发光器件的制作方法
【专利摘要】本发明涉及一种发光器件（1），其包括衬底（5）、透明阳极层（7）、阴极层（9）、阳极层与阴极层之间的发光层（8）、以及衬底与阳极层之间的中间层（4）。导电元件被嵌入在中间层中使得导电元件与阳极层接触。而且，用于散射光的散射颗粒被嵌入在中间层中，从而提高器件的光外耦合效率。因为导电元件被嵌入在中间层中并且例如不在阳极层的顶部上，即不在阳极层与阴极层之间，所以阳极层的薄层电阻可以在不要求钝化层的情况下被减小，该钝化层可能不利地影响发光材料。此外，嵌入的导电元件允许透明阳极层的厚度被减小为大约50 nm或者更小的厚度，由此最小化透明阳极层的光吸收对光外耦合效率的影响。这允许改进的光发射质量。
【专利说明】
发光器件
技术领域
[0001]本发明涉及发光器件、被用于制造发光器件的层结构、以及用于制造层结构的制造方法。
【背景技术】
[0002]有机发光器件(OLED)包括比如玻璃衬底之类的衬底与阳极层、阴极层和阳极层与阴极层之间的有机发光层，其中有机发光层适配成在电压被施加给阳极层和阴极层的情况下发射光。此外，在阳极层的顶部上，即在有机发光层内，可以提供金属网格(grid)，以便减小阳极层的薄层电阻，其中在金属网格的顶部上可以提供比如光刻胶层之类的钝化层，以便抑制OLED中的电气短路。然而，有机发光层可能不利地受到湿气以及与形成钝化层的钝化材料的反应的影响，由此降低OLED的光发射质量。
【发明内容】
[0003]本发明的目的是提供一种具有改进的光发射质量的发光器件。本发明的另外目的是提供一种可以用于制造发光器件的层结构，以及提供一种用于制造层结构的制造方法。
[0004]在本发明的第一方面中，提出一种发光器件，该发光器件包括衬底、透明阳极层、阴极层、以及阳极层与阴极层之间的发光层，其中发光层适配成在电压被施加给阳极层和阴极层的情况下发射光。发光器件还包括衬底与透明阳极层之间的中间层，其中中间层包括具有比衬底的折射率高的折射率的中间层材料。此外，导电元件被嵌入在中间层中使得导电元件与透明阳极层接触。用于散射光的散射颗粒被嵌入在中间层中，并且透明阳极层具有大约50 nm或者更少的厚度，诸如20 nm的厚度。
[0005]嵌入在中间层中的散射颗粒提高器件的光外耦合效率。然而，如果向器件添加这样的散射功能，则通过器件的另外层中的任何一层对光的吸收例如由于光路径的增加长度和散射过程而发挥大得多的作用，这对于透明阳极层而言尤其如此。
[0006]因为导电元件被嵌入在中间层中并且不在阳极层的顶部上，即不在阳极层与阴极层之间，所以在导电元件上不需要钝化层用于抑制发光层内的电气短路，其中阳极层的薄层电阻仍旧可以被减小，因为导电元件与阳极层接触。同样地，因为不需要与发光层接触的钝化层，所以发光层不能不利地受到湿气或者与钝化层的钝化材料的反应的影响，由此允许改进的光发射质量。此外，因为阳极层的薄层电阻主要由嵌入的导电元件确定，所以后者允许透明阳极层的厚度被减小为大约50 nm或者更小的厚度(诸如20 nm的厚度)，由此最小化透明阳极层的光吸收对光外耦合效率的影响，使得后者可以甚至进一步增加。
[0007]导电元件优先地是金属元件并且衬底优先地是玻璃或聚合物衬底。中间层优先地由其中嵌入导电元件的电气绝缘中间层材料制成。阴极层对于所发射的光可以是反射的。发光层优先地包括有机发光材料使得发光器件优先地是OLED。
[0008]优选的是，中间层材料的折射率类似于(尤其是等于)透明阳极层的折射率。还优选的是，中间层材料的折射率类似于(尤其是等于)阳极层和发光层的折射率的平均。在优选实施例中，中间层材料的折射率等于或大于1.7。此外，面向中间层的衬底的表面可以包括散射结构。特别地，面向中间层的衬底的表面可以被粗糙化用于提供表面上的散射结构。中间层的相对高的折射率和嵌入在中间层中的散射颗粒和/或衬底表面上的散射结构可以改进通过透明阳极层、中间层和衬底将由发光层发射的光从发光器件耦合出的效率。
[0009]在实施例中，导电元件仅布置在面向阳极层的中间层的部分中。此外，导电元件优先地是导电网格。如果导电元件是导电网格，则阳极层的薄层电阻可以相对均匀地被减小，由此提高发光器件的亮度均匀性。
[0010]在实施例中，中间层包括由第一中间层材料制成的第一部分和由第二中间层材料制成的第二部分。特别地，第二部分可以是面向阳极层且包括导电元件的中间层的部分，并且第一部分可以是面向衬底且不包括导电元件的中间层的部分。此外，第一部分可以包括用于散射光的散射颗粒，即散射颗粒可以仅存在于第一部分中。当制造发光器件时，针对第一和第二部分使用不同中间层材料可以是有利的。例如，为了制造第二部分，可以使用第二中间层材料，其尤其适于嵌入导电元件，并且为了制造第一部分，可以使用第一中间层材料，其尤其适于嵌入散射颗粒。
[0011]在本发明的第二方面中，提出一种层结构，该层结构可以用于制造根据本发明的第一方面的发光器件。层结构包括衬底、将形成发光器件中的透明阳极层的电极层、以及衬底与透明阳极层之间的中间层，其中中间层包括具有比衬底的折射率高的折射率的中间层材料，其中导电元件被嵌入在中间层中使得导电元件与透明阳极层接触，并且其中用于散射光的散射颗粒被嵌入在中间层中。为了制造发光器件，可以在层结构上提供另外的层，比如发光层和阴极层。
[0012]在本发明的第三方面中，提出一种用于制造根据第二方面的层结构的方法，其中该方法包括以下步骤:提供衬底;在衬底上提供中间层，其中导电元件被嵌入在中间层中，其中中间层包括具有比衬底的折射率大的折射率的中间层材料，并且其中用于散射光的散射颗粒被嵌入在中间层中；在中间层上提供将形成透明阳极层的电极层，透明阳极层具有大约50 nm或者更小的厚度，其中具有导电元件和透明阳极层的中间层被提供使得导电元件与透明阳极层接触。
[0013]为了制造根据本发明的第一方面的发光器件，方法还可以包括以下步骤:在透明阳极层上提供发光层；以及在发光层上提供阴极层使得发光层布置在阳极层与阴极层之间，其中发光层适配成在电压被施加给阳极层和阴极层的情况下发射光。
[0014]在实施例中，具有嵌入的导电元件的中间层的提供包括在衬底上提供导电元件并且然后在具有导电元件的衬底上沉积中间层材料，以便形成中间层，其中制造方法还包括在中间层上提供透明阳极层之前从导电元件移除中间层材料。在另外的实施例中，具有嵌入的导电元件的中间层的提供包括:在衬底上提供不包括导电元件的初步中间层;在初步中间层中制造沟槽；以及用导电材料填充沟槽用于形成导电元件。此外，具有嵌入的导电元件的中间层的提供可以包括:在衬底上提供中间层材料，以便形成面向衬底并且不包括导电元件的中间层的第一部分；以及在中间层的第一部分上提供具有导电元件的中间层的第二部分。
[0015]应当理解到，根据第一方面的发光器件、根据第二方面的层结构和根据第三方面的方法具有相似和/或相同的优选实施例，特别地如在从属权利要求中所限定的那样。
[0016]应当理解到，本发明的优选实施例也可以是从属权利要求或者以上实施例与相应独立权利要求的任何组合。
[0017]本发明的这些和其它方面将从以下描述的实施例显而易见并且将参照以下描述的实施例进行阐述。
【附图说明】
[0018]在以下附图中:
图1至4示意性且示例性示出OLED的不同实施例，
图5示出示例性图示了用于制造OLED的制造方法的实施例的流程图，以及图6示意性且示例性示出用于制造OLED的制造装置的实施例。
【具体实施方式】
[0019]图1示意性且示例性示出发光器件的实施例。发光器件I是0LED，其包括作为透明阳极层7的第一电极层与作为反射阴极层9的第二电极层之间的有机发光层8。电压源10经由电气连接部11(比如电线)而连接到阳极层7和阴极层9，其中有机发光层8适配成在电压被施加给阳极层7和阴极层9的情况下发射光40。
[0020]有机发光层8包括子层的堆叠，其包括一个或若干有机发光子层以及可选地包括比如一个或若干空穴注入子层、一个或若干空穴传输子层、一个或若干电子传输子层、一个或若干电荷生成子层等等的另外子层。
[0021]OLED I还包括可能是玻璃衬底或聚合物衬底的衬底5，以及衬底5上的中间层4，其中阳极层7布置在中间层4上。因而，中间层4布置在衬底5与阳极层7之间。中间层4包括嵌入在中间层4中使得导电元件6与阳极层7接触的导电元件6。在该实施例中，导电元件6是金属网格。
[0022]中间层4，即嵌入导电元件6的中间层材料，具有等于或大于1.7的折射率，其中折射率与由发光层8发射的光的波长相关。此外，该折射率可以类似于阳极层7的折射率和/或阳极层7和发光层8的折射率的平均的折射率。嵌入导电元件6并且具有该折射率的中间层材料(其在该实施例中从衬底5到达阳极层7)优先地是电气绝缘的。
[0023]衬底5包括面向中间层4的粗糙化表面3，即散射结构被提供在衬底5的表面上。本体2，即衬底5的其余部分，不具有散射结构并且仅仅允许由发光层8发射的光40离开OLED
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[0024]衬底5与中间层4和阳极层7—起形成层结构，该层结构可以在也不提供其它层的情况下首先被制造，其中随后该层结构可以用于制造发光层。例如，可以在第一制造场所处制造层结构，此后，可以在第二制造场所处在层结构上提供其余层用于形成发光器件。
[0025]图2示意性且示例性示出OLED的另一实施例。同样地，在该实施例中，OLED101包括阳极层7和阴极层9，以及在阳极层7与阴极层9之间的中间有机发光层8。此外，同样地在该实施例中，电压源10连接到阳极层7和阴极层9，以便向阳极层和阴极层7，9施加电压，其中有机发光层8在电压被施加给阳极层和阴极层7，9的情况下发射光。然而，在该实施例中，衬底105包括面向中间层104的平滑表面，其中中间层104类似于以上参照图1所述的中间层4，但是附加地包括散射颗粒112用于在穿过中间层104时散射光40。
[0026]图3示意性且示例性示出OLED的另一实施例。在该实施例中，OLED 201也包括阳极层7、阴极层9与中间发光层8，其中阳极层7和阴极层9电气连接到电压源10。然而，在该实施例中，OLED 201包括具有如以上参照图1所述的粗糙化表面4的衬底5。此外，在该实施例中，导电元件206不布置在面向衬底5的中间层204的第一部分231中，而是仅在面向阳极层7的第二部分230中。因而，中间层204可以具有比将阳极层7的薄层电阻减小为期望值所必要的大得多的厚度。例如，中间层204可以具有大约ΙΟμπι的厚度，而金属网格206可以具有大约1μm的厚度。
[0027]此外，中间层204的第一和第二部分231，230可以由相同中间层材料或者由优先地具有相同折射率的不同中间层材料来形成。例如，第一部分231可以是溶胶-凝胶部分，其包含S12和T12的混合物，用于按照期望调节第一部分231的折射率。第二部分230也可以是具有S12和T12的混合物的溶胶-凝胶部分，或者第二部分可以由另一材料(比如具有期望折射率的透明聚合物)形成。
[0028]图4示意性且示例性示出OLED的另一实施例。在该实施例中，OLED 301也包括阳极层7、阴极层9、以及布置在阳极层7与阴极层9之间的发光层8。此外，同样地在该实施例中，阳极层7和阴极层9经由电气连接器11电气连接到电压源10。然而，在该实施例中，衬底105包括面向中间层304的平滑表面，并且中间层304包括不在面向衬底105的第一部分331中而是仅在面向阳极层7的第二部分330中的导电元件206。此外，中间层304包括散射颗粒112。应当指出的是，图4以及还有图1-3不是成比例的。
[0029]同样地在该实施例中，中间层304可以具有比将阳极层7的薄层电阻减小成期望值所必要的大得多的厚度。例如，中间层304可以具有大约ΙΟμπι的厚度，而金属网格306可以具有大约Iym的厚度。此外，同样地在该实施例中，中间层304的第一和第二部分331,330可以由相同中间层材料或者由优先地具有相同折射率的不同中间层材料来形成。在实施例中，散射颗粒112可以不存在于整个中间层304中，而是仅在第一部分331中。第一部分331可以是溶胶-凝胶部分，其包含S12和T12的混合物用于按照期望调节第一部分331的折射率，其中在该实施例中，溶胶-凝胶部分还包括散射颗粒。第二部分330也可以是具有S12和T12的混合物的溶胶-凝胶部分，其具有或者没有散射颗粒，或者第二部分330可以由另一材料(比如具有期望折射率的透明聚合物)形成。第一部分331也可以由具有散射功能的玻璃形成。例如，玻璃粉末可以被提供在衬底上并且随后被烧制用于创建形成第一部分的涂层。这可以如通过引用与本文合并的US 2009/0153972 Al中所述的那样来执行。
[0030]散射颗粒112优先地具有明显与中间层304的折射率不同的折射率。优先地，散射颗粒112的折射率与中间层304的折射率之间的差异等于或大于0.3。散射颗粒的大小优先地在200 nm到5000 nm的范围中，并且体积分数优先地在0.5%和15%之间。
[0031]在下文中，将参照图5中所示的流程图来示例性描述用于制造发光器件的制造方法的实施例。
[0032]在步骤501中，提供衬底。例如，可以提供平滑的透明玻璃或聚合物板105或者具有粗糙化表面5的玻璃或聚合物板。可以通过使用喷砂处理或者通过使用另一粗糙化技术来粗糙化表面。在步骤502中，在衬底上提供中间层，其中比如金属网格之类的导电元件被嵌入在中间层中，并且其中中间层包括比衬底的折射率大的折射率。例如，导电元件可以被提供在衬底上，并且然后中间层材料可以被沉积在具有导电元件的衬底上，以便形成中间层，其中在该情况下，制造方法还可以包括在中间层上提供第一电极层之前从导电元件移除中间层材料。可以是金属网格的导电元件可以例如通过丝网印刷、喷墨印刷、凹版印刷、柔版印刷或移印、溅射/光刻、电镀等等而被提供在衬底上。如果使用溅射/光刻，则其中应当提供导电元件的衬底上的至少完整区域或者完整衬底可以通过溅射而涂有导电材料，于是可以通过光刻图案化导电元件。可替换地，可以在衬底上印刷掩模，于是导电材料可以被溅射在掩模的顶部上，其中然后可以移除掩模，从而在衬底上留下图案化导电元件，特别是金属网格。
[0033]可以被视为高η层材料的中间层材料可以通过狭缝涂布、狭缝模具式涂布、旋涂、丝网印刷、喷墨印刷、浸渍涂布、喷涂(特别是等离子体喷涂)、化学气相沉积(CVD)、溅射或者任何其它已知的沉积技术而被沉积在具有导电元件的衬底上。中间层材料从导电元件的移除可以通过抛光或者用于从导电元件移除中间层材料的任何其它技术而被执行，直到导电元件(特别是金属网格)不再被中间层材料所覆盖。中间层材料可以是具有期望折射率的有机材料或者无机材料。在实施例中，中间层材料是SiN。
[0034]作为首先在衬底上提供导电元件，然后在具有导电元件的衬底上沉积中间层材料，并且最后从导电元件移除中间层材料的可替换方案，在步骤502中，可以通过在衬底上提供不包括导电元件的初步中间层，通过在初步中间层中制造沟槽并且用导电材料填充沟槽用于形成中间层内的导电元件来提供具有嵌入的导电元件的中间层。在已经通过导电材料填充沟槽之后，在该表面上提供另外的层之前，可选地可以例如通过抛光或者任何其它平滑化技术来平滑化所得到的表面。沟槽可以通过例如激光消融、锯切、蚀刻等等而被切成中间层。
[0035]此外，在步骤502中，在不嵌入导电元件的情况下，首先可以在衬底上提供中间层材料，以便形成面向衬底的中间层的第一部分，其不包括导电元件，其中然后可以在中间层的第一部分上提供中间层的第二部分，其包括导电元件。具有导电元件的中间层的第二部分可以如以上所述的那样来制造，即例如通过首先在衬底上提供导电元件并且然后在具有导电元件的衬底上沉积中间层材料，其中然后在中间层上提供第一电极层之前从导电元件移除中间层材料，或者通过首先在衬底上提供不包括导电元件的初步中间层，通过在初步中间层中制造沟槽并且通过用导电材料填充沟槽用于形成导电元件来制造。
[0036]在步骤503中，在中间层上提供第一电极层，其中具有导电元件的中间层和第一电极层被提供成使得导电元件与第一电极层接触。在该实施例中，第一电极层是无机或有机透明阳极层，其由例如ITO(氧化铟锡)、ΙΖ0(氧化铟锌)、ΑΖ0(氧化铝锌)、GZ0(氧化镓锌)、PEDOT:PSS(聚(3，4_乙撑二氧噻吩)聚(苯撑硫))或者另一透明无机或有机传导材料而制成。为了沉积阳极层，可以使用溅射、离子电镀、CVD(特别是低压CVD、大气压CVD或等离子体增强CVD)、溶胶-凝胶过程等等。如果第一电极层包括有机传导材料，则有机传导材料优先地通过旋涂、狭缝涂布、狭缝模具式涂布等等来沉积。
[0037]在步骤504中，在中间层上提供发光层。在该实施例中，在中间层上提供有机发光层，其中在步骤505中，在发光层上提供第二电极层使得发光层布置在第一和第二电极层之间。发光层适配成在电压被施加给第一和第二电极层的情况下发射光。第二电极层优先地是阴极层，其对于由发光层发射的光可以是反射的。
[0038]在步骤506中，将第一和第二电极层经由电气导体电气连接到电压源，以便允许发光器件在电压被施加给第一和第二电极层的情况下发射光。
[0039]制造方法可以包括另外的步骤用于例如向发光器件添加的另外部件(比如封装)和/或用于处理发光器件的部件。步骤501到503可以被视为用于制造包括衬底、具有嵌入的导电元件的中间层和第一电极层的层结构的制造方法的步骤。
[0040]可以手动地、半自动地或者完全自动地执行制造方法的步骤。为了制造发光器件，可以使用如在图6中示意性且示例性示出的制造装置。
[0041]制造装置401包括用于在所提供的衬底424上提供中间层的中间层提供单元420，其中导电元件被嵌入在中间层中，并且其中中间层包括比衬底的折射率大的折射率。中间层提供单元420可以适配成执行上文参照步骤502所述的制造方法的部分。制造装置401还可以包括用于在具有中间层425的衬底上提供第一电极层的第一电极层提供单元421，其中具有导电元件的中间层和第一电极层被提供成使得导电元件与第一电极层接触。这引起中间产品426。第一电极层提供单元421可以适配成执行上文参照图5所述的制造步骤503。发光层提供单元422特别地依照上文所述制造步骤504在第一电极层上提供发光层，由此形成另一中间产品427，并且第二电极层提供单元423可以适配成在发光层上提供第二电极层使得发光层布置在第一和第二电极层之间，其中发光层适配成在电压被施加给第一和第二电极层的情况下发射光。第二电极层提供单元423可以适配成依照上文所述制造步骤505来提供第二电极层。制造装置401可以包括用于执行另外的制造步骤的另外单元。例如，制造装置可以包括用于将第一和第二电极层电气连接到电压源的另外单元或者用于提供封装的另外单元。
[0042]中间层提供单元420和第一电极层提供单元421可以被视为形成用于制造包括衬底、具有嵌入的导电元件的中间层和第一电极层的层结构的制造装置。
[0043]所制造的OLED器件优先地包括嵌入在高η层中(即在被用于光外耦合的中间层中)的金属网格，而不是使用放置在阳极层的顶部上的金属网格。嵌入在高η层中的金属网格不需要钝化并且其使得能够提供平坦表面，在该平坦表面上可以沉积OLED的其它层，这对于OLED的可靠性是有利的。如果网格的厚度相对薄，即相对于高η层的厚度，则可能在高η层的制造开始处添加附加的高η层涂布步骤使得金属网格最终没有与衬底接触，而是代替地仅被嵌入在高η层的上部区中。
[0044]本领域技术人员在实践所要求保护的发明时，通过研究附图、公开内容和随附权利要求，可以理解和实现对所公开的实施例的其它变化。
[0045]在权利要求中，词语“包括”不排除其它元件或步骤，并且不定冠词“一”或“一个”不排除多个。
[0046]单个单元或器件可以实现在权利要求中阐述的若干项的功能。在相互不同的从属权利要求中阐述某些措施的这一事实不指示这些措施的组合不能用于获益。
[0047]比如由一个或若干单元或器件执行的衬底上的中间层的提供(其中导电元件被嵌入在中间层中)、提供第一电极层、提供发光层、提供第二电极层等等的规程可以由任何其它数目的单元或器件来执行。例如，步骤502到505可以由单个单元或者由任何其它数目的不同单元来执行。这些规程以及依照制造方法对制造装置的控制可以实现为计算机程序的程序代码装置以及专用硬件。
[0048]计算机程序可以被存储和/或分配在适当介质上，诸如连同其它硬件一起供应或者作为其它硬件的部分的光学存储介质或固态介质，但是也可以以其它形式诸如经由因特网或者其它有线或无线电信系统被分配。
[0049]权利要求中的任何参考标记不应当解释为限制范围。
[0050]本发明涉及一种发光器件，该发光器件包括衬底、第一和第二电极层、第一和第二电极层之间的发光层、以及衬底和第一电极层之间的中间层。导电元件被嵌入在中间层中使得导电元件与第一电极层接触。因为导电元件被嵌入在中间层中并且例如不在第一电极层的顶部上，即不在第一和第二电极层之间，所以第一电极层的薄层电阻可以在不要求钝化层的情况下被减小，该钝化层可能不利地影响发光材料。这允许改进的光发射质量。
【主权项】
1.一种发光器件，包括: -衬底(5;105); -透明阳极层(7); -在阳极层和阴极层(7，9)之间的发光层(8)，用于在电压被施加给阳极层和阴极层(7，9)时发射光；以及 -在衬底(5;105)和透明阳极层(7)之间的中间层(4;104;204;304)，中间层包括中间层材料， 其中中间层材料具有比衬底(5; 105 )的折射率大的折射率， 其中导电元件(6; 206)被嵌入在中间层(4; 104; 204;304)中使得导电元件(6; 206)与透明阳极层(7)接触， 其中用于散射光的散射颗粒(112)被嵌入在中间层(104;304)中，并且 其中透明阳极层(7)具有大约50 nm或者更小的厚度。2.根据权利要求1所述的发光器件，其中中间层材料的折射率类似于透明阳极层(7)的折射率和/或透明阳极层(7)和发光层(8)的折射率的平均。3.根据权利要求1所述的发光器件，其中中间层材料的折射率等于或大于1.7。4.根据权利要求1所述的发光器件，其中中间层材料是其中嵌入导电元件(6;206)的电气绝缘中间层材料。5.根据权利要求1所述的发光器件，其中面向中间层(4;204)的衬底(5)的表面(3)包括散射结构。6.根据权利要求1所述的发光器件，其中导电元件(206)仅布置在面向透明阳极层(7)的中间层(204;304)的部分中。7.根据权利要求1所述的发光器件，其中中间层(204;304)包括由第一中间层材料制成的第一部分(231;331)和由第二中间层材料制成的第二部分(230;330)。8.—种供根据权利要求1所述的发光器件的制造中使用的层结构，其中所述层结构包括: -衬底(5;105)， -透明阳极层(7)，以及 -在衬底(5; 105)和透明阳极层(7)之间的中间层(4; 104;204;304)， 其中中间层(4; 104; 204; 304)包括具有比衬底(5 ; 105)的折射率大的折射率的中间层材料， 其中导电元件(6; 206)被嵌入在中间层(4; 104; 204;304)中使得导电元件(6; 206)与透明阳极层(7)接触， 其中用于散射光的散射颗粒(112)被嵌入在中间层(104;304)中，并且 其中透明阳极层(7)具有大约50 nm或者更小的厚度。9.一种用于制造根据权利要求8所述的层结构的方法，其中所述方法包括以下步骤: -提供衬底(5; 105)， -在衬底(5; 105)上提供中间层(4; 104;204;304)，其中导电元件(6;206)被嵌入在中间层(4;104;204;304)中，其中中间层(4;104;204;304)包括具有比衬底(5;105)的折射率大的折射率的中间层材料，并且其中用于散射光的散射颗粒(112)被嵌入在中间层(104;304 冲， -在中间层(4; 104;204;304)上提供透明阳极层(7)，透明阳极层(7)具有大约50 nm或者更小的厚度，其中具有导电元件(6; 206)的中间层(4; 104;204; 304)和透明阳极层(7)被提供成使得导电元件(6;206)与透明阳极层(7)接触。10.根据权利要求9所述的方法，其中具有嵌入的导电元件(6;206)的中间层(4;104;204; 304)的提供包括在衬底(5; 105)上提供导电元件(6; 206)并且然后在具有导电元件(6;206 )的衬底(5; 105 )上沉积中间层材料，以便形成中间层(4; 104; 204; 304)，其中制造方法还包括在中间层(4;104;204;304)上提供透明阳极层(7)之前从导电元件(6;206)移除中间层材料。11.根据权利要求9所述的方法，其中具有嵌入的导电元件(6;206)的中间层(4;104;204;304)的提供包括在衬底(5;105)上提供不包括导电元件(6;206)的初步中间层(4;104;204; 304)，在初步中间层(4; 104; 204; 304)中制造沟槽，并且用导电材料填充沟槽用于形成导电元件(6;206)。12.根据权利要求9所述的方法，其中具有嵌入的导电元件(206)的中间层(204;304)的提供包括在衬底(5; 105)上提供中间层材料，以便形成面向衬底(5;105)且不包括导电元件(206)的中间层(204; 304)的第一部分(231; 331)，以及在中间层(204; 304)的第一部分(231;331)上提供具有导电元件(206)的中间层(204;304)的第二部分(230;330)。
【文档编号】H01L51/52GK105917483SQ201480060601
【公开日】2016年8月31日
【申请日】2014年11月4日
【发明人】M.S.鲁斯克, H.施瓦布
【申请人】Oled工厂有限责任公司