本发明涉及基板处理方法、半导体装置的制造方法、程序以及基板处理装置。
背景技术：
1、作为具三维构造的3dnand型闪存、dram的字线，例如使用低电阻的金属膜。另外，有时在该金属膜与绝缘膜之间形成阻障膜(例如，参照专利文献1及专利文献2)。
2、现有技术文献
3、专利文献
4、专利文献1：日本特开2011-252221号公报
5、专利文献2：日本特开2017-069407号公报
技术实现思路
1、发明所要解决的课题
2、本发明提供可以形成低电阻的膜的技术。
3、用于解决课题的方案
4、根据本发明的一方案，可提供一种技术，其具有以下工序：(a)对基板供给含第一元素气体；(b)对基板供给第一还原气体；(c)对基板供给第二还原气体；(d)对基板供给惰性气体；(e)在进行(d)的期间，将(a)和(b)至少一部分并行地进行，且在进行(b)时，增加惰性气体的供给流量；以及(f)将(e)和(c)进行预定次数，在基板上形成含有上述第一元素的膜。
5、发明效果
6、根据本发明，可以形成低电阻的膜。
1.一种基板处理方法，其特征在于，具有以下工序：
2.根据权利要求1所述的基板处理方法，其特征在于，
3.根据权利要求2所述的基板处理方法，其特征在于，
4.根据权利要求1所述的基板处理方法，其特征在于，
5.根据权利要求3所述的基板处理方法，其特征在于，
6.根据权利要求5所述的基板处理方法，其特征在于，
7.根据权利要求1所述的基板处理方法，其特征在于，
8.根据权利要求6所述的基板处理方法，其特征在于，
9.根据权利要求4所述的基板处理方法，其特征在于，
10.根据权利要求4所述的基板处理方法，其特征在于，
11.根据权利要求1所述的基板处理方法，其特征在于，
12.根据权利要求1所述的基板处理方法，其特征在于，
13.根据权利要求1所述的基板处理方法，其特征在于，
14.根据权利要求1所述的基板处理方法，其特征在于，
15.根据权利要求14所述的基板处理方法，其特征在于，
16.根据权利要求13所述的基板处理方法，其特征在于，
17.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，具有以下工序：
18.一种程序，其特征在于，
19.一种基板处理装置，其特征在于，具有：