显示器和用于制造显示器的方法与流程

文档序号:33507357发布日期:2023-03-18 04:14阅读:来源:国知局

技术特征:
1.一种显示器(1),包括:-显示衬底(10);-多个像素(11);-多个发光显示子像素,每个发光显示子像素包括微型发光二极管micro-led(12),并且被配置为发射用于形成显示图像的一部分的光;-多个光捕获子像素,每个光捕获子像素包括微型光电二极管(13),并且被配置为接收由所述发光显示子像素的至少一部分发射并通过反射返回的光,其中,-所述多个发光显示子像素和所述多个光捕获子像素设置在显示衬底(10)的表面上;-所述多个发光显示子像素和所述多个光捕获子像素形成分布在显示衬底(10)的活动显示区域上的像素(11);和-所述像素(11)的至少一部分包括光捕获子像素和至少一个发光显示子像素。2.根据权利要求1所述的显示器(1),其中,所述像素(11)以二维阵列设置在所述活动显示区域内。3.根据权利要求1或2所述的显示器(1),其中,所述多个发光显示子像素包括红外发射显示子像素,其中,每个红外发射显示子像素包括红外发射器(14),例如红外micro-led或垂直腔表面发射激光器vcsel。4.根据权利要求1至3之一所述的显示器(1),其中,所述多个光捕获子像素包括红外捕获显示子像素,其中,每个红外捕获子像素都包括红外检测器,例如红外微型光电二极管或谐振腔光电检测器。5.根据权利要求1至4之一所述的显示器(1),其中,所述micro-led(12)包括led基层(12a)和设置在所述led基层(12a)上的发射层(12c)。6.根据权利要求1至5之一所述的显示器(1),其中,所述微型光电二极管(13)包括吸收层(13b)和设置在所述吸收层(13b)上的电接触件(13a)。7.根据权利要求1至6之一所述的显示器(1),其中,所述micro-led(12)和所述微型光电二极管(13)的占用面积小于0.1mm2,特别是小于100μm2。8.根据权利要求1至7之一所述的显示器(1),其中,所述显示衬底(10)是柔性衬底,特别是聚酰亚胺衬底。9.根据权利要求1至8之一所述的显示器(1),还包括另一显示衬底(15),所述另一显示衬底(15)基本上平行于所述显示衬底(10)并且设置在所述显示器(1)的一侧上,特别是发射侧上。10.根据权利要求1至9之一所述的显示器(1),还包括孔径结构(23),所述孔径结构(23)设置在所述显示器(1)的发射侧上的所述发光显示子像素和光捕获子像素的至少一部分上方。11.根据权利要求1至10之一所述的显示器(1),还包括透镜结构,所述透镜结构设置在所述显示器(1)的发射侧上的所述发光显示(1)子像素和光捕获子像素的至少一部分上方。12.根据权利要求1至11之一所述的显示器(1),其中,所述多个发光显示子像素和所述多个光捕获子像素被配置为由收发器元件(4)驱动,特别是由单个收发器元件驱动。13.根据权利要求1至12之一所述的显示器(1),其中,所述多个发光显示子像素和所述多个光捕获子像素被配置为以同步方式驱动。
14.根据权利要求1至13之一所述的显示器(1),其中,所述micro-led(12)的占用面积相当于所述微型光电二极管(13)的占用面积的80%至120%。15.一种用于制造显示器(1)的方法,所述方法包括:-提供显示衬底(10);-通过在所述显示衬底(10)的表面上设置多个微型发光二极管micro-led(12)来形成发光显示子像素;和-通过在所述显示衬底(10)的表面上设置所述多个微型光电二极管(13)来形成光捕获子像素;其中-所述多个发光显示子像素和所述多个光捕获子像素形成分布在显示衬底(10)的活动显示区域上的像素(11);和-所述像素(11)的至少一部分包括光捕获子像素和至少一个发光显示子像素。16.根据权利要求15所述的方法,其中,-形成所述发光显示子像素包括:-在供体衬底上形成所述多个micro-led(12);和-通过质量转移将所述多个micro-led(12)从所述供体衬底转移到显示衬底(10)的表面;并且-形成所述光捕获子像素包括:-在另一供体衬底上形成所述多个微型光电二极管(13);和-通过质量转移将所述多个微型光电二极管(13)从所述另一供体衬底转移到显示衬底(10)的表面。

技术总结
一种显示器,包括具有表面的显示衬底(10),通过在显示衬底的表面上设置多个发光显示子像素和多个光捕获子像素,在显示衬底上形成像素。每个发光显示子像素包括micro-LED(12),每个光捕获子像素包括微型光电二极管(13)。像素(11)分布在显示衬底(10)的活动显示区域上。像素(11)的至少一部分包括光捕获子像素和至少一个发光显示子像素。素和至少一个发光显示子像素。素和至少一个发光显示子像素。


技术研发人员:延斯
受保护的技术使用者:AMS国际有限公司
技术研发日:2021.08.12
技术公布日:2023/3/17
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