技术特征：
1.一种用于降低刻蚀工艺掉片率的装置，其特征在于，包括通气控制器和陶瓷遮挡盘；所述通气控制器一端用于连接进气管道，另一端用于连接刻蚀设备的通气管路，所述陶瓷遮挡盘设置于所述刻蚀设备的下电极基座上；所述通气控制器用于在刻蚀完成后，向所述刻蚀设备内通入气体，使晶圆片浮起和下落，以消除刻蚀完成后晶圆片上的残余静电力粘片效应；所述陶瓷遮挡盘用于限制所述晶圆片浮起过程中所述晶圆片的移动范围。2.如权利要求1所述的用于降低刻蚀工艺掉片率的装置，其特征在于，所述通气控制器包括第一继电器、第二继电器、第三继电器、按钮开关、电磁截止阀和真空表；所述第一继电器、所述第二继电器、所述第三继电器和所述按钮开关用于形成所述通气控制器的控制回路；所述真空表用于检测所述刻蚀设备的通气管路处的实时真空值并将所述实时真空值上传给所述通气控制器的控制回路；所述电磁截止阀设置在所述进气管道上，所述通气控制器的控制回路根据所述实时真空值控制所述电磁截止阀，以实现控制所述通气控制器进气管道开闭。3.如权利要求2所述的用于降低刻蚀工艺掉片率的装置，其特征在于，所述通气控制器还包括质量流量控制器；所述电磁截止阀连接所述通气控制器进气管道，所述质量流量控制器连接所述电磁截止阀，所述真空表设置于所述质量流量控制器出口，所述质量流量控制器连接所述刻蚀设备的通气管路；所述质量流量控制器用于调节所述通气控制器进气管道开启时的气体流量。4.如权利要求2所述的用于降低刻蚀工艺掉片率的装置，其特征在于，所述通气控制器还包括针阀，所述针阀设置于所述通气控制器进气管道上，用于控制所述通气控制器进气管道的进气量大小。5.如权利要求4所述的用于降低刻蚀工艺掉片率的装置，其特征在于，所述真空表串联所述第一继电器的线圈。6.如权利要求4所述的用于降低刻蚀工艺掉片率的装置，其特征在于，所述电磁截止阀串联所述第一继电器的常闭触点，所述第二继电器的常开触点和所述第三继电器的延时断开常闭触点。7.如权利要求4所述的用于降低刻蚀工艺掉片率的装置，其特征在于，所述第二继电器的常开触点并联所述按钮开关后串联所述第二继电器的线圈、所述第三继电器的延时断开常闭触点和所述第一继电器的常闭触点；所述第三继电器的线圈串联所述第二继电器的常开触点。8.如权利要求1所述的用于降低刻蚀工艺掉片率的装置，其特征在于，所述陶瓷遮挡盘上设置有限位销，所述限位销位于所述陶瓷遮挡盘上表面距内圆周边缘一定距离处，所述限位销用于限制晶圆片的移动范围。9.一种用于降低刻蚀工艺掉片率的方法，适用于如权利要求1-8中任一项所述的用于降低刻蚀工艺掉片率的装置，其特征在于，包括：通过所述通气控制器检测所述刻蚀设备通气管路内实时真空值，当所述实时真空值大于第一预设值时，对所述刻蚀设备进行真空抽取操作，当所述真空值小于所述第一预设值时，向所述刻蚀设备通气管路内通入气体，使晶圆片浮起；
通过所述陶瓷遮挡盘限制浮起的所述晶圆片位置不偏移出预设区域；通过所述通气控制器检测到所述实时真空值大于所述第一预设值后，停止通气，使晶圆片落下。10.一种刻蚀装置，其特征在于，包括刻蚀设备和如权利要求1-8任一项所述的用于降低刻蚀工艺掉片率的装置；所述刻蚀设备用于对晶圆片进行刻蚀，所述用于降低刻蚀工艺掉片率的装置用于在刻蚀工艺完成后消除晶圆片上的残余静电力粘片效应使得晶圆片能够稳定移出所述刻蚀设备。
技术总结
本发明涉及半导体深硅刻蚀技术领域，公开了一种用于降低刻蚀工艺掉片率的方法、装置和刻蚀装置，用于降低刻蚀工艺掉片率的装置包括通气控制器和陶瓷遮挡盘；通气控制器一端用于连接进气管道，另一端用于连接刻蚀设备的通气管路，陶瓷遮挡盘设置于刻蚀设备的下电极基座上；通气控制器用于在刻蚀完成后，向刻蚀设备内通入气体，使晶圆片浮起和下落，以消除刻蚀完成后晶圆片上的残余静电力粘片效应；陶瓷遮挡盘用于限制晶圆片浮起过程中晶圆片的移动范围。本发明提供的用于降低刻蚀工艺掉片率的装置，通过陶瓷遮挡盘和通气控制器的共同使用，消除了刻蚀工艺完成后晶圆片上的残余静电力粘片效应，解决了现有刻蚀工艺中晶圆片掉片率高的问题。率高的问题。率高的问题。
技术研发人员：吴海 任泽生 王利芹 王露寒 程壹涛 刘成群 吴爱华 赵英伟 王峻澎
受保护的技术使用者：中国电子科技集团公司第十三研究所
技术研发日：2022.03.31
技术公布日：2022/8/5