的提 高。如果饿W氧化物换算计为10~40摩尔％，则玻璃化范围扩大，优选W20~30摩尔％ 的范围含有。当低于20摩尔％时，则有难W得到化学耐久性的提高的倾向，当超过30摩 尔％时，有可能有损火焰贯穿性。
[0059] 锋特别是在上述铅-饿系玻璃粉中，为优选的任意成分，但作为中间氧化物，有助 于玻璃网形成。通过W氧化物换算计W30摩尔％作为上限而含有锋，容易形成玻璃，优选 W10~20摩尔％的范围含有。如果是该范围，则在使玻璃稳定化该一点上是优选的。
[0060] 娃特别是在上述铅-饿系玻璃粉中，有助于玻璃网形成，使软化点调节容易。如果 娃W氧化物换算计为5~30摩尔％，则容易形成玻璃，优选W10~20摩尔％的范围含有。 当超过20摩尔％时，有可能软化点过高、或阻碍铅作为网眼形成成分的网形成。
[0061] 棚特别是在上述铅-饿系玻璃粉中，有助于玻璃网形成。如果棚W氧化物换算计 为1~25摩尔％，则容易形成玻璃，优选W10~20摩尔％的范围含有。当超过20摩尔％ 时，有可能有损铅的火焰贯穿性，或者难W调节软化点。
[0062] 在上述铅-饿系玻璃粉中，虽然不是必需，但也可W还含有裡、钢该样的碱金属元 素、巧、领该样的碱±金属元素、锦、铺、镑、错该样的稀±元素、侣、饥、错、银、铜、鹤该样的 元素。铅-饿系玻璃粉的该些元素的含量W氧化物换算的合计计优选为50摩尔％W下。
[0063] 为了形成兼具低接触电阻和强拉伸强度该两者的表面电极，优选将混合玻璃粉的 蹄系玻璃粉和铅-饿系玻璃粉的配合比率设为质量比4 : 6~8 : 2。另外，混合玻璃粉只 要至少混合含有蹄系玻璃粉和铅-饿系玻璃粉即可，优选相对于混合玻璃粉整体100质量 份，合计含有该些玻璃粉超过50质量份，也可W还含有其他玻璃的粉。例如，也可W还含有 W铅及蹄为必需成分的铅-蹄系玻璃粉。由此，可得到能够进一步降低接触电阻值的效果。
[0064] 作为优选的铅-蹄系玻璃粉，可举出W氧化物换算计含有铅30~70摩尔％、蹄 20~60摩尔％、鹤5~10摩尔％，且含有上述铅、蹄、及鹤的合计60摩尔％ ^上、更优选为 80摩尔％W上的玻璃粉。其中，在铅-蹄系玻璃粉中，鹤非必需，也可使用含有棚、钢、魄、 儀、铁、侣等的玻璃粉。
[0065] 如上所述，通过使用含有蹄系玻璃粉和铅-饿系玻璃粉作为混合玻璃粉的导电性 糊，能够形成兼具低接触电阻及强拉伸强度两者的表面电极。该效果是在单独使用蹄系玻 璃粉或铅-饿系玻璃粉作为玻璃粉的情况下自不必说、在单独使用铅-蹄系玻璃粉的情况 下也得不到的效果。
[0066] 该理由尚不清楚，但认为通过将性质大不相同的两种玻璃粉即具有低接触电阻的 蹄系玻璃粉和具有强拉伸强度的铅-饿系玻璃粉混合，而且两者缺乏相互烙合的倾向，由 此能够发挥接触电阻的降低和拉伸强度的提高优异的效果。
[0067] 另外，通常蹄系玻璃和铅-饿系玻璃具有不同的软化点，蹄系玻璃具有比铅-饿系 玻璃更低的软化点。例如，蹄系玻璃的软化点为300~400°C左右，铅-饿系玻璃的软化点 为360~440°C左右。该样，认为由于蹄系玻璃粉具有比铅-饿系玻璃粉更低的软化点，如 W下推论那样，可得到进一步的效果。
[0068] 在烧成工序中，首先，软化点低且具有使接触电阻下降的效果的蹄系玻璃粉软化 而扩展，覆盖半导体基板上。其后，软化点高且与防反射膜的反应性优异的铅-饿系玻璃粉 软化，在半导体基板上在蹄系玻璃未被覆的部位，像模子那样突破防反射膜。该样，认为通 过蹄系玻璃粉和铅-饿系玻璃粉相互作用，可带来接触电阻的降低及拉伸强度的进一步的 提局。
[0069] 在此，蹄系玻璃粉的软化点和铅-饿系玻璃粉的软化点之差优选为10~100°C，更 优选为30~70°C。在软化点之差不足10°C时，难W体现上述作用，当超过l〇〇°C时，就会导 致蹄系玻璃完全被覆半导体基板上，铅-饿系玻璃难W突破防反射膜。
[0070]〔制造方法）
[0071] 对本实施方式的太阳能电池元件的制造方法的概要进行说明。
[0072] 首先，对半导体基板1的制法进行说明。在半导体基板1为单晶娃基板的情况下， 通过例如提拉法等来形成，在半导体基板1为多晶娃基板的情况下，通过例如铸造法等来 形成。此外，下面，对使用了P型多晶娃的例子进行说明。
[0073] 首先，通过例如铸造法，制作多晶娃锭。接着，将该锭切成例如250ymW下的厚 度。其后，为了去除半导体基板1的切断面的机械损伤层，或净化污染层，最好用例如化0H 或K0H、或氨氣酸或氣硝酸等的水溶液对表面进行极微量蚀刻（参照图2(a))。
[0074] 接着，根据需要，在半导体基板1的第一面侧形成许多微细突起1C。该种微细突起 Ic可利用RIE法来形成。下面，对其一个例子进行说明。首先，在RIE装置的RF电极的上 部设置半导体基板1，利用真空累，将通过地线而接地的腔的内部充分抽真空。其后，利用 质量流量控制器，将含有氯系气体、氣系气体和氧气的蚀刻气体W规定流量导入腔内，利用 压力调节器，将反应压力调节成5~15化左右。作为氯系气体，可使用〇2、肥1、C1F3,作为 氣系气体，可使用CHF3、F2、NF3、CF4、C2Fe、C3Fs、ClF3、SFe。其后，通过从RF电源对RF电极附 加5~lOkW左右的RF电力，将蚀刻气体激发分解，使其产生等离子状态。然后，通过产生 的离子及自由基，蚀刻半导体基板1的表面。
[00巧]当蚀刻半导体基板1的表面时，该表面的构成成分基本上脱离。但是，该构成成分 的一部分未完全脱离，而是残留在半导体基板1的表面，脱离后的物质的一部分再次吸附 于半导体基板1的表面，该些物质成为蚀刻残渣。通过使W蚀刻后的半导体基板1的材料 为主要成分的蚀刻残渣有意地再附着于半导体基板1的表面，且利用该蚀刻残渣作为蚀刻 的掩模，进一步实现有助于表面凹凸构造的形成的半导体基板1的表面的粗面化（参照图 2(b)) "
[0076] 接着，在半导体基板1的第一面的表层内，形成n型相反导电型层la。该种相反导 电型层la通过将糊状态的P2〇5涂布于半导体基板1表面并使其热扩散的涂布热扩散法、W 气体状态的P〇Cl3(氯氧化磯）为扩散源的气相热扩散法、或使磯离子直接扩散的离子注入 法等而形成。该相反导电型层la形成为0. 2~2. 0ym左右的涂度、60~150Q/ □左右的 薄膜电阻（参照图2(c))。
[0077] 接着，在半导体基板1的第二面侧，形成高浓度地扩散了单导电型半导体杂质的 BSF区域化。作为制法，可使用例如：利用WBBr3(S漠化棚）为扩散源的热扩散法、在温 度800~llOOC左右进行形成的方法；在通过印刷法涂布了包含A1 (侣）粉末及有机赋形 剂等的A1糊W后，在温度600~850°C左右下进行热处理（烧成），使A1扩散于半导体基 板1的方法。另外，如果利用印刷A1糊并进行烧成的方法，则不仅能够仅在印刷面上形成所 期望的扩散区域，而且不需要去除在相反导电型层la的形成时同时也形成于第二面侧的n 型相反导电型层，只要仅第二面侧的周边部使用激光等进行pn分离即可。另外，烧成后的 侣可W不去除而用作集电电极（参照图2(d))。
[0078] 接着，在半导体基板1的第一面上，形成防反射膜2。防反射膜2利用例如 阳CVD(plasmaenhancedchemicalvapordeposition)法、蒸锻法、或瓣射法等形成。例如， 如果是用PECVD法形成由SiNy膜构成的防反射膜2的情况，则通过将反应室内设为500°C 左右，并用馬（氮）稀释Si&(硅烷）和N&(氨）的混合气体，通过辉光放电分解使其等离 子体化并使其沉积，来形成防反射膜2 (参照图2 (e))。
[0079] 接着，如下所述地形成第一电极3和第二电极4。
[0080]第一电极3使用例如含有由Ag(银）等构成的金属粉末、有机赋形剂和混合玻璃 粉的Ag