技术特征：
1.一种铁电存储器器件，包括：多层堆叠件，设置在衬底上并且包括交替堆叠的多个导电层和多个介电层；沟道层，穿透所述多个导电层和所述多个介电层；铁电层，设置在所述沟道层与所述多个导电层和所述多个介电层之间；以及多个除氧层，沿着所述多个导电层的侧壁设置，其中，所述多个除氧层将所述铁电层与所述多个导电层横向分隔开。2.根据权利要求1所述的铁电存储器器件，其中，所述导电层的端部从所述介电层的端部凹进。3.根据权利要求1所述的铁电存储器器件，其中，所述除氧层的侧壁与所述介电层的侧壁齐平。4.根据权利要求1所述的铁电存储器器件，其中，所述多个除氧层分别设置在所述多个介电层中的相邻介电层之间。5.根据权利要求1所述的铁电存储器器件，其中，所述沟道层包括氧化锌(zno)、氧化铟钨(inwo)、氧化铟镓锌(ingazno)、氧化铟锌(inzno)、氧化铟锡(ito)或它们的组合。6.根据权利要求1所述的铁电存储器器件，还包括位于所述沟道层和所述铁电层之间的界面层，并且所述界面层的氧含量大于所述沟道层的氧含量。7.根据权利要求6所述的铁电存储器器件，其中，所述铁电层连续并且垂直地延伸超出所述多个除氧层中的两个或更多个。8.一种铁电存储器器件，包括：多层堆叠件，设置在衬底上并且包括交替堆叠的多个栅电极层和多个介电层；多个介电柱，设置在所述衬底上并且穿透所述多层堆叠件；氧化物半导体层，包括第一金属元素，并且设置在所述多层堆叠件与每个所述介电柱之间；铁电层，设置在所述氧化物半导体层和所述多层堆叠件之间；以及多个除氧层，包括第二金属元素，并且所述多个除氧层中的一个设置在所述铁电层与所述多个栅电极层中的每个之间。9.根据权利要求8所述的铁电存储器器件，其中，所述铁电层连续地延伸超出所述多个除氧层中的两个或更多个。10.一种形成铁电存储器器件的方法，包括：在衬底上形成多层堆叠件，其中，所述多层堆叠件包括交替堆叠的多个介电层和多个导电层，并且具有穿透所述多个介电层和所述多个导电层的沟槽；使由所述沟槽的侧壁暴露的所述多个导电层凹进，并且因此形成多个凹槽，所述多个凹槽中的一个形成在两个相邻的介电层之间；在所述多个凹槽内分别形成多个除氧层；在所述沟槽的所述侧壁上形成铁电层，其中，所述铁电层覆盖所述除氧层的侧壁和所述介电层的侧壁；以及在所述铁电层上形成沟道层。
技术总结
铁电存储器器件包括多层堆叠件、沟道层、铁电层和除氧层。多层堆叠件设置在衬底上并且包括交替堆叠的多个导电层和多个介电层。沟道层穿透多个导电层和多个介电层。铁电层设置在沟道层与多个导电层和多个介电层之间。除氧层沿着多个导电层的侧壁设置。多个除氧层将铁电层与多个导电层横向分隔开。本发明的实施例还涉及铁电存储器器件的形成方法。涉及铁电存储器器件的形成方法。涉及铁电存储器器件的形成方法。
技术研发人员：吕俊颉 杨世海 杨柏峰 林佑明 张志宇
受保护的技术使用者：台湾积体电路制造股份有限公司
技术研发日：2021.03.10
技术公布日：2021/9/9