一种腔体内提升抗干扰结构的制作方法

1.本实用新型涉及电磁兼容、微波腔体结构，尤其涉及一种腔体内提升抗干扰结构。


背景技术：

2.一般处理电磁兼容性问题的方式为：1.滤波；2.接地；3.隔离。
3.在射频微波领域，产品一般都是腔体结构类产品，有一些产品需要在铝合金大腔体内加工出一些小腔体，加工出小腔体的目的是：隔离大腔体内其他电路模块对小腔体内模块的干扰及隔离小腔体内模块对大腔体其他电路模块的干扰。
4.小腔体内模块需要外部供电及小腔体内部模块需接受外部控制、传输数据，因此小腔体仍需开槽或开孔，做不到与外部完全隔离。
5.小腔体屏蔽能效 se=ra+aa ； 式中ra为反射损耗；aa为传输损耗。
6.其中aa=27.3t/l ； 式中t为小腔体壁厚；l为开槽长度。
7.使用成熟工艺加工时，小腔体会留有走线槽（无法避免），根据上述公式，屏蔽能效降低，抗干扰能力减弱。使用新型工艺加工时，小腔体会留有连接器、穿心电容等器件安装孔，连接器等安装困难，加工成本昂贵。


技术实现要素：

8.为解决上述问题，本发明公开了一种腔体内提升抗干扰结构，解决了铣走线槽时的电磁兼容性问题，节约了时间成本。
9.一种腔体内提升抗干扰结构，包括大腔体和位于所述大腔体内的小腔体，其中所述小腔体的两端分别铣出安装槽；其中安装槽内安装有连接器安装块；其中每个所述连接器安装块内装入穿心电容。
10.进一步的，其中所述连接器安装块的表面有涂抹导电填隙材料层。
11.进一步的，所述连接器安装块通过沉头螺钉紧固在所述安装槽内，便于安装和拆卸。
12.所述连接器安装块呈凸形、凹形、长方形或正方形或其他任意形状。
13.所述小腔体的数量大于等于1。
14.其中大腔体和小腔体的形状和尺寸不限制，根据实际的生产情况而定。
15.本实用新型的工作原理是：
16.在大腔体，有1个或多个小腔体，在小腔体上铣出与连接器安装块相配合的形状。穿心电容装入连接器安装块中，在连接器安装块安装面上涂抹导电填隙材料，最终通过沉头螺钉装入小腔体铣出的槽中。此时小缝隙通过导电填隙材料弥合，形成连续屏蔽体，可近似的认为小腔体的屏蔽能效无穷大，解决隔离屏蔽不连续的电磁兼容性问题。
17.本实用新型的有益效果：解决了铣走线槽时的电磁兼容性问题；便于装备，提高工作效率。
附图说明
18.图1、本实用新型的结构示意图；
19.图2、为实际安装后的示意图。
20.附图标记列表：
21.其中1-大腔体；2-小腔体；3-沉头螺钉；4-连接器安装块；5-穿心电容；2-1-安装槽。
具体实施方式
22.下面结合附图和具体实施方式，进一步阐明本发明，应理解下述具体实施方式仅用于说明本发明而不用于限制本发明的范围。需要说明的是，下面描述中使用的词语“前”、“后”、“左”、“右”、“上”和“下”指的是附图中的方向，词语“内”和“外”分别指的是朝向或远离特定部件几何中心的方向。
23.如图1所示，本实施例的一种腔体内提升抗干扰结构，包括大腔体1和位于所述大腔体1内的小腔体2，所述大腔体1和小腔体2均呈长方形；其中所述小腔体2的两端分别铣出安装槽；连接器安装块4通过沉头螺钉3紧固在所述安装槽2-1内；其中每个所述连接器安装块4内装入穿心电容5。
24.图2为实际安装后的示意图。其中所述连接器安装块4的表面有涂抹导电填隙材料层；此时小缝隙通过导电填隙材料弥合，形成连续屏蔽体，可近似的认为小腔体的屏蔽能效无穷大，解决隔离屏蔽不连续的电磁兼容性问题。
25.本发明方案所公开的技术手段不仅限于上述实施方式所公开的技术手段，还包括由以上技术特征任意组合所组成的技术方案。


技术特征：
1.一种腔体内提升抗干扰结构，其特征在于：包括大腔体（1）和位于所述大腔体（1）内的小腔体（2），其中所述小腔体（2）的两端分别铣出安装槽；其中安装槽（2-1）内安装有连接器安装块（4）；其中每个所述连接器安装块（4）内装入穿心电容（5）。2.根据权利要求1所述的一种腔体内提升抗干扰结构，其特征在于：其中所述连接器安装块（4）的表面有涂抹导电填隙材料层。3.根据权利要求1所述的一种腔体内提升抗干扰结构，其特征在于：所述连接器安装块（4）通过沉头螺钉（3）紧固在所述安装槽（2-1）内。4.根据权利要求1所述的一种腔体内提升抗干扰结构，其特征在于：所述连接器安装块（4）呈凸形、凹形、长方形或正方形。5.根据权利要求1所述的一种腔体内提升抗干扰结构，其特征在于：所述小腔体（2）的数量大于等于1。

技术总结
本实用新型提供一种腔体内提升抗干扰结构，包括大腔体和位于所述大腔体内的小腔体，其中所述小腔体的两端分别铣出安装槽；其中安装槽内安装有连接器安装块；其中每个所述连接器安装块内装入穿心电容。其中所述连接器安装块的表面有涂抹导电填隙材料层。本实用新型解决了铣走线槽时的电磁兼容性问题，节约了时间成本。成本。成本。


技术研发人员：王有龙 陈聪 钟子豪 潘苏静 阚世宇 韩驰
受保护的技术使用者：南京德睿智芯电子科技有限公司
技术研发日：2022.09.05
技术公布日：2022/11/29