技术特征：
1.一种防护晶圆片刻蚀损伤的装置，其特征在于，包括：屏蔽环(116)以及陶瓷环(112)；所述屏蔽环(116)的内径小于晶圆片(109)的直径，所述屏蔽环(116)内径的上部为楔面(201)，所述屏蔽环(116)的侧面设有孔；所述陶瓷环(112)的内圈与所述屏蔽环(116)的外圈相适配，当对所述晶圆片(109)在进行轰击时，所述屏蔽环(116)设置于所述陶瓷环(112)的上方，所述屏蔽环(116)与所述晶圆片(109)设有缝隙，所述陶瓷环(112)上表面低于所述晶圆片(109)的下表面。2.根据权利要求1所述的防护晶圆片刻蚀损伤的装置，其特征在于，所述陶瓷环(112)上表面设有凹槽，所述凹槽与所述屏蔽环(116)的外圈形状相同，当对所述晶圆片(109)在进行轰击时，所述陶瓷环(112)通过所述凹槽承托所述屏蔽环(116)。3.根据权利要求1所述的防护晶圆片刻蚀损伤的装置，其特征在于，还包括载片环(117)，所述载片环(117)整体呈开口环状，所述载片环(117)内圈小于所述晶圆片(109)的外圈以及所述屏蔽环(116)的外圈；当将所述晶圆片(109)送入轰击晶圆片的设备中时，所述晶圆片(109)设置于所述载片环(117)内圈，所述屏蔽环(116)设置于所述晶圆片(109)的上方。4.根据权利要求3所述的防护晶圆片刻蚀损伤的装置，其特征在于，所述载片环(117)设有插指(202)，当将所述晶圆片(109)送入轰击晶圆片的设备中时，由所述插指(202)承托所述晶圆片(109)。5.根据权利要求3所述的防护晶圆片刻蚀损伤的装置，其特征在于，所述载片环(117)上表面设有孔，所述载片环(117)通过孔与用于传送晶圆片的设备进行连接。6.根据权利要求3-5任一项所述的防护晶圆片刻蚀损伤的装置，其特征在于，所述载片环(117)设有用于承托所述晶圆片(109)的第一槽(203)以及用于承托所述屏蔽环(116)的第二槽(204)；所述第一槽(203)与所述第二槽(204)构成阶梯状。7.一种防护晶圆片刻蚀损伤的方法，其特征在于，应用于晶圆片刻蚀设备中，所述晶圆片刻蚀设备设有如权利要求3-6任一项所述的防护晶圆片刻蚀损伤的装置，所述方法包括：输出传入指令，所述传入指令用于指示传送装置将屏蔽环(116)以及晶圆片(109)送入所述刻蚀腔中，其中，所述屏蔽环(116)位于所述晶圆片(109)的上方；输出顶起指令，所述顶起指令用于指示将所述晶圆片(109)顶起以及将所述传送装置退出所述刻蚀腔；输出刻蚀指令，所述刻蚀指令用于指示将所述晶圆片(109)落下，放置于所述刻蚀设备的esc(110)上，对所述晶圆片(109)进行刻蚀，其中，所述陶瓷环(112)位于所述晶圆片(109)的下方，所述陶瓷环(112)上表面低于所述esc(110)的上表面，所述屏蔽环(116)通过所述陶瓷环(112)的凹槽承托；输出传出指令，所述传出指令用于指示将所述晶圆片(109)顶起，通过所述传送装置将所述屏蔽环(116)以及所述晶圆片(109)传出所述刻蚀腔。8.根据权利要求7所述的防护晶圆片刻蚀损伤的方法，其特征在于，所述传送装置安装有所述载片环(117)，所述载片环(117)的开口方向与所述传送装置送入方向相同；所述陶瓷环(112)设置于所述刻蚀腔中。9.一种终端，包括存储器以及处理器，所述存储器中存储有可在所述处理器上运行的
计算机程序，其特征在于，所述处理器执行所述计算机程序时实现如上的权利要求7或8所述方法的步骤。10.一种计算机可读存储介质，所述计算机可读存储介质存储有计算机程序，其特征在于，所述计算机程序被处理器执行时实现如上的权利要求7或8所述方法的步骤。
技术总结
本发明涉及半导体加工工艺技术领域，尤其涉及一种防护晶圆片刻蚀损伤的装置及方法，本发明防护晶圆片刻蚀损伤的装置包括有屏蔽环以及陶瓷环，屏蔽环上表面楔面设计，降低了反射功率以及刻蚀均匀性的影响。在屏蔽环的侧面设有孔，避免晶圆片表面光刻胶因热量不及时散出导致的变形、开裂或者褶皱。通过适配陶瓷环与晶圆片的高度，使得在屏蔽环与晶圆片之间存有宽度合理的间隙，以保证较佳的防护效果。在陶瓷环上设有凹槽，通过凹槽限位屏蔽环，防止屏蔽环在陶瓷环上发生移动，影响保护效果。本发明防护晶圆片刻蚀损伤的方法仅在晶圆片加工时随晶圆片一起进出反应腔体，大大降低长期置于腔体内的保护装置的材料和结构对设备、工艺的影响。艺的影响。艺的影响。
技术研发人员：吴海 王峻澎 吴爱华 任泽生 刘成群 王露寒 张文朋 程壹涛
受保护的技术使用者：中国电子科技集团公司第十三研究所
技术研发日：2022.04.01
技术公布日：2022/8/5