防护晶圆片刻蚀损伤的装置及方法与流程

文档序号:31053781发布日期:2022-08-06 09:57阅读:50来源:国知局
防护晶圆片刻蚀损伤的装置及方法与流程

1.本发明涉及半导体加工工艺技术领域,尤其涉及一种防护晶圆片刻蚀损伤的装置及方法。


背景技术:

2.如附图1所示,一种电感耦合深硅刻蚀系统是采用bosch工艺原理,它是以c4f8作为钝化聚合物产生剂,sf6作为刻蚀剂。在钝化过程中反应腔室里通入c4f8气体,等离子体离化后产生的聚合物沉积在待刻蚀硅片表面,该过程具有高度的各向同性,因此会在硅片的表面和结构深槽内都均匀地覆盖一层聚合物保护膜。在随后的刻蚀过程中反应腔室内气体转换成sf6并离化具备反应活性,等离子体在顶端产生后受下电极影响离子发生定向移动,设备周围加入磁场束缚带电离子、自由基的运动方向,从而保证良好的方向性和均匀性,实现各向异性刻蚀。通过淀积保护和刻蚀的相互交替以达到高深宽比的深硅刻蚀。
3.传片和加工工作流程:如附图1所示,晶圆片109首先放置在机械手101载片装置上,当loadlock腔102(预真空室)与工艺腔体106真空度匹配后,打开隔离阀103,机械手101将载片装置上晶圆片109传送至顶针111正上方后,顶针111升起将晶圆片109从载片装置上顶起,此时晶圆片109高于载片装置,机械手101退回loadlock腔102,关闭隔离阀103,顶针111下降至esc110(electrostatic chuck,静电吸盘)上表面以下,将晶圆片109放置在esc110上,esc110加载直流
±
6kv伏电压吸附晶圆片109,通入工艺气体稳定后,开启射频源104射频起辉并通入氦气,产生的等离子体在偏压射频115以及电感耦合线圈107(电感耦合线圈107周围设有陶瓷腔108进行防护)作用下垂直向下轰击在图中晶圆片109上进行刻蚀,晶圆片109厚度大约250~400微米,在刻蚀通孔的过程中,晶圆片109通孔尺寸较大时需在晶圆片109背面贴膜后放置在esc110上,这样在工艺过程中才能保证晶圆片109背面通入he冷却时维持在一定的压力范围内,满足晶圆片109冷却要求。
4.现有技术工艺过程中存在的问题:等离子在刻蚀过程中直接向下轰击在图中晶圆片109上,在深硅刻蚀通孔的过程中,晶圆片109的圆周向圆心方向30微米的边缘部分被等离子轰击形成众多缺口或者孔洞,而边缘部分正是镊子夹持部分,由于缺口或者孔洞在被镊子夹持时极其容易碎裂,导致整个晶圆片109的报废,并且后续加工工艺中由于晶圆片109边缘部分的缺陷导致加工裂片或者加工效果变差,废品率升高,良品率降低。现有深硅刻蚀设备多采用静电卡盘吸附方式,静电卡盘吸附方式刻蚀通孔过程中由于缺少晶圆片109圆周边缘防护,导致刻蚀过程中等离子轰击晶圆片109边缘损伤形成众多缺口或孔洞,影响后续工艺加工。
5.基于此,需要开发设计出一种防护晶圆片刻蚀损伤的装置。


技术实现要素:

6.本发明实施方式提供了一种防护晶圆片刻蚀损伤的装置及方法,用于解决现有技术中等离子在刻蚀过程中直接向下轰击晶圆片,在晶圆片的圆周向圆心方向边缘部分被等
离子轰击形成众多缺口或者孔洞的问题。
7.第一方面,本发明实施方式提供了一种防护晶圆片刻蚀损伤的装置,包括:
8.屏蔽环以及陶瓷环;
9.所述屏蔽环的内径小于晶圆片的直径,所述屏蔽环内径的上部为楔面,所述屏蔽环的侧面设有孔;
10.所述陶瓷环的内圈与所述屏蔽环的外圈相适配,当对所述晶圆片在进行轰击时,所述屏蔽环设置于所述陶瓷环的上方,所述屏蔽环与所述晶圆片设有缝隙,所述陶瓷环上表面低于所述晶圆片的下表面。
11.在一种可能实现的方式中,所述陶瓷环上表面设有凹槽,所述凹槽与所述屏蔽环的外圈形状相同,当对所述晶圆片在进行轰击时,所述陶瓷环通过所述凹槽承托所述屏蔽环。
12.在一种可能实现的方式中,还包括载片环,所述载片环整体呈开口环状,所述载片环内圈小于所述晶圆片的外圈以及所述屏蔽环的外圈;
13.当将所述晶圆片送入轰击晶圆片的设备中时,所述晶圆片设置于所述载片环内圈,所述屏蔽环设置于所述晶圆片的上方。
14.在一种可能实现的方式中,所述载片环设有插指,当将所述晶圆片送入轰击晶圆片的设备中时,由所述插指承托所述晶圆片。
15.在一种可能实现的方式中,所述载片环上表面设有孔,所述载片环通过孔与用于传送晶圆片的设备进行连接。
16.在一种可能实现的方式中,所述载片环设有用于承托所述晶圆片的第一槽以及用于承托所述屏蔽环的第二槽;所述第一槽与所述第二槽构成阶梯状。
17.第二方面,本发明实施方式提供了一种防护晶圆片刻蚀损伤的方法,应用于晶圆片刻蚀设备中,所述晶圆片刻蚀设备设有如第一方面所述的防护晶圆片刻蚀损伤的装置,所述方法包括:
18.输出传入指令,所述传入指令用于指示传送装置将屏蔽环以及晶圆片送入所述刻蚀腔中,其中,所述屏蔽环位于所述晶圆片的上方;
19.输出顶起指令,所述顶起指令用于指示将所述晶圆片顶起以及将所述传送装置退出所述刻蚀腔;
20.输出刻蚀指令,所述刻蚀指令用于指示将所述晶圆片落下,放置于所述刻蚀设备的esc上,对所述晶圆片进行刻蚀,其中,所述陶瓷环位于所述晶圆片的下方,所述陶瓷环上表面低于所述esc的上表面,所述屏蔽环通过所述陶瓷环的凹槽承托;
21.输出传出指令,所述传出指令用于指示将所述晶圆片顶起,通过所述传送装置将所述屏蔽环以及所述晶圆片传出所述刻蚀腔。
22.在一种可能实现的方式中,所述传送装置安装有所述载片环,所述载片环的开口方向与所述传送装置送入方向相同;所述陶瓷环设置于所述刻蚀腔中。
23.第三方面,本发明实施方式提供了一种终端,包括存储器以及处理器,所述存储器中存储有可在所述处理器上运行的计算机程序,所述处理器执行所述计算机程序时实现如上第二方面或第二方面的任一种可能的实现方式所述方法的步骤。
24.第四方面,本发明实施方式提供了一种计算机可读存储介质,所述计算机可读存
储介质存储有计算机程序,所述计算机程序被处理器执行时实现如上第二方面或第二方面的任一种可能的实现方式所述方法的步骤。
25.本发明实施方式与现有技术相比存在的有益效果是:
26.本发明实施方式公开了的一种防护晶圆片刻蚀损伤的装置,本发明防护晶圆片刻蚀损伤的装置的实施方式中,包括有屏蔽环以及陶瓷环,屏蔽环上表面楔面设计,降低了反射功率以及刻蚀均匀性的影响。在屏蔽环的侧面设有孔,可以通过孔排出晶圆片上表面在刻蚀过程中产生的热量,避免晶圆片表面光刻胶因热量不及时散出导致的变形、开裂或者褶皱。通过适配陶瓷环与晶圆片的高度,使得在屏蔽环与晶圆片之间存有宽度合理的间隙,以保证较佳的防护效果。
27.在陶瓷环上设有凹槽,通过凹槽限位屏蔽环,防止屏蔽环在陶瓷环上发生移动,影响保护效果。
28.屏蔽环与晶圆片通过开口状的载片环传入或传出工艺腔体,载片环设有插指,还设有分别承托晶圆片以及屏蔽环的槽,因此,传入或传出工艺腔体时,更稳固。
29.本发明实施方式还提供了一种防护晶圆片刻蚀损伤的方法,该方法屏蔽环仅在晶圆片加工时随晶圆片一起进出反应腔体,大大降低长期置于腔体内的保护装置的材料和结构对设备、工艺的影响。
附图说明
30.为了更清楚地说明本发明实施方式中的技术方案,下面将对实施方式或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施方式,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动性的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
31.图1是现有技术中电感耦合深硅刻蚀系统原理图;
32.图2是本发明实施方式提供的屏蔽环立体图;
33.图3是本发明实施方式提供的陶瓷环立体图;
34.图4是本发明实施方式提供的载片环立体图;
35.图5是本发明实施方式提供的将载片环、晶圆片以及屏蔽环放置到loadlock腔内时的原理图;
36.图6是本发明实施方式提供的晶圆片以及屏蔽环被顶针顶起的原理图;
37.图7是本发明实施方式提供的顶针下降后,晶圆片以及屏蔽环在工艺腔体内的原理图;
38.图8是本发明实施方式提供的顶针下降后,晶圆片、屏蔽环取回到loadlock腔体内的原理图;
39.图9是本发明实施方式提供的防护晶圆片刻蚀损伤的方法的流程图;
40.图10是本发明实施方式提供的终端功能框图。
41.图中:
42.101 机械手;
43.102 loadlock腔;
44.103 隔离阀;
45.104 射频源;
46.105 下电极基座;
47.106 工艺腔体;
48.107 电感耦合线圈;
49.108 陶瓷腔;
50.109 晶圆片;
51.110 esc;
52.111 顶针;
53.112 陶瓷环;
54.114 气缸;
55.115 偏压射频;
56.116 屏蔽环;
57.117 载片环;
58.201 楔面;
59.202 插指;
60.203 第一槽;
61.204 第二槽。
具体实施方式
62.以下描述中,为了说明而不是为了限定,提出了诸如特定系统结构、技术之类的具体细节,以便透彻理解本发明实施方式。然而,本领域的技术人员应当清楚,在没有这些具体细节的其它实施方式中也可以实现本发明。在其它情况中,省略对众所周知的系统、装置以及方法的详细说明,以免不必要的细节妨碍本发明的描述。
63.为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚,下面将结合附图通过具体实施方式来进行说明。
64.下面对本发明的实施例作详细说明,本实例在以本发明技术方案为前提下进行实施,给出了详细的实施方式和具体的操作过程,但本发明的保护范围不限于下述的实施例。
65.图2为本发明实施方式提供的屏蔽环116立体图;
66.图3为本发明实施方式提供的陶瓷环112立体图。
67.一种防护晶圆片刻蚀损伤的装置,包括:屏蔽环116以及陶瓷环112;
68.所述屏蔽环116的内径小于晶圆片109的直径,所述屏蔽环116内径的上部为楔面201,所述屏蔽环116的侧面设有孔;
69.所述陶瓷环112的内圈与所述屏蔽环116的外圈相适配,当对所述晶圆片109在进行轰击时,所述屏蔽环116设置于所述陶瓷环112的上方,所述屏蔽环116与所述晶圆片109设有缝隙,所述陶瓷环112上表面低于所述晶圆片109的下表面。
70.在一些实施方式中,所述陶瓷环112上表面设有凹槽,所述凹槽与所述屏蔽环116的外圈形状相同,当对所述晶圆片109在进行轰击时,所述陶瓷环112通过所述凹槽承托所述屏蔽环116。
71.示例性地,屏蔽环116是用于对晶圆片109上表面的边缘进行防护的装置,在通过
上方的等离子进行轰击晶圆片109上表面时,屏蔽环116起到隔离等离子轰击的作用。一种应用场景中,根据等离子轰击晶圆片109边缘损伤程度确定屏蔽环116遮挡晶圆片109为1.5mm宽即可满足要求,为了降低反射功率及刻蚀均匀性影响,遮挡部分设计成上部楔面201结构,下部平面结构。
72.等离子轰击刻蚀过程产生大量热量,因此遮挡部分不能直接覆盖在晶圆片109上表面,热量不及时散掉会导致晶圆片109表面光刻胶褶皱变形、开裂,直接导致产品不合格,在一种应用场景中,屏蔽环116设计的遮挡下表面与晶圆片109上表面相距3mm高度。
73.上述的间距通过将屏蔽环116放置在陶瓷环112上,由于圆周方向无散热结构影响晶圆片109散热速率,因此一种屏蔽环116中设有利于散热的陶瓷多爪支撑、中间镂空结构,也即开有孔。
74.如上所述,陶瓷环112用于支撑屏蔽环116,此外,陶瓷环112另一个作用是保护铝制下电极(图1中的下电极基座105)在等离子轰击时不受损伤,根据铝制下电极外形尺寸设计陶瓷环112外径尺寸,中心孔形状和尺寸同esc110相匹配,上表面设有的凹槽是为了顶针111下降后屏蔽环116放置于凹槽,防止屏蔽环116在陶瓷环112上发生移动,影响保护效果。
75.在一些实施方式中,防护晶圆片刻蚀损伤的装置还包括载片环117,所述载片环117整体呈开口环状,所述载片环117内圈小于所述晶圆片109的外圈以及所述屏蔽环116的外圈;
76.当将所述晶圆片109送入轰击晶圆片的设备中时,所述晶圆片109设置于所述载片环117内圈,所述屏蔽环116设置于所述晶圆片109的上方。
77.在一些实施方式中,所述载片环117设有插指202,当将所述晶圆片109送入轰击晶圆片的设备中时,由所述插指202承托所述晶圆片109。
78.在一些实施方式中,所述载片环117上表面设有孔,所述载片环117通过孔与用于传送晶圆片的设备进行连接。
79.在一些实施方式中,所述载片环117设有用于承托所述晶圆片109的第一槽203以及用于承托所述屏蔽环116的第二槽204;所述第一槽203与所述第二槽204构成阶梯状。
80.示例性地,本发明实施方式中,陶瓷环112通常设置于工艺腔体106内,而屏蔽环116与晶圆片109一起进入或传出工艺腔体106。
81.一种特殊设计的载片环117用于与机械手101连接,用于将晶圆片109以及屏蔽环116从工艺腔体106传出至loadlock腔102,或者将晶圆片109以及屏蔽环116从loadlock腔102传入至统一腔体。
82.如图4所示,这种载片环117为开口的环状,一种应用场景中,外轮廓为英文字母c状。载片环117与机械手101连接,其上表面用于承托屏蔽环116和晶圆片109,在传入或传出屏蔽环116和晶圆片109时,开口环可以避免不必要的干涉问题。
83.在一些应用场景中,载片环117设有插指202,如我们所知,晶圆片109的重心应当落在载片环117可以支撑部分,而设有插指202的载片环117很显然与晶圆片109接触点更多,承托更稳妥,减少产生因倾斜、重心不稳导致的晶圆片109从载片环117上掉落的可能。
84.在载片环117的承托部位设有两道阶梯状的槽,较小的一个槽位于下方,用于限制住晶圆片109的位置,而较大的一个槽位于上方,用于限制住屏蔽环116的位置。
85.在载片环117与机械手101相应的部位设有连接孔,用于将载片环117与机械手101
连接在一起。
86.本发明防护晶圆片刻蚀损伤的装置的实施方式中,包括有屏蔽环116以及陶瓷环112,屏蔽环116上表面楔面201设计,降低了反射功率以及刻蚀均匀性的影响。在屏蔽环116的侧面设有孔,可以通过孔排出晶圆片109上表面在刻蚀过程中产生的热量,避免晶圆片109表面光刻胶因热量不及时散出导致的变形、开裂或者褶皱。通过适配陶瓷环112与晶圆片109的高度,使得在屏蔽环116与晶圆片109之间存有宽度合理的间隙,以保证较佳的防护效果。
87.在陶瓷环112上设有凹槽,通过凹槽限位屏蔽环116,防止屏蔽环116在陶瓷环112上发生移动,影响保护效果。
88.屏蔽环116与晶圆片109通过开口状的载片环117传入或传出工艺腔体106,载片环117设有插指202,还设有分别承托晶圆片109以及屏蔽环116的槽,因此,传入或传出工艺腔体106时,更稳固。
89.图5-8分别示出了将屏蔽环116、晶圆片109、载片环117以及陶瓷环112在晶圆片刻蚀设备中各工作步骤的原理图。
90.图9示出了防护晶圆片刻蚀损伤的方法的流程图。
91.如图5-9所示,本发明实施方式提供了一种防护晶圆片刻蚀损伤的方法,应用于晶圆片刻蚀设备中,所述晶圆片刻蚀设备设有如前所述的防护晶圆片刻蚀损伤的装置,所述方法包括:
92.步骤901,输出传入指令,所述传入指令用于指示传送装置将屏蔽环116以及晶圆片109送入所述刻蚀腔中,其中,所述屏蔽环116位于所述晶圆片109的上方;
93.步骤902,输出顶起指令,所述顶起指令用于指示将所述晶圆片109顶起以及将所述传送装置退出所述刻蚀腔;
94.步骤903,输出刻蚀指令,所述刻蚀指令用于指示将所述晶圆片109落下,放置于所述刻蚀设备的esc110上,对所述晶圆片109进行刻蚀,其中,所述陶瓷环112位于所述晶圆片109的下方,所述陶瓷环112上表面低于所述esc110的上表面,所述屏蔽环116通过所述陶瓷环112的凹槽承托;
95.步骤904,输出传出指令,所述传出指令用于指示将所述晶圆片109顶起,通过所述传送装置将所述屏蔽环116以及所述晶圆片109传出所述刻蚀腔
96.在一种可能实现的方式中,所述传送装置安装有所述载片环117,所述载片环117的开口方向与所述传送装置送入方向相同;所述陶瓷环112设置于所述刻蚀腔中。
97.示例性地,在一种应用场景中,刻蚀步骤如下:
98.1)如图5所示,打开loadlock腔102盖图中未示出,在机械手101上安装载片环117,该载片环117能够同时盛放晶圆片109和屏蔽环116;
99.2)在载片环117上放置晶圆片109以及屏蔽环116;
100.3)机械手101通过loadlock腔102的载片环117将晶圆片109以及屏蔽环116传送至工艺腔体106的esc110正上方;
101.4)如图6所示,顶针111从氦气喷射孔升起顶起晶圆片109及屏蔽环116至脱离机械手101,机械手101退回loadlock腔102;如图7所示,顶针111下降,晶圆片109放置在esc110上,屏蔽环116放置在带限位凹槽的陶瓷环112凹槽内,此时,屏蔽环116下表面与晶圆片109
上表面构成1.5mm宽的间隙。
102.5)运行通孔刻蚀工艺程序,此时屏蔽环116置于晶圆片109上方3mm,遮挡晶圆片109边缘径向1.5mm的宽度;
103.6)刻蚀程序完成后,顶针111升起将晶圆片109和屏蔽环116顶起;
104.7)机械手101进入工艺腔体106的esc110正上方;
105.8)顶针111下降,晶圆片109和屏蔽环116放置在载片环117上;
106.9)如图8所示,机械手101退回到loadlock腔102;
107.本发明实施方式防护晶圆片刻蚀损伤的方法中,屏蔽环116仅在晶圆片109加工时随晶圆片109一起进出反应腔体,大大降低长期置于腔体内的保护装置的材料和结构对设备、工艺的影响。
108.应理解,上述实施方式中各步骤的序号的大小并不意味着执行顺序的先后,各过程的执行顺序应以其功能和内在逻辑确定,而不应对本发明实施方式的实施过程构成任何限定。
109.以下为本发明的装置实施方式,对于其中未详尽描述的细节,可以参考上述对应的方法实施方式。
110.图10是本发明实施方式提供的终端的功能框图。如图10所示,该实施方式的终端10包括:处理器1000和存储器1001,所述存储器1001中存储有可在所述处理器1000上运行的计算机程序1002。所述处理器1000执行所述计算机程序1002时实现上述各个防护晶圆片刻蚀损伤的方法及实施方式中的步骤,例如图9所示的步骤901至步骤904。
111.示例性的,所述计算机程序1002可以被分割成一个或多个模块/单元,所述一个或者多个模块/单元被存储在所述存储器1001中,并由所述处理器1000执行,以完成本发明。
112.所述终端10可以是桌上型计算机、笔记本、掌上电脑及云端服务器等计算设备。所述终端10可包括,但不仅限于,处理器1000、存储器1001。本领域技术人员可以理解,图10仅仅是终端10的示例,并不构成对终端10的限定,可以包括比图示更多或更少的部件,或者组合某些部件,或者不同的部件,例如所述终端还可以包括输入输出设备、网络接入设备、总线等。
113.所称处理器1000可以是中央处理单元(central processing unit,cpu),还可以是其他通用处理器、数字信号处理器(digital signal processor,dsp)、专用集成电路(application specific integrated circuit,asic)、现场可编程门阵列(field-programmable gate array,fpga)或者其他可编程逻辑器件、分立门或者晶体管逻辑器件、分立硬件组件等。通用处理器可以是微处理器或者该处理器也可以是任何常规的处理器等。
114.所述存储器1001可以是所述终端10的内部存储单元,例如终端10的硬盘或内存。所述存储器1001也可以是所述终端10的外部存储设备,例如所述终端10上配备的插接式硬盘,智能存储卡smart media card,smc,安全数字secure digital,sd卡,闪存卡flash card等。进一步地,所述存储器1001还可以既包括所述终端10的内部存储单元也包括外部存储设备。所述存储器1001用于存储所述计算机程序以及所述终端所需的其他程序和数据。所述存储器1001还可以用于暂时地存储已经输出或者将要输出的数据。
115.所属领域的技术人员可以清楚地了解到,为了描述的方便和简洁,仅以上述各功
能单元、模块的划分进行举例说明,实际应用中,可以根据需要而将上述功能分配由不同的功能单元、模块完成,即将所述装置的内部结构划分成不同的功能单元或模块,以完成以上描述的全部或者部分功能。实施方式中的各功能单元、模块可以集成在一个处理单元中,也可以是各个单元单独物理存在,也可以两个或两个以上单元集成在一个单元中,上述集成的单元既可以采用硬件的形式实现,也可以采用软件功能单元的形式实现。另外,各功能单元、模块的具体名称也只是为了便于相互区分,并不用于限制本技术的保护范围。上述系统中单元、模块的具体工作过程,可以参考前述方法实施方式中的对应过程,在此不再赘述。
116.在上述实施方式中,对各个实施方式的描述都各有侧重,某个实施方式中没有详述或记载的部分,可以参见其它实施方式的相关描述。
117.本领域普通技术人员可以意识到,结合本文中所公开的实施方式描述的各示例的单元及算法步骤,能够以电子硬件、或者计算机软件和电子硬件的结合来实现。这些功能究竟以硬件还是软件方式来执行,取决于技术方案的特定应用和设计约束条件。专业技术人员可以对每个特定的应用来使用不同方法来实现所描述的功能,但是这种实现不应认为超出本发明的范围。
118.在本发明所提供的实施方式中,应该理解到,所揭露的装置/终端和方法,可以通过其它的方式实现。例如,以上所描述的装置/终端实施方式仅仅是示意性的,例如,所述模块或单元的划分,仅仅为一种逻辑功能划分,实际实现时可以有另外的划分方式,例如多个单元或组件可以结合或者可以集成到另一个系统,或一些特征可以忽略,或不执行。另一点,所显示或讨论的相互之间的耦合或直接耦合或通讯连接可以是通过一些接口,装置或单元的间接耦合或通讯连接,可以是电性,机械或其它的形式。
119.所述作为分离部件说明的单元可以是或者也可以不是物理上分开的,作为单元显示的部件可以是或者也可以不是物理单元,即可以位于一个地方,或者也可以分布到多个网络单元上。可以根据实际的需要选择其中的部分或者全部单元来实现本实施方式方案的目的。
120.另外,在本发明各个实施方式中的各功能单元可以集成在一个处理单元中,也可以是各个单元单独物理存在,也可以两个或两个以上单元集成在一个单元中。上述集成的单元既可以采用硬件的形式实现,也可以采用软件功能单元的形式实现。
121.所述集成的模块/单元如果以软件功能单元的形式实现并作为独立的产品销售或使用时,可以存储在一个计算机可读取存储介质中。基于这样的理解,本发明实现上述实施方式方法中的全部或部分流程,也可以通过计算机程序来指令相关的硬件来完成,所述的计算机程序可存储于一计算机可读存储介质中,该计算机程序在被处理器执行时,可实现上述各个防护晶圆片刻蚀损伤的方法实施方式的步骤。其中,所述计算机程序包括计算机程序代码,所述计算机程序代码可以为源代码形式、对象代码形式、可执行文件或某些中间形式等。所述计算机可读介质可以包括:能够携带所述计算机程序代码的任何实体或装置、记录介质、u盘、移动硬盘、磁碟、光盘、计算机存储器、只读存储器read-only memory,rom、随机存取存储器random access memory,ram、电载波信号、电信信号以及软件分发介质等。需要说明的是,所述计算机可读介质包含的内容可以根据司法管辖区内立法和专利实践的要求进行适当的增减,例如在某些司法管辖区,根据立法和专利实践,计算机可读介质不包括是电载波信号和电信信号。
122.以上所述实施方式仅用以说明本发明的技术方案,而非对其限制;尽管参照前述实施方式对本发明进行了详细的说明,本领域的普通技术人员应当理解:其依然可以对前述各实施方式所记载的技术方案进行修改,或者对其中部分技术特征进行等同替换;而这些修改或者替换,并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施方式技术方案的精神和范围,均应包含在本发明的保护范围之内。
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