一种硅基oled微显示器件及其制造工艺
技术领域
1.本发明涉及于有机电致发光器件领域，尤其涉及硅基微显示屏的微透镜技术。
背景技术：
2.oled(organic light emitting，有机发光二极管)具有自发光，低功耗，全固态，视角广，高色域，响应时间短等诸多优点，被广泛应用于显示屏制造行业，被认为是极具潜力的下一代显示技术。硅基oled微显示器是一种将主动型发光oled制作在硅基cmos驱动电路基板上的一种新型显示技术，被称为下一代显示技术的黑马。硅基oled微显示器兼具体积小，重量轻，高分辨率，高亮度，高精度等优势，可广泛应用于头盔、枪瞄，夜视仪中，在ar/vr等近眼显示器的应用前景也非常广阔。
3.常规的硅基oled微显示器件结构主要包含硅基cmos驱动电路、oled发光结构，薄膜封装结构、盖板玻璃等结构；其中oled发光结构包含阳极金属材料，oled发光材料和阴极金属材料；阳极金属和阴极金属给oled发光材料提供发光所需要的驱动电压，oled发光材料发出的光透过阴极、薄膜封装和盖板玻璃，完成显示的效果。作为顶发射器件，需要阴极为透明材料，阴极给oled发光器件提供驱动电压，为确保oled发光的均一性，需要阴极材料的电阻尽可能的小。目前常用的阴极材料有ag和mg/ag合金，ag或者mg/ag合金的厚度在纳米量级时，表现为高透过率的透明材料。但是ag或者mg/ag合金，作为金属材料，仍具有部分金属特性，即较高的反射率。因此，以上结构的硅基oled微显示器件，在较强的环境光氛围下，会表现出一定的反射特性，从而影响其显示效果。
4.oled的发光层发射出的光经过多层有机材料的吸收和反射后，会产生表面等离子模态损失，波导模态损失，基低模态损失，金属损失等，oled发光层发射出的光在不同层产生的各种损失导致出光率降低，尤其是单色产品，这种现象会更加严重。鉴于上述问题，有必要提供一种新的硅基微显示屏的制备方法，以解决上述问题。
技术实现要素：
5.本发明所要解决的技术问题是实现一种硅基oled微显示器件及其制造工艺，以减少光线发生全反射的机会，降低由波导效应带来的光吸收损失，从而提高oled显示屏的显示品质。
6.为了实现上述目的，本发明采用的技术方案为：一种硅基oled微显示器件，包括硅基cmos驱动电路基板，以及依次制作在硅基cmos驱动电路基板上的发光层、薄膜封装层、盖板玻璃，还设有微透镜阵列层，所述微透镜阵列层位于薄膜封装层远离发光层一侧，或者位于薄膜封装层内作为薄膜封装层的一部分。
7.所述薄膜封装层和盖板玻璃之间还设有平坦化层和ocr层，所述ocr层接触盖板玻璃，所述薄膜封装层和发光层之间设有共阴极。
8.所述微透镜阵列的折射率n值介于1.1
‑
1.4之间。
9.所述微透镜阵列层的材料为sio、sin、氟化镁、二氧化钛、a
l2
o3中的一种或多种组
合。
10.所述微透镜阵列层为单层膜结构，或者为多层膜结构堆叠构成(微透镜阵列层是以单层或者多层减反射材料做成的)。
11.所述微透镜阵列层的厚度在50nm～200nm之间。
12.一种所述硅基oled微显示器件的制作工艺：
13.步骤1、将硅基cmos驱动电路基板清洗干净后烘干；
14.步骤2、在硅基cmos驱动电路基板上蒸镀有机材料和阴极金属材料；
15.步骤3、将蒸镀有有机材料和阴极金属材料的基板传递至薄膜封装设备，进行有机和无机薄膜封装；
16.步骤4、在薄膜封装材料表面制备微透镜阵列层；
17.步骤5、盖板玻璃封装；
18.步骤6、电路焊接。
19.本发明通过在器件薄膜封装层或远离发光层的一侧增加微透镜结构层，以减少硅基oled微显示屏的波导效应，提高显示品质。
附图说明
20.下面对本发明说明书中每幅附图表达的内容作简要说明：
21.图1为硅基oled微显示器件层结构示意图。
具体实施方式
22.下面对照附图，通过对实施例的描述，本发明的具体实施方式如所涉及的各构件的形状、构造、各部分之间的相互位置及连接关系、各部分的作用及工作原理、制造工艺及操作使用方法等，作进一步详细的说明，以帮助本领域技术人员对本发明的发明构思、技术方案有更完整、准确和深入的理解。
23.如图1所示，硅基oled微显示器件包括硅基cmos驱动电路基板，以及依次制作在硅基cmos驱动电路基板上的发光层、共阴极、薄膜封装层、平坦化层、ocr层、盖板玻璃，通过设置微透镜阵列层解决波导效应，微透镜阵列层的设置可以采用2种方案；
24.实施例1、将微透镜阵列层位于薄膜封装层远离发光层一侧，即微透镜阵列层位于薄膜封装层和平坦化层之间；
25.实施例2，微透镜阵列层位于薄膜封装层内，这样微透镜阵列层就是薄膜封装层的一部分，例如可以由两层薄膜封装层夹持微透镜阵列层构成。
26.为了达到降低硅基oled微显示屏的表面反射率的目的，微透镜阵列层的参数要求如下：
27.微透镜阵列层的n值介于1.1
‑
1.4之间；
28.微透镜阵列层的材料为sio、sin、氟化镁、二氧化钛、a
l2
o3中的一种或多种组合；
29.微透镜阵列层为单层膜结构，或者为多层膜结构堆叠构成；
30.微透镜阵列层的厚度在50nm～200nm之间；
31.这样能够在目前已有的硅基oled微显示屏制造过程中，仅增加一道制程工艺，具有工艺简单，增加一层微透镜阵列层，解决波导效应，明显提升性能等特点。
32.上述硅基oled微显示器件的制作工艺：
33.步骤1、将硅基cmos驱动电路基板清洗干净后烘干；
34.步骤2、在硅基cmos驱动电路基板上蒸镀有机材料和阴极金属材料；
35.步骤3、将蒸镀有有机材料和阴极金属材料的基板传递至薄膜封装设备，进行有机和无机薄膜封装；
36.步骤4、在薄膜封装材料表面采用cvd方法制备微透镜阵列层；
37.步骤5、盖板玻璃封装；
38.步骤6、电路焊接。
39.上面结合附图对本发明进行了示例性描述，显然本发明具体实现并不受上述方式的限制，只要采用了本发明的方法构思和技术方案进行的各种非实质性的改进，或未经改进将本发明的构思和技术方案直接应用于其它场合的，均在本发明的保护范围之内。
技术特征：
1.一种硅基oled微显示器件，包括硅基cmos驱动电路基板，以及依次制作在硅基cmos驱动电路基板上的发光层、薄膜封装层、盖板玻璃，其特征在于：还设有微透镜阵列层，所述微透镜阵列层位于薄膜封装层远离发光层一侧，或者位于薄膜封装层内作为薄膜封装层的一部分。2.根据权利要求1所述的硅基oled微显示器件，其特征在于：所述薄膜封装层和盖板玻璃之间还设有平坦化层和ocr层，所述ocr层接触盖板玻璃，所述薄膜封装层和发光层之间设有共阴极。3.根据权利要求1或2所述的硅基oled微显示器件，其特征在于：所述微透镜阵列的折射率n值介于1.1
‑
1.4之间。4.根据权利要求3所述的硅基oled微显示器件，其特征在于：所述微透镜阵列层的材料为sio、sin、氟化镁、二氧化钛、a
l2
o3中的一种或多种组合。5.根据权利要求4所述的硅基oled微显示器件，其特征在于：所述微透镜阵列层为单层膜结构，或者为多层膜结构堆叠构成。6.根据权利要求5所述的硅基oled微显示器件，其特征在于：所述微透镜阵列层的厚度在50nm～200nm之间。7.一种如权利要求1
‑
6中任一所述硅基oled微显示器件的制作工艺，其特征在于：步骤1、将硅基cmos驱动电路基板清洗干净后烘干；步骤2、在硅基cmos驱动电路基板上蒸镀有机材料和阴极金属材料；步骤3、将蒸镀有有机材料和阴极金属材料的基板传递至薄膜封装设备，进行有机和无机薄膜封装；步骤4、在薄膜封装材料表面制备微透镜阵列层；步骤5、盖板玻璃封装；步骤6、电路焊接。
技术总结
本发明揭示了一种硅基OLED微显示器件，主要采用图案化的微透镜阵列，作为OLED器件封装层的一部分或者在远离发光层的一侧制备微透镜阵列，以达到降低硅基OLED微显示屏的表面反射率的目的。本发明在目前已有的硅基OLED微显示屏制造过程中，仅增加一道制程工艺，具有工艺简单，可明显提升性能等特点。可明显提升性能等特点。可明显提升性能等特点。
技术研发人员：孟庆玲
受保护的技术使用者：安徽熙泰智能科技有限公司
技术研发日：2021.06.10
技术公布日：2021/9/9