用于自底而上间隙填充的PVD钼梯度氧化和蚀刻的制作方法

文档序号:40203464发布日期:2024-12-03 12:04阅读:来源:国知局

技术特征:

1.一种在基板上填充特征的方法,所述方法包括以下步骤:

2.如权利要求1所述的方法,其中所述种晶层为含钼层,所述金属氧化物为氧化钼,且所述金属间隙填充材料含有钼。

3.如权利要求2所述的方法,其中所述种晶层的悬垂部分延伸到沿着所述基板的所述场区域形成的一个或多个特征的开口中,并且所述悬垂部分相对于所述一个或多个特征内的所述金属种晶层被优先氧化。

4.如权利要求2所述的方法,其中所述梯度氧化处理和所述回蚀处理在两个分开的腔室中进行。

5.如权利要求2所述的方法,还包括以下步骤:

6.如权利要求3所述的方法,其中所述回蚀处理和所述各向同性蚀刻处理在同一腔室中进行。

7.如权利要求3所述的方法,其中从所述场区域和所述悬垂部分去除所述种晶层。

8.一种填充形成在基板上的特征的方法,所述方法包括以下步骤:

9.如权利要求8所述的方法,其中所述含钼层的悬垂部分延伸到沿所述基板的所述顶表面形成的一个或多个特征的开口中,并且所述悬垂部分相对于所述一个或多个特征内的所述含钼层优先被氧化。

10.如权利要求8所述的方法,其中所述梯度氧化处理和所述回蚀处理在两个分开的腔室中进行。

11.如权利要求8所述的方法,还包括以下步骤:

12.如权利要求9所述的方法,其中所述回蚀处理和所述各向同性蚀刻处理在同一腔室中进行。

13.如权利要求12所述的方法,其中从所述顶表面和所述悬垂部分去除所述含钼层。

14.一种用于在基板上填充特征的群集工具,所述群集工具包括:

15.如权利要求14所述的群集工具,其中所述种晶层是含钼层并且所述金属氧化物是氧化钼。

16.如权利要求15所述的群集工具,其中所述含钼层的悬垂部分阻碍或阻挡沿所述基板的所述场区域形成的一个或多个特征的顶部开口,并且所述悬垂部分优先被氧化。

17.如权利要求16所述的群集工具,其中所述梯度氧化处理和所述回蚀处理在两个分开的腔室中进行。

18.如权利要求17所述的群集工具,其中所述控制器还被配置为:

19.如权利要求18所述的群集工具,其中所述第一蚀刻气体以氧化钼为目标并且所述第二蚀刻气体以钼为目标。

20.如权利要求19所述的群集工具,其中从所述场区域和所述悬垂部分去除所述种晶层。


技术总结
提供了一种用于半导体器件中的间隙填充的方法和装置。该方法包括在基板的暴露的顶表面上形成金属种晶层,其中基板具有形成在基板的顶表面中的沟槽或通孔形式的特征,该特征具有侧壁和在侧壁之间延伸的底表面。执行梯度氧化处理以氧化金属种晶层的暴露部分以形成金属氧化物,其中梯度氧化处理优先氧化特征的底表面上方的基板的场区域。回蚀处理去除种晶层的氧化部分。第二蚀刻处理去除种晶层的其他部分。金属间隙填充处理用间隙填充材料填充或部分地填充特征。

技术研发人员:吴孟珊,许智勋,吕疆,岳诗雨,王俊杰,安娜马莱·雷克什马南,杨逸雄
受保护的技术使用者:应用材料公司
技术研发日:
技术公布日:2024/12/2
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