1.本发明涉及一种在制造利用半导体发光元件，尤其，数微米至数十微米大小的半导体发光元件的显示装置时使用的显示装置制造用基板及利用其的显示装置的制造方法。
背景技术：
：：2.近年来，在显示器
技术领域：
：中，为了实现大面积显示器，液晶显示器(lcd)、有机发光元件显示器(oled)以及微型led显示器等正在展开竞争。3.其中，利用具有100微米以下的直径或截面积的半导体发光元件(微型led)的显示器因使用偏光板等而不吸收光，因此能够提供非常高的效率。4.但是，在微型led显示器的情况下，由于为了实现大面积而需要数百万个半导体发光元件，因此，相比于其他技术，存在转印元件困难的问题。5.作为微型led的转印工艺，当前正在开发的技术有拾取与放置(pick&place)、激光剥离法(laserlift-off，llo)、自行组装等。其中，自行组装方式是半导体发光元件在流体内自行定位的方式，是最有利于实现大屏幕显示装置的方式。6.另一方面，自行组装方式有将半导体发光元件直接转印到将作为产品使用的基板上的方式，以及将半导体发光元件转印到组装用基板后再转印到将作为产品使用的基板上的方式。前者进行一次转印工艺，因此在工艺方面效率高，而后者具有能够在组装用基板上无限制地追加用于自行组装的结构的优点，从而选择性地使用两种方式。技术实现要素：7.发明要解决的问题8.本发明的一目的在于实现高分辨率大面积显示装置。另外，本发明的另一目的在于简化显示装置的制造工艺。9.用于解决问题的手段10.根据本发明，显示装置制造用基板，包括：底座部；复数个组装电极，沿一方向延伸，配置在所述底座部上；电介质层，在所述底座部上形成为覆盖复数个所述组装电极；分隔壁部，形成在所述电介质层上；以及复数个单元，由所述分隔壁部形成为复数个行和列，半导体发光元件安置于所述单元；复数个所述组装电极沿所述行的方向和列的方向中任一方向延伸并与所述延伸的方向上的复数个单元重叠；复数个所述组装电极包括：第一组装电极，与构成一个行或列的复数个单元重叠；以及第二组装电极，与构成相邻的彼此不同的行或列的复数个单元同时重叠。11.在本发明中，其特征在于，所述第二组装电极配置在所述第一组装电极之间。12.在本发明中，其特征在于，所述组装电极包括：主体部，沿所述行方向或所述列方向延伸；以及凸出部，在所述主体部上朝所述单元凸出形成，以与所述单元重叠；所述第一组装电极在所述主体部的一侧包括所述凸出部；所述第二组装电极在所述主体部的两侧包括所述凸出部。13.在本发明中，其特征在于，在复数个所述单元中，排列在同一行的复数个单元具有第一间隔，排列在同一列的复数个单元具有第二间隔。14.在本发明中，其特征在于，复数个所述组装电极沿与所述第一间隔和第二间隔中较窄的间隔的方向交叉的方向延伸形成。15.在本发明中，其特征在于，在复数个所述单元安置有发出第一颜色的光的第一半导体发光元件、发出第二颜色的光的第二半导体发光元件以及发出第三颜色的光的第三半导体发光元件中至少两种半导体发光元件，在排列在同一行或列的复数个单元安置有同一种半导体发光元件。16.在本发明中，其特征在于，彼此不同种类的半导体发光元件具有彼此不同的形状，供彼此不同的所述半导体发光元件安置的复数个单元形成为与各个半导体发光元件对应的形状。17.在本发明中，其特征在于，所述第二组装电极与供彼此不同种类的半导体发光元件安置的单元同时重叠。18.根据本发明，其特征在于，显示装置的制造方法包括：(a)在流体腔室内投入复数个半导体发光元件，将包括复数个组装电极和形成为复数个行和列的复数个单元的基板移送到预先设定的组装位置的步骤；(b)从所述基板的一侧向复数个所述半导体发光元件施加磁力来使复数个所述半导体发光元件沿一方向移动的步骤；以及(c)通过向复数个所述组装电极施加电压，来使移动的所述半导体发光元件安置到所述单元的步骤；复数个所述组装电极沿所述行方向和所述列方向中的任一方向延伸并与所述延伸方向上的复数个单元重叠；复数个所述组装电极包括：第一组装电极，与构成一个行或列的复数个单元重叠；以及第二组装电极，与构成相邻的彼此不同的行或列的复数个单元同时重叠。19.在本发明中，其特征在于，所述第二组装电极配置在所述第一组装电极之间。20.在本发明中，其特征在于，在复数个所述单元安置有具有彼此不同形状的发出第一颜色的光的第一半导体发光元件、发出第二颜色的光的第二半导体发光元件以及发出第三颜色的光的第三半导体发光元件中至少两种半导体发光元件，21.复数个所述单元形成为与彼此不同种类的复数个半导体发光元件分别对应的形状，对彼此不同的种类的复数个半导体发光元件一并执行所述(a)至(c)步骤。22.在本发明中，其特征在于，还包括将安置在所述基板的复数个半导体发光元件转印到布线基板的步骤。23.在本发明中，其特征在于，还包括形成用于点亮安置在所述基板的复数个所述半导体发光元件的布线电极的步骤。24.发明效果25.在本发明中，通过减少自行组装时施加电压的组装电极的数量，能够使安置半导体发光元件的单元以更紧密的间隔形成，进而实现高分辨率显示装置。另外，本发明能够简化显示装置的制造工艺的同时节省制造成本。附图说明26.图1是示出利用本发明的半导体发光元件的显示装置的一实施例的概念图。27.图2是图1的显示装置的a部分的局部放大图。28.图3是图2的半导体发光元件的放大图。29.图4是示出图2的半导体发光元件的另一实施例的放大图。30.图5a至图5e是用于对制造上述的半导体发光元件的新的工艺进行说明的概念图。31.图6是示出本发明的半导体发光元件的自行组装装置的一例的概念图。32.图7是图6的自行组装装置的框图。33.图8a至图8e是示出利用图6的自行组装装置来自行组装半导体发光元件的工艺的概念图。34.图9是用于说明图8a至图8e的半导体发光元件的概念图。35.图10a至图10c是示出在本发明的自行组装工艺后转印半导体发光元件的情形的概念图。36.图11至图13是示出包括发出红色r、绿色g、蓝色b的光的半导体发光元件的显示装置的制造方法的流程图。37.图14是示出显示装置中的子像素的排列的概念图。38.图15a和图15b是示出用于制造图14的显示装置的转印工艺的概念图。39.图16是示出本发明的显示装置中的子像素的排列的概念图。40.图17a、图17b以及图18是示出用于制造图16的显示装置的本发明的组装电极结构的概念图。具体实施方式41.下面，参照附图详细说明本说明书中公开的实施例，但是，与图号无关地，对相同或相似的构成要素赋予了相同的附图标记，并省略了对其的重复说明。在以下的说明中所使用的构成要素的后缀“模块”和“部”是为了便于说明书撰写而赋予或混用的，其自身并不具有相互区别的含义或作用。此外，在说明本发明公开的实施例的过程中，当判断为对于相关公知技术的具体说明会混淆本发明公开的实施例的要旨时，省略了对该公知技术的详细说明。此外，应当理解的是，附图仅用于帮助理解本书明书中公开的实施例，本说明书中公开的技术思想并不限定于附图。42.另外，可以理解为，当提到如层、区域或基板的构成存在于其他构成要素“上(on)”时，其表示直接存在于其他构成之上或在它们之间也可以存在中间构成。43.本说明书中说明的显示装置可以包括移动电话(mobilephone)、智能手机(smartphone)、笔记本电脑(laptopcomputer)、数字广播用终端、个人数字助理(personaldigitalassistant：pda)、可携式媒体播放器(portablemultimediaplayer：pmp)、导航仪、触屏平板(slatepc)、平板电脑(tabletpc)、超极本(ultrabook)、数字电视(digitaltv)、台式计算机(desktopcomputer)等。但是，本说明书所记载的实施例的构成也可以应用于以后开发出的新的产品形态的可包括显示器的装置。44.图1是示出利用本发明的半导体发光元件的显示装置的一实施例的概念图，图2是图1的显示装置的a部分的局部放大图，图3是图2的半导体发光元件的放大图，图4是示出图2的半导体发光元件的另一实施例的放大图。45.如图所示，在显示装置100的控制部处理的信息可以从显示器模块140输出。围绕所述显示器模块140的边框的闭环形态的壳体101可以形成所述显示装置100的边框。46.所述显示器模块140具有显示图像的面板141，所述面板141可以包括微型的半导体发光元件150和供安装所述半导体发光元件150的布线基板110。47.在所述布线基板110形成有布线，并且可以与所述半导体发光元件150的n型电极152和p型电极156连接。由此，所述半导体发光元件150可以作为自发光的独立像素设置在所述布线基板110上。48.在所述面板141显示的图像作为视觉信息，通过利用所述布线独立地控制以矩阵形态配置的单位像素(sub-pixel)的发光来实现。49.在本发明中，作为将电流转换为光的半导体发光元件150的一种，例示了微型led(lightemittingdiode)。所述微型led可以是形成为100微米以下的小尺寸的发光二极管。蓝色、红色以及绿色的所述半导体发光元件150分别设置于发光区域，通过它们的组合能够实现单位像素。即，所述单位像素表示用于实现一个颜色的最小单位，在所述单位像素内可以设置有至少三个微型led。50.更具体而言，参照图3，所述半导体发光元件150可以是垂直型结构。51.例如，所述半导体发光元件150可以是通过以氮化镓(gan)为主并一同添加铟(in)和/或铝(al)，来实现发出包括蓝色在内的各种光的高功率的发光元件。52.这种垂直型半导体发光元件150包括：p型电极156；形成在p型电极156上的p型半导体层155；形成在p型半导体层155上的活性层154；形成在活性层154上的n型半导体层153；以及形成在n型半导体层153上的n型电极152。在此情况下，位于下部的p型电极156可以与布线基板110的p电极电连接，位于上部的n型电极152可以在半导体发光元件150的上侧与n电极电连接。这种垂直型半导体发光元件150可以将电极上下配置，因此具有能够缩小芯片尺寸的大优点。53.作为另一例，参照图4，所述半导体发光元件可以是倒装芯片型(flipchiptype)的发光元件。54.作为这种例，所述半导体发光元件250包括：p型电极256；形成p型电极256的p型半导体层255；形成在p型半导体层255上的活性层254；形成在活性层254上的n型半导体层253；以及在n型半导体层253上与p型电极256沿水平方向隔开配置的n型电极252。在此情况下，p型电极256和n型电极252均可以在半导体发光元件250的下部与布线基板110的p电极和n电极电连接。55.所述垂直型半导体发光元件150和水平型半导体发光元件250可以分别是绿色半导体发光元件、蓝色半导体发光元件以及红色半导体发光元件。在绿色半导体发光元件和蓝色半导体发光元件的情况下，可以通过以氮化镓(gan)为主并一同添加铟(in)和/或铝(al)，来实现发出绿色或蓝色的光的高功率的发光元件。作为这种例，所述半导体发光元件可以是形成为n-gan、p-gan、algan、ingan等各种层的氮化镓薄膜，具体而言，所述p型半导体层可以是p-typegan，所述n型半导体层可以是n-typegan。但是，在红色半导体发光元件的情况下，所述p型半导体层可以是p-typegaas，所述n型半导体层可以是n-typegaas。56.另外，所述p型半导体层可以是p电极侧涂布了mg的p-typegan，n型半导体层可以是n电极侧涂布了si的n-typegan。在这种情况下，上述的半导体发光元件可以是不具有活性层的半导体发光元件。57.另一方面，参照图1至图4，由于所述发光二极管非常小，因此使所述显示面板自发光的单位像素可以被固定地布置，由此，能够实现高画质的显示装置。58.在利用了如上所述的本发明的半导体发光元件的显示装置中，在晶圆上生长并通过台面工艺(mesa)和隔离工艺(isolation)形成的半导体发光元件被利用为单个像素。59.在此情况下，微型半导体发光元件150需要转印到晶圆上所述显示面板的基板上的预先设定的位置。虽然存在作为这种转印技术的拾取与放置(pick&place)，但其成功率低且需要很长时间。作为另一例，虽然存在利用模具或卷筒将复数个元件一次性转印的技术，但收率有限，并不适合于大屏幕的显示器。60.在本发明中，提出了能够解决这种问题的显示装置的新的制造方法和制造装置。61.为此，首先对显示装置的新的制造方法进行说明。图5a至图5e是用于对制造上述的半导体发光元件的新的工艺进行说明的概念图。62.在本说明书中，例示了利用无缘矩阵(passivematrix，pm)方式的半导体发光元件的显示装置。但是，以下说明的例示也可以适用于有源矩阵(activematrix，am)方式的半导体发光元件。另外，虽然以下例示了自行组装水平型半导体发光元件的方式，但其也可以适用于自行组装垂直型半导体发光元件的方式。63.首先，根据制造方法，在生长基板159上分别生长第一导电型半导体层153、活性层154以及第二导电型半导体层155(图5a)。64.如果第一导电型半导体层153生长，则在所述第一导电型半导体层153上生长活性层154，然后在所述活性层154上生长第二导电型半导体层155。如上所述，如果使第一导电型半导体层153、活性层154以及第二导电型半导体层155依次生长，则如图5a所示，第一导电型半导体层153、活性层154以及第二导电型半导体层155形成层叠结构。65.在此情况下，所述第一导电型半导体层153可以是p型半导体层，所述第二导电型半导体层155可以是n型半导体层。但是，本发明并不限定于此，也可以例示为第一导电型为n型，第二导电型为p型。66.另外，虽然在本实施例中，例示了存在活性层154的情况，但如上所述，根据情况，也可以是没有活性层154的结构。作为这种例，所述p型半导体层可以是p电极侧涂布了mg的p-typegan，n型半导体层可以是n电极侧涂布了si的n-typegan。67.生长基板159(晶圆)可以包括透光性材料，例如，蓝宝石(al2o3)、gan、zno、alo中任一种而形成，但并不限定于此。另外，生长基板159可以由适合半导体物质生长的物质(载体晶圆)形成，或者由导热性优异的物质形成。生长基板159包括导电性基板或绝缘性基板，可以使用例如与蓝宝石(al2o3)基板相比具有较大导热性的sic基板或si、gaas、gap、inp、ga2o3中至少一种。68.然后，通过去除第一导电型半导体层153、活性层154以及第二导电型半导体层155的至少一部分，来形成复数个半导体发光元件(图5b)。69.更具体而言，执行隔离工艺(isolation)以使复数个半导体发光元件形成发光元件阵列。即，通过沿垂直方向刻蚀第一导电型半导体层153、活性层154以及第二导电型半导体层155来形成复数个半导体发光元件。70.如果是形成水平型半导体发光元件的情况，则可以执行沿垂直方向去除所述活性层154和第二导电型半导体层155的一部分以使所述第一导电型半导体层153露出到外部的台面(mesa)工艺和之后通过刻蚀第一导电型半导体层153来形成复数个半导体发光元件阵列的隔离工艺(isolation)。71.接下来，在所述第二导电型半导体层155的一面上分别形成第二导电型电极156(或p型电极)(图5c)。所述第二导电型电极156可以通过溅射等沉积方法形成，但并不限定于此。但是，在第一导电型半导体层和第二导电型半导体层分别是n型半导体层和p型半导体层的情况下，所述第二导电型电极156也可以是n型电极。72.在这之后，通过去除所述生长基板159来设置复数个半导体发光元件。例如，生长基板159可以利用激光剥离法(laserlift-off，llo)或化学剥离法(chemicallift-off，clo)来去除(图5d)。73.之后，在填充有流体的腔室内进行将半导体发光元件150安置到基板的步骤(图5e)。74.例如，将所述半导体发光元件150和基板投入到填充有流体的腔室内，并利用流动、重力、表面张力等来使所述半导体发光元件150自行组装到所述基板。在此情况下，所述基板可以是组装基板161。75.作为另一例，作为所述组装基板161的替代，也可以将布线基板投入到流体腔室内，使所述半导体发光元件150直接安置到布线基板。但是，为了方便说明，在本发明中，例示了基板设置为组装基板161并安置半导体发光元件150。76.在所述组装基板161可以设置有供所述半导体发光元件150插入的复数个单元(未图示)，以使半导体发光元件150能够容易地安置于组装基板161。具体而言，在所述组装基板161上的所述半导体发光元件150与布线电极对齐(align)的位置上形成有供所述半导体发光元件150安置的复数个单元。所述半导体发光元件150在所述流体内移动的过程中组装到所述单元。77.如果在复数个半导体发光元件150安置于所述组装基板161后，将所述组装基板161的半导体发光元件150转印到布线基板，则能够实现大面积的转印。因此，所述组装基板161可以被称作临时基板。78.另一方面，为了将如上所述的自行组装方法应用到大屏幕显示器的制造中，需要提高转印收率。在本发明中，为了提高转印收率，提出了使重力或摩擦力的影响最小化，并防止非特异性结合的方法和装置。79.在此情况下，在本发明的显示装置中，在半导体发光元件配置磁体并利用磁力来使半导体发光元件移动，并且在移动过程中利用电场来使所述半导体发光元件安置到预先设定的位置。以下，将结合附图，对这种转印方法和装置进行更具体的说明。80.图6是示出本发明的半导体发光元件的自行组装装置的一例的概念图，图7是图6的自行组装装置的框图。另外，图8a至图8e是示出利用图6的自行组装装置来自行组装半导体发光元件的工艺的概念图，图9是用于说明图8a至图8e的半导体发光元件的概念图。81.根据图6和图7所示，本发明的自行组装装置160可以包括流体腔室162、磁铁163以及位置控制部164。82.所述流体腔室162具有容纳复数个半导体发光元件的空间。在所述空间可以填充有流体，所述流体可以包括水等组装用液体。因此，所述流体腔室162可以是水槽，并且可以构成敞开型。但是，本发明并不限定于此，所述流体腔室162可以是所述空间由封闭的空间构成的封闭型。83.在所述流体腔室162，基板161的供所述半导体发光元件150组装的组装面可以朝下方配置。例如，所述基板161被移送部移送到组装位置上，所述移送部可以具有供基板安装的平台165。所述平台165可以通过控制部来调节位置，由此，所述基板161可以被移送到所述组装位置。84.此时，在所述组装位置，所述基板161的组装面将面向所述流体腔室162的底部。如图所示，所述基板161的组装面配置为浸没在所述流体腔室162内的流体中。因此，所述半导体发光元件150将在所述流体内向所述组装面移动。85.所述基板161作为能够形成电场的组装基板，可以包括底座部161a、电介质层161b以及复数个电极161c。86.所述底座部161a由绝缘性材料构成，复数个所述电极161c可以是在所述底座部161a的一面图案形成的薄膜或厚膜bi-planar电极。所述电极161c可以由例如，ti/cu/ti的层叠、ag膏以及ito等形成。87.所述电介质层161b可以由sio2、sinx、sion、al2o3、tio2、hfo2等无机物构成。与此不同，电介质层161b可以作为有机绝缘体构成为单层或多层。电介质层161b的厚度可以构成为数十纳米至数微米的厚度。88.进一步，本发明的基板161包括被分隔壁划分的复数个单元161d。单元161d可以沿一方向依次配置，并且可以由聚合物(polymer)材料构成。另外，构成单元161d的分隔壁161e构成为与相邻的单元161d共享。所述分隔壁161e从底座部161a凸出，所述单元161d可以利用所述分隔壁161e沿一方向依次配置。更具体而言，所述单元161d可以沿列和行方向分别依次配置，并且可以具有矩阵结构。89.在单元161d的内部设置有容纳半导体发光元件150的槽，所述槽可以是由所述分隔壁161e限定的空间。所述槽的形状可以与半导体发光元件的形状相同或相似。例如，在半导体发光元件为四边形的情况下，槽可以是四边形。另外，在半导体发光元件为圆形的情况下，形成在单元内部的槽可以形成为圆形。并且，每个单元161d构成为容纳单个半导体发光元件。即，一个单元容纳一个半导体发光元件。90.另一方面，复数个电极161c具有配置在各个单元161d的底部的复数个电极线，复数个所述电极线可以形成为向相邻的单元延伸。91.复数个所述电极161c配置在所述单元161d的下侧，并且被分别施加彼此不同的极性，从而在所述单元161d内产生电场。为了形成所述电场，所述电介质层161b覆盖复数个所述电极161c，并且所述电介质层161b可以形成所述单元161d的底部。在这种结构中，如果在每个单元161d的下侧向一对电极161c施加彼此不同的极性，则形成电场，并且在所述电场的作用下，半导体发光元件可以插入到所述单元161d的内部。92.在所述组装位置，所述基板161的电极与供电部171电连接。所述供电部171执行通过向复数个所述电极161c施加电源来产生所述电场的功能。93.如图所示，所述自行组装装置可以具有用于对所述半导体发光元件150施加磁力的磁铁163。所述磁铁163构成为与流体腔室162隔开配置并对所述半导体发光元件150施加磁力。所述磁铁163可以配置为面向所述基板161的组装面的相反面，通过与所述磁铁163连接的位置控制部164来控制所述磁铁163的位置。94.所述半导体发光元件可以具有磁体以通过所述磁铁163的磁场在所述流体内移动。95.参照图9，具有磁体的半导体发光元件1050可以包括：第一导电型电极1052和第二导电型电极1056；第一导电型半导体层1053，供所述第一导电型电极1052配置；第二导电型半导体层1055，与所述第一导电型半导体层1053重叠，并且供所述第二导电型电极1056配置；以及活性层1054，配置在所述第一导电型半导体层1053和第二导电型半导体层1055之间。96.在此，第一导电型可以是p型，第二导电型可以是n型，或者也可以构成为与此相反。另外，也可以是如上所述的不具有活性层的半导体发光元件。97.另一方面，在本发明中，所述第一导电型电极1052可以在通过自行组装来使所述半导体发光元件1050组装到布线基板后生成。另外，在本发明中，所述第二导电型电极1056可以包括磁体。磁体可以表示具有磁性的金属。所述磁体可以是ni、smco等，作为另一例，可以包括与gd系、la系以及mn系中的至少一种对应的物质。98.磁体可以以颗粒形态设置在所述第二导电型电极1056。另外，与此不同地，包括磁体的导电型电极也可以形成为导电型电极的一层是磁体。作为这种例，如图9所示，半导体发光元件1050的第二导电型电极1056可以包括第一层1056a和第二层1056b，其中，第一层1056a可以构成为包括磁体，第二层1056b可以包括非磁体的金属材料。99.在本例示中，包括磁体的第一层1056a可以与第二导电型半导体层1055接触配置。在此情况下，第一层1056a配置在第二层1056b和第二导电型半导体层1055之间，第二层1056b可以是与布线基板的布线连接的接触金属。但是，本发明并不限定于此，所述磁体可以配置在所述第一导电型半导体层1053的一面。100.再次参照图6和图7，所述自行组装装置可以具有能够在所述流体腔室162的上部沿x，y，z轴自动或手动移动的磁铁机械手，或者可以具有能够使所述磁铁163旋转的马达。所述磁铁机械手和马达可以构成所述位置控制部164。由此，所述磁铁163在与所述基板161水平的方向、顺时针方向或逆时针方向上旋转。101.另一方面，在所述流体腔室162形成有透光性的底板166，所述半导体发光元件可以配置在所述底板166和所述基板161之间。图像传感器167可以配置为面向所述底板166，以通过所述底板166监控所述流体腔室162的内部。所述图像传感器167由控制部172来控制，并且可以具有倒置式透镜和ccd等，以能够观察基板161的组装面。102.上述说明的自行组装装置构成为组合利用磁场和电场，利用此，所述半导体发光元件可以在根据所述磁铁的位置变化来移动的过程中，通过电场安置于所述基板的预先设定的位置。以下，对利用上述说明的自行组装装置的组装过程进行更详细的说明。103.首先，通过在图5a至图5c中说明的过程，形成具有磁体的复数个半导体发光元件1050。在此情况下，在形成图5c的第二导电型电极的过程中，可以沉积磁体。104.然后，将基板161移送到组装位置，将所述半导体发光元件1050投入到流体腔室162(图8a)。105.如上所述，所述基板161的组装位置可以是以所述基板161的供所述半导体发光元件150组装的组装面朝下的方式配置在所述流体腔室162的位置。106.在此情况下，复数个所述半导体发光元件1050中的一部分可能沉到流体腔室162的底部，而其一部分可能悬浮在流体内。在所述流体腔室162具有透光性底板166的情况下，复数个所述半导体发光元件1050中的一部分可以沉至底板166。107.然后，对所述半导体发光元件1050施加磁力，以使复数个所述半导体发光元件1050在所述流体腔室162内沿垂直方向上浮起(图8b)。108.如果所述自行组装装置的磁铁163从原位置朝所述基板161的组装面的相反面移动，则所述半导体发光元件1050将朝所述基板161在所述流体内浮起。所述原位置可以是从所述流体腔室162脱离的位置。作为另一例，所述磁铁163可以由电磁体构成，在此情况下，通过向电磁体供电来产生初始磁力。109.另一方面，在本例示中，可以通过调节所述磁力的大小来控制所述基板161的组装面和所述半导体发光元件1050之间的隔开距离。例如，可以利用所述半导体发光元件1050的重量、浮力以及磁力来控制所述隔开距离。所述隔开距离可以是从所述基板的最外角起的数毫米至数十微米。110.然后，向所述半导体发光元件1050施加磁力，以使所述半导体发光元件1050在所述流体腔室162内沿一方向移动。例如，沿与所述基板161水平的方向、顺时针方向或逆时针方向移动所述磁铁163(图8c)。在此情况下，所述半导体发光元件1050通过所述磁力在与所述基板161隔开的位置沿与所述基板161水平的方向移动。111.然后，进行通过对所述半导体发光元件1050施加电场来将其引导至所述预先设定的位置的步骤(图8c)，以使所述半导体发光元件1050在移动的过程中安置于所述基板161的预先设定的位置。112.例如，所述半导体发光元件1050在沿与所述基板161水平的方向移动的过程中，通过所述电场朝与所述基板161垂直的方向移动并安置于所述基板161的预先设定的位置。113.更具体而言，通过向基板161的bi-planar电极供电来产生电场，并利用该电场来引导半导体发光元件1050以使其仅组装到预先设定的位置。即，利用选择性地产生的电场，来使半导体发光元件1050自行组装到所述基板161的组装位置。为此，在所述基板161可以设置有供所述半导体发光元件1050插入的单元。114.之后，进行所述基板161的卸载过程，完成组装工艺。在所述基板161为组装基板的情况下，如上所述，可以进行将呈阵列的半导体发光元件转印到布线基板的用于实现显示装置的后工艺。115.另一方面，可以在将所述半导体发光元件1050引导至所述预先设定的位置后，使所述磁铁163朝远离所述基板161的方向移动，以使残留在所述流体腔室162内的半导体发光元件1050下落到所述流体腔室162的底部(图8d)。作为另一例，在所述磁铁163为电磁体的情况下，如果中断供电，则可以使残留在所述流体腔室162内的半导体发光元件1050下落到流体腔室162的底部。116.之后，如果回收位于所述流体腔室162的底部的半导体发光元件1050，则可以重复使用回收的所述半导体发光元件1050。117.如上所述的自行组装装置和方法利用磁场来将远处的部件集中到预先设定的组装部位附近，并且通过在组装部位施加单独的电场来使部件选择性地仅组装到组装部位，以提高在流体腔室(fluidicassembly)的组装收率。此时，通过将组装基板设置在水槽的上部并使组装面朝下，来使由部件的重量引起的重力影响最小化并防止非特异性结合，由此去除不良。即，通过将组装基板设置在上部来使重力或摩擦力的影响最小化并防止非特异性结合，以提高转印收率。118.如上所述，根据上述构成的本发明，可以在由半导体发光元件形成独立像素的显示装置中，一次性组装大量的半导体发光元件。119.如上所述，根据本发明，能够在小尺寸的晶圆上使半导体发光元件大量像素化后将其转印到大面积基板上。由此，能够以低成本制造大面积的显示装置。120.另一方面，本发明提供一种用于提高上述的自行组装工艺的收率和自行组装后的工艺收率的组装基板的结构和方法。本发明限定于所述基板161作为组装基板使用的情况。即，后述的组装基板并非作为显示装置的布线基板使用。因此，以下将所述基板161称作组装基板161。121.本发明从两个方面提高工艺收率。第一、本发明防止在不期望的位置形成强电场，并使得半导体发光元件安置于不期望的位置。第二、本发明防止在安置于组装基板的半导体发光元件转印到另一基板时，半导体发光元件残留在组装基板上。122.上述的所要解决的课题并非通过彼此不同的构成要素而单独地实现。上述的两种所要解决的课题可以通过后述的构成要素和已说明的组装基板161的有机结合来实现。123.在对本发明进行具体说明之前，先对用于在自行组装后制造显示装置的后工艺进行说明。124.图10a至图10c是示出在本发明的自行组装工艺后转印半导体发光元件的情形的概念图。125.在图8a至图8e中说明的自行组装工艺完成后，将成为半导体发光元件安置在组装基板161的预先设定的位置的状态。安置于所述组装基板161的复数个半导体发光元件向另一基板转印至少一次。在本说明书中，虽然说明安置于所述组装基板161的半导体发光元件被转印两次的一实施例，但并不限定于此，安置于所述组装基板161的半导体发光元件可以向另一基板转印一次或三次以上。126.另一方面，完成自行组装工艺后，组装基板161的组装面处于朝下侧方向(或重力方向)的状态。为了自行组装后工艺，可以将所述组装基板161以安置有半导体发光元件的状态翻转180度。由于在此过程中，存在半导体发光元件从组装基板161脱离的危险，在翻转所述组装基板161期间需要向复数个所述电极161c(以下，称为组装电极)施加电压。形成在所述组装电极之间的电场防止半导体发光元件在所述组装基板161翻转期间从组装基板161脱离。127.在自行组装工艺后，如果将组装基板161翻转180度，则将成为如图10a的形状。具体而言，如图10a所示，组装基板161的组装面成为面向上侧(或重力的相反方向)的状态。在此状态下，转印基板400在所述组装基板161上侧与所述组装基板161对齐。128.所述转印基板400是用于使安置于所述组装基板161的半导体发光元件脱离并转印到布线基板的基板。所述转印基板400可以由pdms(polydimethyl：硅氧烷)材料形成。因此，可以将所述转印基板400称作pdms基板。129.所述转印基板400在与所述组装基板161对齐后，紧贴于所述组装基板161。之后，如果将所述转印基板400移送到所述组装基板161的上侧，则通过转印基板400的附着力，配置在组装基板161的半导体发光元件350将移动到所述转印基板400。130.为此，所述半导体发光元件350和所述转印基板400之间的表面能量应大于所述半导体发光元件350和所述电介质层161b之间的表面能量。所述半导体发光元件350和所述转印基板400之间的表面能量与所述半导体发光元件350和所述电介质层161b之间的表面能量的差异越大，半导体发光元件350从组装基板161脱离的概率越高，因此所述两个表面能量差异越大越好。131.另一方面，所述转印基板400可以包括复数个凸起部410，以在所述转印基板400紧贴于所述组装基板161时，使由转印基板400施加的压力集中在半导体发光元件350。所述凸起部410可以以与安置于所述组装基板161的复数个半导体发光元件相同的间隔形成。在将所述凸起部410以与所述半导体发光元件350重叠的方式对齐后将所述转印基板400紧贴于组装基板161的情况下，由转印基板400产生的压力可以仅集中在半导体发光元件350。由此，本发明提高半导体发光元件从组装基板161脱离的概率。132.另一方面，优选地，在所述半导体发光元件安置于所述组装基板161的状态下，半导体发光元件的一部分暴露在槽的外部。如果半导体发光元件350不暴露在槽的外部，则由转印基板400产生的压力无法集中到半导体发光元件350，从而可能会使半导体发光元件350从组装基板161脱离的概率降低。133.最后，参照图10c，进行通过使所述转印基板400紧贴于布线基板500，来将半导体发光元件350从所述转印基板400转印到所述布线基板500的步骤。此时，在所述布线基板500可以形成有凸出部510。对齐所述转印基板400和所述布线基板500，以使配置在所述转印基板400的半导体发光元件350和所述凸出部510重叠。之后，在使所述转印基板400和所述布线基板500紧贴的情况下，可以通过所述凸出部510来增加所述半导体发光元件350从所述转印基板400脱离的概率。134.另一方面，为了使配置在转印基板400的半导体发光元件350转印到布线基板500，所述半导体发光元件350和所述布线基板500之间的表面能量应大于所述半导体发光元件350和所述转印基板400之间的表面能量。由于所述半导体发光元件350和所述布线基板500之间的表面能量与所述半导体发光元件350和所述转印基板400之间的表面能量的差异越大，半导体发光元件350从转印基板400脱离的概率越高，因此两个所述表面能量的差异越大越好。135.在配置于所述转印基板400的半导体发光元件350全部转印到所述布线基板500后，可以进行在所述半导体发光元件350和形成于布线基板的布线电极之间形成电连接的步骤。所述布线电极的结构和形成电连接的方法可以根据半导体发光元件350的种类而不同。136.另一方面，虽然并未图示，在所述布线基板500可以配置有各向异性导电膜。在此情况下，仅通过使所述转印基板400和所述布线基板500紧贴，就能够在半导体发光元件350和形成于布线基板500的布线电极之间形成电连接。137.另一方面，在制造包括发出彼此不同的颜色的光的半导体发光元件的显示装置的情况下，在图10a至图10c说明的方法可以以各种方式实现。以下，对包括发出红色r、绿色g、蓝色b的光的半导体发光元件的显示装置的制造方法进行说明。138.图11至图13是示出包括发出红色r、绿色g、蓝色b的光的半导体发光元件的显示装置的制造方法的流程图。139.发出彼此不同的颜色的光的半导体发光元件可以单独组装在彼此不同的组装基板。具体而言，所述组装基板161可以包括：第一组装基板，供发出第一颜色的光的半导体发光元件安置；第二组装基板，供发出与所述第一颜色不同的第二颜色的光的半导体发光元件安置；以及第三组装基板，供发出与所述第一颜色和第二颜色不同的第三颜色的光的半导体发光元件安置。根据在图8a至图8e中说明的方法，在各个组装基板上组装有彼此不同的种类的半导体发光元件。例如，可以在第一组装基板至第三组装基板分别组装发出红色r、绿色g、蓝色b的光的半导体发光元件。140.参照图11，可以在第一组装基板至第三组装基板(redtemplate、greentemplate、bluetemplate)分别组装red芯片、green芯片、blue芯片。在此状态下，所述red芯片、green芯片、blue芯片分别可以通过彼此不同的转印基板来转印到布线基板。141.具体而言，将安置于组装基板的半导体发光元件转印到布线基板的步骤可以包括：通过使第一转印基板(盖章r)紧贴于所述第一组装基板(redtemplate)，来将发出所述第一颜色的光的半导体发光元件(red芯片)从所述第一组装基板(redtemplate)转印到所述第一转印基板(盖章r)的步骤；通过使第二转印基板(盖章g)紧贴于所述第二组装基板(greentemplate)，来将发出所述第二颜色的光的半导体发光元件(green芯片)从所述第二组装基板(greentemplate)转印到所述第二转印基板(盖章g)的步骤；以及通过使第三转印基板(盖章b)紧贴于所述第三组装基板(bluetemplate)，来将发出所述第三颜色的光的半导体发光元件(blue芯片)从所述第三组装基板(bluetemplate)转印到所述第三转印基板(盖章b)的步骤。142.然后，进行通过使所述第一转印基板至第三转印基板分别紧贴于所述布线基板，来将发出所述第一颜色至第三颜色的光的半导体发光元件分别从所述第一转印基板至第三转印基板转印到所述布线基板的步骤。143.根据图11的制造方法，为了制造包括red芯片、green芯片以及blue芯片的显示装置，需要三种组装基板和三种转印基板。144.与此不同地，参照图12，可以在第一组装基板至第三组装基板(redtemplate、greentemplate、bluetemplate)分别组装red芯片、green芯片以及blue芯片。在此状态下，所述red芯片、green芯片、blue芯片分别可以利用相同的转印基板来转印到布线基板。145.具体而言，将安置于所述组装基板上的半导体发光元件转印到布线基板的步骤包括：通过将转印基板(rgb集成盖章)紧贴到所述第一组装基板(redtemplate)，来使发出所述第一颜色的光的半导体发光元件(red芯片)从所述第一组装基板(redtemplate)转印到所述转印基板(rgb集成盖章)的步骤；通过将所述转印基板(rgb集成盖章)紧贴到所述第二组装基板(greentemplate)，来使发出所述第二颜色的光的半导体发光元件(green芯片)从所述第二组装基板(greentemplate)转印到所述转印基板(rgb集成盖章)的步骤；以及通过将所述转印基板(rgb集成盖章)紧贴到所述第三组装基板(bluetemplate)，来使发出所述第三颜色的光的半导体发光元件(blue芯片)从所述第三组装基板(bluetemplate)转印到所述转印基板(rgb集成盖章)的步骤。146.在此情况下，各个所述第一组装基板至第三组装基板与所述转印基板之间的对齐位置可以彼此不同。例如，在组装基板和转印基板之间的对齐完成时，针对所述第一组装基板的所述转印基板的相对位置与针对所述第二组装基板的所述转印基板的相对位置可以彼此不同。在每次更换组装基板的种类时，所述转印基板的对齐位置可以移动相当于单位像素(subpixel)的间距(pitch)的量。通过这种方式，在将所述转印基板依次紧贴到所述第一组装基板至第三组装基板时，能够将三种芯片全部转印到所述转印基板。147.然后，与图11同样地，进行通过将所述转印基板紧贴于所述布线基板，来将发出所述第一颜色至第三颜色的光的半导体发光元件从所述转印基板转印到所述布线基板的步骤。148.根据图12的制造方法，为了制造包括red芯片、green芯片以及blue芯片的显示装置，需要三种组装基板和一种转印基板。149.不同于上述的图11和图12，根据图13，在一个组装基板(rgb集成基板)上分别可以组装有red芯片、green芯片以及blue芯片。在此状态下，所述red芯片、所述green芯片、所述blue芯片分别可以利用同一个转印基板(rgb集成盖章)转印到布线基板。150.根据图13的制造方法，为了制造包括red芯片、green芯片以及blue芯片的显示装置，需要一种组装基板和一种转印基板。151.如上所述，在制造包括发出彼此不同的颜色的光的半导体发光元件的显示装置的情况下，该制造方法可以通过各种方式实现。152.图14是示出显示装置中的子像素的排列的概念图，图15a和图15b是示出用于制造图14的显示装置的转印工艺的概念图。153.显示装置600由如图14所示的排列成复数个行和列的半导体发光元件650构成。各个半导体发光元件650相当于单个像素，复数个单个像素形成一个单位像素。构成单位像素的单个像素分别实现红色、绿色、蓝色中的任一个。154.作为实现红色、绿色、蓝色的方法包括：在组装发出蓝色的光的半导体发光元件后，沿一部分线配置绿色荧光体层和红色荧光体层的方法(第一方法)；以及组装发出红色、绿色、蓝色的光的半导体发光元件的方法(第二方法)。图14是示出以(第二方法)实现的显示装置的概念图。155.根据显示装置的制造方法的一实施例，为了制造图14所示的显示装置600，需要经过图15a和图15b中示出的两次转印工艺。图15a是通过自行组装的一次转印工艺，图15b是利用盖章的二次转印工艺。156.参照附图，按红色半导体发光元件、绿色半导体发光元件、蓝色半导体发光元件分开进行转印工艺。在图15a中，红色半导体发光元件650r组装到红色半导体发光元件用组装基板700r，绿色半导体发光元件650g组装到绿色半导体发光元件用组装基板700g，蓝色半导体发光元件650b组装到蓝色半导体发光元件用组装基板700b。因此，通过自行组装将红色半导体发光元件、绿色半导体发光元件、蓝色半导体发光元件转印到组装基板的工艺执行最少三次。157.由于红色半导体发光元件、绿色半导体发光元件、蓝色半导体发光元件以不同的组装基板组装，利用盖章的二次转印工艺也执行最少三次。如图15b所示，红色半导体发光元件650r、绿色半导体发光元件650g以及蓝色半导体发光元件650b分别通过pdms材料的红色半导体发光元件用盖章800r、绿色半导体发光元件用盖章800g、蓝色半导体发光元件用盖章800b来依次转印到构成显示装置600的基板610。158.另一方面，随着显示装置呈大面积化，图15的半导体发光元件的转印工艺次数增加，因此，制造显示装置所需要的时间和成本也增加。与此相反，在通过(第一方法)来实现大面积显示装置的情况下，虽然转印工艺次数减少，但是为了保持预定水准以上的分辨率，需要在组装基板中将组装电极图案形成为数微米以内的间隔。但是，在以往将组装电极图案以较窄的间隔形成的情况下，当电压施加时，在相邻的组装电极之间可能发生短路。159.本发明涉及可以通过比较简便的工艺来实现高分辨率大面积显示装置的显示装置制造用基板。以下，参照附图对本发明的显示装置制造用基板进行说明。160.本说明书的显示装置制造用基板是用于制造显示装置而使用的基板，如图15a和图15b所示，可以是半导体发光元件通过自行组装来一次组装的组装基板。但是并不限定于此，在构成显示装置的基板上直接自行组装半导体发光元件的情况下，构成显示装置的基板也可以成为本发明的显示装置制造用基板。161.图16是示出本发明的显示装置中的子像素的排列的概念图，图17a、图17b以及图18是示出用于制造图16的显示装置的本发明的组装电极结构的概念图。162.参照图16，本发明的显示装置1000由排列成复数个行和列的半导体发光元件1050′构成。各个半导体发光元件1050′相当于单个像素，复数个单个像素形成一个单位像素。构成单位像素的单个像素分别实现红色、绿色、蓝色中的任一个。163.作为实现红色、绿色、蓝色的方法包括：在组装发出蓝色的光的半导体发光元件后，沿一部分线配置绿色荧光体层和红色荧光体层的方法(第一方法)；以及组装发出红色、绿色、蓝色的光的半导体发光元件的方法(第二方法)。图16是示出以(第二方法)实现的显示装置的概念图。164.与现有的显示装置600相比，本发明的显示装置1000的半导体发光元件1050′可以以更窄的间隔排列构成。在显示装置1000中，半导体发光元件1050′具有行间隔a和列间隔b，通过较窄地设定这种间隔，能够实现高分辨率显示装置。165.本发明为了实现如图16的显示装置1000，提出了一种在显示装置制造用基板中能够使一个组装电极涉及配置在两条线上的半导体发光元件的组装的结构。166.图17b示出了本发明的显示装置制造用基板2000的截面。167.如图17b所示，本发明的显示装置制造用基板2000包括底座部2010、组装电极2020、电介质层2030、分隔壁部2040以及单元2050。168.底座部2010可以是具有柔性和绝缘性的柔性基板，为此，可以形成为包含如聚酰亚胺(polyimide，pi)、聚萘二甲酸乙二醇酯(polyethylenenaphthalate，pen)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(polyethyleneterephthalate，pet)等材料。169.在底座部2010上可以配置有沿一方向延伸的组装电极2020。组装电极2020作为用于在自行组装时形成电场的构成，对组装电极2020将在后面进行详细的说明。170.另外，在底座部2010上可以形成有电介质层2030，以覆盖组装电极2020。电介质层2030可以由如sio2、sinx、sion、al2o3、tio2、hfo2等无机绝缘物质形成。171.在电介质层2030上可以形成有无机或有机绝缘物质的分隔壁部2040。分隔壁部2040形成供半导体发光元件1050′安置的单元2050，并且可以形成在电介质层2030上。单元2050可以排列成复数个行和复数个列。此时，沿行排列的单元2050具有与半导体发光元件1050′相同的行间隔a，沿列排列的单元2050具有与半导体发光元件1050′相同的列间隔b。172.以下，参照图17和图18，对本发明中提出的组装电极2020的结构进行更详细的说明。173.组装电极2020可以沿行方向和列方向中任一方向延伸，并且可以与延伸方向上的单元2050重叠。根据本发明，如图17和图18所示，组装电极2020可以包括：第一组装电极2020a，与构成一个行或列的单元2050重叠；以及第二组装电极2020b，与构成相邻的彼此不同的行或列的单元2050同时重叠。即，虽然现有的组装电极仅涉及安置在沿特定的线排列的单元的半导体发光元件的组装，但根据本发明，由于一部分组装电极涉及安置在沿相邻的两个线排列的单元的半导体发光元件的组装，因此可以在不追加形成组装电极2020的情况下，组装更多数量的半导体发光元件1050′，并且能够缩短半导体发光元件1050′之间的配置间隔。174.在本发明中，第二组装电极2020b可以配置在第一组装电极2020a之间。例如，第一组装电极2020a可以配置在显示装置制造用基板2000的两端，第二组装电极2020b可以配置在第一组装电极2020a之间。175.另一方面，组装电极2020可以形成为如图17所示的沿一方向延伸的线形态(仅由后述的主体部2021构成的形态)，或者可以形成为如图18所示的包括朝单元2050凸出的部分。在后者的情况下，组装电极2020可以包括：主体部2021，沿行方向或列方向延伸；以及凸出部2022，朝单元2050凸出形成以在主体部2021上与单元2050重叠。此时，第一组装电极2020a仅在主体部2021的一侧包括凸出部2022，而第二组装电极2020b可以在主体部2021的两侧包括凸出部2022。176.另一方面，如上所述，半导体发光元件1050′排列成具有规定行间隔a和列间隔b，由此，供半导体发光元件1050′安置的单元2050也排列成具有规定行间隔(以下，第一间隔)a和列间隔(以下，第二间隔)b。即，单元2050中排列在同一行的单元具有第一间隔a，排列在同一列的单元具有第二间隔b。组装电极2020可以沿与第一间隔a和第二间隔b中较窄的间隔的方向交叉的方向延伸形成。177.本发明的显示装置制造用基板2000可以制造包括发出彼此不同的颜色的光的半导体发光元件1050′的显示装置1000。显示装置1000可以包括发出第一颜色的光的第一半导体发光元件1050′a、发出第二颜色的光的第二半导体发光元件1050′b以及发出第三颜色的光的第三半导体发光元件1050′c中的至少两种半导体发光元件。所述半导体发光元件1050′a、1050′b、1050′c中相同种类的半导体发光元件可以安置于排列在显示装置制造用基板2000的同一行或列的单元2050。以下，对显示装置1000包括第一半导体发光元件至第三半导体发光元件1050′a、1050′b、1050′c的情况进行说明。178.第一半导体发光元件至第三半导体发光元件1050′a、1050′b、1050′c可以形成为具有彼此不同的形状，供所述半导体发光元件安置的单元2050可以形成为与各个半导体发光元件对应的形状。在此，形状可以理解为包括大小。考虑到组装率，优选地，第一半导体发光元件至第三半导体发光元件1050′a、1050′b、1050′c形成为圆形或椭圆形，并且在第一半导体发光元件至第三半导体发光元件中，可以仅一种半导体发光元件形成为圆形。在第一半导体发光元件至第三半导体发光元件1050′a、1050′b、1050′c具有彼此不同的形状的情况下，能够将第一半导体发光元件至第三半导体发光元件1050′a、1050′b、1050′c同时自行组装到显示装置制造用基板2000。179.另一方面，第一半导体发光元件至第三半导体发光元件1050′a、1050′b、1050′c沿行或列交替配置，因此第二组装电极2020b可以与供安置彼此不同的种类的半导体发光元件的单元2050同时重叠。即，第二组装电极2020b的一侧可以与供安置第一半导体发光元件至第三半导体发光元件中的任一种半导体发光元件的单元重叠，另一侧可以与供安置另一种半导体发光元件的单元重叠。180.如上所述，本发明的显示装置制造用基板2000包括涉及两条线的半导体发光元件1050′的组装的第二组装电极2022，从而能够实现以较窄的间隔配置更多数量的半导体发光元件1050′的显示装置1000，并且能够减少转印工艺次数。181.以下，对利用上述的显示装置制造用基板2000来制造显示装置1000的方法进行说明。182.半导体发光元件1050′可以通过自行组装安置于本发明的显示装置制造用基板(或基板)2000。183.首先，(a)可以执行在进行自行组装的流体腔室内投入半导体发光元件1050′，并且将包括组装电极2020和排列成复数个行和列的单元2050的基板2000移送到预先设定的组装位置的步骤。详细而言，基板2000可以配置在流体腔室的上部，并且可以配置为包括组装电极2020和单元2050的面(以下，组装面)浸入流体腔室内。184.然后，(b)可以执行通过在基板2000的一侧向投入到流体腔室内的半导体发光元件1050′施加磁力，来使半导体发光元件1050′朝一方向移动的步骤。在此，基板2000的一侧表示组装面的相反侧，可以利用磁铁或电磁体向半导体发光元件1050′施加磁力。185.然后，(c)可以执行通过向组装电极2020施加电压来使移动中的半导体发光元件1050′安置于单元2050的步骤。在本步骤中形成电场，为了形成电场，可以向相邻的组装电极2020施加彼此不同极性的电压信号。186.在现有的显示装置制造用基板中，相邻配置且施加彼此不同的电压信号的一对组装电极形成为与沿一个行或列排列的单元重叠，使得特定组装电极涉及特定线的半导体发光元件的组装。但是，本发明的显示装置制造用基板2000包括涉及两条线的半导体发光元件的组装的组装电极。具体而言，显示装置制造用基板2000包括：第一组装电极2020a，与构成一个行或列的单元2050重叠；以及第二组装电极2020b，与构成相邻的彼此不同的行或列的单元2050同时重叠，并且如上所述，第二组装电极2020b可以涉及两条线的半导体发光元件的组装。187.另一方面，可以利用本发明的显示装置制造用基板2000来制造包括发出彼此不同的颜色的光的半导体发光元件1050′的显示装置1000。具体而言，为了制造由上述的第一半导体发光元件至第三半导体发光元件1050′a、1050′b、1050′c构成的显示装置1000，可以将第一半导体发光元件至第三半导体发光元件1050′a、1050′b、1050′c组装到显示装置制造用基板2000。第一半导体发光元件至第三半导体发光元件1050′a、1050′b、1050′c可以形成为彼此不同的形状，单元2050也可以形成为与各个半导体发光元件对应的形状。在此情况下，上述的(a)至(c)步骤可以对第一半导体发光元件至第三半导体发光元件1050′a、1050′b、1050′c一并执行。188.即，不像以往那样按颜色组装到不同的基板上，或按颜色依次组装到同一基板上，而是可以将第一半导体发光元件至第三半导体发光元件1050′a、1050′b、1050′c一次性投入到流体腔室内，同时执行第一半导体发光元件至第三半导体发光元件1050′a、1050′b、1050′c的自行组装。由此，通过自行组装的一次转印工艺的次数减少。189.根据本发明，在自行组装后，可以执行将安置于基板2000的半导体发光元件1050′转印到布线基板的步骤。这表示利用盖章的二次转印工艺。由于一次转印工艺的次数减少，因此二次转印工艺的次数也将减少。190.或者，在自行组装后，可以执行形成用于点亮安置于基板2000的半导体发光元件1050′的布线电极的步骤。在此情况下，最终制造出的显示装置1000将包括组装电极2020和布线电极。191.如上所述，本发明可以通过减少在自行组装时施加电压的组装电极2020的数量来以更精细的间隔形成供安置半导体发光元件1050′的单元2050，进而能够实现高分辨率显示装置1000。另外，本发明可以在简化显示装置的制造工艺的同时节省制造成本。当前第1页12当前第1页12