一种半桥浪涌检测保护电路及电磁加热设备的制造方法

专利名称:一种半桥浪涌检测保护电路及电磁加热设备的制造方法
【专利摘要】本实用新型公开了一种半桥浪涌检测保护电路及电磁加热设备，所述的半桥浪涌检测保护电路包括微控制单元MCU、第一IGBT驱动电路、第二IGBT驱动电路、半桥谐振电路、浪涌保护电路以及钳位电路。本实用新型使用浪涌保护电路，当半桥谐振电路发生浪涌时，通过浪涌保护电路控制钳位电路拉低IGBT上下桥臂驱动电路，关闭半桥谐振电路，使半桥谐振电路停止工作，对半桥谐振电路进行保护，且采用MCU中断方式，以硬件保护和软件保护相结合的方式，具有保护速度快的优点。
【专利说明】
一种半桥浪涌检测保护电路及电磁加热设备
技术领域
[0001]本实用新型涉及浪涌检测保护技术领域，具体涉及一种半桥浪涌检测保护电路及电磁加热设备。
【背景技术】
[0002]目前的半桥电磁加热方案浪涌检测都是以软件为主，通过软件中断的方式保护电路。当电流或电压浪涌发生时触发电平，然后MCU检测到中断，进入中断调用浪涌保护程序。这种方式在浪涌发生到保护需要一定的时间，保护速度比较慢。
【实用新型内容】
[0003]本实用新型所要解决的技术问题是提供一种半桥浪涌检测保护电路及电磁加热设备，采用软硬结合的方式进行浪涌检测保护，具有保护速度快的优点。
[0004]本实用新型解决上述技术问题的技术方案如下:
[0005]本实用新型提供了一种半桥浪涌检测保护电路，包括微控制单元MCU、第一IGBT驱动电路、第二 IGBT驱动电路、半桥谐振电路、浪涌保护电路以及钳位电路；
[0006]所述M⑶分别与第一 IGBT驱动电路的输入端以及第二 IGBT驱动电路的输入端连接，所述第一 IGBT驱动电路的输出端和第二 IGBT驱动电路的输出端均与半桥谐振电路的输入端连接，半桥谐振电路、浪涌保护电路以及钳位电路依次电连接，所述钳位电路的输出端分别连接第一IGBT驱动电路的输入端以及第二IGBT驱动电路的输入端。
[0007]本实用新型的有益效果为:使用浪涌保护电路，当半桥谐振电路发生浪涌时，通过浪涌保护电路与钳位电路拉低IGBT上下桥臂驱动电路，关闭半桥谐振电路，且采用MCU中断方式，以硬件保护和软件保护相结合的方式，具有保护速度快的优点。
[0008]在上述技术方案的基础上，本实用新型还可以作如下改进。
[0009]进一步的，所述半桥谐振电路为对称半桥谐振电路或非对称半桥谐振电路；
[0010]所述对称半桥谐振电路包括上桥IGBT1、下桥IGBT2、第一谐振电容Cl、第二谐振电容C2以及线圈，所述上桥IGBTl的栅极与第一IGBT驱动电路的输出端连接，所述上桥IGBTl的集电极与浪涌保护电路的输入端连接，所述上桥IGBTl的发射极与下桥IGBT2的集电极连接，且所述上桥IGBTl与下桥IGBT2的公共端与第一 IGBT驱动电路的中线端连接，所述下桥IGBT2的栅极与第二 IGBT驱动电路的输出端连接，所述第二 IGBT驱动电路的中线端接地以及所述下桥IGBT2的发射极接地，所述第一谐振电容Cl和第二谐振电容C2串接在所述上桥IGBTl的集电极和下桥IGBT2的发射极之间，所述线圈连接在所述第一谐振电容Cl和第二谐振电容C2的公共端与上桥IGBTI和下桥IGBT2的公共端之间；
[0011]所述非对称半桥谐振电路包括上桥IGBTl、下桥IGBT2、第一谐振电容Cl以及线圈，所述上桥IGBTl的栅极与第一 IGBT驱动电路的输出端连接，所述上桥IGBTl的集电极与浪涌保护电路的输入端连接，所述上桥IGBTI的发射极与下桥IGBT2的集电极连接，且所述上桥IGBTl与下桥IGBT2的公共端与第一 IGBT驱动电路的中线端连接，所述下桥IGBT2的栅极与第二 IGBT驱动电路的输出端连接，所述第二 IGBT驱动电路的中线端以及所述下桥IGBT2的发射极接地，所述第一谐振电容Cl串接在所述上桥IGBTI的集电极和下桥IGBT2的发射极之间，所述线圈连接在所述第一谐振电容CI连接下桥IGBT2的发射极的一端与上桥IGBTI和下桥IGBT2的公共端之间。
[0012]进一步的，所述浪涌保护电路为电压浪涌保护电路，所述电压浪涌保护电路包括电压浪涌检测电路和电压浪涌比较电路，所述上桥IGBTl的集电极与第一谐振电容Cl的公共端与电压浪涌检测电路的In端连接，所述电压浪涌检测电路的out端与下桥IGBT2的发射极连接，所述电压浪涌检测电路的output端与电压浪涌比较电路的In端连接，所述电压浪涌比较电路的out端与所述钳位电路的输入端连接。
[0013]进一步的，所述浪涌保护电路为电流浪涌保护电路，所述电流浪涌保护电路包括电流浪涌检测电路和电流浪涌比较电路，所述上桥IGBTl的集电极与第一谐振电容Cl的公共端与电流浪涌检测电路的In端连接，所述电流浪涌检测电路的out端与下桥IGBT2的发射极连接，所述电流浪涌检测电路的output端与电流浪涌比较电路的In端连接，所述电流浪涌比较电路的out端与所述钳位电路的输入端连接。
[0014]进一步的，所述浪涌保护电路和所述钳位电路之间设置有与门Ul，所述浪涌保护电路包括电压浪涌保护电路和电流浪涌保护电路，所述电压浪涌保护电路包括电压浪涌检测电路和电压浪涌比较电路，所述电流浪涌保护电路包括电流浪涌检测电路和电流浪涌比较电路，所述上桥IGBTl的集电极和第一谐振电容Cl的公共端与电压浪涌检测电路的In端连接，所述电压浪涌检测电路的output端与电压浪涌比较电路的In端电连接，所述电压浪涌比较电路的out端与与门Ul的一个输入端电连接，所述电压浪涌检测电路的out端与所述电流浪涌检测电路的In端电连接，所述电流浪涌检测电路的output端与电流浪涌比较电路的In端电连接，所述电流浪涌检测电路的out端接地，所述电流浪涌比较电路的out端与与门Ul的另一个输入端电连接，所述与门Ul的输出端与所述钳位电路的输入端电连接。
[0015]进一步的，还包括一电阻R0，所述电阻RO的一端与与门UlUl的输出端以及M⑶电连接，所述电阻RO的另一端接VCC。
[0016]进一步的，所述电压浪涌比较电路包括电压比较器UA以及电阻Rl;
[0017]所述电压比较器UA的正向输入端与电压浪涌阈值电压源连接，所述电压比较器UA的负向输入端与所述电压浪涌检测电路的output端电连接，电压比较器UA的一个电源端接VCC，电压比较器UA的另一个电源端接地;电阻Rl的一端接VCC，另一端接电压比较器UA的输出端，电压比较器UA的输出端还与与门Ul的一个输入端电连接。
[0018]进一步的，所述电流浪涌比较电路包括电压比较器UB以及电阻R2;
[0019]所述电压比较器UB的正向输入端与所述电流浪涌阈值电压源连接，所述电压比较器UB的负向输入端与所述电流浪涌检测电路的output端电连接，电压比较器UB的一个电源端接VCC，电压比较器UB的另一个电源端接地；电阻R2的一端接VCC，另一端接电压比较器UB的输出端，所述电压比较器UB的输出端还与与门Ul的另一个输入端电连接。
[0020]进一步的，所述钳位电路包括第一二极管Dl和第二二极管D2，所述第一二极管Dl的负极与所述第二二极管D2的负极相连，所述第一二极管Dl的正极与第一 IGBT驱动电路的输入端电连接，所述第二二极管D2的正极与第二 IGBT驱动电路的输入端电连接，所述第一二极管Dl与第二二极管D2的公共端与与门Ul的输出端电连接。
[0021]进一步的，还包括桥堆，所述桥堆的两个AC端分别接电源，所述桥堆的V+端与上桥IGBTI的集电极连接，所述桥堆的V-端与电压浪涌检测电路的out端连接。
[0022]进一步的，还包括桥堆，所述桥堆的两个AC端分别接电源，所述桥堆的V+端与上桥IGBTl的集电极连接，所述桥堆的V-端与电流浪涌检测电路的In端连接。
[0023]进一步的，还包括桥堆，所述桥堆的两个AC端分别接电源，所述桥堆的V+端与上桥IGBTl的集电极连接，所述桥堆的V-端与电压浪涌检测电路的out端以及电流浪涌检测电路的I η端电连接。
[0024]本实用新型还提供了一种电磁加热设备，包括一种半桥浪涌检测保护电路。
【附图说明】

[0025]图1为本实用新型实施例1的一种半桥浪涌检测保护电路连接示意图；
[0026]图2为实施例1中半桥谐振电路为对称半桥谐振电路的电路连接示意图；
[0027]图3为实施例中半桥谐振电路为非对称半桥谐振电路的电路连接示意图；
[0028]图4为图2中带有电压浪涌比较电路的具体电路和电流浪涌比较电路的具体电路的连接示意图；
[0029]图5为半桥浪涌检测保护电路的工作原理图。
[0030]附图中，各部件的标号如下:
[0031]1、半桥谐振电路，2、浪涌保护电路，21、电压浪涌检测电路，22、电压浪涌比较电路，23、电流浪涌检测电路，24、电流浪涌比较电路，3、桥堆。
【具体实施方式】
[0032]以下结合附图对本实用新型的原理和特征进行描述，所举实例只用于解释本实用新型，并非用于限定本实用新型的范围。
[0033]实施例1、一种半桥浪涌检测保护电路。
[0034]参见图1，本实施例提供的半桥浪涌检测保护电路包括微控制单元MCU、第一IGBT驱动电路、第二 IGBT驱动电路、半桥谐振电路1、浪涌保护电路2以及钳位电路;所述MCU单元分别与第一 IGBT驱动电路的输入端以及第二 IGBT驱动电路的输入端连接，所述第一 IGBT驱动电路的输出端和第二 IGBT驱动电路的输出端均与半桥谐振电路I的输入端连接，半桥谐振电路1、浪涌保护电路2以及钳位电路依次电连接，所述钳位电路的输出端分别连接第一IGBT驱动电路的输入端以及第二 IGBT驱动电路的输入端。
[0035]其中，所述半桥谐振电路I为对称半桥谐振电路或非对称半桥谐振电路;参见图2，所述对称半桥谐振电路包括上桥IGBTl、下桥IGBT2、第一谐振电容Cl、第二谐振电容C2以及线圈，所述上桥IGBTl的栅极与第一IGBT驱动电路的输出端连接，且所述上桥IGBTl与下桥IGBT2的公共端与第一 IGBT驱动电路的中线端连接，所述上桥IGBTl的集电极与浪涌检测电路的输入端连接，所述上桥IGBTl的发射极与下桥IGBT2的集电极连接，所述下桥IGBT2的栅极与第二 IGBT驱动电路的输出端连接，第二 IGBT驱动电路的中线端以及所述下桥IGBT2的发射极接地，第一谐振电容Cl和第二谐振电容C2串接在所述上桥IGBTl的集电极和下桥IGBT2的发射极之间，所述线圈连接在所述第一谐振电容Cl和第二谐振电容C2的公共端与上桥IGBTl和下桥IGBT2的公共端之间。参见图3，所述非对称半桥谐振电路包括上桥IGBTl、下桥IGBT2、第一谐振电容Cl以及线圈，所述上桥IGBTl的栅极与第一IGBT驱动电路的输出端连接，且所述上桥IGBTI与下桥IGBT2的公共端与第一 IGBT驱动电路的中线端连接，所述上桥IGBTl的集电极与浪涌检测电路的输入端连接，所述上桥IGBTl的发射极与下桥IGBT2的集电极连接，所述下桥IGBT2的栅极与第二 IGBT驱动电路的输出端连接，第二 IGBT驱动电路的中线端以及所述下桥IGBT2的发射极接地，第一谐振电容Cl串接在所述上桥IGBTI的集电极和下桥IGBT2的发射极之间，所述线圈连接在所述第一谐振电容Cl连接下桥IGBT2的发射极的一端与上桥IGBTI和下桥IGBT2的公共端之间。
[0036]所述的浪涌保护电路2包括三种情况，第一种情况是浪涌保护电路2为电压浪涌保护电路，第二种情况是浪涌保护电路2为电流浪涌保护电路，第三种情况是浪涌保护电路2包括电压浪涌保护电路和电流浪涌保护电路。
[0037]当浪涌保护电路2为电压浪涌保护电路时，所述电压浪涌保护电路包括电压浪涌检测电路21和电压浪涌比较电路22，所述上桥IGBTl的集电极与第一谐振电容Cl的公共端与电压浪涌检测电路21的In端连接，所述电压浪涌检测电路21的out端与下桥IGBT2的发射极连接，所述电压浪涌检测电路21的output端与电压浪涌比较电路22的In端连接，所述电压浪涌比较电路22的out端与钳位电路的输入端电连接。当浪涌保护电路2为电流浪涌保护电路时，所述电流浪涌保护电路包括电流浪涌检测电路23和电流浪涌比较电路24，所述上桥IGBTl的集电极和第一谐振电容Cl的公共端与电流浪涌检测电路23的In端连接，所述电流浪涌检测电路23的out端与下桥IGBT2的发射极连接，所述电流浪涌检测电路23的output端与电流浪涌比较电路24的In端连接，所述电流浪涌比较电路24的out端与钳位电路的输入端电连接当浪涌保护电路2包括电压浪涌保护电路和电流浪涌保护电路时，在所述浪涌保护电路和所述钳位电路之间设置有与门Ul，所述电压浪涌保护电路包括电压浪涌检测电路21和电压浪涌比较电路22，所述电流浪涌保护电路包括电流浪涌检测电路23和电流浪涌比较电路24，所述上桥IGBTl的集电极和第一谐振电容Cl的公共端与电压浪涌检测电路21的In端连接，所述电压浪涌检测电路21的output端与电压浪涌比较电路22的In端电连接，所述电压浪涌比较电路22的out端与与门Ul的一个输入端电连接，所述电压浪涌检测电路21的out端与所述电流浪涌检测电路23的In端电连接，所述电流浪涌检测电路23的output端与电流浪涌比较电路24的In端电连接，所述电流浪涌检测电路23的out端接地，所述电流浪涌比较电路24的out端与与门Ul的另一个输入端电连接，所述与门Ul的输出端与所述钳位电路的输入端电连接。
[0038]本实施例还包括一电阻RO，所述电阻RO的一端与与门UlUl的输出端以及M⑶电连接，所述电阻RO的另一端接VCC。
[0039]参见图4，上述中的电压浪涌比较电路22包括电压比较器UA以及电阻Rl;所述电压比较器UA的正向输入端与电压浪涌阈值电压源连接，所述电压比较器UA的负向输入端与所述电压浪涌检测电路21的output端电连接，电压比较器UA的一个电源端接VCC，电压比较器UA的另一个电源端接地；电阻Rl的一端接VCC，另一端接电压比较器UA的输出端，电压比较器UA的输出端还与与门Ul的一个输入端电连接。
[0040]同样的，上述中的电流浪涌比较电路24包括电压比较器UB以及电阻R2;所述电压比较器UB的正向输入端与所述电流浪涌阈值电压源连接，所述电压比较器UB的负向输入端与所述电流浪涌检测电路23的output端电连接，电压比较器UB的一个电源端接VCC，电压比较器UB的另一个电源端接地；电阻R2的一端接VCC，另一端接电压比较器UB的输出端，所述电压比较器UB的输出端还与与门Ul的另一个输入端电连接。
[0041]上述的钳位电路包括第一二极管Dl和第二二极管D2，所述第一二极管Dl的负极与所述第二二极管D2的负极相连，所述第一二极管Dl的正极与第一 IGBT驱动电路的输入端电连接，所述第二二极管D2的正极与第二 IGBT驱动电路的输入端电连接，所述第一二极管Dl与第二二极管D2的公共端与与门Ul的输出端电连接。
[0042]本实施例提供的半桥浪涌检测保护电路还包括桥堆3，当浪涌保护电路2为电压浪涌保护电路时，所述桥堆3的两个AC端分别接电源，所述桥堆3的V+端与上桥IGBTl的集电极连接，所述桥堆3的V-端与电压浪涌检测电路21的out端连接。当浪涌保护电路2为电流浪涌保护电路时，所述桥堆3的两个AC端分别接电源，所述桥堆3的V+端与上桥IGBTl的集电极连接，所述桥堆3的V-端与电流浪涌检测电路23的In端连接。当浪涌保护电路2同时包括电压浪涌保护电路和电流浪涌保护电路时，所述桥堆3的两个AC端分别接电源，所述桥堆3的V+端与上桥IGBTl的集电极连接，所述桥堆3的V-端与电压浪涌检测电路21的out端以及电流浪涌检测电路23的In端电连接。
[0043]采用本实施例提供的半桥浪涌检测保护电路的工作原理为:微控制单元MCU输出PffMl和PWM2分别控制第一 IGBT驱动电路和第二 IGBT驱动电路工作，可以参见图5，在同一时间，M⑶输出的PffMl和PWM2的信号电平状态正好相反，即当M⑶输出的PffMl为高电平状态时，输出的PWM2为低电平，或者，当MCU输出的PffMl为低电平状态时，输出的PWM2为高电平状态。第一 IGBT驱动电路和第二 IGBT驱动电路驱动半桥谐振电路工作，当半桥谐振电路正常工作时，电压比较器UA与电压比较器UB输出高电平；当电压浪涌出现时，电压浪涌检测电路的输出电压大于电压比较器UA的电压浪涌阈值电压，电压比较器UA输出低电平，与门Ul也输出低电平；当电流浪涌出现时，电流浪涌检测电路的输出电压大于电压比较器UB的电压浪涌阈值电压，电压比较器UB输出低电平，与门Ul也输出低电平;如果同时出现电压浪涌和电流浪涌，电压比较器UA和电流比较器UB都输出低电平，与门Ul也会输出低电平。当与门UI的输出口为低电平时，第一二极管Dl和第二二极管D2均导通，PWMl和PWM2会一直被钳位为低电平，上桥IGBTl和下桥IGBT2会停止工作，起到了硬件快速保护的作用。同时，微控制单元MCU外部中断口 INTO会产生相应的外部中断，调用浪涌保护程序，通过软件保护电路，从而达到了硬件保护和软件保护结合的方式进行电路的保护，具有保护速度快的优点。
[0044]实施例2、一种电磁加热设备。
[0045]本实施例提供的电磁加热设备包括实施例1的半桥浪涌检测保护电路，具体的实现原理可参见实施例1，在此不再赘述。
[0046]本实用新型提供的一种半桥浪涌检测保护电路及电磁加热设备，使用浪涌保护电路，当半桥谐振电路发生浪涌时，通过与门与钳位电路拉低IGBT上下桥臂驱动电路，关闭半桥谐振电路，且采用MCU中断方式，以硬件保护和软件保护相结合的方式，具有保护速度快的优点；在整个电路中可设置单独的电压浪涌保护电路或电流浪涌保护电路，也可同时设置电压浪涌保护电路和电流浪涌保护电路，适用于多种情况;在电路中设计桥堆，将输入的交流电压整流为直流电压，适合各部分电路使用；另外，为MCU设计一并联电阻，起到分流的作用，进而起到保护MCU的作用。
[0047]在本说明书的描述中，参考术语“实施例一”、“示例”、“具体示例”、或“一些示例”等的描述意指结合该实施例或示例描述的具体方法、装置或者特点包含于本实用新型的至少一个实施例或示例中。在本说明书中，对上述术语的示意性表述不必须针对的是相同的实施例或示例。而且，描述的具体特征、方法、装置或者特点可以在任一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。此外，在不相互矛盾的情况下，本领域的技术人员可以将本说明书中描述的不同实施例或示例以及不同实施例或示例的特征进行结合和组合。
[0048]以上所述仅为本实用新型的较佳实施例，并不用以限制本实用新型，凡在本实用新型的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本实用新型的保护范围之内。
【主权项】
1.一种半桥浪涌检测保护电路，其特征在于，包括微控制单元MCU、第一 IGBT驱动电路、第二 IGBT驱动电路、半桥谐振电路(1)、浪涌保护电路(2)以及钳位电路；所述M⑶分别与第一 IGBT驱动电路的输入端以及第二 IGBT驱动电路的输入端连接，所述第一 IGBT驱动电路的输出端和第二 IGBT驱动电路的输出端均与半桥谐振电路(I)的输入端连接，半桥谐振电路(I)、浪涌保护电路(2)以及钳位电路依次电连接，所述钳位电路的输出端分别连接第一 IGBT驱动电路的输入端以及第二 IGBT驱动电路的输入端。2.如权利要求1所述的半桥浪涌检测保护电路，其特征在于，所述半桥谐振电路(I)为对称半桥谐振电路或非对称半桥谐振电路；所述对称半桥谐振电路包括上桥IGBTl、下桥IGBT2、第一谐振电容Cl、第二谐振电容C2以及线圈，所述上桥IGBTI的栅极与第一 IGBT驱动电路的输出端连接，所述上桥IGBTI的集电极与浪涌保护电路(2)的输入端连接，所述上桥IGBTl的发射极与下桥IGBT2的集电极连接，且所述上桥IGBTl和下桥IGBT2的公共端与第一 IGBT驱动电路的中线端连接，所述下桥IGBT2的栅极与第二 IGBT驱动电路的输出端连接，所述第二 IGBT驱动电路的中线端以及所述下桥IGBT2的发射极均接地，所述第一谐振电容Cl和第二谐振电容C2串接在所述上桥IGBTl的集电极和下桥IGBT2的发射极之间，所述线圈连接在所述第一谐振电容Cl和第二谐振电容C2的公共端与上桥IGBTI和下桥IGBT2的公共端之间；所述非对称半桥谐振电路包括上桥IGBTl、下桥IGBT2、第一谐振电容Cl以及线圈，所述上桥IGBTI的栅极与第一 IGBT驱动电路的输出端连接，所述上桥IGBTI的集电极与浪涌保护电路(2)的输入端连接，所述上桥IGBTI的发射极与下桥IGBT2的集电极连接，且所述上桥IGBTl与下桥IGBT2的公共端与第一 IGBT驱动电路的中线端连接，所述下桥IGBT2的栅极与第二 IGBT驱动电路的输出端连接，所述第二 IGBT驱动电路的中线端以及所述下桥IGBT2的发射极接地，所述第一谐振电容Cl串接在所述上桥IGBTl的集电极和下桥IGBT2的发射极之间，所述线圈连接在所述第一谐振电容Cl连接下桥IGBT2的发射极的一端与上桥IGBTl和下桥IGBT2的公共端之间。3.如权利要求2所述的半桥浪涌检测保护电路，其特征在于，所述浪涌保护电路(2)为电压浪涌保护电路，所述电压浪涌保护电路包括电压浪涌检测电路(21)和电压浪涌比较电路(22)，所述上桥IGBTl的集电极与第一谐振电容Cl的公共端与电压浪涌检测电路(21)的In端连接，所述电压浪涌检测电路(21)的out端与下桥IGBT2的发射极连接，所述电压浪涌检测电路(21)的output端与电压浪涌比较电路(22)的In端连接，所述电压浪涌比较电路(22)的out端与所述钳位电路的输入端连接。4.如权利要求2所述的半桥浪涌检测保护电路，其特征在于，所述浪涌保护电路(2)为电流浪涌保护电路，所述电流浪涌保护电路包括电流浪涌检测电路(23)和电流浪涌比较电路(24)，所述上桥IGBTl的集电极与第一谐振电容Cl的公共端与电流浪涌检测电路(23)的In端连接，所述电流浪涌检测电路(23)的out端与下桥IGBT2的发射极连接，所述电流浪涌检测电路(23)的output端与电流浪涌比较电路(24)的In端连接，所述电流浪涌比较电路(24)的out端与所述钳位电路的输入端连接。5.如权利要求2所述的半桥浪涌检测保护电路，其特征在于，所述浪涌保护电路(2)和所述钳位电路之间设置有与门Ul，所述浪涌保护电路(2)包括电压浪涌保护电路和电流浪涌保护电路，所述电压浪涌保护电路包括电压浪涌检测电路(21)和电压浪涌比较电路(22)，所述电流浪涌保护电路包括电流浪涌检测电路(23)和电流浪涌比较电路(24)，所述上桥IGBTl的集电极和第一谐振电容Cl的公共端与电压浪涌检测电路(21)的In端连接，所述电压浪涌检测电路(21)的output端与电压浪涌比较电路(22)的In端电连接，所述电压浪涌比较电路(22)的out端与与门Ul的一个输入端电连接，所述电压浪涌检测电路(21)的out端与所述电流浪涌检测电路(23)的In端电连接，所述电流浪涌检测电路(23)的output端与电流浪涌比较电路(24)的In端电连接，所述电流浪涌检测电路(23)的out端接地，所述电流浪涌比较电路(24)的out端与与门Ul的另一个输入端电连接，所述与门Ul的输出端与所述钳位电路的输入端电连接。6.如权利要求1-5任一项所述的半桥浪涌检测保护电路，其特征在于，还包括电阻R0，所述电阻RO的一端与与门Ul的输出端以及MCU电连接，所述电阻RO的另一端接VCC。7.如权利要求3或5所述的半桥浪涌检测保护电路，其特征在于，所述电压浪涌比较电路(22)包括电压比较器UA以及电阻Rl; 所述电压比较器UA的正向输入端与电压浪涌阈值电压源连接，所述电压比较器UA的负向输入端与所述电压浪涌检测电路(21)的output端电连接，电压比较器UA的一个电源端接VCC，电压比较器UA的另一个电源端接地;电阻Rl的一端接VCC，另一端接电压比较器UA的输出端，电压比较器UA的输出端还与与门Ul的一个输入端电连接。8.如权利要求4或5所述的半桥浪涌检测保护电路，其特征在于，所述电流浪涌比较电路(24)包括电压比较器UB以及电阻R2; 所述电压比较器UB的正向输入端与所述电流浪涌阈值电压源连接，所述电压比较器UB的负向输入端与所述电流浪涌检测电路(23)的output端电连接，电压比较器UB的一个电源端接VCC，电压比较器UB的另一个电源端接地；电阻R2的一端接VCC，另一端接电压比较器UB的输出端，所述电压比较器UB的输出端还与与门Ul的另一个输入端电连接。9.如权利要求1所述的半桥浪涌检测保护电路，其特征在于，所述钳位电路包括第一二极管Dl和第二二极管D2，所述第一二极管Dl的负极与所述第二二极管D2的负极相连，所述第一二极管Dl的正极与第一 IGBT驱动电路的输入端电连接，所述第二二极管D2的正极与第二 IGBT驱动电路的输入端电连接，所述第一二极管Dl与第二二极管D2的公共端与与门Ul的输出端电连接。10.如权利要求3所述的半桥浪涌检测保护电路，其特征在于，还包括桥堆(3)，所述桥堆(3)的两个AC端分别接电源，所述桥堆(3)的V+端与上桥IGBTl的集电极连接，所述桥堆(3)的V-端与电压浪涌检测电路(21)的out端连接。11.如权利要求4所述的半桥浪涌检测保护电路，其特征在于，还包括桥堆(3)，所述桥堆(3)的两个AC端分别接电源，所述桥堆(3)的V+端与上桥IGBTl的集电极连接，所述桥堆(3)的V-端与电流浪涌检测电路(23)的In端连接。12.如权利要求5所述的半桥浪涌检测保护电路，其特征在于，还包括桥堆(3)，所述桥堆(3)的两个AC端分别接电源，所述桥堆(3)的V+端与上桥IGBTl的集电极连接，所述桥堆(3)的V-端与电压浪涌检测电路(21)的out端以及电流浪涌检测电路(23)的In端电连接。13.—种电磁加热设备，其特征在于，包括权利要求1-12任一项所述的半桥浪涌检测保护电路。
【文档编号】H02H3/00GK205693327SQ201620324895
【公开日】2016年11月16日
【申请日】2016年4月18日 公开号201620324895.9, CN 201620324895, CN 205693327 U, CN 205693327U, CN-U-205693327, CN201620324895, CN201620324895.9, CN205693327 U, CN205693327U
【发明人】冯江平, 区达理, 王志锋, 刘志才, 马志海
【申请人】佛山市顺德区美的电热电器制造有限公司, 美的集团股份有限公司