本发明涉及用于生产改进的iii-v族衬底表面的方法以及用于生产iii-v族衬底本身的方法，其中，材料gaas和inp是特别相关的。
背景技术：
1、iii-v族衬底、特别是砷化镓衬底且特别是其晶片在各种应用中使用并且具有越来越重要的经济重要性。对此的示例包括高频放大器和开关以及发光组件、例如半导体激光器和二极管。特别地，晶体管和二极管主要由外延生长的单晶化合物制成。生长参数特别是可以被调节到晶格。晶格匹配的外延确保高质量和低缺陷密度。然而，质量不仅取决于外延期间的条件，还取决于衬底本身的性质，这通常影响质量。在砷化镓的情况下，特别是在衬底表面处快速形成氧化物层的问题出现，当没有适当的表面处理发生时，所述氧化物层可以以不均匀的成分（不同氧化态的氧化镓和氧化砷）形成。不同组成的氧化物的热性质部分地非常不同。然而，对于随后的外延工艺，需要确保可以通过热处理容易地移除氧化物层。
2、例如，在现有技术中已知文献ep 2 629 319 a1，其教导了砷化镓特别是具有与其它半导体（例如硅）显著不同的物理和化学表面性质。由于砷化镓晶片的表面含有显示出不同化学性质（就反应性而言也是如此）的镓原子和砷原子，因此这里的表面反应性是一种特殊现象：表面层可由二氧化镓（ga2o3）、三氧化砷（as2o3）、五氧化二砷（as2o5）和少量元素砷组成。当砷化镓生长时，需要使用该文献公开的特定方法来制造表面：用氨溶液、过氧化氢和水进行处理，用去离子水冲洗晶片，用氧化剂处理晶片，用去离子水重复冲洗晶片，用稀酸溶液或稀碱溶液处理晶片，用去离子水重新冲洗晶片，并且最后干燥晶片。
3、在砷化镓的表面处理期间，异物颗粒可能非常容易附着，这对于随后的外延工艺不利，因为它们会导致缺陷数量增加。进一步的现有技术文献（klaus wolke等，“马兰戈尼（marangoni）晶片干燥避免缺点”，solid state technology，1996年8月）报道了硅晶片的marangoni干燥方法。在此公开了marangoni干燥基于使液体从具有变化的表面张力的表面移开从而建立平衡的物理力。具有低表面张力的小量水（含有吸收的异丙醇）移入具有正常表面张力的大体积液体中。例如，可以使用具有较低表面张力的异丙醇-氮气氛。相比之下，正常的水具有较高的表面张力。当固体穿过气液界面时，例如在从浴中移除晶片时，水倾向于形成正弯月面。气氛中的水溶性材料（例如异丙醇）的存在导致弯月面中的溶剂浓度相比于浴的其余部分增大。当晶片从浴中拉出时，弯月面中的水被拉入大体积液体中，从而导致完全干燥的晶片表面，并且在晶片表面上没有附着的水滴，这可能导致所谓的水斑。
4、因此，marangoni效应起源于界面张力的差异。流体（在这种情况下的水）然后沿着晶片流向较高张力的方向，这进而导致从晶片中移除水并能够使晶片干燥而没有残留物。半导体晶片的marangoni干燥依赖于在超纯水与晶片接触的界面层中在表面张力梯度的影响下晶片和超纯水的空间分离。该空间分离可以通过将晶片从用于半导体晶片的湿法加工单元的超纯水填充的浴中提升出水或者通过降低水位来实现。
5、在文献wo 2014/124980 a2中，公开了一种用于gaas衬底的生产方法以及由此生产的砷化镓衬底，其中，该方法包括marangoni干燥。已经认识到，特定的表面清洁步骤（酸清洁、碱清洁、与氧化剂接触）与marangoni干燥相结合有助于与在清洁步骤之后不涉及基于随后的marangoni干燥的干燥方法的方法相比显著改进氧化物表面的均一性。由此，与不包括marangoni干燥的方法相比，晶片表面上的缺陷数量和缺陷区域可以显著减少。在此，将通过candela椭偏仪获得的测量信号位于定义的阈值之外的区域视为缺陷区域。这是candela椭偏仪的标准功能，并且由装置直接输出。
6、marangoni干燥特别适合于湿化学清洁之后的半导体晶片的干燥。其中，干燥优选在整个表面上均匀地进行并且基本上不含残留物。在干燥开始之前，半导体晶片通常垂直于布置在超纯水填充的工艺浴中的工艺载体布置。经常地，所述浴涉及所谓的湿台的最终浴：一系列顺序排列的填充有液体的浴，在其中晶片经受对于清洁所需的化学和冲洗步骤。在高产的半导体工业中，通常，在每个预期的工艺时间完成之后，带有晶片的工艺载体通过自动搬运系统从一个浴移动到另一个浴。
7、根据marangoni方法的干燥存在各种配置。然而，对于所有marangoni方法存在共同的基本原理：将降低浴内水的表面张力的液体添加到水表面上。通常，这涉及异丙基醇（异丙醇，缩写为ipa）。实际的干燥通过晶片和由于异丙醇的存在而显示出降低的表面张力的上部水层的缓慢空间分离来进行。这种空间分离可以以不同的方式进行，例如将晶片从水中提升出，降低水位，或者两者的组合。为了良好的干燥结果，晶片和水位的相对移除速度在例如1mm/s的范围内。
8、在marangoni干燥期间，水滴（即所谓的残留液滴）可以在它们穿过相边界时附着到晶片和夹持装置之间的必然保持的接触点上，这可导致化学改变的氧化物层，其对在器件制造期间沉积到晶片上的外延层的结晶质量产生负面影响。以延迟和不受控制的方式干燥水可能会损坏晶片表面。
9、在将半导体晶片进一步加工成电子或光学器件期间，可以在所谓的平面技术的框架内施加极其表面敏感的涂覆工艺，在所述平面技术中，以单晶形式将薄半导体层沉积到晶片的表面上。该工艺（其被称为外延）对半导体晶片的表面提出了极高的质量要求。
10、所谓的iii-v族半导体、特别是gaas和inp与硅晶片相比例如在改变的表面张力、显著增加的表面反应性和更复杂的氧化物层化学成分方面显示出区别的特征。此外，这些晶片通过用其它iii-v族材料单晶涂覆进行的优选进一步加工对氧化物层的成分的侧向均一性提出了比硅晶片更高的要求。此外，在iii-v族半导体晶片的情况下在marangoni干燥期间可能更容易形成残留液滴，并且这些残留液滴并且在器件制造的范围内对后续工艺具有更负面的影响。在干燥状态下，某些半导体晶片（特别是gaas和inp）的表面总是被薄的非晶氧化物层覆盖。该层在厚度方面通常在1至2纳米之间的范围内变化（对于inp，层厚度低于1nm可能是可能的），因此仅由几个原子层组成。在湿化学清洁和冲洗工艺期间，氧化物层经历复杂的变化，被移除、重新形成或改变其成分。在清洁、冲洗和干燥工艺之后在晶片表面上形成的氧化物层具有钝化效果并且在某些应用中在外延涂覆之前立即从晶片表面热移除。
11、然而，氧化物层的理想且侧向均匀的成分是重要的要求，使得在氧化物层热解吸之后剩余的起始表面能够使待沉积的各层对于外延在整个表面上实现尽可能最佳的晶体学耦合，从而促进在随后由这些外延层制造的器件中实现理想的电流流动。
12、在marangoni干燥之后的剩余、延迟和不受控制的干燥水滴在晶片表面处的对应区域中导致具有部分结晶区域的氧化物层的不利改变的成分。在晶片表面的因此被干扰的区域中，在外延工艺之前解吸期间可能发生表面氧化物的不完全解吸，从而导致晶片表面粗糙化。结果，功能层的单晶生长受到干扰，从而导致诸如位错、晶界和孪晶层状体的晶体缺陷的发展。这最终破坏了由外延生长材料制造的器件中的电流流动，并且可潜在地导致产量损失。
13、原则上，存在用于在表面处理之后干燥晶片以及用于将晶片从浴中提升出以用于marangoni干燥方法的几种不同的可能性。
14、在一个实施例中，晶片或晶片组由支架（具有杆的保持布置结构）保持在水浴中。在该第一实施例中，将（通常在用去离子水清洁之后的）冲洗水排出；然而，在本发明的范围内已经发现，在晶片或多个晶片的其固定于支架的接触点处经常会形成残留液滴，而在这些接触点处，均匀干燥会受到干扰。因此，在晶片表面处氧化物层的表面层的质量局部降低，表面氧化物层变得不均匀，这导致稍后生长的外延层的质量降低。
15、在第二实施例中，通过向上竖直推动的楔形件将晶片从水浴中提升出，所述晶片由所述楔形件以及晶片保持器暂时保持，例如位于干燥器的盖中。在本发明的范围内已经发现，在该实施例中，可以在多个接触点处防止残留液滴。然而，当穿过水面时，通常在楔形件周围存在液滴。此外，由于晶片保持器在干燥器的盖中的固定布置，干燥限于某些晶片直径。
16、在文献wo 2001/078112 a1中公开了另外的用于将晶片或晶片组从清洁浴中提升出的方法。其中，存在两个相对的抓持元件，所述抓持元件具有彼此面对的接收槽，其中当晶片通过楔形件从水面中提升出时，所述抓持臂可以抓持这些晶片。
17、此外，文献de 199 243 02 a1公开了一种用于根据marangoni效应干燥衬底的方法。其中，在衬底的提升期间，至少一种另外的流体被侧向地输送到衬底并输送到处理流体上，并且被朝向衬底之间的区域引导。
18、此外，文献de 10 359 320 a1教导了一种用于干燥衬底的方法，其中，将衬底从包含处理流体的浴中提升出，并且将降低处理液体的表面张力的流体通过至少两个彼此面对的相对供给装置供应到处理液体，从而导致控制对降低处理液体的表面张力的流体的供应，使得交替地向相对供给装置供应流体。
19、从现有技术已知的方法在设备方面通常是复杂的；这些方法仍然关联有缺点，或者甚至被有意接受，即，当将晶片从处理流体中提升出时残留液滴保持不变，这导致晶片上“斑点”的形成，这进而可干扰较厚晶体层的后续外延生长。在本发明的范围内，“斑点”是指由附着到晶片上的残留液滴产生并且可以通过candela表面椭偏仪检测到的表面缺陷。例如，与不存在这种“斑点”的区域相比，“斑点”是指在晶片表面处的已化学改变的表面氧化物层成分。
20、因此，本发明的一个目的是提供一种在设备方面不复杂且可易于实现的方法，利用该方法可以干燥不同尺寸的晶片，并且利用该方法可以最小化或如果可能则完全避免在将晶片提升出期间残留液滴的形成。为iii-v族晶片设置非常均匀的氧化物表面可以被视为本发明的一个附加目的。
技术实现思路
1、所述目的通过一种根据权利要求1所述的方法、一种根据权利要求14或16所述的iii-v族晶片以及一种根据权利要求18所述的用于干燥晶片的装置来解决。本发明的另外的有益实施例是对应的从属权利要求的主题。
2、使用candela椭偏仪执行的基于椭偏仪的表面映射用于表征对应晶片的表面性质。在描述和示例中相应地解释对应测量的细节。
3、在不限制本发明的情况下，为了描述本发明的主要方面、优选实施例和特殊特征，提供了以下项目：
4、1、用于通过使用包括至少一个楔形件（2）和一对第一侧向引导装置（3a，3a'）、一对第二侧向引导装置（3b，3b'）和一对第三侧向引导装置（3c，3c'）的布置结构来干燥位于浴（1）内部的晶片（w）的方法，其中，一对第一侧向引导装置（3a，3a'）布置在一对第二侧向引导装置（3b，3b'）下方，并且一对第二侧向引导装置（3b，3b'）布置在一对第三侧向引导装置（3c，3c'）下方，其中，该方法包括以下步骤：
5、i）使至少一个楔形件（2）竖直向上移动，直到在晶片的最低点处到达晶片，使一对第一侧向引导装置（3a，3a'）和一对第二侧向引导装置（3b，3b'）竖直向上移动，其中，晶片（w）接触一对第一侧向引导装置（3a）和一对第二侧向引导装置（3b），其中，晶片（w）的上部区域从浴（1）中提升出，其中，一对第三侧向引导装置（3c）不接触晶片；
6、ii）使楔形件（2）竖直向上移动，直到一对第一侧向引导装置（3a，3a'）和一对第二侧向引导装置（3b，3b'）不再接触晶片（w），同时仍处于浴（1）的液面下方，其中，一对第三侧向引导装置（3c，3c'）在浴（1）的液面上方接触晶片；
7、iii）将晶片（w）提升到浴（1）的液位上方，其中，一对第三侧向引导装置（3c，3c'）接触晶片（w）。
8、在一个实施例中，一对第一侧向引导装置（3a，3a'）彼此之间的距离小于一对第二侧向引导装置（3b，3b'）彼此之间的距离，并且一对第二侧向引导装置（3b，3b'）彼此之间的距离小于一对第三侧向引导装置（3c，3c'）彼此之间的距离。
9、2、根据项目1所述的用于干燥晶片（w）的方法，还包括以下步骤：
10、iv）使楔形件（2）竖直向下移动，直到晶片（w）接触一对第一侧向引导装置（3a）和一对第二侧向引导装置（3b）中的至少一者；
11、v）使楔形件（2）进一步竖直向下移动，直到其不再接触晶片（w）；
12、同时与步骤iv）和/或v）并行地或者在步骤v）之后，浴（1）的液位降低，直到液位低于楔形件（2）。
13、3、根据项目1或2所述的方法，其中，浴含有水和至少一种附加的降低表面张力的物质。
14、4、根据项目3所述的方法，其中，至少一种附加的降低表面张力的物质是异丙醇。
15、5、根据项目2至4中任一项所述的方法，其中，在步骤i）中，一对第一侧向引导装置（3a，3a'）和一对第二侧向引导装置（3b，3b'）保持浸没在浴（1）中，并且在步骤v）结束时，一对第三侧向引导装置（3c，3c'）优选不接触晶片（w，w1，w2）。
16、6、根据前述项目中任一项所述的方法，其中，一对第一侧向引导装置（3a，3a'）、一对第二侧向引导装置（3b，3b'）和/或一对第三侧向引导装置（3c，3c'）各自由一对腹板组成，所述一对腹板以接触晶片（w）的相对侧的方式布置。
17、7、根据前述项目中任一项所述的方法，其中，一对第一侧向引导装置（3a，3a'）、一对第二侧向引导装置（3b，3b'）和可选地一对第三侧向引导装置（3c，3c'）还被载体装置（3d）保持，使得一对第一侧向引导装置（3a，3a'）、一对第二侧向引导装置（3b，3b'）和可选地一对第三侧向引导装置（3c，3c'）的竖直移动总是同步发生。
18、8、根据前述项目中任一项所述的方法，其中，在步骤i）中，一对第一侧向引导装置（3a，3a'）和一对第二侧向引导装置（3b，3b'）保持浸没在浴（1）中。
19、9、根据前述项目2至8中任一项所述的方法，其中，在步骤iv）和v）结束时，一对第三侧向引导装置（3c，3c'）不接触晶片（w）。
20、10、根据前述项目中任一项所述的方法，其中，步骤ii）还包括通过安装在浴（1）的液位上方的附加抓持装置（4）来固定晶片。
21、11、根据前述项目中任一项所述的方法，其中，楔形件（2）包含抽吸装置（6），当楔形件（2）的上部尖端位于液位上方时，真空被施加到所述抽吸装置上。
22、12、根据项目11所述的方法，其中，抽吸装置（6）代表楔形件（2，2a，2b）中的开口。
23、13、根据前述项目中任一项所述的方法，其中，楔形件（2）由塑料制成，优选由聚醚醚酮（peek）制成。
24、14、根据前述项目中任一项所述的方法，其中，楔形件（2）具有增加表面张力的表面结构。所述结构例如可以通过等离子体处理来实现。
25、15、根据前述项目中任一项所述的方法，其中，一对第一侧向引导装置（3a，3a'）、一对第二侧向引导装置（3b，3b'）和一对第三侧向引导装置（3c，3c'）具有凹口。
26、16、根据项目1至15中任一项所述的方法，其中，提升速度取决于晶片（w）的最低点的位置，并且当晶片（w）的最低点低于液位超过1.2cm时，提升速度在0.8至1.2mm/s之间，或者当晶片（w）的最低点低于液位小于1.2cm时，提升速度在0.4和0.5mm/s之间，并且一旦晶片（w）的最低点已到达液位，提升速度为至少30mm/s、优选至少40mm/s，更优选至少50mm/s。
27、17、根据项目1至16中任一项所述的方法，其中，一对第一侧向引导装置（3a，3a'）、一对第二侧向引导装置（3b，3b'）和一对第三侧向引导装置（3c，3c'）安装在支架（3）上，并且在步骤i）中使支架（3）移动，在步骤iii）中将晶片（w）提升到浴（1）的液位上方，其中，一对第三侧向引导装置（3c，3c'）和楔形件（2）接触晶片（w）。
28、18、根据项目1至16中任一项所述的方法，其中，在所有工艺步骤中，一对第三侧向引导装置（3c，3c'）定位在液位上方，并且能够独立于一对第一侧向引导装置（3a，3a'）和一对第二侧向引导装置（3b，3b'）移动，并且第三侧向引导装置（3c，3c'）能够相对于彼此水平移动。
29、19、根据项目18所述的方法，其中，在所有工艺步骤中，楔形件（2）保持在液位下方。
30、20、根据项目18或19所述的方法，其中，在步骤iii）中，第三侧向引导装置（3c，3c'）接触晶片的点之间的距离连续减小。
31、21、根据项目18至20中任一项所述的方法，其中，第三侧向引导装置（3c，3c'）适于相对于彼此执行水平移动。
32、22、根据项目18至21中任一项所述的方法，其中，第三侧向引导装置（3c，3c'）偏心安装或具有椭圆形状，并且设计成执行旋转运动。
33、23、iii-v族晶片（w），其中，氧化物表面具有小于25mm2的缺陷区域，并且其中，iii-v族晶片（w）是半绝缘的。
34、对于许多化合物（例如gaas）而言，半绝缘意味着费米能级位于带隙的中心附近。在gaas的情况下，除了用碳（c）掺杂一定量之外，这还可以通过本征点缺陷el2（镓位上的砷反位）来确保。在inp的情况下，需要用铁掺杂以产生半绝缘性质。
35、对于载流子浓度适用以下条件：在载流子浓度小于1×1010cm-3时，晶片被认为是半绝缘的，在载流子浓度大于1×1010cm-3时，晶片被认为是半导体的。载流子浓度的确定在标准“semi m39”中描述。
36、根据标准“semi m87”，对于半绝缘晶片，比电阻大于1×105ωcm，而具有比该值低的值的晶片可以被视为半导体的。
37、24、根据项目23所述的iii-v族晶片（w），其中，氧化物表面具有小于15mm2、优选小于10mm2、更优选小于5mm2的缺陷区域。
38、25、至少单面抛光、干燥和半绝缘的在整个表面上具有氧化物层的iii-v族晶片（w），其中，与iii-v族晶片的整个表面的其余部分相比具有改变的表面氧化物成分的表面小于5mm2。
39、这里，通过使用测量通道qabsphase的candela表面椭偏仪进行测量。
40、26、根据项目23、24或25所述的iii-v族晶片（w），其中，iii族元素选自ga和in，并且v元素选自as和p。
41、27、根据项目26所述的iii-v族晶片（w），其中，iii-v族晶片由gaas或inp组成，其中，gaas和inp可以未掺杂或者分别掺杂有碳（c）和掺杂有铁（fe）。
42、28、根据项目23至27中任一项所述的iii-v族晶片（w），其中，比电阻在1×108和8×108ωcm之间。
43、29、iii-v族晶片（w），其中，氧化物表面具有小于25mm2的缺陷区域，并且其中，iii-v族晶片（w）是半导体的。
44、这里，通过使用测量通道qabsphase的candela表面椭偏仪进行测量。
45、对于载流子浓度适用以下条件：在载流子浓度小于1×1010cm-3时，晶片被认为是半绝缘的，在载流子浓度大于1×1010cm-3时，晶片被认为是半导体的。载流子浓度的确定在标准“semi m39”中描述。
46、30、根据项目29所述的iii-v族晶片（w），其中，iii-v族晶片（w）包含硅或硫作为掺杂剂。
47、31、根据项目30所述的iii-v族晶片（w），其中，iii-v族晶片是gaas晶片并且包含硅作为掺杂剂。
48、32、根据项目30所述的iii-v族晶片（w），其中，iii-v族晶片是inp晶片并且包含硫作为掺杂剂。
49、33、至少单面抛光、干燥和半绝缘的在整个表面上具有氧化物层的iii-v族晶片（w），其中，与iii-v族晶片的整个表面的其余部分相比具有改变的表面氧化物成分的表面小于25mm2。
50、这里，还通过使用测量通道qabsphase的candela表面椭偏仪进行测量。
51、34、根据项目29至33中任一项所述的iii-v族晶片（w），其中，载流子浓度在1x1018cm-3和9x1018cm-3之间。
52、35、根据项目29至34中任一项所述的inp晶片（w），其氧化物表面具有小于20mm2、优选小于15mm2、更优选小于10mm2、甚至更优选小于5mm2的缺陷区域。
53、36、根据项目23至35中任一项所述的iii-v族晶片（w），其中，晶片的直径为至少150mm。
54、37、根据项目23至36中任一项所述的iii-v族晶片（w），其中，晶片的直径为至少200mm。
55、38、用硅掺杂的具有1x1018cm-3和3x1018cm-3之间的载流子浓度的gaas晶片（w），其中，表面氧化物具有小于25mm2的缺陷区域。
56、39、用硫掺杂的具有1.5x1018cm-3和9x1018cm-3之间的载流子浓度的inp晶片（w），并且其中，表面氧化物具有小于25mm2的缺陷区域。
57、40、用硫掺杂的具有1.5x1018cm-3和9x1018cm-3之间的载流子浓度的inp晶片（w），并且其中，表面氧化物具有小于20mm2、优选小于15mm2、更优选小于10mm2、甚至更优选小于5mm2的缺陷区域。
58、41、根据项目23至39中任一项所述的iii-v族晶片（w）或根据项目39或40所述的inp晶片，其中，缺陷区域是连续区域。
59、42、根据项目41所述的iii-v族晶片（w），其中，缺陷区域的至少一部分与晶片的边缘接触。
60、43、根据项目41或42所述的iii-v族晶片（w），其中，缺陷区域的至少一部分距晶片的边缘最大5mm。
61、44、根据项目41至43中任一项所述的iii-v族晶片（w），其中，整个缺陷区域位于晶片的边缘和距晶片的边缘最大10mm的虚拟圆形线之间的圆环内。
62、45、根据项目41至44中任一项所述的iii-v族晶片（w），其中，整个缺陷区域位于晶片的边缘和距晶片的边缘最大10.5mm的虚拟圆形线之间的圆环内。
63、46、根据项目41至45中任一项所述的iii-v族晶片（w），其中，整个缺陷区域位于晶片的边缘和距晶片的边缘最大10mm的虚拟圆形线之间的圆环内。
64、47、根据项目41至46中任一项所述的iii-v族晶片（w），其中，晶片在边缘的一部分处具有直磨削区段或凹口，并且缺陷区域与直磨削区段或凹口相对。
65、直磨削区段或凹口用作“识别特征”，用于当晶片用于电子组件（在晶片上生长外延层、光刻等）的生产时将由晶片制造商通过x射线方法确定的晶格的方位角取向转移到光刻生产线中的曝光系统。
66、48、用于干燥晶片的装置，包括：
67、具有液体的浴（1）；
68、楔形件（2）；
69、至少一个可竖直移动的支承装置（5）；
70、其中，至少一个支架（3；31，32）可以安装到支承装置（5）中，
71、至少一个支架（3；31，32）包括：
72、一对第一侧向引导装置（3a，3a'）、一对第二侧向引导装置（3b，3b'）和一对第三侧向引导装置（3c，3c'），
73、其中，一对第一侧向引导装置（3a，3a'）布置在一对第二侧向引导装置（3b，3b'）下方，并且一对第二侧向引导装置（3b，3b'）布置在一对第三侧向引导装置（3c，3c'）下方，并且
74、其中，一对第一侧向引导装置（3a，3a'）彼此之间的距离小于一对第二侧向引导装置（3b，3b'）彼此之间的距离，并且一对第二侧向引导装置（3b，3b'）彼此之间的距离小于一对第三侧向引导装置（3c，3c'）彼此之间的距离，
75、其中，楔形件（2）布置在支架（3）下方并且可与支承装置（5）分开地竖直移动。
76、这里，竖直是指移出或移入浴中，即平行于重力方向。
77、49、根据项目48所述的装置，其中，楔形件（2）可独立于支承装置（5）或支架（3）竖直移动。
78、50、根据项目48或49所述的装置，其中，楔形件（2）包括至少两个楔形件部分（2a，2b），其中，这两个楔形件部分（2a，2b）可独立于彼此竖直移动。
79、51、根据项目50所述的装置，其中，至少第一支架（31）可以插入支承装置（5）中，使得至少第一支架（31）的中心位于第一楔形件区段（2a）的尖端上方，并且此外，第二支架（32）可以插入，使得第二支架（32）的中心位于第二楔形件区段（2b）的尖端上方。
80、52、根据项目51所述的装置，其中，第一支架（31）适于保持具有第一直径的晶片（w1），并且第二支架（32）适于保持具有第二直径的晶片（w2），其中，第一直径小于第二直径。
81、53、根据项目50至52中任一项所述的装置，其中，第一楔形件区段（2a）和/或第二楔形件区段（2b）的尖端形成为三角形，优选为直角三角形。
82、54、根据项目50至53中任一项所述的装置，其中，第一楔形件区段（2a）被分成两部分，并且存在两个区段，其中，第一楔形件区段（2a）和第二楔形件区段（2b）彼此相邻布置。