电子枪的制作方法

1.本技术涉及一种电子枪，尤其涉及一种包括中空阴极和网格结构的电子枪，网格结构被配置为减少或消除阴极上的回流电子。


背景技术：

2.电子枪有两种类型。第一类电子枪是二极管电子枪，其中包括两个电极，例如阴极和阳极。第二类电子枪是三极电子枪，其中包括三个电极，例如阴极、阳极和栅极。


技术实现要素：

3.根据本说明书的一个方面，一种电子枪可以包括阴极，具有发射面，所述发射面被配置为发射电子，所述阴极包括穿过所述发射面的通孔，所述通孔被配置为允许所述发射面发射的所述电子的回流电子通过；阳极，被配置为将所述发射面发射的所述电子从所述阴极吸引到所述阳极，并将所述电子聚焦为电子束；以及网格结构，被配置为促进所述电子聚焦为所述电子束，所述网格结构的位置与所述通孔对应。
4.在一些实施例中，所述阴极、所述通孔、所述网格结构或所述阳极中的至少一个以所述电子枪的公共轴为中心轴。
5.在一些实施例中，所述网格结构的至少一部分沿所述公共轴的投影位于所述通孔的截面内，所述截面垂直于所述公共轴。
6.在一些实施例中，所述网格结构的电压与所述阴极的电压相同。
7.在一些实施例中，所述网格结构包括两个或以上第一网孔，所述回流电子通过所述两个或以上第一网孔。
8.在一些实施例中，所述两个或以上第一网孔与穿过所述网格结构的所述回流电子的计数以及从所述阴极发射的所述电子的聚焦相关。
9.在一些实施例中，所述网格结构与所述阴极接触。
10.在一些实施例中，所述网格结构和所述阴极之间存在间隙。
11.在一些实施例中，所述网格结构由网格支架支撑。
12.在一些实施例中，所述阴极包括第一材料，所述第一材料被配置为通过降低所述阴极的逸出功来促进所述电子从所述阴极发射。
13.在一些实施例中，所述网格结构包括与所述第一材料发生化学反应的第二材料。
14.在一些实施例中，所述第一材料包括钡(ba)，所述第二材料包括过渡金属，所述过渡金属包括锆(zr)或铪(hf)中的至少一种。
15.在一些实施例中，所述第二材料被配置为防止由于至少一部分所述回流电子对所述网格结构的冲击而导致所述网格结构发射电子。
16.在一些实施例中，所述电子枪还包括栅极，被配置为控制从所述阴极发射的所述电子向所述阳极的流动，所述栅极位于所述阴极和所述阳极之间。
17.在一些实施例中，所述栅极以所述电子枪的所述公共轴为中心轴。
18.在一些实施例中，所述栅极包括两个或以上第二网孔，所述两个或以上第二网孔被配置为允许从所述阴极发射的所述电子或所述回流电子通过。
19.在一些实施例中，所述两个或以上第二网孔包括与所述通孔相对应的中心网孔，所述中心网孔被配置为允许所述回流电子通过并防止所述回流电子冲击所述栅极，所述中心网孔以所述公共轴为中心轴。
20.在一些实施例中，所述栅极包括与所述第一材料发生化学反应的第三材料。
21.在一些实施例中，所述网格结构位于所述阴极和所述栅极之间的固定位置。
22.在一些实施例中，所述网格结构的位置在所述阴极和所述栅极之间沿所述公共轴可调节。
23.在一些实施例中，所述电子枪还包括能量源，被配置为向所述阴极提供能量，从而使所述阴极发射所述电子。
24.在一些实施例中，所述电子枪还包括电子接收设备，所述电子接收设备被配置为接收通过所述阴极的所述通孔的所述回流电子。
25.在一些实施例中，所述电子枪还包括聚焦电极，所述聚焦电极用于将所述阴极发射的所述电子聚焦为所述电子束。
26.本技术的一部分附加特性可以在下面的描述中进行说明。通过对以下描述和相应附图的研究或者对实施例的生产或操作的了解，本技术的一部分附加特性对于本领域的普通技术人员是显而易见的。本技术的特征可以通过对以下描述的具体实施例的各种方面的方法、手段和组合的实践或使用得以实现和达到。
附图说明
27.本说明书将以示例性实施例的方式进一步说明。这些示例性实施例将通过附图进行详细描述。这些实施例是非限制性的示例性实施例，在这些实施例中，各图中相同的编号表示相同的结构，其中：
28.图1和图2是根据本说明书一些实施例所示的示例性三极管电子枪的横截面的示意图；
29.图3是根据本说明书一些实施例所示的示例性网格结构的示意图。
具体实施方式
30.为了更清楚地说明本说明书实施例的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单的介绍。然而，本领域技术人员应该明白，可以在没有这些细节的情况下实施本说明书。在其他情况下，为了避免不必要地模糊本说明书的一些方面，已经对众所周知的方法、程序、系统、组件和/或电路进行了较为详细的描述。对于本领域的普通技术人员来讲，显然可以对所公开的实施例做出各种改变，并且在不偏离本说明书的原则和范围的情况下，本说明书中所定义的普遍原则可以适用于其他实施例和应用场景。因此，本说明书不限于所示的实施例，而是符合与说明书专利范围一致的最广泛范围。
31.本说明书所使用的术语仅为了描述特定示例性实施例，并不限制本说明书的范围。如本说明书和权利要求书中所示，除非上下文明确提示例外情形，“一”、“一个”、“一种”和/或“该”等词并非特指单数，也可包括复数。应该被理解的是，本说明书中所使用的术语“包括”与“包含”仅提示已明确标识的特征、整体、步骤、操作、元素、及/或组件，而不排除可以存在和添加其他一个或多个特征、整体、步骤、操作、元素、组件、及/或其任意组合。
32.需要注意的是，本说明书中使用的术语“系统”、“装置”、“单元”和/或“模块”是用于区分不同级别的不同组件、元件、部件、部分或装配件的一种方法。然而，如果其他表达可以实现同样的目的，则可以通过其他表达来替换所述术语。
33.通常，本说明书中使用的单词“系统”、“装置”、“单元”和/或“模块”指硬件或固件中体现的逻辑，或指软件指令的集合。本文描述的模块、单元或块可以实现为软件和/或硬件，并且可以存储在任何类型的非暂时性计算机可读介质或另一存储设备中。在一些实施例中，软件系统、装置、单元和/或模块可以被编译并链接到可执行程序中。应当理解，软件模块可以从其他系统、装置、单元、模块和/或从它们自身调用，和/或可以响应检测到的事件或中断来调用。配置用于在计算设备上执行的软件系统、装置、单元和/或模块可以提供在计算机可读介质上，例如光盘、数字视频光盘、闪存驱动器、磁盘或任何其他有形介质，或者作为数字下载(并且可以最初以压缩或可安装格式存储，在执行之前需要安装、解压缩或解密)。这里的软件代码可以被部分的或全部的储存在执行操作的计算设备的存储设备中，并应用在计算设备的操作之中。软件指令可以嵌入固件中，例如eprom。进一步的，硬件模块/单元/块可以包括连接的逻辑组件，例如门、触发器和/或可编程单元，例如可编程门阵列或处理器。本文描述的系统、装置、单元和/或模块或计算设备功能可以实现为软件模块、单元或块，但可以用硬件或固件表示。通常，这里描述的系统、装置、单元和/或模块指的是逻辑系统、装置、单元和/或模块，其可以与其他系统、装置、单元和/或模块组合或者分成子系统、子装置、子单元和/或子模块，不管它们的物理组织或存储器件。
34.应当理解，当系统、装置、单元和/或模块涉及到“位于”、“连接到”或“耦合到”另一个系统、装置、单元和/或模块时，除非上下文另有明确说明，这些系统、装置、单元和/或模块可以直接位于、连接到、耦合到其他系统、装置、单元和/或模块，或者存在中间系统、装置、单元和/或模块。在本说明书中，术语“和/或”可以包括至少一个相关所列项目的任何一个或其组合。
35.在考虑了作为本说明书中一部分的附图的描述内容后，本说明书所述的和其他的特征、特点，以及操作方法、相关结构元素的功能、各部件的组合，以及制造的经济性更加显而易见。然而，应当理解，附图仅仅是为了说明和描述的目的，并不旨在限制本说明书中的范围。应当理解的是，附图并不是按比例绘制的。
36.线性粒子加速器，或称为速调管，使用电子束源，通常称为电子枪。例如，在某些情况下，当电子枪被用作电子线性加速器中的电子源时，从电子枪输出的一部分电子(称为回流电子)可能返回到电子枪。回流电子可能会对电子枪的阴极产生不利影响，例如导致阴极过热，这反过来可能会缩短阴极的寿命，降低阴极的性能等。因此，希望提供一种电子枪来减轻或解决回流电子对阴极的影响。
37.本说明书的一个方面涉及一种包括中空阴极的电子枪。电子枪可以包括阴极和阳极。可选地，电子枪可以进一步包括栅极。阴极可以包括通孔，该通孔被配置为允许回流电子通过。回流电子可以穿过通孔，而不是撞击阴极，从而避免阴极过热。电子枪还可以包括网格结构，该网格结构被配置为促进从阴极发射的电子的聚焦。网格结构可以位于阴极和阳极之间。网格结构可以位于与通孔对应的位置。网格结构的至少一部分沿公共轴的投影
可以位于通孔的截面内，所述截面垂直于公共轴。由于通孔的存在，会造成阴极的发射面存在不连续性，基于所述不连续性在阴极和阳极间形成的电场会将从阴极发射的电子聚焦成电子束，但是该电子束的会聚性相对较差。利用网格结构，阴极和阳极之间的电场可以将从阴极发射的电子聚焦为电子束，与没有网格结构相比，该电子束具有更好的会聚性。
38.图1和图2是根据本说明书一些实施例所示的示例性三极管电子枪的横截面的示意图。电子枪100可以包括阴极110，网格结构(例如，图1中的网格结构121或图2中的网格结构122)、栅极130和阳极140。在一些实施例中，阴极110、栅极130和阳极140可以以电子枪100的公共轴160为中心轴。在一些实施例中，电子枪100还可以包括聚焦电极150、能量源(未示出)和接收设备(未示出)中的至少一个。在一些实施例中，聚焦电极150可以以公共轴160为中心轴。在一些实施例中，沿着从阴极110发射的电子的发射方向，阳极140可以位于阴极110的下游。栅极130可以位于阴极110和阳极140之间。聚焦电极150可以位于栅极130和阳极140之间。
39.在一些实施例中，图1中所示的x轴，y轴和z轴可以形成正交坐标系。如图所示，z轴可以平行于公共轴160。从阴极110到阳极140的方向可以为z轴的正方向。y轴的正方向可以是从z轴负方向看到的电子枪100的右侧到左侧。在图1中，为了便于说明，可以将x轴表示为垂直于纸张。x轴的正方向可以是从z轴负方向看到的电子枪100的上侧到下侧。图2中所示的x轴、y轴和z轴类似于图1中的x轴、y轴和z轴。图1和图2示出了平行于y-z平面的电子枪100的横截面。
40.阴极110可包括配置为发射电子的发射面112。在一些实施例中，发射面112可以朝向阳极140。发射面112可以是平坦表面或曲面(例如，如图1所示的凹面)。在一些实施例中，发射面112可以以公共轴160为中心轴。
41.当金属的温度升高时，金属中电子的动能可能会相应升高。当温度升高到一定值时，大量的电子会克服金属的逸出功，并从金属中逃逸出来。这种现象被称为热电子发射。在一些实施例中，阴极110可能很热，以至于通过热电子发射从发射表面112发出电子。
42.在一些实施例中，阴极110(例如，发射面112)可以包括金属材料，例如钨(w)及其合金等。通过加热阴极110，金属材料原子的外层电子可以被特定能量激发。所激发的电子可以克服金属材料的逸出功并脱离轨道的束缚，成为从阴极110(例如，发射面112)发射的自由电子。电子从阴极110逃脱所需的能量可以称为阴极110的逸出功。在一些实施例中，阴极110还可以包括第一材料，例如钡(ba)，其被配置为通过降低阴极110的逸出功来促进电子从阴极110发射。在一些实施例中，阴极110可以浸渍有第一材料。
43.从阴极110发射的电子(也称为发射电子)可通过阳极140的吸引飞出电子枪100。在某些情况下，发射电子的一部分(称为回流电子)可能会回到电子枪100。例如，当电子枪100用作电子直线加速器的电子源时，电子直线加速器可被连接到阳极140。发射电子可以通过阳极140从电子枪100进入电子直线加速器。由于发射电子从电子枪100注入电子直线加速器的频率与用于加速发射电子并应用于电子直线加速器的加速场(例如电场或电磁场)的频率不同步，一些发射电子在与阴极110发射电子的发射方向相反的方向上被加速，从而返回到电子枪100。应该注意的是，本公开中提供的电子枪也可以用于减少或消除由其他原因引起的回流电子。
44.假设阴极110为实心，则回流电子会撞击阴极110，例如，在发射面112的以公共轴
160为中心的区域中。撞击阴极110的回流电子可能会导致阴极110的温度升高，从而导致阴极110过热。阴极110的过热可能导致许多问题。例如，阴极110中第一材料的蒸发速率可能随温度升高而增加。因此，阴极110的过热可能会加速第一材料的蒸发速率，从而降低阴极110的寿命。又例如，蒸发的第一材料可能沉积在电子直线加速器的内壁上。沉积的第一材料可以降低电子直线加速器内壁的逸出功，并相应地导致一些电子从电子直线加速器内壁发射。在电子直线加速器内部电场梯度的作用下，从电子直线加速器内壁发射的电子可能形成“暗电流”，消耗电子直线加速器的功率。
45.在本发明的一些实施例中，如图1所示，阴极110可以是中空阴极，包括穿过发射面112的第一通孔114，并且被配置为允许发射电子的回流电子通过。第一通孔114可以沿公共轴160延伸并穿过阴极110。回流电子可以通过第一通孔114，而不是撞击阴极110，从而避免回流电子使阴极110过热。
46.在一些实施例中，可以配置第一通孔114在阴极110中的位置、第一通孔114的大小和形状，以便发射电子的大多数(例如，至少90％)回流电子通过第一通孔114，而不是撞击阴极110。例如，第一通孔114可以以公共轴160为中心轴。又例如，第一通孔114可以是一个圆柱，其横截面是一个平行于x-y平面的圆。
47.由于电子枪100中组件(例如阴极110、栅极130、聚焦电极150、阳极140等)上的电压不同，可在阴极110和阳极140之间形成包括弯曲的等势面和/或电场线的电场，其可改变发射电子从阴极110到阳极140的轨迹，导致发射电子的会聚和/或发散，从而实现发射电子聚焦成电子束。发射的电子可以电子束的形式离开电子枪100。
48.基于具有与第一通孔114相对应的孔的不连续发射面112形成的阴极110和阳极140之间的电场，可以将发射的电子聚焦为电子束，但是该电子束的会聚性相对较差。为了改善发射电子的聚焦，可以在电子枪100中应用网格结构。
49.网格结构可以配置以促进发射电子的聚焦。在一些实施例中，网格结构可以位于阴极110和阳极140之间。在一些实施例中，网格结构的位置可以对应于第一通孔114。在一些实施例中，网格结构可以与第一通孔114相连。例如，第一通孔114和网格结构可以以公共轴160为中心轴。在一些实施例中，网格结构的至少一部分沿z轴负方向的投影可以位于第一通孔114的平行于x-y平面的横截面内。例如，整个网格结构沿z轴负方向的投影可以位于第一通孔114的平行于x-y平面的横截面内。又例如，网格结构的第一部分沿z轴负方向的投影可以位于第一通孔114的平行于x-y平面的横截面内，而网格结构的第二部分沿z轴负方向的投影可以位于第一通孔114的平行于x-y平面的横截面外。
50.网格结构可以改善由具有对应于第一通孔114的孔的不连续发射面112引起的不良会聚性。通过网格结构，阴极110和阳极140之间的电场可以将发射电子聚焦为电子束，与没有网格结构相比，电子束具有更好的会聚性。
51.在一些实施例中，网格结构可以包括第一网格框架和两个或以上第一网孔，发射电子的回流电子可以通过这些第一网孔。第一网格框架可以包括多条交叉线(例如，电线)。第一个网格框架可以限定所述两个或以上第一网孔。
52.仅作为示例，图3是根据本说明书一些实施例所示的示例性网格结构的示意图。图3示出了在图1或图2中从z轴正方向或负方向看到的网格结构300的视图。如图所示，网格结构300可以包括第一个网格框架310和两个或以上第一网孔(例如，网孔320)，回流电子可以
通过两个或以上第一网孔。第一网格框架可以包括多条交叉线(例如，电线)。
53.在一些实施例中，基于第一网格框架和两个或以上第一网孔确定的网格结构的网格图案可以指示两个或以上第一网孔中每个网孔的大小、形状、两个或以上第一网孔的数量、两个或以上第一网孔的总面积，形成第一网格框架的交叉线的厚度、网格结构中两个或以上第一网孔的密度(例如，网格结构中每单位面积的第一网孔数)等，或其任何组合。在一些实施例中，两个或以上第一网孔的尺寸越大，通过网格结构的回流电子可能越多，但网格结构的聚焦性能可能越差。可以配置网格结构的网格图案，以便大多数(例如，至少60％，至少70％，至少80％，至少90％等)的回流电子可以通过网格结构，而不是撞击网格结构的第一网格框架，并且发射电子的聚焦可以形成具有较好会聚性的电子束。
54.在一些实施例中，网格结构可以具有与阴极110相同的电压，以抑制来自第一通孔114的内壁116的电子发射。在一些实施例中，当阴极110被加热时，为了防止网格结构的热电子发射，网格结构可以与阴极110热隔离，和/或网格结构的逸出功可以高于阴极110。
55.在一些实施例中，如果来自阴极110的蒸发的第一材料沉积在网格结构上，则沉积的第一材料可以降低网格结构的逸出功。撞击在网格结构的第一个网格框架上的回流电子可能会增加网格结构的温度，并导致某些电子从网格结构发射。本说明书实施例所示的电子枪100的网格结构可以包括与第一材料发生化学反应的第二材料。在一些实施例中，如果第一材料包括ba，则第二材料可包括过渡金属，过渡金属包括与ba发生化学反应的锆(zr)或铪(hf)中的至少一种。第二材料可用于减少或消除第一材料在网格结构上的沉积和/或由至少一部分回流电子在网格结构上的撞击引起的电子发射。
56.在一些实施例中，网格结构(例如，图1中所示的网格结构121)可以与阴极110接触。例如，网格结构可以焊接到阴极110。在一些实施例中，网格结构与阴极110之间可能存在间隙。例如，如图2所示，网格结构122和阴极110之间可以存在间隙170。在一些实施例中，网格结构可以由网格支架进行支撑。例如，如图2所示，网格结构122可以由网格支架180进行支撑。网格支架180可以具有与阴极110相同的电压。在一些实施例中，为了防止当阴极110被加热时网格支架180的热电子发射，网格支架180可以与阴极110热隔离，和/或网格支架180的逸出功可以高于阴极110。在一些实施例中，为了减少或避免第一材料沉积在网格支架180上和/或由于至少一部分回流电子撞击网格支架180而导致电子从网格支架180发射，网格支架180可以包括与第一材料发生化学反应的材料。该材料可以类似于本说明书其他地方描述的网格结构的第二材料，此处不再赘述。
57.在一些实施例中，网格结构可以位于阴极110和阳极140之间。在一些实施例中，网格结构可以相对于阳极140更靠近阴极110。在一些实施例中，网格结构可以位于阴极110和阳极140之间的固定位置。在一些实施例中，网格结构的位置可以是可调的，例如，沿公共轴160在阴极110和阳极140之间调节。
58.在一些实施例中，网格结构可以位于阴极110和网格电极130之间。在一些实施例中，网格结构可以位于阴极110和网格电极130之间的固定位置。在一些实施例中，网格结构的位置可以是可调的，例如，沿着公共轴160在阴极110和网格电极130之间调节。
59.栅极130可被配置为控制发射电子从阴极110向阳极140的流动。例如，如果栅极130相对于阴极110保持负电压，则阴极110和网格电极130之间的电场可以是发射电子的减速电场。发射的电子可以以初始速度从阴极110逃脱。由于栅极130和阴极110之间的减速电
场，具有相对较小初始速度的电子可能回到阴极110，具有相对较大初始速度的电子移动到阳极140。因此，可以通过调整栅极130的电压来控制从阴极110到阳极140发出的电子的数量。当栅极130相对于阴极110保持足够高的负电压时，所有发射的电子都可以被驱回到阴极110，使得没有电子移动到阳极140。如果栅极130的电压相对于阴极110为正，则在栅极130和阴极110之间形成发射电子的加速电场，发射电子会朝阳极140移动。
60.在一些实施例中，栅极130可以提供与聚焦电极150相同的电压。在一些实施例中，如果发射面112是凹面，则栅极130可以包括面向阳极140的凹面。栅极130的凹面和发射面112可分别对应于两个同心圆。
61.在一些实施例中，栅极130可以包括第二网格框架和两个或以上第二网孔，两个或以上第二网孔被配置为允许从阴极发射并移动到阳极140的电子通过，和/或允许回流电子通过并到达阴极110。第二网格框架可以包括多个交叉线(例如，电线)。两个或以上第二网孔可以由第二网格框架限定。
62.在一些实施例中，基于第二网格框架和两个或以上第二网孔确定的栅极130的网格图案可以指示两个或以上第二网孔中每个网孔的大小、形状、两个或以上第二网孔的数量、两个或以上第二网孔的总面积，形成第二网格框架的交叉线的厚度、栅极130中两个或以上第二网孔的密度(例如，栅极130中每单位面积的第二网孔的数量)等，或其任何组合。
63.在一些实施例中，与网格结构相对应的栅极130的一部分网格图案可以与网格结构的网格图案相同或不同。与网格结构相对应的栅极130的部分可以指栅极130上的区域，该区域由网格结构沿z轴正方向在栅极130上的投影所覆盖。
64.在一些实施例中，如果来自阴极110的蒸发的第一材料沉积在栅极130上，则沉积的第一材料可降低栅极130的逸出功。撞击栅极130的第二网格框架上的回流电子可能会导致栅极130的温度增加，使栅极130发射电子。当栅极130被配置为减少或消除移动到阳极140的电子的数量时，意味着少量或没有电子需要从电子枪100输出。在这种情况下，由于阳极140保持相对于栅极130的正电压，因此基于在栅极130上沉积的第一材料而从栅极130发射的电子以及冲击在栅极130上的回流电子仍然可能被阳极140吸引并飞出电子枪100，从而导致从电子枪100输出不需要的电子。
65.第一通孔114可以通过避免或减少由于回流电子冲击阴极110而导致阴极110过热，来缓解或解决栅极130的上述问题。
66.在一些实施例中，为了进一步缓解或解决栅极130的上述问题，栅极130的两个或以上第二网孔可以包括与第一通孔114相对应的中心网孔132，该中心网孔132被配置为允许回流电子通过并防止回流电子撞击栅极130。在一些实施例中，中心网孔132可以与第一通孔144同轴。例如，第一通孔144和栅极130可以以公共轴160为中心轴。中心网孔132的形状可以与平行于x-y平面的第一通孔114的横截面形状相同或相似，并且中心网孔132的尺寸可以等于、大于或小于第一通孔114的横截面尺寸。或者，栅极130可以包括与第一材料发生化学反应的第三材料。在一些实施例中，如果第一种材料包括ba，则第三材料可包括过渡金属，该过渡金属包括与ba发生化学反应的锆(zr)或铪(hf)中的至少一种。第三材料可被配置为减少或避免第一材料沉积在栅极130上和/或由于至少一部分回流电子撞击电极130而导致的电子从栅极130发射。
67.在一些实施例中，当整个网格结构沿z轴方向的投影延伸到第一通孔114之外时，
网格结构可以拦截原本会被栅极130拦截的回流电子，从而降低栅极130拦截回流电子的压力。
68.阳极140可以被配置为通过保持相对于阴极110的正电压，将发射电子从阴极110吸引到阳极140。在一些实施例中，阳极140可以进一步配置为将发射电子聚焦为电子束。在一些实施例中，阳极140可以包括第二通孔190，发射电子可通过该通孔离开电子枪100。在一些实施例中，第二通孔190可以以公共轴160为中心轴。
69.聚焦电极150可以被配置成将发射电子聚焦为电子束。
70.能量源可被配置为向阴极110提供能量(例如，热能或电能)，使得电子能够从阴极110发射(例如，热离子发射)。
71.电子接收设备可以被配置为接收通过阴极110的第一通孔114的发射电子的回流电子。在一些实施例中，电子接收设备可以包括电连接到地的金属材料。在一些实施例中，电子接收设备可位于沿z轴正方向阴极110的上游。
72.在一些实施例中，具有第一通孔114的阴极110和本说明中所示的网格结构也可以应用于二极管电子枪中，以缓解或解决因回流电子冲击阴极而导致的阴极过热。
73.应当注意的是，以上描述仅出于说明的目的而提供，并不旨在限制本说明书的范围。对于本领域的普通技术人员来说，可以根据本说明书的描述，做出各种各样的变化和修改。然而，这些变化和修改不脱离本说明书的范围。
74.上文已对基本概念做了描述，显然，对于阅读本技术后的本领域的普通技术人员来说，上述披露仅作为示例，并不构成对本技术的限制。虽然此处并未明确说明，但本领域的普通技术人员可能会对本技术进行各种修改、改进和修正。该类修改、改进和修正在本技术中被建议，所以该类修改、改进、修正仍属于本技术示范实施例的精神和范围。
75.同时，本技术使用了特定词语来描述本技术的实施例。例如“一个实施例”、“一实施例”、和/或“一些实施例”意指与本技术至少一个实施例相关的某一特征、结构或特性。因此，应当强调并注意的是，本技术中在不同位置两次或以上提及的“一个实施例”、“一实施例”、和/或“一些实施例”并不一定是指同一实施例。此外，本技术的一个或以上实施例中的某些特征、结构或特点可以进行适当的组合。
76.此外，本领域的普通技术人员可以理解，本技术的各方面可以通过若干具有可专利性的种类或情况进行说明和描述，包括任何新的和有用的过程、机器、产品或物质的组合，或对其任何新的和有用的改进。相应地，本技术的各个方面可以完全由硬件执行、可以完全由软件(包括固件、常驻软件、微码等)执行、也可以由硬件和软件组合执行。以上硬件或软件均可被称为“数据块”、“模块”、“引擎”、“单元”、“组件”或“系统”。此外，本技术的各方面可以采取体现在一个或以上计算机可读介质中的计算机程序产品的形式，其中计算机可读程序代码包含在其中。
77.此外，除非权利要求中明确说明，本技术所述处理元素和序列的顺序、数字字母的使用、或其它名称的使用，并非用于限定本技术流程和方法的顺序。尽管上述披露中通过各种示例讨论了一些目前认为有用的发明实施例，但应当理解的是，该类细节仅起到说明的目的，附加的权利要求并不仅限于披露的实施例，相反，权利要求旨在覆盖所有符合本技术实施例实质和范围的修正和等价组合。例如，虽然以上所描述的系统组件可以通过硬件设备实现，但是也可以只通过软件的解决方案得以实现，如在现有的服务器或移动设备上安
装所描述的系统。
78.同理，应当注意的是，为了简化本技术披露的表述，从而帮助对一个或以上发明实施例的理解，前文对本技术的实施例的描述中，有时会将多种特征归并至一个实施例、附图或对其的描述中。但是，这种披露方法并不意味着本技术对象所需要的特征比权利要求中提及的特征多。实际上，实施例的特征要少于上述披露的单个实施例的全部特征。