发光二极管封装结构的制作方法
【技术领域】
[0001] 本发明涉及一种半导体元件，尤其涉及一种发光二极管封装结构。
【背景技术】
[0002] 传统的发光二极管封装结构包括基板以及设置在基板上的发光二极管芯片。所述 基板包括连接发光二极管芯片的焊接区。所述发光二极管芯片的电极放置于焊接区然后通 过焊接的方式将发光二极管芯片焊接至基板的焊接区。然而由于焊接时发光二极管芯片受 到焊料熔融状态下的吸引力及基板的排斥力的影响，常常导致其偏离焊接区，进而导致整 个发光二极管封装结构的品质下降。
【发明内容】
[0003] 有鉴于此，有必要提供一种稳定性好的发光二极管封装结构。
[0004] -种发光二极管封装结构，包括基板和设置在基板上的发光二极管芯片，所述发 光二极管芯片包括向外凸伸的电极，所述基板上设有凹陷的焊接区，所述电极收容于焊接 区后与基板通过焊接连接。
[0005] 本发明的发光二极管封装结构中，由于所述发光二极管芯片的电极分别与基板焊 接区收容焊接，使得发光二极管芯片的电极不易与所述基板的焊接区偏离，提高了发光二 极管封装结构的品质。
【附图说明】
[0006] 图1为发明第本一实施例的发光二极管封装结构的立体组装图。
[0007] 图2为图1所示的发光二极管封装结构的剖视图。
[0008] 图3为图1所示的发光二极管封装结构的分解图。
[0009] 图4为本发明第二实施例的发光二极管封装结构分解图。
[0010] 主要元件符号说明
如下【具体实施方式】将结合上述附图进一步说明本发明。
【具体实施方式】
[0011] 如图1-2所示，本发明第一实施例中的发光二极管封装结构100包括基板10和设 置在基板10上的发光二极管芯片20。
[0012] 请同时参考图3,所述基板10上间隔设置有第一焊接区11、第二焊接区12,以及第 三焊接区13。所述发光二极管芯片20间隔设置有第一电极21、第二电极22以及第三电极 23。所述第一电极21、第二电极22,以及第三电极23分别与所述第一焊接区11、第二焊接 区12和第三焊接区13对应焊接。
[0013] 所述基板10为任意一种可在其表面或内部进行布线设计的板体。在本实施例中， 所述基板10为普通的印刷电路板、柔性电路板或者金属基板。
[0014] 所述基板10包括焊接面101以及与该焊接面101相对设置的底面102。所述焊接 面101上可涂覆绝缘材料，所述第一焊接区11、第二焊接区12,以及第三焊接区13分别设 置在基板10的焊接面101上。具体的，所述第一焊接区11、第二焊接区12以及第三焊接区 13为分别自基板10的焊接面101朝向底面102凹陷而成的凹槽，所述第一焊接区11、第二 焊接区12以及第三焊接区13内可填充有导电物质。在本实施例中，所述第一焊接区11、第 二焊接区12以及第三焊接区13的横截面呈矩形，可以理解的，所述第一焊接区11、第二焊 接区12以及第三焊接区13的横截面可以为其他可能的形状，例如梯形、三角形等。
[0015] 所述第一焊接区11和第二焊接区12间隔形成第一间隔区121，所述第二焊接区 12和第三焊接区13间隔形成第二间隔区122。
[0016] 如图3所示，所述发光二极管芯片20的第一电极21、第二电极22,以及第三电极 23分别与所述基板10的第一焊接区11、第二焊接区12,以及第三焊接区13 -一对应。具 体的，所述第一电极21、第二电极22,以及第三电极23分别为自发光二极管芯片20的电极 表面向外凸伸形成，所述第一电极21、第二电极22以及第三电极23的具体形状和尺寸应 与所述第一焊接区11、第二焊接区12,以及第三焊接区13相当，所述第一电极21、第二电 极22以及第三电极23的具体形状应与所述第一焊接区11、第二焊接区12,以及第三焊接 区13配合。所述第一电极21、第二电极22、第三电极23外表面上可设有导电物质。
[0017] 进一步地，所述发光二极管芯片20的第一电极21和第三电极23分别位于第二电 极22的相对两侧。所述第一电极21和第二电极22间隔形成第一绝缘区221，所述第二电 极22和第三电极23间隔形成第二绝缘区222。所述第一绝缘区221和第二绝缘区222相 对于第一电极21、第二电极22和第三电极23呈现凹槽状。所述第一绝缘区221和第二绝 缘区222内可填充有绝缘物质。
[0018] 所述发光二极管芯片20焊接至所述基板10时，所述第一电极21、第二电极22以 及第三电极23分别收容于基板10的第一焊接区11、第二焊接区12,以及第三焊接区13内 通过熔融的焊料进行焊接，所述基板第一间隔区121与第二间隔区122对应收容于所述发 光二极管芯片20的第一绝缘区221和第二绝缘区222进行固定绝缘发光二极管芯片20的 各个电极。如此，使得所述第一电极21、第二电极22以及第三电极23分别与基板10的第 一焊接区11、第二焊接区12,以及第三焊接区13实现三维对位，使得发光二极管芯片20的 第一电极21、第二电极22和第三电极23与基板10的第一焊接区11、第二焊接区12和第 三焊接区13之间不但进一步对位准确，而且在焊接过程中，熔融的焊料与基板10之间产生 的吸附力不会使得发光二极管芯片20第一电极21、第二电极22、第三电极23与基板10的 第一焊接区11、第二焊接区12和第三焊接区13之间产生相对位移，从而提高了发光二极管 封装结构的品质。
[0019] 如图4所示，为本发明第二实施例中的发光二极管封装结构100a，其与第一实施 例中所述发光二极管封装结构100相似，其不同之处在于：所述基板10进一步包括第三 间隔区123,所述第三间隔区123沿着所述第一焊接区11、第二焊接区12及第三焊接区13 的中贯穿以将所述第一焊接区11、第二焊接区12及第三焊接区13分割。在本实施例中，所 述的第三间隔区123与所述第一间隔区121和第二间隔区122垂直相交，可以理解的，所述 第三间隔区与所述第一间隔区121和第二间隔区122以其他角度相交。
[0020] 相应地，所述发光二极管芯片20进一步包括与所述基板10的第三间隔区123相 应的第三绝缘区223。所述的第三绝缘区223沿着所述第一电极21、第二电极22以及第三 电极23中贯穿以将所述第一电极21、第二电极22以及第三电极23进一步分割。所述的第 三绝缘区223的位置和形状能与所述第三间隔区123配合即可。
[0021] 可以理解的是，对于本领域的普通技术人员来说，可以根据本发明的技术构思做 出其它各种相应的改变与变形，而所有这些改变与变形都应属于本发明权利要求的保护范 围。
【主权项】
1. 一种发光二极管封装结构，包括基板和设置在基板上的发光二极管芯片，其特征在 于：所述发光二极管芯片包括向外凸伸的电极，所述基板上设有凹陷的焊接区，所述电极收 容于焊接区后与基板通过焊接连接。2. 如权利要求1所述的发光二极管封装结构，其特征在于：所述基板进一步包括焊接 面以及与所述焊接面相对设置的底面，所述焊接面上涂覆有绝缘材料。3. 如权利要求2所述的发光二极管封装结构，其特征在于：所述电极包括第一电极、第 二电极、第三电极，所述焊接区包括第一焊接、第二焊接区和第三焊接区。4. 如权利要求3所述的发光二极管封装结构，其特征在于：所述第一焊接区、第二焊接 区、第三焊接区分别形成在焊接面上。5. 如权利要求3所述的发光二极管封装结构，其特征在于：所述第一焊接区、第二焊接 区、第三焊接区分别为自所述焊接面朝向底面内凹形成的凹槽。6. 如权利要求3所述的发光二极管封装结构，其特征在于：所述第一电极、第二电极、 第三电极分别为自发光二极管芯片的电极表面向外凸伸形成，所述第一电极、第二电极、第 三电极分别与所述第一焊接区、第二焊接区、第三焊接区配合焊接。7. 如权利要求3所述的发光二极管封装结构，其特征在于：所述第一焊接区和第二焊 接区间隔形成第一间隔区，所述第二焊接区和第三焊接区间隔形成第二间隔区。8. 如权利要求3所述的发光二极管封装结构，其特征在于：所述第一电极和第二电极 间隔形成第一绝缘区，所述第二电极和第三电极间隔形成第二绝缘区。9. 如权利要求7或8所述的发光二极管封装结构，其特征在于：所述基板还包括一第 三间隔区，所述第三间隔区贯穿所述第一焊接区、第二焊接区和第三焊接区并将所述第一 焊接区、第二焊接区和第三焊接区分割，所述发光二极管芯片进一步包括与所述第三间隔 区相应的第三绝缘区，所述第三绝缘区贯穿所述第一电极、第二电极以及第三电极并将所 述第一电极、第二电极、第三电极分割。
【专利摘要】一种发光二极管封装结构，包括基板和设置在基板上的发光二极管芯片，所述发光二极管芯片包括向外凸伸的电极，所述基板上设有凹陷的焊接区，所述电极收容于焊接区后与基板通过焊接连接。
【IPC分类】H01L33/48, H01L33/62
【公开号】CN105591009
【申请号】CN201410574126
【发明人】谢明哲, 陈皓文, 张忠民
【申请人】展晶科技(深圳)有限公司, 荣创能源科技股份有限公司
【公开日】2016年5月18日
【申请日】2014年10月24日