低频同轴腔体滤波器的制造方法

文档序号:10770753阅读:510来源:国知局
低频同轴腔体滤波器的制造方法
【专利摘要】本实用新型涉及滤波领域,其公开了一种低频同轴腔体滤波器,包括单腔体、加载电容、螺杆、谐振杆以及挡块;所述加载电容、螺杆、谐振杆以及挡块位于所述单腔体内;所述加载电容和挡块通过谐振杆进行连接;所述螺杆位于所述谐振杆的顶端部;所述挡块位于所述加载电容的下方。本实用新型的有益效果是:提高设计的准确性、加快设计时间和降低研发成本。
【专利说明】
低频同轴腔体滤波器
技术领域
[0001 ]本实用新型涉及滤波领域,尤其涉及一种低频同轴腔体滤波器。
【背景技术】
[0002]滤波器是微波通信系统运作中的重要器件之一,尤其是200MHz到500MHz这个频段之间的同轴腔体滤波器,其更多的应用于专网通信项目之中。对于低频(200Mhz-500Mhz)同轴腔体滤波器,现有的设计技术虽然基本满足了客户的要求,但现有的设计办法基本都没有考虑成本的控制以及滤波器的体积的大小要求,或者是在客户限制了成本以及滤波器的外形尺寸大小之后,现有的技术会导致设计和生产难度相应的加大。对于低频(200Mhz-500Mhz)同轴腔体滤波器,现有的设计技术虽然基本满足了客户的要求,但现有的设计办法基本都没有考虑成本的控制以及滤波器的体积的大小要求,或者是在客户限制了成本以及滤波器的外形尺寸大小之后,现有的技术会导致设计和生产难度相应的加大。如单腔的长宽高为40mm*40mm*45mm,仿真结果单腔谐振频率大约在490Mhz,如果客户需求频率低于400MHz的话,为了满足客户的需求,则需要加大单腔的体积,同时也意味着整个滤波器整机的尺寸会加大。

【发明内容】

[0003]为了解决现有技术中的问题,本实用新型提供了一种低频同轴腔体滤波器,解决现有技术中体积小频率低的问题。
[0004]本实用新型提供了一种低频同轴腔体滤波器,包括单腔体、加载电容、螺杆、谐振杆以及挡块;所述加载电容、螺杆、谐振杆以及挡块位于所述单腔体内;所述加载电容和挡块通过谐振杆进行连接;所述螺杆位于所述谐振杆的顶端部;所述挡块位于所述加载电容的下方。
[0005]作为本实用新型的进一步改进:所述挡块设有中心孔;所述谐振杆穿过所述挡块。
[0006]作为本实用新型的进一步改进:所述挡块随谐振杆在所述单腔体内滑动。
[0007]本实用新型的有益效果是:提高设计的准确性、加快设计时间和降低研发成本。
[0008]【【附图说明】】
[0009]图1为本实用新型工作方式剖视图。
[0010]【【具体实施方式】】
[0011 ]下面结合【附图说明】及【具体实施方式】对本实用新型进一步说明。
[0012]如图1,一种低频同轴腔体滤波器,包括单腔体5、加载电容1、螺杆2、谐振杆3以及挡块4;所述加载电容1、螺杆2、谐振杆3以及挡块位于所述单腔体内;所述加载电容I和挡块4通过谐振杆3进行连接;所述螺杆2位于所述谐振杆3的顶端部;所述挡块4位于所述加载电容I的下方,盖板6用于盖住所述单腔体5。
[0013]所述挡块4设有中心孔41;所述谐振杆3穿过所述挡块4。
[0014]所述挡块4随谐振杆在所述单腔体5内滑动。
[0015]本实用新型主要提供一种新的设计方案,能在同等单腔以及谐振杆的条件下,设计出频率更低的滤波器。
[0016]其设计主旨是通过调节金属挡块的对地高度以及金属挡块中心孔的大小来改变单腔的谐振频率,使其谐振频率可以变得更低。单腔的谐振频率高低主要就是由谐振杆的尺寸和单腔大小来控制的。单个谐振腔结构如上图1所示,随着金属挡块与加载电容的距离的缩小,谐振腔中谐振频率会逐渐变低。例如:图中金属挡块距离加载电容为I.5mm以及挡块中心孔距离谐振杆为1.5mm时,这时的单腔谐振频率大概为380MHz左右,与不加挡块时的仿真频率490MHz相比,大约向低偏了100MHz。
[0017]由于该装置是安装在滤波器内部,在挡块与腔体接触良好的情况下,不会对滤波器体积有任何的改变,在单腔尺寸同等的条件下,同时又可以设计出频率更低的滤波器,有效的改善了低频滤波器体积大,成本高的缺点。
[0018]以上内容是结合具体的优选实施方式对本实用新型所作的进一步详细说明,不能认定本实用新型的具体实施只局限于这些说明。对于本实用新型所属技术领域的普通技术人员来说,在不脱离本实用新型构思的前提下,还可以做出若干简单推演或替换,都应当视为属于本实用新型的保护范围。
【主权项】
1.一种低频同轴腔体滤波器,其特征在于:包括单腔体、加载电容、螺杆、谐振杆以及挡块;所述加载电容、螺杆、谐振杆以及挡块位于所述单腔体内;所述加载电容和挡块通过谐振杆进行连接;所述螺杆位于所述谐振杆的顶端部;所述挡块位于所述加载电容的下方;所述挡块为金属挡块,该金属挡块距离加载电容为I.5mm以及挡块中心孔距离谐振杆为1.5mm ο2.根据权利要求1所述的低频同轴腔体滤波器,其特征在于:所述挡块设有中心孔;所述谐振杆穿过所述挡块。3.根据权利要求1所述的低频同轴腔体滤波器,其特征在于:所述挡块随谐振杆在所述单腔体内滑动。
【文档编号】H01P1/202GK205452494SQ201521025093
【公开日】2016年8月10日
【申请日】2015年12月11日
【发明人】辛飞
【申请人】深圳市虹远通信有限责任公司
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