐明本公开的描述。
55.尽管第一、第二等用于描述各种组件，但是这些组件不受这些术语的限制。这些术语仅用于将一个组件与另一组件区分开。因此，在本公开的技术范围内，下面提到的第一组件可以是第二组件。除非上下文清楚地另有指示，否则单数表达包括复数表达。
56.本公开的各种实施方式的特征中的每个可以部分地或整体地彼此耦合或组合，并且技术上的各种互锁和驱动是可能的。每个实施方式可以彼此独立地实现并且其关联可以一起实现。
57.在下文中，将参考附图详细描述本公开的实施方式。
58.图1和图2是示出根据实施方式的发光元件的立体图和剖视图。尽管在图1和图2中示出了圆柱形形状的杆状发光元件ld，但是根据本公开的发光元件ld的类型和/或形状不限于此。
59.参考图1和图2，发光元件ld可以包括第一半导体层11、第二半导体层13以及插置在第一半导体层11和第二半导体层13之间的有源层12。例如，发光元件ld可以形成为其中第一半导体层11、有源层12和第二半导体层13在一方向上顺序地堆叠的堆叠件。
60.根据实施方式，发光元件ld可以是制造成杆形状的杆状发光二极管。这里，杆形状可以包括在纵向方向上比在宽度方向上长的杆状形状或棒状形状，诸如圆柱体或多边形柱，但是其剖面的形状没有特别限制。例如，发光元件ld的长度l可以大于发光元件ld的直径d(或剖面的宽度)。即，发光元件ld的纵横比可以大于1。
61.发光元件ld可以包括在一方向上彼此相对的第一表面lda和第二表面ldb。第一表面lda和第二表面ldb可以是暴露于外部的表面。例如，第一半导体层11可以设置在发光元件ld的第一表面lda上，并且第二半导体层13可以设置在发光元件ld的第二表面ldb上，但也可以是相反的情况。
62.根据实施方式，发光元件ld可以具有小至纳米级至微米级的尺寸，例如，直径d和/或长度l可以在100nm至10μm的范围内。然而，发光元件ld的尺寸不限于此。例如，发光元件ld的尺寸可以根据使用发光元件ld作为光源的各种设备(例如，显示设备等)的设计条件而进行各种改变。
63.第一半导体层11可以包括至少一种n型半导体材料。例如，第一半导体层11可以包括诸如inalgan、gan、algan、ingan、aln或inn的一种半导体材料，并且可以包括掺杂有诸如si、ge或sn的第一导电掺杂剂的n型半导体材料。然而，配置第一半导体层11的材料不限于此，并且各种其它材料也可以配置第一半导体层11。
64.有源层12可以形成在第一半导体层11上，并且可以包括单量子阱结构或多量子阱结构。在有源层12包括多量子阱结构的材料的情况下，有源层12可以包括其中量子层和阱
层彼此交替堆叠的结构。
65.在向发光元件ld的两端(或第一表面lda和第二表面ldb)施加预定电压或更大电压的电场的情况下，随着电子-空穴对在有源层12中耦合，发光元件ld可以发射光。通过使用这种原理控制发光元件ld的光发射，发光元件ld可以用作各种发光设备(包括显示设备的像素)的光源。
66.有源层12可以发射具有400nm至900nm的波长的光。例如，在有源层12发射蓝色或绿色波长带的光的情况下，有源层12可以包括诸如algan或algainn的含氮的无机材料。具体地，在有源层12是其中量子层和阱层交替地堆叠在多量子阱结构中的结构的情况下，量子层可以包括诸如algan或algainn的无机材料，并且阱层可以包括诸如gan或alinn的无机材料。在实施方式中，有源层12可以包括algainn作为量子层和alinn作为阱层。
67.然而，发光元件ld的材料和结构不限于此，并且有源层12可以包括其中其能带隙为大的半导体材料和其能带隙为小的半导体材料彼此交替堆叠的结构。此外，有源层12根据发射的光的波长带可以包括ⅲ族至
ⅴ
族半导体材料。由有源层12发射的光不限于蓝色或绿色波长带的光，并且根据所包括的材料可以是红色波长带的光。
68.同时，从有源层12发射的光可以在发光元件ld的纵向方向上发射到发光元件ld的第一表面lda和第二表面ldb。此外，从有源层12发射的一些光可以发射到有源层12的侧表面(或外圆周表面)。即，从有源层12发射的光的方向性不限于一个方向。
69.第二半导体层13可以设置在有源层12上，并且可以包括与第一半导体层11的类型不同的半导体材料。例如，第二半导体层13可以包括至少一种p型半导体材料。例如，第二半导体层13可以包括诸如inalgan、gan、algan、ingan、aln或inn的至少一种半导体材料，并且可以包括掺杂有诸如mg、zn、ca、se或ba的第二导电掺杂剂的p型半导体材料。然而，配置第二半导体层13的材料不限于此，并且各种其它材料可以配置第二半导体层13。
70.同时，在附图中，第一半导体层11和第二半导体层13配置为一层，但本公开不限于此。例如，根据有源层12的材料，第一半导体层11和第二半导体层13可以包括更多数量的层。例如，第一半导体层11和第二半导体层13还可以包括包覆层或拉伸应变势垒减小(tsbr)层。
71.根据实施方式，第一半导体层11的第一长度l1可以大于第二半导体层13的第二长度l2。
72.根据实施方式，发光元件ld的侧表面(例如，发光元件ld的外圆周表面)可以与发光元件ld的纵向方向平行。即，发光元件ld的侧表面可以在与第一表面lda和第二表面ldb垂直的方向上延伸。
73.根据实施方式，发光元件ld还可以包括设置在表面上的绝缘膜inf。绝缘膜inf可以形成在发光元件ld的表面上以围绕有源层12的外圆周表面，并且还可以围绕第一半导体层11和第二半导体层13。
74.根据实施方式，绝缘膜inf可以暴露发光元件ld的第一表面lda和第二表面ldb。例如，绝缘膜inf可以不覆盖并且暴露在纵向方向上定位在发光元件ld的两端处的第一半导体层11和第二半导体层13中的每个的外表面，例如，圆柱体的两个平面(即，第一表面lda和第二表面ldb)。
75.根据实施方式，绝缘膜inf可以包括透明绝缘材料。例如，绝缘膜inf可以包括诸如
sio2、si3n4、al2o3或tio2的至少一种或多种无机绝缘材料，但是绝缘膜inf的材料没有特别限制，并且可以包括各种当前已知的绝缘材料。
76.在实施方式中，绝缘膜inf可以包括单层结构。在绝缘膜inf包括单层结构的情况下，绝缘膜inf可以由上述无机绝缘材料中的一种形成。在另一实施方式中，绝缘膜inf可以包括多层结构。在绝缘膜inf包括多层结构的情况下，绝缘膜inf的层中的每个可以由上述无机绝缘材料中的一种形成。
77.绝缘膜inf可以防止在有源层12与除了第一半导体层11和第二半导体层13之外的导电材料接触的情况下可能发生的电短路。此外，通过形成绝缘膜inf，可以最小化发光元件ld的表面缺陷以提高寿命和效率。
78.在实施方式中，除了第一半导体层11、有源层12、第二半导体层13和/或绝缘膜inf之外，发光元件ld还可以包括设置在每层上和/或每层下方的另外组件。例如，发光元件ld还可以包括设置在第一半导体层11、有源层12和/或第二半导体层13的一侧上的一个或多个磷光层、有源层、半导体材料层和/或电极层。
79.图3是示出根据另一实施方式的发光元件的立体图。在图3中，为了便于描述，省略了绝缘膜inf的部分。
80.另外结合图1和图2参考图3，发光元件ld还可以包括设置在第二半导体层13上的电极层14。
81.电极层14可以是电连接到第二半导体层13的欧姆接触电极，但本公开不限于此。根据实施方式，电极层14可以是肖特基接触电极。电极层14可以包括金属或金属氧化物。例如，电极层14可以包括cr、ti、al、au、ni、氧化铟锡(ito)、氧化铟锌(izo)、氧化铟锡锌(itzo)等。
82.根据实施方式，电极层14可以是基本上透明的或半透明的。因此，在发光元件ld的有源层12中产生的光可以穿过电极层14并且可以发射到发光元件ld的外部。
83.图4是示出根据又一实施方式的发光元件的剖视图。
84.另外结合图3参考图4，绝缘膜inf’可以在与电极层14相邻的拐角区域中具有至少部分曲化的形状。根据实施方式，当制造发光元件ld时，由于蚀刻工艺，可以形成曲化形状。
85.同时，即使图1和图2中的发光元件ld中不包括电极层14，绝缘膜inf’也可以在拐角区域中具有至少部分曲化的形状。
86.图5是示出根据又一实施方式的发光元件的立体图。在图5中，为了便于描述，省略了绝缘膜inf的部分。
87.另外结合图1和图2参考图5，发光元件ld还可以包括设置在第一半导体层11和有源层12之间的第三半导体层15、以及设置在有源层12和第二半导体层13之间的第四半导体层16和第五半导体层17。此外，发光元件ld还可以包括形成在第二半导体层13的上表面上的第一电极层14a和形成在第一半导体层11的下表面上的第二电极层14b。
88.图5的发光元件ld与图1的实施方式的不同之处在于，还设置有多个半导体层15、16和17以及电极层14a和14b，并且有源层12包括另一元件。此外，绝缘膜inf的设置和结构与图1的设置和结构基本上相同。
89.如上所述，在图1的发光元件ld中，有源层12可以通过包括氮(n)来发射蓝光或绿光。图5的发光元件ld可以是其中有源层12和其它半导体层11、13、15、16和17中的每个包括
磷(p)的半导体。即，根据图5的实施方式的发光元件ld可以发射具有620nm至750nm的中心波长范围的红光。然而，应当理解，红光的中心波长带不限于上述范围，并且可以包括在本技术领域中可以被认为是红色的所有波长范围。
90.具体地，在根据图5的实施方式的发光元件ld中，第一半导体层11可以包括n型半导体材料。例如，第一半导体层11可以包括诸如inalgap、gap、algap、ingap、alp或inp的一种半导体材料，并且可以包括掺杂有诸如si、ge或sn的第一导电掺杂剂的n型半导体材料。在实施方式中，第一半导体层11可以是掺杂有n型si的n-algainp。
91.第二半导体层13可以包括p型半导体材料。例如，第二半导体层13可以包括诸如inalgap、gap、alganp、ingap、alp或inp的一种半导体材料，并且可以包括掺杂有诸如mg、zn、ca、se或ba的第二导电掺杂剂的p型半导体材料。在实施方式中，第二半导体层13可以是掺杂有p型mg的p-gap。
92.有源层12可以设置在第一半导体层11和第二半导体层13之间。与图1的有源层12相同，图5的有源层12也可以通过包括单量子阱结构材料或多量子阱结构材料来发射特定波长带的光。例如，有源层12可以包括algap、alingap等的材料。具体地，在有源层12具有其中量子层和阱层交替堆叠在多量子阱结构中的结构的情况下，量子层可以包括诸如algap或alingap的材料，并且阱层可以包括诸如gap或alinp的材料。在实施方式中，通过包括algainp作为量子层和alinp作为阱层，有源层12可以发射具有620nm至750nm的中心波长带的红光。
93.图5的发光元件ld可以包括与有源层12相邻设置的包覆层。例如，设置在第一半导体层11和第二半导体层13之间的、在有源层12下方的第三半导体层15和在有源层12上的第四半导体层16可以是包覆层。
94.第三半导体层15可以设置在第一半导体层11和有源层12之间。第三半导体层15可以包括与第一半导体层11类似的n型半导体材料。在实施方式中，第三半导体层15可以包括n-alinp，但本公开不限于此。
95.第四半导体层16可以设置在有源层12和第二半导体层13之间。第四半导体层16可以包括与第二半导体层13类似的p型半导体材料。在实施方式中，第四半导体层16可以包括p-alinp。
96.第五半导体层17可以设置在第四半导体层16和第二半导体层13之间。第五半导体层17可以包括与第二半导体层13和第四半导体层16类似的p型半导体材料。根据实施方式，第五半导体层17可以起到减小第四半导体层16和第二半导体层13之间的晶格常数差的作用。例如，第五半导体层17可以是拉伸应变势垒减小(tsbr)层。在实施方式中，第五半导体层17可以包括p-gainp、p-alinp、p-algainp等，但本公开不限于此。
97.第一电极层14a和第二电极层14b可以分别设置在第一半导体层11和第二半导体层13上。第一电极层14a可以设置在第二半导体层13的上表面上，并且第二电极层14b可以设置在第一半导体层11的下表面上。根据实施方式，可以省略第一电极层14a和第二电极层14b中的至少一个。第一电极层14a和第二电极层14b中的每个可以包括可以用于图3的电极层14中的材料中的至少一种。
98.图6和图7是示出根据又一实施方式的发光元件的立体图。在图6和图7中，为了便于描述，省略了绝缘膜inf的部分。
99.参考图1、图2、图6和图7，与图1和图2的发光元件ld不同，图6的发光元件ld可以设置成其中第一半导体层11的第一表面lda的面积与第二半导体层13的第二表面ldb的面积彼此不同的竖直不对称的形状。例如，发光元件ld可以设置成诸如截顶圆锥形状或截顶多边形形状的截顶形状。即，发光元件ld可以包括彼此平行并且具有不同面积的第一表面lda和第二表面ldb，并且在剖视图中可以具有等腰梯形形状。
100.例如，如图6中所示，发光元件ld的第一表面lda的第一直径da可以小于第二表面ldb的第二直径db。因此，发光元件ld的在第一表面lda和第二表面ldb之间的侧表面(例如，发光元件ld的外圆周表面)相对于第一表面lda可以具有预定角度(例如，钝角)。
101.在另一实施方式中，如图7中所示，发光元件ld的第一表面lda的第一直径da可以大于第二表面ldb的第二直径db。因此，发光元件ld的侧表面(或发光元件ld的外圆周表面)相对于第一表面lda可以具有预定角度(例如，锐角)。
102.同时，图6和图7的发光元件ld的纵横比可以是1或更大。即，发光元件ld的长度l可以大于第一表面lda的第一直径da和第二表面ldb的第二直径db。
103.在以下实施方式中，包括在显示设备中的发光元件ld可以是上述图1至图7的发光元件ld中的至少一个。在一些实施方式中，显示设备可以包括图1至图5中所示的杆状发光元件，并且在另一实施方式中，显示设备可以包括图6和图7中所示的截顶发光元件。这在后面进行详细描述。
104.图8是示意性地示出根据实施方式的显示设备的平面图。
105.参考图8，显示设备1000可以包括衬底sub和设置在衬底sub上的多个像素pxl。此外，衬底sub可以包括其中设置有多个像素pxl以显示图像的显示区域da、以及除了显示区域da之外的非显示区域nda。
106.衬底sub可以由玻璃、石英、陶瓷、塑料等形成。在衬底sub包括塑料的情况下，衬底sub可以是柔性衬底，但本公开不限于此。例如，衬底sub可以包括诸如聚酰亚胺(pi)的有机材料。
107.显示区域da可以是其中设置有像素pxl的区域。非显示区域nda可以是其中设置有用于驱动像素pxl的驱动器sdv、ddv和edv以及连接像素pxl与驱动器sdv、ddv和edv的各种线的区域。
108.显示区域da可以具有各种形状。例如，显示区域da可以设置成各种形状，诸如包括由直线形成的边的封闭多边形、包括由曲线形成的边的圆形、椭圆形等、以及包括由直线和曲线形成的边的半圆形、半椭圆形等。
109.在显示区域da包括多个区域的情况下，每个区域也可以设置成上述各种形状。此外，多个区域的面积可以彼此相同或彼此不同。在本公开的实施方式中，描述了其中显示区域da设置为具有包括直线的边的四边形形状的一个区域的情况作为实施方式。
110.非显示区域nda可以设置在显示区域da的至少一侧上。在实施方式中，非显示区域nda可以围绕显示区域da。
111.像素pxl可以设置在衬底sub的显示区域da中。像素pxl中的每个可以包括连接到扫描线和数据线以由相应的扫描信号和数据信号驱动的至少一个发光元件ld。
112.像素pxl中的每个可以发射红色、绿色和蓝色中的任何一种颜色，但本公开不限于此。例如，像素pxl中的每个可以发射青色、品红色、黄色和白色中的一种颜色。
113.具体地，像素pxl可以包括发射第一颜色的光的第一像素pxl1(或第一子像素)、发射与第一颜色不同的第二颜色的光的第二像素pxl2(或第二子像素)、以及发射与第一颜色和第二颜色不同的第三颜色的光的第三像素pxl3(或第三子像素)。彼此相邻设置的第一像素pxl1、第二像素pxl2和第三像素pxl3可以配置能够发射各种颜色的光的一个像素单元pxu。
114.根据实施方式，第一像素pxl1可以是发射红光的红色像素，第二像素pxl2可以是发射绿光的绿色像素，并且第三像素pxl3可以是发射蓝光的蓝色像素。
115.像素pxl可以设置成多个，并且可以在第一方向dr1和与第一方向dr1相交的第二方向dr2上布置。然而，像素pxl的布置没有特别地限制并且可以布置成各种形式。
116.驱动器sdv、ddv和edv可以通过每个线单元(未示出)向像素pxl中的每个提供信号，并且因此可以控制像素pxl中的每个的驱动。在图8中，为了便于描述，省略了线单元。
117.驱动器sdv、ddv和edv可以包括通过扫描线向像素pxl提供扫描信号的扫描驱动器sdv、通过数据线向像素pxl提供数据信号的数据驱动器ddv、通过发射控制线向像素pxl提供发射控制信号的发射控制驱动器edv、以及时序控制器(未示出)。时序控制器可以控制扫描驱动器sdv、数据驱动器ddv和发射控制驱动器edv。
118.根据实施方式，可以省略发射控制驱动器edv。此外，根据实施方式，时序控制器可以集成到数据驱动器ddv中并且可以设置为一个配置。
119.扫描驱动器sdv可以设置在衬底sub的一侧上，并且可以在一方向(例如，第二方向dr2)上设置。扫描驱动器sdv可以作为单独的部分安装在衬底sub上，但本公开不限于此。例如，扫描驱动器sdv可以直接形成在衬底sub上。此外，扫描驱动器sdv可以定位在衬底sub的外部，并且也可以通过连接构件连接到像素pxl中的每个。
120.数据驱动器ddv可以设置在衬底sub的一侧上，并且可以在与扫描驱动器sdv相交的方向(例如，第一方向dr1)上设置。数据驱动器ddv可以作为单独的部分安装在衬底sub上，或者可以定位在衬底sub的外部并且可以通过连接构件连接到像素pxl中的每个。
121.发射控制驱动器edv可以设置在衬底sub的一侧上，并且可以在与扫描驱动器sdv相同的方向(例如，第二方向dr2)上设置。如图2中所示，发射控制驱动器edv可以设置在与扫描驱动器sdv相同的侧上，但本公开不限于此。例如，发射控制驱动器edv可以设置在与设置有扫描驱动器sdv的侧不同的侧上。发射控制驱动器edv可以作为单独的部分安装在衬底sub上，但本公开不限于此。例如，发射控制驱动器edv可以直接形成在衬底sub上，或者定位在衬底sub的外部并且可以通过连接构件连接到像素pxl中的每个。
122.在实施方式中，像素pxl中的每个可以配置为有源像素。然而，可应用于本公开的像素pxl的类型、结构和/或驱动方法没有特别限制。
123.图9a至图9c是分别示出根据实施方式的像素的电路图。具体地，图9a至图9c示出了配置有源发光显示面板的像素的实施方式。
124.参考图1、图2和图9a，像素pxl可以包括至少一个发光元件ld和连接到发光元件ld以驱动发光元件ld的驱动电路dc。
125.发光元件ld的第一电极(例如，阳极)可以通过驱动电路dc连接到第一驱动电源vdd，并且发光元件ld的第二电极(例如，阴极)可以连接到第二驱动电源vss。发光元件ld可以发射亮度与由驱动电路dc控制的驱动电流量对应的光。
126.尽管在图9a中仅示出了一个发光元件ld，但是图9a仅示出了一配置，并且根据实施方式，一个像素pxl可以包括多个发光元件ld。包括在像素pxl中的多个发光元件ld可以彼此并联和/或串联连接。
127.第一驱动电源vdd和第二驱动电源vss可以具有不同的电势。例如，第一驱动电源vdd的电势与第二驱动电源vss的电势的差可以等于或大于发光元件ld的阈值电压或更大的电压。即，通过第一驱动电源vdd施加的电压可以大于通过第二驱动电源vss施加的电压。
128.根据本公开的实施方式，驱动电路dc可以包括第一晶体管m1、第二晶体管m2和存储电容器cst。
129.第一晶体管m1(驱动晶体管)的第一电极可以连接到第一驱动电源vdd，并且第一晶体管m1的第二电极可以电连接到发光元件ld的第一电极(例如，阳极)。第一晶体管m1的栅电极可以连接到第一节点n1。第一晶体管m1可以响应于第一节点n1的电压来控制提供给发光元件ld的驱动电流量。
130.第二晶体管m2(开关晶体管)的第一电极可以连接到数据线dl，并且第二晶体管m2的第二电极可以连接到第一节点n1。这里，第二晶体管m2的第一电极和第二电极可以是不同的电极，例如，在第一电极是源电极的情况下，第二电极可以是漏电极。第二晶体管m2的栅电极可以连接到扫描线sl。
131.在从扫描线sl提供第一晶体管m1可以导通的电压(例如，栅极导通电压)的扫描信号的情况下，第二晶体管m2可以导通，以将数据线dl和第一节点n1彼此电连接。此时，相应帧的数据信号可以提供给数据线dl，并且因此数据信号可以传输到第一节点n1。传输到第一节点n1的数据信号可以存储在存储电容器cst中。
132.存储电容器cst的一个电极可以连接到第一驱动电源vdd，并且存储电容器cst的另一电极可以连接到第一节点n1。存储电容器cst可以用与提供给第一节点n1的数据信号对应的电压充电，并且可以保持充电电压直到提供下一帧的数据信号。
133.为了便于描述，图9a示出了相对简单结构的驱动电路dc，其包括用于将数据信号传输到像素pxl中的每个的第二晶体管m2、用于存储数据信号的存储电容器cst、以及用于向发光元件ld提供与数据信号对应的驱动电流的第一晶体管m1。
134.然而，本公开不限于此，并且驱动电路dc的结构可以进行各种改变和实现。例如，驱动电路dc还可以包括其它电路元件，诸如用于补偿第一晶体管m1的阈值电压的补偿晶体管、用于初始化第一节点n1的初始化晶体管、和/或用于控制发光元件ld的发射时间的发射控制晶体管。
135.此外，在图9a中，包括在驱动电路dc中的第一晶体管m1和第二晶体管m2两者是p型晶体管，但本公开不限于此。即，包括在驱动电路dc中的第一晶体管m1和第二晶体管m2中的至少一个可以改变为n型晶体管。
136.例如，如图9b中所示，驱动电路dc的第一晶体管m1和第二晶体管m2可以实现为n型晶体管。除了由于晶体管类型改变而导致的部分组件(例如，存储电容器cst)的连接位置改变之外，图9b中所示的驱动电路dc的配置或操作可以与图9a的驱动电路dc的配置或操作类似。
137.此外，作为另一示例，参考图9c，像素pxl还可以包括第三晶体管m3(感测晶体管)。
138.第三晶体管m3的栅电极可以连接到感测信号线ssl。第三晶体管m3的一个电极可
以连接到感测线senl，并且第三晶体管m3的另一电极可以连接到发光元件ld的第一电极(例如，阳极)。在感测周期期间，根据提供给感测信号线ssl的感测信号，第三晶体管m3可以将发光元件ld的第一电极的电压值传输到感测线senl。通过感测线senl传输的电压值可以提供给外部电路(例如，时序控制器)，并且外部电路可以基于提供的电压值提取像素pxl的特性信息(例如，第一晶体管m1的阈值电压等)。提取的特性信息可以用于转换图像数据，使得补偿像素pxl的特性偏差。
139.图10是示出根据另一实施方式的像素的电路图。
140.参考图10，根据本公开的另一实施方式的像素pxl可以包括发光元件ld、第一晶体管t1、第二晶体管t2、第三晶体管t3、第四晶体管t4、第五晶体管t5、第六晶体管t6和第七晶体管t7以及存储电容器cst。
141.发光元件ld的第一电极(例如，阳极)可以经由第六晶体管t6连接到第一晶体管t1，并且发光元件ld的第二电极(例如，阴极)可以连接到第二驱动电源vss。发光元件ld可以发射具有与从第一晶体管t1提供的驱动电流量对应的预定亮度的光。
142.第一晶体管t1(驱动晶体管)的一个电极可以经由第五晶体管t5连接到第一驱动电源vdd，并且第一晶体管t1的另一电极可以经由第六晶体管t6连接到发光元件ld的第一电极。响应于作为其栅电极的第一节点n1的电压，第一晶体管t1可以控制经由发光元件ld从第一驱动电源vdd流到第二驱动电源vss的电流量。
143.第二晶体管t2(开关晶体管)可以连接在数据线dl和第一晶体管t1的一电极之间。第二晶体管t2的栅电极可以连接到扫描线sl。在栅极导通电压的扫描信号提供给扫描线sl的情况下，第二晶体管t2可以导通，以将数据线dl和第一晶体管t1的所述一电极彼此电连接。
144.第三晶体管t3可以连接在第一晶体管t1的另一电极和第一节点n1之间。第三晶体管t3的栅电极可以连接到扫描线sl。在栅极导通电压的扫描信号提供给扫描线sl的情况下，第三晶体管t3可以导通，以将第一晶体管t1的所述另一电极和第一节点n1彼此电连接。
145.第四晶体管t4可以连接在第一节点n1和初始化电力vint之间。第四晶体管t4的栅电极可以连接到扫描线sl-1。在栅极导通电压的扫描信号提供给扫描线sl-1的情况下，第四晶体管t4可以导通，以将初始化电力vint的电压提供给第一节点n1。这里，初始化电力vint可以设定为电压低于数据信号的电压。
146.第五晶体管t5可以连接在第一驱动电源vdd和第一晶体管t1的所述一电极之间。第五晶体管t5的栅电极可以连接到发射控制线el。在栅极导通电压的发射控制信号提供给发射控制线el的情况下，第五晶体管t5可以导通，并且在其它情况下可以截止。
147.第六晶体管t6可以连接在第一晶体管t1的所述另一电极和发光元件ld的第一电极之间。第六晶体管t6的栅电极可以连接到发射控制线el。在栅极导通电压的发射控制信号提供给发射控制线el的情况下，第六晶体管t6可以导通，并且在其它情况下可以截止。
148.第七晶体管t7可以连接在初始化电力vint和发光元件ld的第一电极(例如，阳极)之间。第七晶体管t7的栅电极可以连接到扫描线sl+1。在栅极导通电压的扫描信号提供给扫描线sl+1的情况下，第七晶体管t7可以导通，以将初始化电力vint的电压提供给发光元件ld的第一电极。
149.图10示出了第七晶体管t7的栅电极连接到扫描线sl+1的情况。然而，本公开的技
术范围不限于此。例如，在本公开的另一实施方式中，第七晶体管t7的栅电极可以连接到扫描线sl或扫描线sl-1。在这种情况下，在栅极导通电压的扫描信号提供给扫描线sl或扫描线sl-1的情况下，初始化电力vint的电压可以经由第七晶体管t7提供给发光元件ld的阳极。
150.存储电容器cst可以连接在第一驱动电源vdd和第一节点n1之间。存储电容器cst可以存储与数据信号对应的电压和第一晶体管t1的阈值电压。
151.同时，在图10中，包括在驱动电路dc中的所有晶体管，例如，第一晶体管t1、第二晶体管t2、第三晶体管t3、第四晶体管t4、第五晶体管t5、第六晶体管t6和第七晶体管t7是p型晶体管，但本公开不限于此。例如，第一晶体管t1、第二晶体管t2、第三晶体管t3、第四晶体管t4、第五晶体管t5、第六晶体管t6和第七晶体管t7中的至少一个可以改变为n型晶体管。
152.图11是图8的显示设备的示意性分解立体图。图12是图11的显示设备的平面图。图13是沿着图12的线a-a’截取的显示设备的剖视图。图14是沿着图12的线b-b’截取的显示设备的剖视图。为了便于描述，图11至图14可以是图8的显示设备1000的部分的放大图和简化图。在下文中，省略了与参考图8描述的内容重叠的内容的描述。
153.参考图11至图14，显示设备1000可以包括衬底sub和设置在衬底sub上的第一像素pxl1、第二像素pxl2和第三像素pxl3。根据实施方式，显示设备1000还可以包括通道壁cw。
154.衬底sub可以包括上表面suba和下表面subb。衬底sub的上表面suba和下表面subb可以彼此相对并且可以基本上彼此平行。作为实施方式，衬底sub的上表面suba和下表面subb可以具有相同的矩形形状，并且作为整体，衬底sub可以具有矩形平行六面体形状。在下文中，“设置在衬底sub的上表面suba上”可以意指相对于衬底sub的上表面suba设置在第三方向dr3上，并且“设置在衬底sub的下表面subb上”可以意指相对于衬底sub的下表面subb设置在与第三方向dr3相反的方向上。
155.穿过衬底sub的第一孔hl1、第二孔hl2和第三孔hl3可以形成在衬底sub中。后面将描述的第一发光元件ld1、第二发光元件ld2和第三发光元件ld3可以设置在第一孔hl1、第二孔hl2和第三孔hl3中。
156.第一像素pxl1、第二像素pxl2和第三像素pxl3可以分别包括第一发光元件ld1、第二发光元件ld2和第三发光元件ld3，并且可以分别发射不同颜色的光。如上所述，第一像素pxl1、第二像素pxl2和第三像素pxl3可以配置能够表现各种颜色的一个像素单元pxu。在本实施方式中，第一发光元件ld1、第二发光元件ld2和第三发光元件ld3可以是图6的发光元件ld，但本公开不限于此。
157.第一像素pxl1、第二像素pxl2和第三像素pxl3可以顺序地布置在衬底sub上。例如，在显示设备1000具有条纹方式的像素布置的情况下，第一像素pxl1、第二像素pxl2和第三像素pxl3可以在第一方向dr1上顺序地布置，并且相同的像素可以布置在第二方向dr2上。第一像素pxl1、第二像素pxl2和第三像素pxl3的布置不限于此，并且像素可以以诸如pentile方法的各种方法布置。
158.由于第一像素pxl1、第二像素pxl2和第三像素pxl3可以具有基本上相同或类似的结构，因此具体地描述了第一像素pxl1，并且关于第二像素pxl2和第三像素pxl3，主要描述了与第一像素pxl1的点不同的点。
159.第一像素pxl1可以包括限定在衬底sub上的第一发射区域la1和第一电路区域
ca1。第一发射区域la1可以是其中设置有第一发光元件ld1的区域，并且第一电路区域ca1可以是其中设置有用于向第一发光元件ld1提供驱动信号的线和电路元件的区域。第一发射区域la1和第一电路区域ca1的形状和面积可以根据需要进行各种改变。
160.在第一发射区域la1中，衬底sub可以包括其中设置有第一发光元件ld1的第一孔hl1。如上所述，第一孔hl1可以完全穿过衬底sub。多个第一孔hl1可以形成在第一发射区域la1中。根据实施方式，第一孔hl1可以形成为与第一发光元件ld1基本上相同的形状，但本公开不限于此。
161.第一发光元件ld1可以设置在第一孔hl1中，并且第一发光元件ld1的至少部分可以通过第一孔hl1插入到衬底sub中。例如，第一发光元件ld1可以根据衬底sub的上部分和下部分之间的压力差插入并固定到第一孔hl1中。
162.第二像素pxl2可以包括第二发射区域la2和第二电路区域ca2。在第二发射区域la2中，衬底sub可以包括其中设置有第二发光元件ld2的第二孔hl2。根据实施方式，第二孔hl2的直径可以小于第一孔hl1的直径。此外，第二孔hl2可以形成为与第二发光元件ld2基本上相同的形状。
163.第二发光元件ld2可以设置在第二孔hl2中。根据实施方式，第二发光元件ld2的尺寸(或直径)可以小于第一发光元件ld1的尺寸(或直径)，并且可以在设置第一发光元件ld1之后插入到衬底sub中。
164.第三像素pxl3可以包括第三发射区域la3和第三电路区域ca3。在第三发射区域la3中，衬底sub可以包括其中设置有第三发光元件ld3的第三孔hl3。根据实施方式，第三孔hl3的直径可以小于第一孔hl1和第二孔hl2的直径。此外，第三孔hl3可以形成为与第三发光元件ld3基本上相同的形状。
165.第三发光元件ld3可以设置在第三孔hl3中。根据实施方式，第三发光元件ld3的尺寸(或直径)可以小于第一发光元件ld1的尺寸(或直径)和第二发光元件ld2的尺寸(或直径)，并且可以在设置第一发光元件ld1和第二发光元件ld2之后插入到衬底sub中。
166.图11至图14示出了其中一个发光元件ld1、ld2和ld3设置在发射区域la1、la2和la3中的每个中的结构，但本公开不限于此。例如，至少两个发光元件ld1、ld2和ld3可以分别设置在发射区域la1、la2和la3中的每个中。此外，设置在发射区域la1、la2和la3中的每个中的发光元件ld1、ld2和ld3的数量可以彼此不同。在实施方式中，设置在第三发射区域la3中的第三发光元件ld3的数量可以大于设置在第一发射区域la1中的第一发光元件ld1的数量，但本公开不限于此。
167.如图13中所示，在第一发射区域la1中，第一像素电极ae1可以设置在衬底sub的上表面suba上，并且公共电极ce可以设置在衬底sub的下表面subb上。第一像素电极ae1可以设置在第一发光元件ld1上，并且可以电连接到第一发光元件ld1的第二表面ld1b。此外，公共电极ce的部分可以设置在第一发光元件ld1上，并且可以电连接到第一发光元件ld1的第一表面ld1a。根据实施方式，第一像素电极ae1可以接触第一发光元件ld1的第二表面ld1b，并且公共电极ce可以接触第一发光元件ld1的第一表面ld1a。第一像素电极ae1和公共电极ce中的一个可以是阳极，并且另一个可以是阴极。
168.第一像素电极ae1和公共电极ce可以响应于扫描信号和数据信号向第一发光元件ld1提供驱动信号，并且第一发光元件ld1可以发射亮度与提供的驱动信号对应的光。
169.当另外结合图9a描述时，第一像素电极ae1和公共电极ce中的每个可以通过单独的连接线或连接构件电连接到驱动电路dc和第二驱动电源vss中的任何一个。例如，第一像素电极ae1可以电连接到驱动电路dc，并且公共电极ce可以电连接到第二驱动电源vss。因此，第一像素电极ae1和公共电极ce可以向发光元件ld提供驱动信号。
170.第一像素电极ae1和公共电极ce可以由导电材料形成。在实施方式中，第一像素电极ae1和公共电极ce中的每个可以包括诸如al、mg、ag、pt、pd、au、ni、nd、ir、cr、ti的金属或其合金。在另一实施方式中，第一像素电极ae1和公共电极ce中的每个可以包括诸如氧化铟锡(ito)、氧化铟锌(izo)、氧化锌(zno)或氧化铟锡锌(itzo)的透明导电材料。在实施方式中，第一像素电极ae1可以包括透明导电材料，并且公共电极ce可以包括具有恒定反射率的导电材料。
171.从第一发光元件ld1发射的光可以在第三方向dr3和与第三方向dr3相反的方向上发射。在第一像素电极ae1包括透明导电材料的情况下，在第三方向dr3上从第一发光元件ld1发射的光可以穿过第一像素电极ae1并且行进。此外，在公共电极ce包括具有恒定反射率的导电材料的情况下，在与第三方向dr3相反的方向上从第一发光元件ld1发射的光可以由公共电极ce反射并且可以在第三方向dr3上行进，并且可以改善显示设备1000的光输出效率。
172.配置第一像素pxl1的驱动电路(例如，图9a的dc)的多个电路元件可以设置在第一电路区域ca1中。例如，至少一个晶体管t可以设置在第一电路区域ca1中。这里，晶体管t可以是图9a的第一晶体管m1，但本公开不限于此。
173.第一绝缘层ins1可以设置在衬底sub的上表面suba上。例如，第一绝缘层ins1可以是缓冲层。第一绝缘层ins1可以完全形成在衬底sub上并且可以覆盖第一像素电极ae1。第一绝缘层ins1可以提供在第一电路区域ca1中将要设置晶体管t的空间。第一绝缘层ins1可以防止杂质扩散到设置在衬底sub上的电路元件中。第一绝缘层ins1可以是包括无机材料的无机绝缘层，但本公开不限于此。第一绝缘层ins1可以设置为单层，或者根据实施方式也可以包括多层结构。在第一绝缘层ins1包括多层结构的情况下，第一绝缘层ins1可以包括交替堆叠的有机绝缘层和无机绝缘层。
174.在第一电路区域ca1中，晶体管t可以设置在第一绝缘层ins1上。晶体管t可以包括有源层act、栅电极ge、第一晶体管电极tet1和第二晶体管电极tet2。
175.有源层act可以设置在第一绝缘层ins1上。有源层act可以包括与第一晶体管电极tet1连接的第一区域、与第二晶体管电极tet2连接的第二区域、以及定位在第一区域和第二区域之间的沟道区域。第一区域和第二区域中的一个可以是源极区域，并且另一个可以是漏极区域。
176.有源层act可以是由多晶硅、非晶硅、氧化物半导体等形成的半导体图案。此外，有源层act的沟道区域可以包括作为未掺杂杂质的半导体图案的本征半导体，并且有源层act的第一区域和第二区域中的每个可以是掺杂有预定杂质的半导体图案。
177.第二绝缘层ins2可以设置在有源层act上。例如，第二绝缘层ins2可以是栅极绝缘层。第二绝缘层ins2可以完全覆盖有源层act。即，有源层act可以设置在第一绝缘层ins1和第二绝缘层ins2之间。第二绝缘层ins2可以是包括无机材料的无机绝缘层，但本公开不限于此。
178.栅电极ge可以设置在第二绝缘层ins2上。栅电极ge可以与有源层act的至少部分重叠。栅电极ge可以通过第二绝缘层ins2来有源层act绝缘。
179.第三绝缘层ins3可以设置在栅电极ge上。例如，第三绝缘层ins3可以是层间绝缘层。第三绝缘层ins3可以完全覆盖栅电极ge。即，栅电极ge可以设置在第二绝缘层ins2和第三绝缘层ins3之间。第三绝缘层ins3可以是包括无机材料的无机绝缘层，但本公开不限于此。
180.第一晶体管电极tet1和第二晶体管电极tet2可以设置在第三绝缘层ins3上。第一晶体管电极tet1和第二晶体管电极tet2可以电连接到有源层act。例如，第一晶体管电极tet1和第二晶体管电极tet2可以分别通过穿过第二绝缘层ins2和第三绝缘层ins3的接触孔来接触有源层act的第一区域和第二区域。根据实施方式，第一晶体管电极tet1或第二晶体管电极tet2可以省略，或者可以与有源层act的第一区域或第二区域整体地形成。
181.第一晶体管电极tet1和第二晶体管电极tet2中的任何一个可以电连接到第一像素电极ae1。例如，第一晶体管电极tet1的至少部分可以朝向第一发射区域la1延伸，并且可以通过穿过第一绝缘层ins1、第二绝缘层ins2和第三绝缘层ins3的接触孔cnt或连接构件电连接到第一像素电极ae1。因此，设置在第一电路区域ca1中的晶体管t可以电连接到第一发光元件ld1，并且可以提供用于驱动第一发光元件ld1发射光的驱动信号。
182.与此类似，如图14中所示，在第二发射区域la2中，第二像素电极ae2可以设置在衬底sub的上表面suba上，并且公共电极ce可以设置在衬底sub的下表面subb上。第二像素电极ae2可以设置在第二发光元件ld2上，并且可以电连接到第二发光元件ld2的第二表面ld2b。此外，公共电极ce可以设置在第二发光元件ld2上，并且可以电连接到第二发光元件ld2的第一表面ld2a。根据实施方式，第二像素电极ae2可以接触第二发光元件ld2的第二表面ld2b，并且公共电极ce可以接触第二发光元件ld2的第一表面ld2a。
183.此外，在第三发射区域la3中，第三像素电极ae3可以设置在衬底sub的上表面suba上，并且公共电极ce可以设置在衬底sub的下表面subb上。第三像素电极ae3可以设置在第三发光元件ld3上，并且可以电连接到第三发光元件ld3的第二表面ld3b。此外，公共电极ce可以设置在第三发光元件ld3上，并且可以电连接到第三发光元件ld3的第一表面ld3a。根据实施方式，第三像素电极ae3可以接触第三发光元件ld3的第二表面ld3b，并且公共电极ce可以接触第三发光元件ld3的第一表面ld3a。
184.根据实施方式，公共电极ce可以在第一方向dr1上连续设置在衬底sub的下表面subb上，并且可以电连接到第一发光元件ld1、第二发光元件ld2和第三发光元件ld3。即，公共电极ce可以向第一发光元件ld1、第二发光元件ld2和第三发光元件ld3提供相同的信号(或电压)。
185.同时，为了便于描述，在图14中，省略了顺序地堆叠在衬底sub的上表面suba上的第一绝缘层ins1、第二绝缘层ins2和第三绝缘层ins3。
186.如图14中所示，第一像素pxl1的第一发光元件ld1可以包括彼此相对的第一表面ld1a和第二表面ld1b，并且可以包括在第一表面ld1a和第二表面ld1b之间的侧表面(或外圆周表面)。第一表面ld1a的直径da1可以小于第二表面ld1b的直径db1。因此，第一发光元件ld1的侧表面可以与第一表面ld1a形成预定角度，并且该角度可以是钝角。
187.第一孔hl1可以包括第一侧壁sw1(或内圆周表面)，并且第一侧壁sw1可以相对于
衬底sub的下表面subb(或贯通表面)形成预定角度。由第一侧壁sw1和衬底sub的下表面subb形成的角度可以与由第一发光元件ld1的侧表面形成的角度相同。因此，第一孔hl1的形状可以与第一发光元件ld1的形状基本上相同，并且第一发光元件ld1的侧表面的至少部分可以接触第一孔hl1的第一侧壁sw1。
188.此外，第二像素pxl2的第二发光元件ld2可以包括彼此相对的第一表面ld2a和第二表面ld2b，并且可以包括在第一表面ld2a和第二表面ld2b之间的侧表面(或外圆周表面)。第一表面ld2a的直径da2可以小于第二表面ld2b的直径db2。因此，第二发光元件ld2的侧表面可以与第一表面ld2a形成预定角度，并且该角度可以是钝角。
189.第二发光元件ld2的第一表面ld2a的直径da2可以小于第一发光元件ld1的第一表面ld1a的直径da1。此外，第二发光元件ld2的第二表面ld2b的直径db2可以小于第一发光元件ld1的第二表面ld1b的直径db1。根据实施方式，第二发光元件ld2的第二表面ld2b的直径db2可以小于第一发光元件ld1的第一表面ld1a的直径da1。
190.第二孔hl2可以包括第二侧壁sw2，并且第二侧壁sw2可以相对于衬底sub的下表面subb(或贯通表面)形成预定角度。由第二侧壁sw2和衬底sub的下表面subb形成的角度可以与由第二发光元件ld2的侧表面形成的角度相同。因此，第二孔hl2的形状可以与第二发光元件ld2的形状基本上相同，并且第二发光元件ld2的侧表面的至少部分可以接触第二孔hl2的第二侧壁sw2。
191.此外，第三像素pxl3的第三发光元件ld3可以包括彼此相对的第一表面ld3a和第二表面ld3b，并且可以包括在第一表面ld3a和第二表面ld3b之间的侧表面(或外圆周表面)。第一表面ld3a的直径da3可以小于第二表面ld3b的直径db3。因此，第三发光元件ld3的侧表面可以与第一表面ld3a形成预定角度，并且该角度可以是钝角。
192.第三发光元件ld3的第一表面ld3a的直径da3可以小于第二发光元件ld2的第一表面ld2a的直径da2。此外，第三发光元件ld3的第二表面ld3b的直径db3可以小于第二发光元件ld2的第二表面ld2b的直径db2。根据实施方式，第三发光元件ld3的第二表面ld3b的直径db3可以小于第二发光元件ld2的第二表面ld2a的直径da2。
193.第三孔hl3可以包括第三侧壁sw3，并且第三侧壁sw3可以相对于衬底sub的下表面subb(或贯通表面)形成预定角度。由第三侧壁sw3和衬底sub的下表面subb形成的角度可以与由第三发光元件ld3的侧表面形成的角度相同。因此，第三孔hl3的形状可以与第三发光元件ld3的形状基本上相同，并且第三发光元件ld3的侧表面的至少部分可以接触第三孔hl3的第三侧壁sw3。
194.在实施方式中，第一孔hl1的第一侧壁sw1、第二孔hl2的第二侧壁sw2和第三孔hl3的第三侧壁sw3可以相对于衬底sub的下表面subb形成相同的角度，但本公开不限于此。在另一实施方式中，第一侧壁sw1、第二侧壁sw2和第三侧壁sw3中的至少两个侧壁可以相对于衬底sub的下表面subb形成不同的角度。
195.同时，如图11和图13中所示，通道壁cw可以形成在衬底sub的下表面subb上。通道壁cw可以形成为在第一方向dr1上延伸。此外，可以形成多个通道壁cw。在这种情况下，多个通道壁cw可以在第二方向dr2上布置。
196.通道壁cw可以在第三方向dr3上不与第一发射区域la1、第二发射区域la2和第三发射区域la3重叠。具体地，通道壁cw可以不与衬底sub的第一孔hl1、第二孔hl2和第三孔
hl3重叠。根据实施方式，通道壁cw的至少部分可以与第一电路区域ca1、第二电路区域ca2和第三电路区域ca3重叠。
197.微通道mc可以形成在多个通道壁cw之间。在显示设备1000的制造工艺中，流体可以流过微通道mc。衬底sub的上部分和下部分之间的压力差可以根据流过微通道mc的流体的状态(例如，速率等)来调整，并且衬底sub的下侧压力可以调整为低于衬底sub的上侧压力，以便将第一发光元件ld1、第二发光元件ld2和第三发光元件ld3设置在衬底sub上。后面参考图21至图27描述在衬底sub上设置第一发光元件ld1、第二发光元件ld2和第三发光元件ld3的方法。
198.如上所述，像素pxl1、pxl2和pxl3中的每个的发光元件ld1、ld2和ld3可以分别设置在衬底sub的孔hl1、hl2和hl3中。由于发光元件ld1、ld2和ld3设置在衬底sub上的竖直方向上，因此可以广泛地确保在其中设置发光元件ld1、ld2和ld3的区域，并且因此在实现高分辨率显示设备方面可以是有利的。此外，由于从发光元件ld1、ld2和ld3发射的光可以直接在第三方向dr3上发射，因此可以改善显示设备1000的光输出效率。
199.在下文中，描述了显示设备的其它实施方式。在以下实施方式中，与前述实施方式的组件相同的组件由相同的参考标记表示，并且省略或简化其描述，并且主要描述不同的点。
200.图15至图20是根据各种实施方式的显示设备的剖视图，并且具体地，是与图12的线b-b’对应的剖视图。
201.参考图15，显示设备1000_1可以包括衬底sub_1以及设置在衬底sub_1上的第一像素pxl1、第二像素pxl2和第三像素pxl3。
202.穿过衬底sub_1的第一孔hl1_1、第二孔hl2_1和第三孔hl3_1可以形成在衬底sub_1中。第一孔hl1_1可以包括第一侧壁sw1(或内圆周表面)，并且第一侧壁sw1可以与衬底sub_1的下表面subb垂直。与第一孔hl1_1类似，第二孔hl2_1和第三孔hl3_1也可以分别包括与衬底sub_1的下表面subb垂直的第二侧壁sw2和第三侧壁sw3。
203.第一发光元件ld1可以设置在第一孔hl1_1中。这里，第一发光元件ld1的第二表面ld1b的直径可以大于第一孔hl1_1的直径。因此，第一发光元件ld1可以不完全插入到第一孔hl1_1中，并且仅第一发光元件ld1的部分可以设置在第一孔hl1_1中。第一发光元件ld1的未设置在第一孔hl1_1中的另一部分可以暴露于衬底sub_1的外部(或向衬底sub_1的外部突出)。
204.类似地，第二发光元件ld2的第二表面ld2b的直径可以大于第二孔hl2_1的直径。因此，仅第二发光元件ld2的部分可以设置在第二孔hl2_1中，并且第二发光元件ld2的未设置在第二孔hl2_1中的另一部分可以暴露于衬底sub_1的外部(或向衬底sub_1的外部突出)。
205.此外，第三发光元件ld3的第二表面ld3b的直径可以大于第三孔hl3_1的直径。因此，仅第三发光元件ld3的部分可以设置在第三孔hl3_1中，并且第三发光元件ld3的未设置在第三孔hl3_1中的另一部分可以暴露于衬底sub_1的外部(或向衬底sub_1的外部突出)。
206.第一像素电极ae1、第二像素电极ae2和第三像素电极ae3可以设置在衬底sub_1的上表面suba上，并且公共电极ce可以设置在衬底sub_1的下表面subb上。
207.第一像素电极ae1、第二像素电极ae2和第三像素电极ae3中的每个可以覆盖发光
元件ld的向衬底sub_1的外部突出的部分，并且可以沿着衬底sub_1和发光元件ld的表面以大致均匀的厚度形成。
208.公共电极ce可以接触相应的第一发光元件ld1、第二发光元件ld2和第三发光元件ld3的第一表面ld1a、ld2a和ld3a。由于发光元件ld未完全插入到孔hl1_1、hl2_1和hl3_1中，所以公共电极ce可以填充孔hl1_1、hl2_1和hl3_1的部分。
209.根据实施方式，还可以设置填充发光元件ld与孔hl1_1、hl2_1、hl3_1的侧壁sw1、sw2和sw3之间的空白空间的填充件fl，但本公开不限于此。例如，空气层可以存在于发光元件与孔之间。填充件fl可以通过包括有机材料来形成，但填充件fl的材料不限于此。
210.参考图16，显示设备1000_2可以包括衬底sub_2以及设置在衬底sub_2上的第一像素pxl1、第二像素pxl2和第三像素pxl3。
211.穿过衬底sub_2的第一孔hl1_2、第二孔hl2_2和第三孔hl3_2可以形成在衬底sub_2中。第一孔hl1_2可以包括第一侧壁sw1_2(或内圆周表面)。这里，第一侧壁sw1_2可以包括相对于衬底sub_2的下表面subb具有预定角度的倾斜表面sw1a和与衬底sub_2的下表面subb垂直的竖直表面sw1b。
212.与第一孔hl1_2类似，第二孔hl2_2可以包括包含倾斜表面sw2a和竖直表面sw2b的第二侧壁sw2_2，并且第三孔hl3_2可以包括包含倾斜表面sw3a和竖直表面sw3b的第三侧壁sw3_2。
213.第一发光元件ld1可以设置在第一孔hl1_2中。根据实施方式，第一发光元件ld1的侧表面可以接触倾斜表面sw1a，但是可以不接触竖直表面sw1b。
214.与此类似，第二发光元件ld2可以设置在第二孔hl2_2中，并且第二发光元件ld2的侧表面可以接触倾斜表面sw2a，但是可以不接触竖直表面sw2b。此外，第三发光元件ld3可以设置在第三孔hl3_2中，并且第三发光元件ld3的侧表面可以接触倾斜表面sw3a，但是可以不接触竖直表面sw3b。
215.第一像素电极ae1、第二像素电极ae2和第三像素电极ae3中的每个可以设置在衬底sub_2的上表面suba上，并且公共电极ce可以设置在衬底sub_2的下表面subb上。
216.根据实施方式，还可以设置填充发光元件ld与孔hl1_2、hl2_2和hl3_2的侧壁sw1_2、sw2_2和sw3_2之间的空白空间的填充件fl。在这种情况下，填充件fl可以设置在发光元件ld与竖直表面sw1b、sw2b和sw3b之间。
217.如上所述，发光元件ld不限于图6的截顶形状的发光元件ld。在图17和图18的实施方式中，发光元件ld可以是图1的杆状发光元件ld。
218.参考图17，显示设备1000_3可以包括衬底sub以及设置在衬底sub上的第一像素pxl1、第二像素pxl2和第三像素pxl3。
219.像素pxl1、pxl2和pxl3中的每个可以包括杆状发光元件ld_3。第一像素pxl1可以包括第一发光元件ld1_3，第二像素pxl2可以包括第二发光元件ld2_3，并且第三像素pxl3可以包括第三发光元件ld3_3。
220.穿过衬底sub的第一孔hl1、第二孔hl2和第三孔hl3可以形成在衬底sub中。孔hl1、hl2和hl3可以分别包括相对于衬底sub的下表面subb具有预定角度的侧壁sw1、sw2和sw3。
221.第一发光元件ld1_3可以设置在第一孔hl1中。第一发光元件ld1_3的第一表面ld1a的直径可以大于第一孔hl1的下贯通表面的直径。此外，第一发光元件ld1_3的第二表
面ld1b的直径可以小于第一孔hl1的上贯通表面的直径。因此，第一发光元件ld1_3的部分可以设置在第一孔hl1中，并且第一发光元件ld1_3的另一部分可以向衬底sub的外部突出。
222.与此类似，第二发光元件ld2_3可以设置在第二孔hl2中，并且第三发光元件ld3_3可以设置在第三孔hl3中。第二发光元件ld2_3的部分可以设置在第二孔hl2中，并且第二发光元件ld2_3的另一部分可以向衬底sub的外部突出。此外，第三发光元件ld3_3的部分可以设置在第三孔hl3中，并且第三发光元件ld3_3的另一部分可以向衬底sub的外部突出。
223.第一像素电极ae1、第二像素电极ae2和第三像素电极ae3可以设置在衬底sub的上表面suba上，并且公共电极ce可以设置在衬底sub的下表面subb上。
224.第一像素电极ae1、第二像素电极ae2和第三像素电极ae3中的每个可以覆盖发光元件ld_3的向衬底sub_3的外部突出的部分，并且可以沿着衬底sub_3和发光元件ld_3的表面以大致均匀的厚度形成。
225.公共电极ce可以电连接到相应的第一发光元件ld1_3、第二发光元件ld2_3和第三发光元件ld3_3的第一表面ld1a、ld2a和ld3a。根据实施方式，公共电极ce可以接触第一表面ld1a、ld2a和ld3a。由于发光元件ld_3未完全插入到孔hl1、hl2和hl3中，所以公共电极ce可以填充孔hl1、hl2和hl3的部分。
226.根据实施方式，还可以设置填充发光元件ld与孔hl1、hl2和hl3的侧壁sw1、sw2和sw3之间的空白空间的填充件fl。
227.参考图18，显示设备1000_4可以包括衬底sub_4以及设置在衬底sub_4上的第一像素pxl1、第二像素pxl2和第三像素pxl3。
228.像素pxl1、pxl2和pxl3中的每个可以包括杆状发光元件ld_4。第一像素pxl1可以包括第一发光元件ld1_4，第二像素pxl2可以包括第二发光元件ld2_4，并且第三像素pxl3可以包括第三发光元件ld3_4。
229.穿过衬底sub_4的第一孔hl1_4、第二孔hl2_4和第三孔hl3_4可以形成在衬底sub_4中。孔hl1_4、hl2_4和hl3_4可以分别包括与衬底sub_4的下表面subb垂直的侧壁sw1、sw2和sw3。此外，衬底sub_4还可以包括形成在相应的孔hl1_4、hl2_4和hl3_4中的突出部pt1、pt2和pt3。突出部pt1、pt2和pt3可以形成在衬底sub_4的下表面subb的一侧上，并且可以从相应的侧壁sw1、sw2和sw3突出。
230.作为实施方式，突出部pt1、pt2和pt3可以是与衬底sub_4整体地形成的配置。例如，在于衬底sub_4中形成孔hl1_4、hl2_4和hl3_4的工艺中，突出部pt1、pt2和pt3可以是保留的、未从衬底sub_4去除的部分。然而，本公开不限于此，并且在另一实施方式中，突出部pt1、pt2和pt3可以与衬底sub_4分离地形成。
231.第一发光元件ld1_4可以设置在第一孔hl1_4中。第一突出部pt1可以接触第一发光元件ld1_4的第一表面ld1a的部分。第一发光元件ld1_4的第一表面ld1a的不接触第一突出部pt1的另一部分可以暴露于外部。第一发光元件ld1_4的包括第二表面ld1b的部分可以暴露于衬底sub_4的外部。
232.在将第一发光元件ld1_4设置在第一孔hl1_4中的工艺期间，第一突出部pt1可以防止第一发光元件ld1_4朝向衬底sub_4的下表面subb分离。
233.与此类似，第二发光元件ld2_4可以设置在第二孔hl2_4中，并且第三发光元件ld3_4可以设置在第三孔hl3_4中。第二孔hl2_4的第二突出部pt2可以接触第二发光元件
ld2_4的第一表面ld2a的部分，并且第三孔hl3_4的第三突出部pt3可以接触第三发光元件ld3_4的第一表面ld3a的部分。
234.第一像素电极ae1、第二像素电极ae2和第三像素电极ae3可以设置在衬底sub_4的上表面suba上，并且公共电极ce可以设置在衬底sub_4的下表面subb上。
235.第一像素电极ae1、第二像素电极ae2和第三像素电极ae3中的每个可以覆盖发光元件ld_4的向衬底sub_4的外部突出的部分，并且可以沿着衬底sub_4和发光元件ld_4的表面以大致均匀的厚度形成。
236.公共电极ce可以电连接到相应的第一发光元件ld1_4、第二发光元件ld2_4和第三发光元件ld3_4的第一表面ld1a、ld2a和ld3a。根据实施方式，公共电极ce可以接触第一表面ld1a、ld2a和ld3a。由于发光元件ld_4未完全插入到孔hl1_4、hl2_4和hl3_4中，所以公共电极ce可以填充孔hl1_4、hl2_4和hl3_4的部分。
237.上述实施方式示出了其中衬底sub的厚度与发光元件ld的长度相同的结构。然而，衬底sub的厚度和发光元件ld的长度不限于上述情况。
238.作为实施方式，如图19中所示，显示设备1000_5可以包括衬底sub_5以及设置在衬底sub_5上的第一像素pxl1、第二像素pxl2和第三像素pxl3。这里，衬底sub_5的厚度ha可以小于像素pxl1、pxl2和pxl3中的每个的发光元件ld的长度l。
239.因此，发光元件ld中的每个的部分可以向衬底sub_5的外部突出。例如，第一发光元件ld1的包括第一表面ld1a的部分和第一发光元件ld1的包括第二表面ld1b的部分可以向衬底sub_5的外部突出。
240.第一像素电极ae1、第二像素电极ae2和第三像素电极ae3可以设置在衬底sub_5的上表面suba上，并且公共电极ce可以设置在衬底sub_5的下表面subb上。第一像素电极ae1、第二像素电极ae2和第三像素电极ae3中的每个可以沿着衬底sub_5的上表面suba以及发光元件ld的第二表面ld1b、ld2b和ld3b中的表面设置，并且公共电极ce可以沿着衬底sub_5的下表面subb以及发光元件ld的第一表面ld1a、ld2a和ld3a中的表面连续设置。
241.在另一实施方式中，如图20中所示，显示设备1000_6可以包括衬底sub_6以及设置在衬底sub_6上的第一像素pxl1、第二像素pxl2和第三像素pxl3。这里，衬底sub_6的厚度hb可以大于像素pxl1、pxl2和pxl3中的每个的发光元件ld的长度l。
242.因此，发光元件ld中的每个可以设置在衬底sub_6内。例如，相比于衬底sub_6的下表面subb，第一发光元件ld1的第一表面ld1a可以定位在上方向上(例如，在第三方向dr3上)，并且相比于衬底sub_6的上表面suba，第一发光元件ld1的第二表面ld1b可以定位在下方向上(例如，在与第三方向dr3相反的方向上)。
243.第一像素电极ae1、第二像素电极ae2和第三像素电极ae3可以设置在衬底sub_6的上表面suba上，并且公共电极ce可以设置在衬底sub_6的下表面subb上。第一像素电极ae1、第二像素电极ae2和第三像素电极ae3中的每个可以沿着衬底sub_6的上表面suba以及发光元件ld的第二表面ld1b、ld2b和ld3b中的表面设置，并且可以填充孔hl1、hl2和hl3中的每个的部分。此外，公共电极ce可以沿着衬底sub_6的下表面subb以及发光元件ld的第一表面ld1a、ld2a和ld3a中的表面连续设置，并且可以填充孔hl1、hl2和hl3的部分。
244.图21至图27是顺序地示出根据本公开的实施方式的制造显示设备的方法的立体图和剖视图。具体地，图21至图27可以是示出制造图11至图14中示出的显示设备的方法的
图。
245.结合图11至图14描述的实施方式进一步参考图21至图27来顺序地描述根据实施方式的制造显示设备的方法。
246.首先，如图21和图22中所示，可以在衬底sub上提供包括第一发光元件ld1的第一混合液mx1。
247.衬底sub可以包括形成在第一发射区域la1中的第一孔hl1、形成在第二发射区域la2中的第二孔hl2以及形成在第三发射区域la3中的第三孔hl3。这里，第一孔hl1、第二孔hl2和第三孔hl3可以穿过衬底sub。
248.第一混合液mx1可以完全分散在衬底sub的上表面suba上。形成在衬底sub中的第一孔hl1的形状可以与第一发光元件ld1的形状相同。即，第一孔hl1的直径可以与第一发光元件ld1的直径基本上相同。形成在衬底sub中的第二孔hl2和第三孔hl3的尺寸可以小于第一发光元件ld1的尺寸。
249.在将第一混合液mx1分散在衬底sub上之后，为了将第一发光元件ld1设置并固定在第一孔hl1中，可以调整衬底sub的上侧压力和衬底sub的下侧压力。具体地，衬底sub的上侧压力(或第一压力)可以调整为大于衬底sub的下侧压力(或第二压力)。
250.为了将衬底sub的下侧压力调整为低的，可以使用形成在衬底sub之下的通道壁cw和形成在通道壁cw之间的微通道mc。例如，通过使流体以高速率流过微通道mc，可以将衬底sub的下侧压力调整为低的。因此，在衬底sub的上部分和下部分之间可以产生压力差f，并且第一发光元件ld1可以通过压力差f插入到衬底sub的第一孔hl1中且可以竖直对准。
251.如上所述，第一发光元件ld1的尺寸(或直径)可以大于形成在衬底sub中的第二孔hl2的尺寸(或直径)和第三孔hl3的尺寸(或直径)，并且第一发光元件ld1可以不插入到第二孔hl2和第三孔hl3中。因此，第一发光元件ld1可以设置在期望的位置(例如，第一孔hl1)处。
252.此外，第一发光元件ld1的第一表面ld1a与第二表面ld1b的面积(或直径)可以彼此不同。例如，第一发光元件ld1的第一表面ld1a的直径可以小于第一发光元件ld1的第二表面ld1b的直径。因此，在其中第一发光元件ld1插入到第一孔hl1中的工艺中，在第一发光元件ld1从第二表面ld1b插入的情况下，第一孔hl1的直径可以从衬底sub的上表面suba到下表面subb逐渐减小，并且第一发光元件ld1不可以正常地插入到第一孔hl1中。即，由于第一发光元件ld1和第一孔hl1的形状形成为竖直不对称，所以可以确定其中设置和固定第一发光元件ld1的方向。例如，第一发光元件ld1的第一表面ld1a可以设置在衬底sub的下表面subb的一侧上，并且第一发光元件ld1的第二表面ld1b可以设置在衬底sub的上表面suba的一侧上。
253.在将第一发光元件ld1设置在第一孔hl1中之后，可以从衬底sub去除第一混合液mx1。在去除第一混合液mx1的工艺中，可以回收未设置在第一孔hl1中或不正确地设置在第二孔hl2或第三孔hl3中的第一发光元件ld1。回收的第一发光元件ld1可以在制造另一显示设备的工艺中再利用，并且可以降低显示设备的制造成本。
254.接下来，如图23和图24中所示，可以在衬底sub上提供包括第二发光元件ld2的第二混合液mx2。
255.第二混合液mx2可以完全分散在衬底sub的上表面suba上。形成在衬底sub中的第
二孔hl2的形状可以与第二发光元件ld2的形状相同。即，第二孔hl2的直径可以与第二发光元件ld2的直径基本上相同。形成在衬底sub中的第三孔hl3的尺寸可以小于第二发光元件ld2的尺寸。
256.在将第二混合液mx2分散在衬底sub上之后，可以调整衬底sub的上侧压力和衬底sub的下侧压力，并且衬底sub的上侧压力(或第一压力)可以调整为大于衬底sub的下侧压力(或第二压力)，以将第二发光元件ld2设置和固定在第二孔hl2中。第二发光元件ld2可以通过衬底sub的上部分和下部分之间的压力差f插入到衬底sub的第二孔hl2中，并且可以竖直对准。
257.如上所述，由于第一发光元件ld1设置在第一孔hl1中，因此第二发光元件ld2可以不设置在第一孔hl1中。此外，第二发光元件ld2的尺寸(或直径)可以大于形成在衬底sub中的第三孔hl3的尺寸(或直径)，并且第二发光元件ld2可以不插入到第三孔hl3中。因此，第二发光元件ld2可以设置在期望的位置(例如，第二孔hl2)处。
258.此外，与第一发光元件ld1类似，第二发光元件ld2的第一表面ld2a的直径可以小于第二发光元件ld2的第二表面ld2b的直径。由于第二发光元件ld2和第二孔hl2的形状形成为竖直不对称，因此可以确定其中设置和固定第二发光元件ld2的方向。例如，第二发光元件ld2的第一表面ld2a可以设置在衬底sub的下表面subb的一侧上，并且第二发光元件ld2的第二表面ld2b可以设置在衬底sub的上表面suba的一侧上。
259.在第二发光元件ld2设置在第二孔hl2中之后，可以从衬底sub上去除第二混合液mx2。在去除第二混合液mx2的工艺中，可以回收未设置在第二孔hl2中或不正确地设置在第三孔hl3中的第二发光元件ld2。回收的第二发光元件ld2可以在制造另一显示设备的工艺中再利用。
260.接下来，如图25和图26中所示，可以在衬底sub上提供包括第三发光元件ld3的第三混合液mx3。
261.第三混合液mx3可以完全分散在衬底sub的上表面suba上。形成在衬底sub中的第三孔hl3的形状可以与第三发光元件ld3的形状相同。即，第三孔hl3的直径可以与第三发光元件ld3的直径基本上相同。
262.在将第三混合液mx3分散在衬底sub上之后，可以调整衬底sub的上侧压力和衬底sub的下侧压力，并且衬底sub的上侧压力(或第一压力)可以调整为大于衬底sub的下侧压力(或第二压力)，以将第三发光元件ld3设置和固定在第三孔hl3中。第三发光元件ld3可以通过衬底sub的上部分和下部分之间的压力差f插入到衬底sub的第三孔hl3中，并且可以竖直对准
263.如上所述，由于第一发光元件ld1设置在第一孔hl1中并且第二发光元件ld2设置在第二孔hl2中，所以第三发光元件ld3可以不设置在第一孔hl1和第二孔hl2中。因此，第三发光元件ld3可以设置在期望的位置(例如，第三孔hl3)处。
264.此外，与第一发光元件ld1和第二发光元件ld2类似，第三发光元件ld3的第一表面ld3a的直径可以小于第三发光元件ld3的第二表面ld1b的直径。由于第三发光元件ld3和第三孔hl3的形状形成为竖直不对称，因此可以确定其中设置和固定第三发光元件ld3的方向。例如，第三发光元件ld3的第一表面ld3a可以设置在衬底sub的下表面subb的一侧上，并且第三发光元件ld3的第二表面ld1b可以设置在衬底sub的上表面suba的一侧上。
265.在第三发光元件ld3设置在第三孔hl3中之后，可以从衬底sub上去除第三混合液mx3。在去除第三混合液mx3的工艺中，可以回收未设置在第三孔hl3中的第三发光元件ld3。回收的第三发光元件ld3可以在制造另一显示设备的工艺中再利用。
266.此后，如图27中所示，第一发光元件ld1、第二发光元件ld2和第三发光元件ld3可以分别设置并固定在于衬底sub中形成的第一孔hl1、第二孔hl2和第三孔hl3中。
267.与图13和图14的显示设备1000类似，电连接到第一发光元件ld1的第一像素电极ae1、电连接到第二发光元件ld2的第二像素电极ae2、以及电连接到第三发光元件ld3的第三像素电极ae3可以形成在衬底sub的上表面suba上，并且公共地电连接到第一发光元件ld1、第二发光元件ld2和第三发光元件ld3的公共电极ce可以形成在衬底sub的下表面subb上。像素电极ae1、ae2和ae3以及公共电极ce可以向发光元件ld1、ld2和ld3中的每个提供驱动信号，并且发光元件ld1、ld2和ld3可以发射与提供的驱动信号对应的亮度的光。
268.如上所述，像素电极ae1、ae2和ae3可以包括透明导电材料，并且可以包括例如氧化铟锡(ito)、氧化铟锌(izo)、氧化锌(zno)、氧化铟锡锌(itzo)等。因此，在从发光元件ld1、ld2和ld3发射的光中，在第三方向dr3上行进的光可以穿过像素电极ae1、ae2和ae3并且可以发射到外部。
269.此外，公共电极ce可以包括具有恒定反射率的导电材料，并且可以包括例如诸如al、mg、ag、pt、pd、au、ni、nd、ir、cr、ti的金属及其合金等。因此，在从发光元件ld1、ld2和ld3发射的光中，在与第三方向dr3相反的方向上行进的光可以在第三方向dr3上被公共电极ce反射并且可以发射到外部。
270.根据依据实施方式的制造显示设备的方法，由于发光元件ld1、ld2和ld3可以在竖直方向上对准并固定在于衬底sub中形成的第一孔hl1、第二孔hl2和第三孔hl3中，因此，可以广泛地确保其中可以设置发光元件ld1、ld2和ld3的区域，并且可以实现高分辨率显示设备。
271.此外，由于发光元件ld1、ld2和ld3根据衬底sub的上部分和下部分之间的压力差固定到衬底sub，因此与通过电力固定相比，发光元件ld1、ld2和ld3可以稳固地固定，并且可以省略用于固定发光元件ld1、ld2和ld3的单独的固定构件。因此，可以改善发光元件ld1、ld2和ld3的对准精度和显示设备的可靠性。
272.此外，由于发光元件ld1、ld2和ld3的尺寸和孔hl1、hl2和hl3的尺寸调整为彼此不同，所以发光元件ld1、ld2和ld3可以设置在期望的位置处。此外，由于发光元件ld1、ld2和ld3形成为竖直不对称的形状，所以可以控制其中发光元件ld1、ld2和ld3对准的方向。
273.如上所述，由于在对准发光元件ld1、ld2和ld3的工艺中未对准的发光元件ld1、ld2和ld3可以进行回收和再利用，因此可以降低显示设备的制造成本。
274.尽管已经参考附图描述了本公开的实施方式，但是本公开所属领域中的技术人员将理解的是，实施方式可以以其它特定形式实现，而不改变本公开的技术范围和基本特征。因此，应当理解，上面描述的实施方式是说明性的并且在所有方面不是限制性的。