层叠陶瓷电子部件的制作方法

文档序号:42132343发布日期:2025-06-10 17:27阅读:95来源:国知局

本发明涉及层叠陶瓷电子部件,特别是层叠陶瓷电容器。


背景技术:

1、以往,作为层叠陶瓷电子部件,已知有层叠陶瓷电容器。一般地,层叠陶瓷电容器具有具备层叠体和设置在层叠体的两端面的外部电极的构造,具备与层叠片数、电介质层的厚度相应的所希望的电容,所述层叠体是交替地层叠有多个包含陶瓷的电介质层和内部电极层的烧成体。

2、在专利文献1等中,记载了为了消除由内部电极层引起的台阶而设置台阶吸收层。

3、在先技术文献

4、专利文献

5、专利文献1:日本特开2006-286860号公报


技术实现思路

1、发明要解决的问题

2、但是,实际上大多朝向第1主面或者第2主面弯曲,此外,其弯曲程度具有远离弯曲方向的面的一方变得更强的倾向。因此,若如专利文献1所记载的那样在各内部电极层的同一平面上配置台阶吸收层,则对于仅弯曲到不影响构造缺陷的程度的部分也要配置台阶吸收层。因此,可能产生新的构造缺陷,存在与台阶吸收层相应的成本变高的问题。于是,本发明的目的在于,控制成本,通过在适当的地方配置适当的量的台阶吸收层,从而抑制构造缺陷。

3、用于解决问题的技术方案

4、本发明的层叠陶瓷电子部件,具备层叠体、第1外部电极和第2外部电极,所述层叠体包含被层叠的多个陶瓷层,并且包含:在高度方向上相对的第1主面以及第2主面;在与所述高度方向正交的宽度方向上相对的第1侧面以及第2侧面;在与所述高度方向以及所述宽度方向正交的长度方向上相对的第1端面以及第2端面;第1内部电极层,与所述多个陶瓷层交替地层叠,在所述第1端面露出;第2内部电极层,与所述多个陶瓷层交替地层叠,在所述第2端面露出;第1台阶层,与所述第2内部电极层配置在同一面上,在所述第1端面露出;和第2台阶层,与所述第1内部电极层配置在同一面上,在所述第2端面露出,所述第1外部电极设置在所述第1端面,所述第2外部电极设置在所述第2端面,关于所述第1台阶层的所述层叠体的高度方向的厚度,位于靠近所述第1主面的位置的所述第1台阶层变得更厚,关于所述第2台阶层的所述层叠体的高度方向的厚度,位于靠近所述第1主面的位置的所述第2台阶层变得更厚。

5、此外,本发明的层叠陶瓷电子部件,具备层叠体、第1外部电极和第2外部电极,所述层叠体包含被层叠的多个陶瓷层,并且包含:在高度方向上相对的第1主面以及第2主面;在与所述高度方向正交的宽度方向上相对的第1侧面以及第2侧面;在与所述高度方向以及所述宽度方向正交的长度方向上相对的第1端面以及第2端面;作为内部电极层的端面露出电极层,与所述多个陶瓷层交替地层叠,在所述第1端面以及所述第2端面露出;作为内部电极层的侧面露出电极层,与所述多个陶瓷层交替地层叠,在所述第1侧面以及所述第2侧面露出;侧面台阶层,与所述端面露出电极层配置在同一面上,在所述第1侧面以及所述第2侧面露出;和端面台阶层,与所述侧面露出电极层配置在同一面上,在所述第1端面以及所述第2端面露出,所述第1外部电极设置在所述第1端面以及所述第2端面,所述第2外部电极设置在所述第1侧面以及所述第2侧面,关于所述侧面台阶层的所述层叠体的高度方向的厚度,位于靠近所述第1主面的位置的所述侧面台阶层变得更厚,关于所述端面台阶层的所述层叠体的高度方向的厚度,位于靠近所述第1主面的位置的所述端面台阶层变得更厚。

6、发明效果

7、根据本发明,能够提供容易使层叠体的表面更平坦的层叠陶瓷电子部件。



技术特征:

1.一种层叠陶瓷电子部件,具备层叠体、第1外部电极和第2外部电极,

2.根据权利要求1所述的层叠陶瓷电子部件,其中,

3.根据权利要求1或2所述的层叠陶瓷电子部件,其中,

4.根据权利要求1至3中任一项所述的层叠陶瓷电子部件,其中,

5.根据权利要求4所述的层叠陶瓷电子部件,其中,

6.一种层叠陶瓷电子部件,具备层叠体、第1外部电极和第2外部电极,


技术总结
提供容易使层叠体(2)的表面更平坦的层叠陶瓷电子部件(1)。层叠陶瓷电子部件(1)具备层叠体(2),层叠体(2)包含与多个陶瓷层(4)交替地层叠且在第1端面(62a)露出的第1内部电极层(10a)、与多个陶瓷层(4)交替地层叠且在第2端面(62b)露出的第2内部电极层(10b)、与第2内部电极层(10b)配置在同一面上且在第1端面(62a)露出的第1台阶层(5a)、以及与第1内部电极层(10a)配置在同一面上且在第2端面(62b)露出的第2台阶层(5b),关于第1台阶层(5a)的层叠体(2)的高度方向(T)的厚度,位于靠近第1主面(61a)的位置的第1台阶层(5a)变得更厚,关于第2台阶层(5b)的层叠体(2)的高度方向(T)的厚度,位于靠近第1主面(61a)的位置的第2台阶层(5b)变得更厚。

技术研发人员:安田辰德,黑川和树
受保护的技术使用者:株式会社村田制作所
技术研发日:
技术公布日:2025/6/9
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