1.一种晶圆结构的制造方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，若所述第一器件组中的半导体器件和所述第二器件组中的半导体器件中p型功函数层的厚度不同，则所述栅极结构的形成过程包括：
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，若所述第一器件组中的半导体器件和所述第二器件组中的半导体器件中p型功函数层的厚度不同，则所述栅极结构的形成过程包括：
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，若所述第一器件组中的半导体器件和所述第二器件组中的半导体器件下方的衬底的掺杂状态不同，则所述方法还包括：
5.根据权利要求1-4任一项所述的方法，其特征在于，所述p型功函数层的厚度范围为(0nm,6nm]。
6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述第一器件组中的半导体器件和所述第二器件组中的半导体器件中p型功函数层所属的厚度范围不同，所述厚度范围包括第一范围、第二范围和第三范围中的一种，所述第一范围为[1.5nm,2nm]，所述第二范围为[2.7nm,4nm]，所述第三范围为(4nm,6nm]。
7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述第一器件组中的半导体器件中的沟道层的掺杂类型为n型，所述第一器件组中的半导体器件中的p型功函数层的厚度属于所述第一范围，所述第一器件组第一器件和第二器件中的至少一种，所述第一器件下的衬底和所述第一器件中的沟道层的掺杂类型相同，所述第二器件下的衬底和所述第二器件中的沟道层的掺杂类型相反。
8.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述第二器件组中的半导体器件中的沟道层的掺杂类型为p型，所述第二器件组包括第一分组和第二分组中的至少一种，所述第一分组中的半导体器件中的p型功函数层的厚度属于所述第二范围，所述第二分组中的半导体器件中的p型功函数层的厚度属于所述第三范围；
9.根据权利要求1-4任一项所述的方法，其特征在于，所述多个半导体器件组还包括第三器件组，所述第三器件组中的半导体器件不具有p型功函数层；所述栅极结构的形成过程包括：
10.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述第三器件组中的半导体器件中的沟道层的掺杂类型为n型；
11.根据权利要求1-4任一项所述的方法，其特征在于，所述多个半导体器件组中，具有相同p型功函数层厚度，且具有相同掺杂状态的半导体器件，设置于同一区域范围内。
12.根据权利要求1-4任一项所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：
13.根据权利要求1-4任一项所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：
14.根据权利要求13所述的方法，其特征在于，所述氧化层的材料为氧化硅，厚度范围为[3nm,4nm]；
15.根据权利要求1-4任一项所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：