显示设备的制作方法

显示设备
1.本技术要求于2020年3月9日在韩国知识产权局提交的第10
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2020
‑
0029158号韩国专利申请的优先权和权益，该韩国专利申请的公开内容通过引用全部包含于此。
技术领域
2.公开的一些实施例涉及一种具有改善的图像质量和相对高的分辨率的显示设备。


背景技术：

3.近来，显示设备的使用已经多样化。此外，随着显示设备的厚度和重量减小，其使用增加。
4.在显示设备之中，有机发光显示设备不仅由于其宽视角和优异的对比度，而且由于其快速的响应速度而作为下一代显示设备受到关注。
5.在一般的有机发光显示设备中，薄膜晶体管和有机发光器件形成在基底上，并且有机发光器件自身发光。有机发光显示设备可以用作小型产品(诸如移动电话)的显示单元，也可以用作大型产品(诸如电视)的显示单元。


技术实现要素：

6.然而，上述显示设备可能具有如下问题：像素之间的距离随着分辨率增加而减小，因此在像素之间产生混色。
7.公开的一些实施例提供了一种具有改善的图像质量和高分辨率的显示设备。然而，应注意的是，公开的范围不限于此。
8.附加方面将在下面的描述中被部分地阐述，并且部分地将通过描述而明显，或者可以通过给出的公开的实施例的实践而获知。
9.根据公开的一个方面，显示设备包括：第一像素、第二像素和第三像素，在基底上彼此间隔开，并且被构造为发射不同的相应颜色的光；像素限定层，限定分别对应于第一像素、第二像素和第三像素的开口，并限定发射区域；第一坝部，在第一像素与第二像素之间位于像素限定层上；以及第二坝部，在第二像素与第三像素之间位于像素限定层上。
10.第一像素、第二像素和第一坝部可以在第一方向上布置，并且第二像素、第三像素和第二坝部可以在与第一方向交叉的第二方向上布置。
11.第一像素与第二像素之间的最短距离可以小于第一像素与第三像素之间的最短距离。
12.第一像素与第二像素之间的最短距离可以小于约17μm。
13.第一像素与第三像素之间的最短距离可以为约20μm至约25μm。
14.第一坝部和第二坝部可以与像素限定层一体设置，并且可以包括与像素限定层相同的材料。
15.第一坝部和第二坝部可以包括与像素限定层不同的材料。
16.显示设备还可以包括位于像素限定层上的间隔件，其中，第一坝部和第二坝部包
括与间隔件相同的材料。
17.第一坝部和第二坝部中的每个可以具有倒锥形形状。
18.第一坝部和第二坝部中的每个可以包括彼此间隔开第一距离的第一子坝和第二子坝。
19.第一距离可以为约1μm至约3μm。
20.显示设备还可以包括位于第一子坝与第二子坝之间的谷。
21.在平面图中，第一坝部和第二坝部中的每个可以具有矩形形状，第一坝部和第二坝部中的每个在长轴方向上具有约8μm至约12μm的第一宽度，并且在与长轴方向垂直的短轴方向上具有约4μm至约8μm的第二宽度。
22.像素限定层的开口中的对应一个开口与第一坝部或第二坝部之间的最短距离可以为约3μm或更小。
23.第一像素可以被构造为发射红光，第二像素可以被构造为发射绿光，并且第三像素可以被构造为发射蓝光。
24.第一像素可以包括多个第一像素，其中，第二像素包括多个第二像素，其中，第三像素包括多个第三像素，其中，多个第一像素和多个第三像素在第三方向上交替布置，并且其中，多个第二像素在与第三方向交叉的第四方向上布置。
25.第一坝部与第二坝部之间在第三方向上的最短距离可以为约3μm或更小。
26.第一坝部可以包括多个第一坝部，其中，第二坝部包括多个第二坝部，其中，在第四方向上，多个第一坝部之间的最短距离和多个第二坝部之间的最短距离中的每个为约3μm或更小。
27.第一坝部和第二坝部中的每个的高度可以为约2μm或更大。
28.在平面图中，第一坝部和第二坝部中的每个可以包括在短轴方向上突出的突出部。
29.突出部可以在短轴方向上具有约1μm至约5μm的第三宽度，并且在长轴方向上具有约1μm至约5μm的第四宽度。
30.根据公开的另一方面，显示设备包括：用于发射第一颜色的光的第一像素电极和用于发射第二颜色的光的第二像素电极，第一像素电极和第二像素电极在基底上彼此分开定位；像素限定层，限定用于分别暴露第一像素电极和第二像素电极的中心部分的第一开口和第二开口，并且限定发射区域；以及第一坝部，在第一像素电极与第二像素电极之间位于像素限定层上，其中，第一开口与第二开口之间的最短距离小于约17μm。
31.显示设备还可以包括：用于发射第三颜色的光的第三像素电极，位于基底上；以及第二坝部，在第二像素电极与第三像素电极之间位于像素限定层上，其中，像素限定层包括用于暴露第三像素电极的中心部分的第三开口，并且其中，第二开口与第三开口之间的最短距离小于约17μm。
32.第一像素电极、第一坝部和第二像素电极可以在第一方向上布置，其中，第二像素电极、第二坝部和第三像素电极在与第一方向交叉的第二方向上布置。
附图说明
33.通过以下结合附图进行的描述，公开的实施例的以上和其他方面将更明显。
34.图1是根据公开的一些实施例的显示设备的示意性透视图。
35.图2是根据公开的一些实施例的显示面板的示意性平面图。
36.图3a和图3b是根据公开的一些实施例的包括在显示设备中的像素的等效电路图。
37.图4a和图4b是根据公开的一些实施例的显示设备的像素的示意性剖视图。
38.图5是根据公开的一些实施例的显示设备的显示区域的一部分的示意性平面图。
39.图6是沿着图5的线a1
‑
a1'截取的示意性剖视图。
40.图7示出了图5的修改示例。
41.图8是根据公开的一些实施例的显示设备的显示区域的一部分的示意性平面图。
42.图9是沿着图8的线a2
‑
a2'截取的示意性剖视图。
43.图10示出了图9的修改示例。
44.图11和图12示出了图5的修改示例。
45.图13和图14是根据公开的实施例的显示设备的显示区域的一部分的示意性剖视图。
46.图15是根据公开的一些实施例的显示设备的显示区域的一部分的示意性平面图。
具体实施方式
47.通过参照实施例的具体实施方式和附图，可以更容易地理解发明构思的特征和实现其的方法。在下文中，将参照附图更详细地描述实施例。然而，所描述的实施例可以以各种不同的形式体现，并且不应被解释为仅限于这里所示出的实施例。相反，这些实施例作为示例提供，使得本公开将是彻底的和完整的，并且将向本领域技术人员充分传达本发明构思的方面和特征。因此，可以不描述本领域普通技术人员为了完全理解本发明构思的方面和特征而不必需的工艺、元件和技术。
48.除非另有说明，否则在整个附图和书面描述中，同样的附图标记、字符或它们的组合表示同样的元件，因此，将不重复其描述。此外，为了使描述清楚，可以不示出与实施例的描述无关的部分。在附图中，为了清楚，可以夸大元件、层和区域的相对尺寸。
49.这里参照作为实施例和/或中间结构的示意图的剖视图描述了各种实施例。如此，将预料到例如由制造技术和/或公差引起的图示的形状的变化。此外，出于描述根据本公开的构思的实施例的目的，这里公开的具体结构或功能描述仅仅是说明性的。因此，这里公开的实施例不应被解释为限于区域的具体示出的形状，而是将包括由例如制造导致的形状的偏差。
50.例如，示出为矩形的注入区域将通常在其边缘处具有倒圆(圆形)或弯曲特征和/或者注入浓度梯度，而不是从注入区域到非注入区域的二元变化。同样地，通过注入形成的埋入区域可以导致在埋入区域与通过其发生注入的表面之间的区域中的一些注入。因此，附图中示出的区域本质上是示意性的，并且它们的形状不意图示出装置的区域的实际形状，也不意图进行限制。另外，如本领域技术人员将认识到的，可以以各种不同的方式修改所描述的实施例，所有这些都不脱离本公开的精神或范围。
51.在具体实施方式中，出于解释的目的，阐述了许多具体细节，以提供对各种实施例的透彻理解。然而，明显的是，可以在没有这些具体细节或者具有一个或更多个等同布置的情况下来实践各种实施例。在其他情况下，为了避免使各种实施例不必要地模糊，以框图形
式示出了公知的结构和装置。
52.将理解的是，尽管这里可以使用术语“第一”、“第二”、“第三”等来描述各种元件、组件、区域、层和/或部分，但是这些元件、组件、区域、层和/或部分不应受这些术语限制。这些术语用于将一个元件、组件、区域、层或部分与另一元件、组件、区域、层或部分区分开。因此，在不脱离本公开的精神和范围的情况下，下面描述的第一元件、组件、区域、层或部分可以被命名为第二元件、组件、区域、层或部分。
53.为了易于说明，在这里可以使用诸如“在
……
之下”、“在
……
下方”、“下”、“在
……
下面”、“在
……
上方”、“上”等的空间相对术语，来描述如附图中示出的一个元件或特征与另一(其他)元件或特征的关系。将理解的是，空间相对术语意图包括装置在使用中或操作中除了附图中描绘的方位之外的不同方位。例如，如果附图中的装置被翻转，则被描述为“在”其他元件或特征“下方”或“之下”或“下面”的元件随后将被定位为“在”所述其他元件或特征“上方”。因此，示例术语“在
……
下方”和“在
……
下面”可以包括上方和下方两种方位。装置可以被另外定位(例如，旋转90度或者在其他方位处)，并且应该相应地解释这里使用的空间相对描述语。类似地，当第一部件(第一部分)被描述为布置“在”第二部件(第二部分)“上”时，这表示基于重力方向第一部件(第一部分)布置在第二部件(第二部分)的上侧或下侧处，而不限于布置在第二部件的上侧处。
54.此外，在本说明书中，短语“在平面上”或“平面图”指从顶部观看目标部分，短语“在剖面上”指从侧面观看通过竖直切割目标部分而形成的剖面。
55.将理解的是，当元件、层、区域或组件被称为“形成在”另一元件、层、区域或组件“上”、“在”另一元件、层、区域或组件“上”、“连接到”或“结合到”另一元件、层、区域或组件时，该元件、层、区域或组件可以直接形成在所述另一元件、层、区域或组件上、直接在所述另一元件、层、区域或组件上、直接连接到或直接结合到所述另一元件、层、区域或组件，或者间接形成在所述另一元件、层、区域或组件上、间接在所述另一元件、层、区域或组件上、间接连接到或间接结合到所述另一元件、层、区域或组件，使得可以存在一个或更多个中间元件、层、区域或组件。然而，“直接连接/直接结合”指一个组件直接连接或直接结合另一组件而没有中间组件。同时，可以类似地解释描述组件之间的关系的其他表达，诸如“在
……
之间”、“紧邻在
……
之间”或“相邻于”和“紧邻于”。另外，还将理解的是，当元件或层被称为“在”两个元件或层“之间”时，该元件或层可以是所述两个元件或层之间的唯一元件或层，或者也可以存在一个或更多个中间元件或层。
56.出于本公开的目的，当诸如
“……
中的至少一个(者/种)”的表达位于一列元件(要素)之后时，修饰整列元件(要素)，而不是修饰该列中的个别元件(要素)。例如，“x、y和z中的至少一个(者/种)”和“选自于由x、y和z组成的组中的至少一个(者/种)”可以被解释为仅x、仅y、仅z、x、y和z中的两个或更多个的任何组合(例如以xyz、xyy、yz和zz为例)或者它们的任何变型。类似地，诸如“a和b中的至少一个(者/种)”的表述可以包括a、b或者a和b。如这里所使用的，术语“和/或”包括相关所列项中的一个或更多个的任何组合和全部组合。例如，诸如“a和/或b”的表述可以包括a、b或者a和b。
57.在示例中，x轴、y轴和/或z轴不限于直角坐标系的三个轴，并且可以以更广泛的意义来解释。例如，x轴、y轴和z轴可以彼此垂直，或者可以表示彼此不垂直的不同方向。这同样适用于第一方向、第二方向和/或第三方向。
58.这里使用的术语是仅出于描述特定实施例的目的，而不意图限制本公开。如这里使用的，除非上下文另外清楚地指出，否则单数形式“一”、“一个(种/者)”和“所述(该)”也意图包括复数形式。还将理解的是，当在本说明书中使用术语“包含”、“具有”、“包括”以及它们的变型时，说明存在所陈述的特征、整体、步骤、操作、元件和/或组件，但是不排除存在或附加一个或更多个其他特征、整体、步骤、操作、元件、组件和/或它们的组。如这里所使用的，术语“和/或”包括相关所列项中的一个或更多个的任何组合和全部组合。
59.如这里所使用的，术语“基本上(基本)”、“大约(约)”、“近似(大致)”和类似术语用作近似术语而不用作程度术语，并且意图解释本领域普通技术人员将认识到的测量值或计算值中的固有偏差。考虑到所讨论的测量以及与特定量的测量相关的误差(即，测量系统的局限性)，如这里使用的“大约(约)”或“近似(大致)”包括所陈述的值，并表示在如由本领域普通技术人员所确定的特定值的可接受的偏差范围内。例如，“大约(约)”可以表示在一个或更多个标准偏差内，或者在所陈述的值的
±
30％、
±
20％、
±
10％、
±
5％内。此外，当描述本公开的实施例时，“可以(可)”的使用指“本公开的一个或更多个实施例”。
60.当可以不同地实施一个或更多个实施例时，可以与所描述的顺序不同地执行具体的工艺顺序。例如，可以基本上同时执行或者以与所描述的顺序相反的顺序执行两个连续描述的工艺。
61.此外，这里公开和/或陈述的任意数值范围意图包括包含在陈述的范围内的相同数值精度的所有子范围。例如，“1.0至10.0”的范围意图包括所陈述的最小值1.0与所陈述的最大值10.0之间(包括所陈述的最小值1.0和所陈述的最大值10.0)的所有子范围，即，具有等于或大于1.0的最小值和等于或小于10.0的最大值，诸如以2.4至7.6为例。这里陈述的任意最大数值界限意图包括其中包含的所有较小数值界限，本说明书中陈述的任意最小数值界限意图包括其中包含的所有较大数值界限。因此，申请人保留修改本说明书(包括权利要求书)的权利，以明确地陈述包含在这里明确陈述的范围内的任意子范围。所有这样的范围意图在本说明书中进行固有描述，使得进行修改以明确陈述的任何这样的子范围将符合要求。
62.根据这里描述的本公开的实施例的电子装置或电气装置和/或任何其他相关装置或组件可以利用任何合适的硬件、固件(例如，专用集成电路)、软件或者软件、固件和硬件的组合来实现。例如，这些装置的各种组件可以形成在一个集成电路(ic)芯片上或者形成在单独的ic芯片上。此外，这些装置的各种组件可以在柔性印刷电路膜、带载封装件(tcp)、印刷电路板(pcb)上实现，或者形成在一个基底上。
63.此外，这些装置的各种组件可以是在一个或更多个计算装置中的一个或更多个处理器上运行、执行计算机程序指令并与其他系统组件交互以执行这里描述的各种功能的进程或线程。计算机程序指令存储在存储器中，存储器可以使用标准存储器装置(诸如，以随机存取存储器(ram)为例)在计算装置中实现。计算机程序指令也可以存储在其他非暂时性计算机可读介质(诸如，以cd
‑
rom、闪存驱动器等为例)中。此外，本领域技术人员应认识到的，在不脱离本公开的实施例的精神和范围的情况下，各种计算装置的功能可以组合或集成到单个计算装置中，或者特定计算装置的功能可以遍布一个或更多个其他计算装置分布。
64.除非另有定义，否则这里所使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与本
发明构思所属领域的普通技术人员所通常理解的含义相同的含义。还将理解的是，术语(诸如通用字典中定义的术语)应该被解释为具有与其在相关领域和/或本说明书的上下文中的含义一致的含义，并且不应该以理想化或过于形式化的含义来解释，除非这里清楚地如此定义。
65.图1是根据公开的一些实施例的显示设备1的示意性透视图。
66.参照图1，显示设备1可以包括可以显示图像的显示区域da和作为未实现图像的非显示区域的外围区域pa。显示设备1可以通过使用从位于显示区域da中的像素p发射的光向外部提供图像。
67.尽管图1示出了其中显示区域da为矩形的显示设备1，但公开不限于此。显示区域da的形状可以为圆形、椭圆形或者诸如三角形或五边形的多边形。此外，尽管图1的显示设备1被示出为具有平坦形状的平板显示设备，但是显示设备1可以以各种形状实现，诸如柔性、可弯曲、可折叠或可卷曲的显示设备。当显示设备1被实现为柔性的、可弯曲的或可折叠的时，显示区域da的一部分或全部可以实现为柔性的、可弯曲的或可折叠的。
68.在其他实施例中，显示设备1可以包括位于图2中所示的显示面板10的一侧处的组件。该组件可以是被构造为使用光或声音的电子元件。例如，电子元件可以包括接收并使用光的传感器(诸如红外传感器)、通过接收光来拍摄图像的相机、通过输出并检测光或声音来测量距离和/或识别指纹的传感器、输出光的小灯或者输出声音的扬声器。
69.在下面的描述中，尽管有机发光显示设备被描述为显示设备1，但是根据公开的其他实施例的显示设备不限于此。在其他实施例中，根据公开的显示设备1可以包括无机发光显示设备、无机el显示设备或量子点发光显示设备。例如，设置在显示设备1中的显示组件的发射层可以包括有机材料或无机材料、量子点、有机材料和量子点或者无机材料和量子点。
70.图2是根据公开的一些实施例的显示面板10的示意性平面图。
71.参照图2，显示设备1可以包括位于基底100的显示区域da中的像素p。像素p可以包括显示组件，诸如有机发光二极管oled(见图3a)。像素p可以包括多个像素，并且可以通过有机发光二极管oled发射例如红色、绿色、蓝色和/或白色的光。像素p可以基本上表示子像素，并且在显示区域da中，像素p可以是形成一个单元像素的一组像素或子像素。
72.可以通过被薄膜封装层300覆盖来保护显示区域da免受外部空气或湿气的影响。薄膜封装层300可以一体设置以对应于显示区域da的整个表面，并且可以部分地位于外围区域pa中。可以提供薄膜封装层300以覆盖第一扫描驱动电路120、第二扫描驱动电路130、第一电源布线160和第二电源布线170的一部分或全部。由于有机发光二极管oled在特性上易受诸如湿气和氧的外部因素的影响，因此可以通过经由薄膜封装层300密封有机发光二极管oled来提高显示面板10的可靠性。当显示面板10包括薄膜封装层300而不是稍后描述的封装基底时，可以减小显示面板10的厚度，并且还可以改善显示面板10的柔性。
73.在其他实施例中，代替薄膜封装层300，封装基底可以设置在基底100上方。封装基底可以面对基底100，且形成在基底100上的构成元件在封装基底与基底100之间。封装基底可以经由位于外围区域pa中的密封剂与基底100紧密接触，因此可以通过从外部密封显示区域da来减少或防止显示组件(诸如有机发光二极管oled)暴露于外部空气和湿气。
74.像素p可以电连接到位于外围区域pa中的外部电路。第一扫描驱动电路120、第二
扫描驱动电路130、端口140、数据驱动电路150、第一电源布线160和第二电源布线170可以位于外围区域pa中。
75.第一扫描驱动电路120可以通过扫描线sl将扫描信号提供到每个像素p。发射控制驱动电路122可以位于第一扫描驱动电路120的一侧处。发射控制驱动电路122可以通过发射控制线el将发射控制信号提供到每个像素p。第二扫描驱动电路130可以平行于第一扫描驱动电路120，且显示区域da位于其间。位于显示区域da中的一些像素p可以电连接到第一扫描驱动电路120，而其他像素p可以电连接到第二扫描驱动电路130。在其他实施例中，可以省略第二扫描驱动电路130。
76.端口140可以位于基底100的一侧处。端口140可以被暴露(例如，可以不被绝缘层覆盖)以电连接到印刷电路板pcb。印刷电路板pcb的端口pcb
‑
p可以电连接到显示面板10的端口140。印刷电路板pcb可以将控制器的信号或电力传输到显示面板10。
77.由控制器产生的控制信号可以经由印刷电路板pcb传输到第一扫描驱动电路120和第二扫描驱动电路130。控制器可以经由第一电力传输布线161和第二电力传输布线171分别将第一电力电压elvdd(见图3a)和第二电力电压elvss(见图3a)提供到第一电源布线160和第二电源布线170。第一电力电压elvdd可以经由连接到第一电源布线160的驱动电压线pl提供到像素p的像素电极，并且第二电力电压elvss可以提供到像素p的连接到第二电源布线170的对电极。
78.数据驱动电路150可以电连接到数据线dl。数据驱动电路150的数据信号可以经由连接到端口140的信号传输布线151和连接到信号传输布线151的数据线dl提供到每个像素p。虽然图2示出了数据驱动电路150位于印刷电路板pcb上，但是在其他实施例中，数据驱动电路150可以位于基底100上。例如，数据驱动电路150可以位于端口140与第一电源布线160之间。
79.第一电源布线160可以包括第一子布线162和第二子布线163，第一子布线162和第二子布线163在x方向上彼此平行地延伸，且显示区域da位于其间。具有具备一个开口侧的部分环形形状的第二电源布线170可以部分地围绕显示区域da。
80.图3a和图3b是根据公开的一些实施例的包括在显示设备1中的像素p的等效电路图。
81.参照图3a，每个像素p可以包括连接到驱动电压线pl、扫描线sl和数据线dl的像素电路pc，并且还可以包括连接到像素电路pc的有机发光二极管oled。
82.像素电路pc可以包括驱动薄膜晶体管td、开关薄膜晶体管ts和存储电容器cst。开关薄膜晶体管ts连接到扫描线sl和数据线dl，并且响应于通过扫描线sl输入的扫描信号sn将通过数据线dl接收的数据信号dm传输到驱动薄膜晶体管td。
83.存储电容器cst连接到开关薄膜晶体管ts和驱动电压线pl，并且存储与从开关薄膜晶体管ts接收的电压和供应到驱动电压线pl的驱动电压(例如，第一电力电压elvdd)之间的差对应的电压。
84.驱动薄膜晶体管td连接在驱动电压线pl与存储电容器cst之间，并且可以响应于存储在存储电容器cst中的电压值来控制从驱动电压线pl流到有机发光二极管oled的驱动电流。由于驱动电流，有机发光二极管oled可以发射具有一定亮度的光。
85.尽管图3a示出了其中像素电路pc包括两个薄膜晶体管和一个存储电容器的情况，
但公开不限于此。在其他实施例中，如图3b中所示，像素电路pc可以包括七个薄膜晶体管和一个存储电容器。在其他实施例中，像素电路pc可以包括两个或更多个存储电容器。
86.参照图3b，像素p可以包括像素电路pc和连接到像素电路pc的有机发光二极管oled。像素电路pc可以包括多个薄膜晶体管t1
‑
t7和存储电容器cst。薄膜晶体管t1
‑
t7和存储电容器cst可以连接到信号线sl、sl
‑
1、el和dl、初始化电压线vl以及驱动电压线pl。
87.尽管图3b示出了每个像素p连接到信号线sl、sl
‑
1、el和dl、连接到初始化电压线vl以及连接到驱动电压线pl，但公开不限于此。在其他实施例中，信号线sl、sl
‑
1、el和dl、初始化电压线vl和驱动电压线pl中的至少一条可以由相邻像素共用。
88.薄膜晶体管t1
‑
t7可以包括驱动薄膜晶体管(驱动tft)t1、开关薄膜晶体管(开关tft)t2、补偿薄膜晶体管(补偿tft)t3、第一初始化薄膜晶体管(第一初始化tft)t4、操作控制薄膜晶体管(操作控制tft)t5、发射控制薄膜晶体管(发射控制tft)t6和第二初始化薄膜晶体管(第二初始化tft)t7。
89.信号线可以包括扫描线sl、前一扫描线sl
‑
1、发射控制线el和数据线dl，扫描信号sn通过扫描线sl传输到开关tft t2和补偿tft t3，前一扫描信号sn
‑
1通过前一扫描线sl
‑
1传输到第一初始化tft t4和第二初始化tft t7，发射控制信号en通过发射控制线el传输到操作控制tft t5和发射控制tft t6，数据线dl与扫描线sl交叉，并且数据信号dm通过数据线dl传输到开关tft t2。
90.第一电力电压elvdd通过驱动电压线pl传输到驱动tft t1，用于使驱动tft t1和有机发光二极管oled的像素电极初始化的初始化电压vint通过初始化电压线vl传输到第一初始化tft t4和第二初始化tft t7。
91.驱动tft t1的驱动栅电极g1连接到存储电容器cst的第一存储电容器板cst1，驱动tft t1的驱动源电极s1经由操作控制tft t5连接到驱动电压线pl，驱动tft t1的驱动漏电极d1经由发射控制tft t6电连接到有机发光二极管oled的像素电极。响应于开关tft t2的开关操作，驱动tft t1接收数据信号dm并将驱动电流i
oled
供应到有机发光二极管oled。
92.开关tft t2的开关栅电极g2连接到扫描线sl，开关tft t2的开关源电极s2连接到数据线dl，开关tft t2的开关漏电极d2连接到驱动tft t1的驱动源电极s1，并经由操作控制tft t5连接到驱动电压线pl。开关tft t2响应于通过扫描线sl接收的扫描信号sn而导通，并且执行将通过数据线dl接收的数据信号dm传输到驱动tft t1的驱动源电极s1的开关操作。
93.补偿tft t3的补偿栅电极g3连接到扫描线sl，补偿tft t3的补偿源电极s3连接到驱动tft t1的驱动漏电极d1，并经由发射控制tft t6连接到有机发光二极管oled的像素电极，补偿tft t3的补偿漏电极d3连接到存储电容器cst的第一存储电容器板cst1、第一初始化tft t4的第一初始化漏电极d4以及驱动tft t1的驱动栅电极g1。补偿tft t3响应于通过扫描线sl接收的扫描信号sn而导通，以将驱动tft t1的驱动栅电极g1电连接到驱动漏电极d1，从而使驱动tft t1二极管连接。
94.第一初始化tft t4的第一初始化栅电极g4连接到前一扫描线sl
‑
1，第一初始化tft t4的第一初始化源电极s4连接到第二初始化tft t7的第二初始化漏电极d7以及连接到初始化电压线vl，第一初始化tft t4的第一初始化漏电极d4连接到存储电容器cst的第一存储电容器板cst1、连接到补偿tft t3的补偿漏电极d3以及连接到驱动tft t1的驱动栅
电极g1。第一初始化tft t4响应于通过前一扫描线sl
‑
1接收的前一扫描信号sn
‑
1而导通，以通过将初始化电压vint传输到驱动tft t1的驱动栅电极g1来执行使驱动tft t1的驱动栅电极g1的电压初始化的初始化操作。
95.操作控制tft t5的操作控制栅电极g5连接到发射控制线el，操作控制tft t5的操作控制源电极s5连接到驱动电压线pl，操作控制tft t5的操作控制漏电极d5连接到驱动tft t1的驱动源电极s1以及连接到开关tft t2的开关漏电极d2。
96.发射控制tft t6的发射控制栅电极g6连接到发射控制线el，发射控制tft t6的发射控制源电极s6连接到驱动tft t1的驱动漏电极d1以及连接到补偿tft t3的补偿源电极s3，发射控制tft t6的发射控制漏电极d6电连接到第二初始化tft t7的第二初始化源电极s7以及连接到有机发光二极管oled的像素电极。
97.操作控制tft t5和发射控制tft t6响应于通过发射控制线el接收的发射控制信号en而并发地或基本上同时地导通，以将第一电力电压elvdd传输到有机发光二极管oled，使得驱动电流i
oled
在有机发光二极管oled中流动。
98.第二初始化tft t7的第二初始化栅电极g7连接到前一扫描线sl
‑
1，第二初始化tft t7的第二初始化源电极s7连接到发射控制tft t6的发射控制漏电极d6以及连接到有机发光二极管oled的像素电极，第二初始化tft t7的第二初始化漏电极d7连接到第一初始化tft t4的第一初始化源电极s4以及连接到初始化电压线vl。第二初始化tft t7响应于通过前一扫描线sl
‑
1接收的前一扫描信号sn
‑
1而导通，以使有机发光二极管oled的像素电极初始化。
99.尽管图3b示出了其中第一初始化tft t4和第二初始化tft t7连接到前一扫描线sl
‑
1的情况，但公开不限于此。在其他实施例中，当第一初始化tft t4连接到前一扫描线sl
‑
1并且响应于前一扫描信号sn
‑
1而被驱动时，第二初始化tft t7可以连接到单独的信号线(例如，连接到后一扫描线)，并且响应于通过信号线传输的信号(例如，后一扫描信号(sn+1))而被驱动。
100.存储电容器cst的第二存储电容器板cst2连接到驱动电压线pl，并且有机发光二极管oled的对电极连接到接收共电压(第二电力电压)elvss的信号线。因此，从驱动tft t1接收驱动电流i
oled
的有机发光二极管oled可以发光，从而显示图像。
101.尽管图3b示出了补偿tft t3和第一初始化tft t4均具有双栅电极，但是补偿tft t3和第一初始化tft t4可以各自具有一个栅电极。
102.图4a和图4b是根据公开的一些实施例的显示设备1的像素p或p'的示意性剖视图。
103.参照图4a，首先，位于显示区域da中的像素p可以包括像素电路pc，并且像素电路pc可以包括薄膜晶体管tft和存储电容器cst。图4a的薄膜晶体管tft可以是图3a的薄膜晶体管td和ts中的一个，例如，可以是驱动薄膜晶体管td。
104.像素电路层110可以包括顺序布置在基底100上的缓冲层101、栅极绝缘层103、第一层间绝缘层107和平坦化层109。
105.缓冲层101位于基底100上以减少或防止杂质的侵入，栅极绝缘层103可以设置在薄膜晶体管tft的半导体层211与栅电极213之间。第一层间绝缘层107设置在薄膜晶体管tft的栅电极213与源电极215s和漏电极215d之间，并且还通过设置在存储电容器cst的下电极217与上电极219之间而用作电介质。
106.缓冲层101、栅极绝缘层103和第一层间绝缘层107可以全部包括绝缘无机材料。例如，缓冲层101、栅极绝缘层103和第一层间绝缘层107中的每个可以包括氮化硅、氧化硅和/或氮氧化硅。
107.尽管图4a示出了其中像素电路pc的薄膜晶体管tft是顶栅型的情况，但公开不限于此。在其他实施例中，薄膜晶体管tft可以是底栅型。
108.此外，尽管图4a示出了其中存储电容器cst的下电极217和上电极219位于与栅电极213以及源电极215s和漏电极215d相同的相应层处并且包括与栅电极213以及源电极215s和漏电极215d相同的材料的情况，但公开不限于此，并且可以进行各种改变。
109.有机发光二极管oled可以包括电连接到像素电路pc的像素电极210且具有接触孔的平坦化层109位于像素电路pc与像素电极210之间、面对像素电极210的对电极230以及位于像素电极210与对电极230之间的中间层220。在一些实施例中，平坦化层109可以包括绝缘有机材料。
110.像素电极210通过设置在像素限定层240中的开口op暴露，并且像素电极210的边缘可以被包括绝缘有机材料的像素限定层240覆盖。在一些实施例中，像素电极210可以包括银(ag)、镁(mg)、铝(al)、铂(pt)、钯(pd)、金(au)、镍(ni)、钕(nd)、铱(ir)、铬(cr)和/或它们的混合物。
111.对电极230一体形成为完全覆盖显示区域da。在一些实施例中，对电极230可以包括包含ag和mg或者透明导电氧化物(tco)(诸如氧化铟锡(ito)、氧化铟锌(izo)、氧化锌(zno)、氧化铟(in2o3)、氧化铟镓(igo)和/或氧化铝锌(azo))的薄膜金属层。
112.中间层220可以包括包含发射红光、绿光和/或蓝光的荧光材料或磷光材料的有机材料，并且可以被图案化为对应于显示区域da的像素p。
113.中间层220可以包括发射层223。发射层223与像素电极210之间的第一功能层221和发射层223与对电极230之间的第二功能层222中的至少一个功能层可以设置在发射层223的相应的上部和/或下部处，并且可以在其间设置有发射层223。与在像素电极210上被图案化的发射层223不同，第一功能层221和第二功能层222可以是跨越显示区域da的整个表面形成的公共层。
114.第一功能层221可以包括例如空穴注入层(hil)和空穴传输层(htl)中的至少一个。空穴注入层(hil)可以促进空穴从阳极发射，空穴传输层(htl)可以促进空穴注入层(hil)的空穴传输到发射层223。第二功能层222可以包括电子传输层(etl)和电子注入层(eil)中的至少一个。电子注入层(eil)可以促进电子从阴极发射，电子传输层(etl)可以促进电子注入层(eil)的电子传输到发射层223。
115.薄膜封装层300位于有机发光二极管oled上。尽管图4a示出了薄膜封装层300位于显示区域da中，但是薄膜封装层300可以如图2中所示部分地位于外围区域pa中。
116.薄膜封装层300可以包括第一无机封装层310和第二无机封装层330以及有机封装层320。例如，可以通过顺序堆叠第一无机封装层310、有机封装层320和第二无机封装层330来形成薄膜封装层300。第一无机封装层310和第二无机封装层330可以包括氮化硅、氮化铝、氮化锆、氮化钛、氮化铪、氮化钽、氧化硅、氧化铝、氧化钛、氧化锡、氧化铈和氮氧化硅中的至少一种材料。第一无机封装层310和第二无机封装层330可以例如以化学气相沉积(cvd)工艺形成。
117.有机封装层320可以包括从由丙烯酸树脂、甲基丙烯酸树脂、聚异戊二烯、乙烯基树脂、环氧树脂、聚氨酯树脂、纤维素树脂和苝树脂组成的组中选择的至少一种材料。在一些实施例中，有机封装层320可以以原子层沉积(ald)工艺形成，诸如六甲基二硅氧烷(hmdso)或原硅酸四乙酯(teos)的材料在原子层沉积(ald)工艺中用作原料气体。在其他实施例中，有机封装层320可以通过沉积液体单体，然后通过使用热或诸如紫外线的光固化沉积的液体单体来形成。
118.尽管描述了其中薄膜封装层300包括两个第一无机封装层310和第二无机封装层330以及一个有机封装层320的情况，但是无机封装层和有机封装层的堆叠顺序和数量不限于此。
119.图4b的像素电路pc'在结构方面与图4a的像素电路pc不同。因为一些特征与图4a中所描述的特征相同，所以在下面的描述中，主要描述像素电路pc'的结构差异。
120.参照图4b，位于显示区域da中的像素p'可以包括像素电路pc'，像素电路pc'可以包括薄膜晶体管tft'和存储电容器cst'。图4b的薄膜晶体管tft'可以是图3b的薄膜晶体管t1
‑
t7中的一个，例如，驱动tft t1。
121.像素电路pc'可以包括薄膜晶体管tft'和存储电容器cst'。像素电路层110'可以包括顺序位于基底100上的缓冲层101'、栅极绝缘层103'、介电绝缘层105'、第二层间绝缘层107'和平坦化层109'。
122.缓冲层101'位于基底100上以减少或防止杂质的侵入。栅极绝缘层103'设置在薄膜晶体管tft'的半导体层211'与栅电极213'之间。介电绝缘层105'设置在存储电容器cst'的下电极217'与上电极219'之间。第二层间绝缘层107'设置在薄膜晶体管tft'的栅电极213'与源电极215s'和漏电极215d'之间。
123.缓冲层101'、栅极绝缘层103'、介电绝缘层105'、第二层间绝缘层107'和平坦化层109'全部可以包括绝缘无机材料。例如，缓冲层101'、栅极绝缘层103'、介电绝缘层105'、第二层间绝缘层107'和平坦化层109'中的每个可以包括氮化硅、氧化硅和/或氮氧化硅。
124.尽管图4b示出了其中薄膜晶体管tft'和存储电容器cst'定位为彼此叠置，薄膜晶体管tft'的栅电极213'用作存储电容器cst'的下电极217'的情况，但公开不限于此。
125.图5是根据公开的一些实施例的显示设备1的显示区域da的一部分的示意性平面图。图6是沿着图5的线a1
‑
a1'截取的示意性剖视图。
126.参照图5，多个像素p1、p2和p3可以位于显示区域da中。像素p1、p2和p3可以包括第一像素p1、第二像素p2和第三像素p3。尽管图5示出了像素p1、p2和p3以钻石pentile型定位，但本公开不限于此。像素p1、p2和p3可以例如以条纹型或一般pentile型定位。
127.第一像素p1、第二像素p2和第三像素p3中的每个包括多个像素，并且可以发射彼此不同颜色的光。在一些实施例中，第一像素p1可以发射红光，第二像素p2发射绿光，并且第三像素p3可以发射蓝光。在一些实施例中，用于发射红光的第一像素p1的发射面积和用于发射蓝光的第三像素p3的发射面积可以大于用于发射绿光的第二像素p2的发射面积。
128.参照图6，第一像素p1、第二像素p2和第三像素p3中的每个连接到位于基底100上的像素电路pc，并且可以包括第一像素电极210r、第二像素电极210g和第三像素电极210b。第一中间层220r、第二中间层220g和第三中间层220b可以分别位于第一像素电极210r、第二像素电极210g和第三像素电极210b上。详细地，第一功能层221和第二功能层222作为公
共层可以位于第一像素电极210r、第二像素电极210g和第三像素电极210b上，第一发射层223r、第二发射层223g和第三发射层223b可以均位于第一功能层221与第二功能层222之间。
129.参照图5，多个第一像素p1和多个第二像素p2可以在第一方向ax1上交替地定位，第一方向ax1是与x轴和y轴交叉的对角线方向。此外，多个第三像素p3和多个第二像素p2可以在第二方向ax2上交替地定位，第二方向ax2是与x轴和y轴交叉的对角线方向。第一方向ax1和第二方向ax2是彼此交叉(例如，彼此正交(垂直))的方向。
130.具有以上像素布置结构的四个像素可以以菱形形状定位。换句话说，连接一个第一像素p1、两个第二像素p2和一个第三像素p3中的最接近像素中的相应像素的虚拟线可以形成菱形形状。因此，在第一方向ax1或第二方向ax2上定位的像素之间的距离(例如，d1)小于在第三方向ax3(例如，x方向/轴)或第四方向ax4(例如，y方向/轴)上定位的像素之间的距离(例如，d1')。此外，随着显示区域da的分辨率变高，像素之间的距离逐渐减小。
131.在这种情况下，可能在其间的距离相对短的第一像素p1与第二像素p2之间以及在其间的距离相对短的第二像素p2与第三像素p3之间产生漏电流，因此在像素中的相应像素之间可能发生混色。当漏电流通过作为公共层位于像素p1、p2和p3中的有机材料层(例如，通过第一功能层221和/或第二功能层222)传输到相邻的像素时，会增大沿着第一功能层221和/或第二功能层222的电流路径。
132.因此，如图5和图6中所示，第一坝部dm1位于第一像素p1与第二像素p2之间，并且第二坝部dm2位于第二像素p2与第三像素p3之间。因此，第一像素p1与第二像素p2之间以及第二像素p2与第三像素p3之间的水平距离(例如，有机材料层的路径)增加，因此可以减小漏电流，使得可以防止像素之间的混色的发生。
133.参照图6，例如，当第一坝部dm1位于第一像素p1与第二像素p2之间时，(例如，与不具有第一坝部dm1的情况相比)水平距离(例如，有机材料层的路径)可以增加第一坝部dm1的高度h的约两倍。当(如下面描述的图9中所示的)第一坝部dm1和第二坝部dm2中的每个包括第一子坝sdm1和第二子坝sdm2时，有机材料层的路径可以增加第一坝部dm1的高度h的约四倍。此外，当(如下面描述的图10中所示的)谷v形成在第一子坝sdm1与第二子坝sdm2之间时，除了图9中所示的特征之外，有机材料层的路径可以增加谷v的深度h2的约至少两倍。当第一坝部dm1和第二坝部dm2均具有(如下面描述的图13和图14中所示的)倒锥形形状时，与图6或图9中所示的其中其剖面具有规则锥形形状的有机材料层的路径相比，有机材料层的路径可以进一步略微增加。
134.返回参照图5，在图5中所示的平面/平面图中，第一坝部dm1和第二坝部dm2可以均具有近似多边形形状。在一些实施例中，图5示出了第一坝部dm1和第二坝部dm2中的每个具有矩形形状。在其他实施例中，第一坝部dm1和第二坝部dm2的拐角可以被倒角/可以具有倒角形状。倒角形状可以在工艺期间产生，并且第一坝部dm1和第二坝部dm2的拐角可以不必具有倒角形状。
135.第一坝部dm1和第二坝部dm2中的每个可以具有在长轴方向上的第一宽度w1和在短轴方向上的第二宽度w2。在图5中，第一坝部dm1的长轴方向可以表示第一方向ax1，短轴方向可以表示第二方向ax2。此外，第二坝部dm2的长轴方向可以表示第二方向ax2，短轴方向可以表示第一方向ax1。
136.在一些实施例中，在第一坝部dm1和第二坝部dm2中，第一宽度w1可以为约8μm至约12μm，第二宽度w2可以为约4μm至约8μm。例如，第一宽度w1可以为约10μm至约11μm，第二宽度w2可以为约6μm至约7μm。参照图6，第一坝部dm1和第二坝部dm2中的每个的高度h为2μm或更大是足够的。在一些实施例中，第一坝部dm1和第二坝部dm2中的每个的高度h可以为约2μm至约3.5μm(例如，约2.5μm至约3μm)。
137.第一像素p1、第二像素p2和第一坝部dm1可以在第一方向ax1上布置，第二像素p2、第三像素p3和第二坝部dm2可以在第二方向ax2上布置。如上所述，(例如，在平面上/在平面图中)，第一像素p1与第二像素p2之间在第一方向ax1上的最短距离d1可以比第一像素p1与第三像素p3之间在第三方向ax3(例如，x方向)上的最短距离d1'短。同样地，(例如，在平面上/在平面图中)，第二像素p2与第三像素p3之间在第二方向ax2上的最短距离d1可以比第一像素p1与第三像素p3之间在第三方向ax3(例如，x方向)上的最短距离d1'短。在一些实施例中，第一像素p1与第二像素p2之间的最短距离d1和第二像素p2与第三像素p3之间的最短距离d1可以彼此相同。这里，第一像素p1与第二像素p2之间的最短距离d1和第二像素p2与第三像素p3之间的最短距离d1可以分别表示像素限定层240的开口op1与开口op2之间的最短距离和像素限定层240的开口op2与开口op3之间的最短距离。
138.因此，由于第一像素p1与第二像素p2之间以及第二像素p2与第三像素p3之间的最短距离d1比第一像素p1与第三像素p3之间的最短距离d1'短，因此通过在第一像素p1与第二像素p2之间以及在第二像素p2与第三像素p3之间分别布置第一坝部dm1和第二坝部dm2，可以增加第一像素p1与第二像素p2之间以及第二像素p2与第三像素p3之间的水平距离(例如，有机材料层的路径)。
139.在一些实施例中，第一像素p1与第二像素p2之间的最短距离d1可以小于约17μm(例如，为约15μm或更小)。此外，第一像素p1与第三像素p3之间的最短距离d1'可以为约17μm或更大(例如，约20μm至约25μm)。
140.根据实验结果，当像素之间的最短距离为约17μm或更大时，不出现由于漏电流引起的混色问题，并且当像素之间的最短距离小于约17μm时，产生由于漏电流而引起的混色问题。漏电流会通过作为公共层设置的第一功能层221和/或第二功能层222产生。在根据公开的一些实施例的显示设备1中，第一坝部dm1和第二坝部dm2位于像素限定层240上，以增加第一像素p1与第二像素p2之间的水平距离以及第二像素p2与第三像素p3之间的水平距离。因此，有机材料层的第一功能层221和/或第二功能层222所形成的路径增加，从而减小了传输到相邻像素的漏电流，并且有效地防止了像素之间的混色问题。
141.在示例中，当像素之间的最短距离被设计为约12μm时，如上所述，在像素之间产生混色问题。在这种状态下，通过在第一像素p1与第二像素p2之间布置具有约2.5μm的高度h的第一坝部dm1，有机材料层的路径可以增加约5μm。因此，在充分减小像素之间的最短距离的同时，可以通过位于像素之间的结构(例如，第一坝部dm1和第二坝部dm2)来控制像素之间的有机材料层的路径。
142.像素限定层240的各个开口op1、op2和op3和与其相邻的第一坝部dm1或第二坝部dm2之间的最短距离d2可以为3μm或更小。最短距离d2为约3μm或更小可以表示最短距离d2为约0。换句话说，第一坝部dm1或第二坝部dm2可以连续地设置，而与开口op1、op2和op3没有分离空间。然而，当最短距离d2超过约3μm时，第一坝部dm1和第二坝部dm2中的每个的第
一宽度w1相对减小，使得可能无法充分确保像素之间的水平距离(例如，有机材料层的路径)。因此，像素限定层240的开口op1、op2和op3和与其相邻的第一坝部dm1或第二坝部dm2之间的最短距离d2可以为约3μm或更小(例如，约2μm或更小)。
143.返回参照图5，第一坝部dm1与第二坝部dm2之间在第三方向ax3(例如，x方向)上或在第四方向ax4(例如，y方向)上的最短距离d3或者多个第一坝部dm1之间在第三方向ax3(例如，x方向)上或在第四方向ax4(例如，y方向)上的最短距离和多个第二坝部dm2之间在第三方向ax3(例如，x方向)上或在第四方向ax4(例如，y方向)上的最短距离中的每个可以为约3μm或更小。在这种状态下，最短距离d3为约3μm或更小可以表示最短距离d3可以为约0。换句话说，第一坝部dm1和第二坝部dm2可以设置为彼此接触。在这种情况下，像素p1、p2和p3中的每个的发射区域可以被多个相应的第一坝部dm1和第二坝部dm2完全围绕。
144.第一坝部dm1和第二坝部dm2可以包括绝缘有机材料。第一坝部dm1和第二坝部dm2可以包括与像素限定层240相同的材料，或者可以包括与像素限定层240不同的材料。在图6中，作为位于像素限定层240上的单独层的第一坝部dm1和第二坝部dm2包括与像素限定层240不同的材料。例如，第一坝部dm1和第二坝部dm2可以包括与位于像素限定层240上的间隔件相同的材料。
145.如图7中所示，第一坝部dm1和第二坝部dm2可以与像素限定层240一体设置。在这种情况下，像素限定层240以及第一坝部dm1和第二坝部dm2可以通过使用半色调掩模来形成。
146.图8是根据公开的一些实施例的显示设备1的显示区域da的一部分的示意性平面图，图9是沿着图8的线a2
‑
a2'截取的示意性剖视图。
147.图8和图9对应于图5和图6的修改示例。对应于图8和图9的实施例可以在第一坝部dm1和第二坝部dm2的结构方面与对应于图5和图6的实施例不同。由于其他元件与图5和图6中描述的元件相同，因此在下面的描述中，主要描述基于第一坝部dm1和第二坝部dm2的结构的差异。
148.第一坝部dm1和第二坝部dm2可以各自包括第一子坝sdm1和第二子坝sdm2。第一子坝sdm1和第二子坝sdm2可以具有第一宽度c1，并且可以彼此分开第一距离c2。在这种状态下，对于第一坝部dm1，第一宽度c1和第一距离c2可以分别表示在第一方向ax1上的宽度和距离，对于第二坝部dm2，第一宽度c1和第一距离c2可以分别表示在第二方向ax2上的宽度和距离。
149.在一些实施例中，第一子坝sdm1和第二子坝sdm2中的每个的第一宽度c1可以为约2μm至约5μm(例如，约3μm至约4μm)。尽管图8和图9示出了第一子坝sdm1和第二子坝sdm2具有相同的第一宽度c1，但本公开不必限于此。第一子坝sdm1的第一宽度c1和第二子坝sdm2的第一宽度c1可以彼此不同。
150.此外，第一子坝sdm1与第二子坝sdm2之间的第一距离c2可以为约3μm或更小，例如，约1μm至约3μm。当第一子坝sdm1与第二子坝sdm2之间的第一距离c2为约0时，对应于图8和图9的实施例可以与对应于图5和图6的实施例相同。
151.因为第一坝部dm1和第二坝部dm2各自包括第一子坝sdm1和第二子坝sdm2，所以显示设备1可以进一步增加像素之间的水平距离。因此，有机材料层的第一功能层221和/或第二功能层222所形成的路径增加，从而减小传输到相邻像素的漏电流，并且有效地防止像素
之间的混色问题。
152.尽管图8示出了第一坝部dm1和第二坝部dm2各自包括两个子坝sdm1和sdm2，但是在其他实施例中，第一坝部dm1和第二坝部dm2中的每个可以包括三个或更多个子坝。例如，图11示出了其中第一坝部dm1和第二坝部dm2均包括三个子坝sdm1、sdm2和sdm3的实施例，并且图12示出了其中第一坝部dm1和第二坝部dm2均包括四个子坝sdm1、sdm2、sdm3和sdm4的实施例。在图11和图12中，第一像素p1与第二像素p2之间的最短距离d1以及第一坝部dm1和第二坝部dm2的第一宽度w1和第二宽度w2可以均与对应于图5或图8的实施例中的最短距离d1以及第一宽度w1和第二宽度w2相同。
153.参照图10，还可以在第一子坝sdm1与第二子坝sdm2之间设置谷v。谷v可以具有凹进或凹槽的形状，好像像素限定层240的一部分在朝向基底100的方向上被抽出一样。谷v的深度h2可以是像素限定层240的厚度h2'的约1/2或更多，尽管本公开不必限于此。谷v的宽度w
‑
v在其最大值处可以是第一子坝sdm1与第二子坝sdm2之间的第一距离c2。
154.在根据对应于图10的实施例的显示设备1中，由于谷v设置在第一子坝sdm1与第二子坝sdm2之间，因此第一像素p1与第二像素p2之间的水平距离和第二像素p2与第三像素p3之间的水平距离可以进一步增加谷v的深度h2的约至少两倍。因此，像素之间的有机材料层的路径(例如，第一功能层221和/或第二功能层222所形成的路径)增加，因此，可以减小通过第一功能层221和/或第二功能层222传输到相邻像素的漏电流，并且可以有效地防止像素之间的混色问题。
155.图13和图14是根据公开的实施例的显示设备1的显示区域da的一部分的示意性剖视图。
156.图13和图14对应于图5和图6的修改示例。对应于图13和图14的实施例可以在第一坝部dm1和第二坝部dm2的结构方面与对应于图5和图6的实施例不同。由于其他元件与图5和图6中描述的元件相同，因此，在下面的描述中，主要描述与第一坝部dm1和第二坝部dm2的结构对应的差异。
157.参照图13，第一坝部dm1和第二坝部dm2中的每个可以具有倒锥形形状。均具有倒锥形形状的第一坝部dm1和第二坝部dm2可以表示第一坝部dm1和第二坝部dm2中的每个的剖面具有倒锥形形状，其中，在第一坝部dm1和第二坝部dm2中的每个中，上表面b的宽度大于下表面a的宽度，并且第一坝部dm1和第二坝部dm2中的每个的侧表面c与像素限定层240的上表面之间的角为超过90
°
的钝角。在这种状态下，第一坝部dm1和第二坝部dm2中的每个的下表面a可以是直接接触像素限定层240的表面。
158.因此，当第一坝部dm1和第二坝部dm2中的每个具有倒锥形形状时，可以进一步增加其间具有第一坝部dm1和第二坝部dm2的像素之间的水平距离。
159.参照图14，第一坝部dm1和第二坝部dm2可以各自包括第一子坝sdm1和第二子坝sdm2，并且第一子坝sdm1和第二子坝sdm2可以均具有倒锥形形状。与图11或图12的上述实施例相同，图14的具有倒锥形形状的第一坝部dm1和第二坝部dm2中的每个可以包括三个或更多个子坝。
160.在其他实施例中，第一功能层221和/或第二功能层222(例如，取决于根据倒锥形形状的第一坝部dm1和第二坝部dm2中的每个的侧表面c的角度)可以不位于第一坝部dm1和第二坝部dm2中的每个的侧表面c上。换句话说，由于倒锥形形状，第一功能层221和/或第二
功能层222可以在第一坝部dm1和第二坝部dm2中的每个的侧表面c中不连续或在第一坝部dm1和第二坝部dm2中的每个的侧表面c处不连续。通过以上结构，可以进一步有效地减小或防止像素之间的漏电流。
161.图15是根据公开的一些实施例的显示设备1的显示区域da的一部分的示意性平面图。
162.参照图15，在平面上，第一坝部dm1和第二坝部dm2与对应于图5的实施例的第一坝部dm1和第二坝部dm2基本上相同，并且还可以包括分别在一侧和另一侧中突出的第一突出部dm1a和第二突出部dm2a。第一坝部dm1可以包括在短轴方向上(例如，在第二方向ax2上)突出的第一突出部dm1a，并且第二坝部dm2可以包括在短轴方向上(例如，在第一方向ax1上)突出的第二突出部dm2a。
163.第一突出部dm1a和第二突出部dm2a可以均在突出方向上(例如，在短轴方向上)具有第三宽度w3，并且在长轴方向上具有第四宽度w4。例如，第三宽度w3可以为约1μm至约5μm，并且第四宽度w4可以为约1μm至约5μm。图15中的其他值w1、w2、d1、d2和d3可以与对应于图5的实施例中的值w1、w2、d1、d2和d3相同，因此省略其详细描述。
164.因此，第一坝部dm1和第二坝部dm2的形状不限于平面上的具体形状，并且可以采用能够增加第一像素p1与第二像素p2之间以及第二像素p2与第三像素p3之间的水平距离(例如，有机材料层的路径)的任何形状。
165.尽管以上主要描述了显示设备，但公开不限于此。例如，可以说制造显示设备的方法属于公开的范围。
166.根据公开的实施例，可以实现具有改善的图像质量和高分辨率的显示设备。然而，公开的范围不限于以上效果。
167.应该理解的是，这里描述的实施例应该仅以描述性含义来考虑，而不是出于限制的目的。每个实施例中的特征或方面的描述应通常被认为可用于其他实施例中的其他相似特征或方面。虽然已经参照附图描述了一个或更多个实施例，但是本领域普通技术人员将理解的是，在不脱离如由权利要求(且其功能等同物将包括在其中)限定的精神和范围的情况下，可以在其中做出形式和细节上的各种改变。