半导体激光元件的制作方法

文档序号:44821901发布日期:2026-03-03 23:26阅读:11来源:国知局

本公开涉及半导体激光元件。


背景技术:

1、公开有如下的技术:在从半导体晶片分割为条状的多个激光条之后,针对激光条(laser bar),在使用激光加工、金刚石切割刀或划片机来形成了分离槽的基础上进行劈裂,由此从激光条制造出半导体激光元件(例如参照专利文献1)。

2、现有技术文献

3、专利文献

4、专利文献1:国际公开第2020/137146号


技术实现思路

1、然而,在使用激光加工、金刚石切割刀或划片机在激光条上形成了分离槽的情况下,分离槽相对于其长度方向而言在分离槽的宽度、深度上产生偏差。其结果是,若劈裂激光条,则会在激光条的劈裂面形成褶皱。

2、本公开的一方案的半导体激光元件,包括:元件主体,具有彼此朝向相反侧的元件表面及元件背面、在从所述元件表面所朝向的厚度方向观察时在第一方向上彼此朝向相反侧的第一端面及第二端面、以及在与所述第一方向正交的第二方向上彼此朝向相反侧的第一侧面及第二侧面,所述元件主体从所述第一端面射出激光;表面电极,形成在所述元件表面;以及背面电极,形成在所述元件背面,所述元件主体包括:第一凹陷部,设置在所述第一侧面与所述元件表面之间,朝向所述元件主体的内部凹陷;以及第二凹陷部,设置在所述第二侧面与所述元件表面之间,朝向所述元件主体的内部凹陷,所述第一凹陷部包括与所述第一侧面朝向同一侧的第一内侧面和连接所述第一内侧面与所述第一侧面的第一连接面,所述第二凹陷部包括与所述第二侧面朝向同一侧的第二内侧面和连接所述第二内侧面与所述第二侧面的第二连接面,所述第一连接面及所述第二连接面分别包括相对于所述元件表面以与所述第一侧面及所述第二侧面不同的角度倾斜的倾斜面。


技术特征:

1.一种半导体激光元件,包括:

2.根据权利要求1所述的半导体激光元件,其中,

3.根据权利要求1或2所述的半导体激光元件,其中,

4.根据权利要求1~3中任一项所述的半导体激光元件,其中,

5.根据权利要求1~4中任一项所述的半导体激光元件,其中,

6.根据权利要求5所述的半导体激光元件,其中,

7.根据权利要求6所述的半导体激光元件,其中,

8.根据权利要求6所述的半导体激光元件,其中,

9.根据权利要求6~8中任一项所述的半导体激光元件,其中,

10.根据权利要求9所述的半导体激光元件,其中,

11.根据权利要求9所述的半导体激光元件,其中,

12.根据权利要求9所述的半导体激光元件,其中,

13.根据权利要求6~8中任一项所述的半导体激光元件,其中,

14.根据权利要求13所述的半导体激光元件,其中,

15.根据权利要求1~14中任一项所述的半导体激光元件,其中,

16.根据权利要求15所述的半导体激光元件,其中,

17.根据权利要求15或16所述的半导体激光元件,其中,

18.根据权利要求15~17中任一项所述的半导体激光元件,其中,

19.根据权利要求15~17中任一项所述的半导体激光元件,其中,


技术总结
半导体激光元件包括从第一端面射出激光的元件主体。元件主体包括:第一凹陷部,设置在第一侧面与元件表面之间,朝向元件主体的内部凹陷;以及第二凹陷部,设置在第二侧面与元件表面之间,朝向元件主体的内部凹陷。第一凹陷部包括与第一侧面朝向同一侧的第一内侧面和连接第一内侧面与第一侧面的第一连接面。第二凹陷部包括与第二侧面朝向同一侧的第二内侧面和连接第二内侧面与第二侧面的第二连接面。第一连接面及第二连接面分别包括相对于元件表面以与第一侧面及第二侧面不同的角度倾斜的倾斜面。

技术研发人员:广川优树
受保护的技术使用者:罗姆股份有限公司
技术研发日:
技术公布日:2026/3/2
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