图像显示装置及电子设备的制作方法

本公开涉及图像显示装置和电子设备。

背景技术：

1、近年来，诸如智能手机、移动电话和个人计算机(pc)的电子设备中，诸如相机的各种传感器被安装在显示面板的框架(边框)中。安装的传感器的数量也趋于增加，并且除了相机之外，还有用于脸部认证的传感器、红外传感器、移动物体检测传感器等。此外，在一些配置中，还安装用于投影仪等的光源。另一方面，从设计以及使电子设备更轻、更薄、更短以及更小的趋势的角度来看，需要尽可能使电子设备的外部尺寸紧凑而不影响屏幕尺寸，从而使边框宽度变得更窄。鉴于这种背景，已经提出了图像传感器模块布置在显示面板正下方的技术，并且已经透射通过显示面板的对象光被图像传感器模块捕获。为了将图像传感器模块布置在显示面板正下方，需要使显示面板透明(见专利文献1)。

2、引用列表

3、专利文献

4、专利文献1：日本专利申请公开号2011-175962。

技术实现思路

1、本发明要解决的问题

2、为了使显示面板透明，需要在显示面板中的至少一些像素中提供透射可见光的透射部分。透射部分的面积的增加允许可以布置在显示面板正下方的传感器和光源的类型的数量的增加。

3、然而，许多最新的显示面板具有全hd或更高的分辨率，并且像素的数量趋于增加。此外，获得显示质量的改善使得难以减少每个像素中的晶体管的数量。因此，每个像素中的一些晶体管需要布置在透射部分中。

4、然而，存在自然光或光源光进入透射部分并入射在透射部分中的晶体管上的可能性，这加速了晶体管的劣化(由于光引起的源极-漏极电流泄漏)。晶体管的劣化改变流过晶体管的电流，这导致显示质量的劣化，诸如发光亮度的降低。

5、因此，本公开的目的是提供即使在设置透射部分的情况下也阻挡自然光和光源光入射在像素中的晶体管上的图像显示装置和电子设备。

6、问题的解决方案

7、为了解决上述问题，根据本公开，提供了一种包括二维布置的多个像素的图像显示装置，其中

8、多个像素包括：

9、第一像素区域，包括包含被配置为发射光的第一区域和被配置为透射可见光的第二区域的像素；

10、第二像素区域，布置在第一像素区域周围，第二像素区域包括被配置为在大于第一像素区域中的像素的发光面积的面积中发射光的像素；以及

11、遮光层，被配置为为布置在第二区域中的晶体管遮光。

12、遮光层可以阻挡环境光和光源光中的至少一者入射到布置在第二区域中的晶体管上。

13、遮光层可以布置为阻挡光入射到晶体管的沟道区域上。

14、遮光层可以具有等于或大于晶体管的沟道区域的面积的面积。

15、遮光层可以布置为阻挡光入射到轻掺杂漏极(ldd)区域和沟道区域上，ldd区域布置在晶体管的沟道区域与源极区域之间以及晶体管的沟道区域与漏极区域之间。

16、遮光层可以具有等于或大于晶体管的沟道区域和在沟道区域两侧的ldd区域的总面积的面积。

17、在电流在布置于第二区域中的晶体管的漏极与源极之间单向流动的情况下，遮光层可以布置为一端连接到所述源极并且可以覆盖所述晶体管的沟道区域。

18、在电流在布置于第二区域中的晶体管的源极与漏极之间双向流动的情况下，遮光层可以包括第一遮光区域和第二遮光区域，第一遮光区域的一端连接至源极并且覆盖晶体管的沟道区域的至少一部分，第二遮光区域的一端连接至漏极并且覆盖沟道区域的至少一部分。

19、该多个像素中的每一个像素可以包括：

20、发光元件；以及

21、驱动晶体管，被配置为驱动发光元件，以及

22、遮光层为布置在第二区域中的驱动晶体管遮光。

23、多个像素中的每一个像素可以包括被配置为在线性区域中操作的至少一个开关晶体管，并且

24、遮光层可以为设置在第二区域中的开关晶体管遮光。

25、遮光层可以为被配置为控制驱动晶体管的栅极电压的开关晶体管遮光。

26、可以进一步包括：

27、发光元件的阳极电极层；

28、第一配线层，包括布置在比阳极电极层更靠下方的晶体管的栅极；以及

29、半导体层，包括布置在比第一配线层更靠下方的晶体管的沟道区域，其中，

30、遮光层可以布置在比半导体层更靠下方，以为沟道区域遮光。

31、可以进一步包括：

32、发光元件的阳极电极层；

33、半导体层，布置在比阳极电极层更靠下方处，并且半导体层包括布置在第二区域中的晶体管的沟道区域；以及

34、第一配线层，包括布置在比半导体层更靠下方的栅极，其中，

35、遮光层可以布置在比第一配线层更靠下方处，以为沟道区域遮光。

36、可以进一步包括第二配线层，布置在比第一配线层和半导体层更靠上方处，以为沟道区域遮光。

37、遮光层可以具有等于或大于半导体层的面积的面积。

38、可以进一步包括显示面板，包括多个像素，其中

39、第一像素区域可以设置在显示面板中的多个位置。

40、根据本公开，提供了一种电子设备，包括：

41、图像显示装置，包括二维布置的多个像素；以及

42、光接收装置，被配置为接收通过图像显示装置入射的光，其中，

43、图像显示装置包括二维地布置的多个像素，并且

44、该多个像素包括：

45、第一像素区域，包括像素，像素包括被配置为发射光的第一区域和被配置为透射可见光的第二区域；

46、第二像素区域，布置在第一像素区域周围，第二像素区域包括被配置为在大于第一像素区域中的像素的发光面积的面积中发射光的像素；以及

47、遮光层，被配置为为布置在第二区域中的晶体管遮光。

48、光接收装置可以接收透射通过第一像素区域的光。

49、可以进一步包括光源，被配置为以透过通过第一像素区域的方式发射预定波长的光。

50、光接收装置可以包括以下中的至少一者：成像传感器，被配置为光电转换通过第二区域入射的光；距离测量传感器，被配置为接收通过第二区域入射的光以测量距离；以及温度传感器，被配置为基于通过第二区域入射的光来测量温度。

技术特征：

1.一种图像显示装置，包括：

2.根据权利要求1所述的图像显示装置，其中，所述遮光层阻挡环境光和光源光中的至少一者入射到布置在所述第二区域中的所述晶体管上。

3.根据权利要求1所述的图像显示装置，其中，所述遮光层被布置为阻挡光入射到所述晶体管的沟道区域上。

4.根据权利要求3所述的图像显示装置，其中，所述遮光层的面积等于或大于所述晶体管的所述沟道区域的面积。

5.根据权利要求3所述的图像显示装置，其中，所述遮光层被布置成阻挡光入射到轻掺杂漏极(ldd)区域和所述沟道区域上，所述轻掺杂漏极区域布置在所述晶体管的所述沟道区域与源极区域之间以及所述沟道区域与漏极区域之间。

6.根据权利要求5所述的图像显示装置，其中，所述遮光层的面积等于或大于所述晶体管的所述沟道区域和位于所述沟道区域两侧的ldd区域的总面积。

7.根据权利要求1所述的图像显示装置，其中，在电流在布置于所述第二区域中的所述晶体管的漏极与源极之间单向流动的情况下，所述遮光层布置为一端连接到所述源极并且覆盖所述晶体管的沟道区域。

8.根据权利要求1所述的图像显示装置，其中，在电流在布置于所述第二区域中的所述晶体管的源极与漏极之间双向流动的情况下，所述遮光层包括第一遮光区域和第二遮光区域，所述第一遮光区域的一端连接至所述源极并且覆盖所述晶体管的沟道区域的至少一部分，以及所述第二遮光区域的一端连接至所述漏极并且覆盖所述沟道区域的至少一部分。

9.根据权利要求1所述的图像显示装置，其中，

10.根据权利要求9所述的图像显示装置，其中，

11.根据权利要求10所述的图像显示装置，其中，所述遮光层为被配置为控制所述驱动晶体管的栅极电压的所述开关晶体管遮光。

12.根据权利要求9所述的图像显示装置，进一步包括：

13.根据权利要求9所述的图像显示装置，进一步包括：

14.根据权利要求12所述的图像显示装置，进一步包括：第二配线层，布置在比所述第一配线层和所述半导体层更靠上方处，以为所述沟道区域遮光。

15.根据权利要求12所述的图像显示装置，其中，所述遮光层的面积等于或大于所述半导体层的面积。

16.根据权利要求1所述的图像显示装置，进一步包括：

17.一种电子设备，包括：

18.根据权利要求17所述的电子设备，其中，所述光接收装置接收透射通过所述第一像素区域的光。

19.根据权利要求17所述的电子设备，进一步包括：光源，被配置为以透射通过所述第一像素区域的方式发射预定波长的光。

20.根据权利要求17所述的电子设备，其中，所述光接收装置包括以下中的至少一者：成像传感器，被配置为光电转换通过所述第二区域入射的光；距离测量传感器，被配置为接收通过所述第二区域入射的光以测量距离；以及温度传感器，被配置为基于通过所述第二区域入射的光来测量温度。

技术总结
[问题]为了防止自然光和来自光源的光进入像素中的晶体管，即使当提供透射部分时也是如此。[解决方案]该图像显示装置设置有布置在二维方向上的多个像素。多个像素具有：第一像素区域，具有包括发射光的第一区域和透射可见光的第二区域的像素；第二像素区域，布置在所述第一像素区域周围，所述第二像素区域具有在大于所述第一像素区域中的像素的发光面积的面积中发射光的像素；以及遮光层，为布置在第二区域中的晶体管遮光。

技术研发人员：甚田诚一郎
受保护的技术使用者：索尼半导体解决方案公司
技术研发日：
技术公布日：2024/2/8