1.一种在基板上填充特征的方法,所述方法包括以下步骤:
2.如权利要求1所述的方法,其中所述种晶层为含钼层,所述金属氧化物为氧化钼,且所述金属间隙填充材料含有钼。
3.如权利要求2所述的方法,其中所述种晶层的悬垂部分延伸到沿着所述基板的所述场区域形成的一个或多个特征的开口中,并且所述悬垂部分相对于所述一个或多个特征内的所述金属种晶层被优先氧化。
4.如权利要求2所述的方法,其中所述梯度氧化处理和所述回蚀处理在两个分开的腔室中进行。
5.如权利要求2所述的方法,还包括以下步骤:
6.如权利要求3所述的方法,其中所述回蚀处理和所述各向同性蚀刻处理在同一腔室中进行。
7.如权利要求3所述的方法,其中从所述场区域和所述悬垂部分去除所述种晶层。
8.一种填充形成在基板上的特征的方法,所述方法包括以下步骤:
9.如权利要求8所述的方法,其中所述含钼层的悬垂部分延伸到沿所述基板的所述顶表面形成的一个或多个特征的开口中,并且所述悬垂部分相对于所述一个或多个特征内的所述含钼层优先被氧化。
10.如权利要求8所述的方法,其中所述梯度氧化处理和所述回蚀处理在两个分开的腔室中进行。
11.如权利要求8所述的方法,还包括以下步骤:
12.如权利要求9所述的方法,其中所述回蚀处理和所述各向同性蚀刻处理在同一腔室中进行。
13.如权利要求12所述的方法,其中从所述顶表面和所述悬垂部分去除所述含钼层。
14.一种用于在基板上填充特征的群集工具,所述群集工具包括:
15.如权利要求14所述的群集工具,其中所述种晶层是含钼层并且所述金属氧化物是氧化钼。
16.如权利要求15所述的群集工具,其中所述含钼层的悬垂部分阻碍或阻挡沿所述基板的所述场区域形成的一个或多个特征的顶部开口,并且所述悬垂部分优先被氧化。
17.如权利要求16所述的群集工具,其中所述梯度氧化处理和所述回蚀处理在两个分开的腔室中进行。
18.如权利要求17所述的群集工具,其中所述控制器还被配置为:
19.如权利要求18所述的群集工具,其中所述第一蚀刻气体以氧化钼为目标并且所述第二蚀刻气体以钼为目标。
20.如权利要求19所述的群集工具,其中从所述场区域和所述悬垂部分去除所述种晶层。