专利名称：单级高功因回授变频式谐振能量之控制电路的制作方法
技术领域：
本发明以一般高频电源供应器的设计原理为基础，将高功因回路与半桥式谐振回 路整合成只由一个变压器绕两组线圈，及一个场效晶体管(M0SFET)，达到谐振能量的分配， 使其具备高功因、可调整的固定回授谐振能量，故可取代先前技术的电路。
背景技术：
1.目前市面上的控制芯片，需再外加一驱动芯片，其内含AD转换器，成本高，其改 善功因方面亦需外加改善功因用的IC。
2.目前市面上提高公因的方式 (1)需用电感、电容、一个场效晶体管(MOSFET)将AC的电源经控制整合后，使得市 电之电压与电流同步，来提高功因。 (2)单极高公因驱动即不加场效晶体管(MOSFET)，利用半桥式换流器中的其中一 个场效晶体管(MOSFET)替代，提高功因。 3.以上两项都要外挂一场效晶体管(MOSFET)驱动IC，成本高。 4.目前市面上在灯管照明方面，预热启动需加热电极来达到启动灯管，启动后，继
续加热电极运转，此会造成损失。 5.目前市面上可调光控制方式 (1)调频控制借控制切换频率大小，改变灯管电流，达到调光的目的，此法如果 调整不同的瓦特数，会使谐振回路处于非谐振状态下，如此转换效率降低，发光效率降低。
(2)调幅控制此电路是在固定的谐振频率下，调整输入电压的高低，此法在照度 较低时，无法启动。 (3)调相控制此电路是借由操作电源频率并加以调整，以此达到调光的效果，此 法需用4个全桥开关，成本高。
发明内容
本发明的主要目的在于提供一种单级高功因回授变频式谐振能量之控制电路，高 功因脉波宽度控制回路内包括一个变压器绕两组线圈及一个场效晶体管(MOSFET)，透过电 子电路组合回路与谐振回路，即可达到高功因、可设定回授的固定功率，此技术可用于灯管 调光，也可使灯管发光效率提高，适用于各式节能灯、日光灯、LED灯、HID灯等灯管，可使成 本降低。 本发明的技术内容为一种单级高功因回授变频式谐振能量之控制电路，其包括 有一电源滤波电路；一电子电路组合回路；一高功因脉波宽度控制回路，内含一个变压器 绕两组线圈、一个二极管、一个电容、一个场效晶体管(MOSFET)及一个电阻；一谐振网络。
本发明的进一步技术内容为所述的一种单级高功因回授变频式谐振能量之控制 电路，其特征在于电源滤波电路与该外加交流电源电性连接，可以将该外加交流电源整流 滤波成直流电源。
3
本发明的进一步技术内容为所述的一种单级高功因回授变频式谐振能量之控制电路，其特征在于电子电路组合回路内含柔和启动、电压电流回授、共振频率修正控制、脉波宽度输出以及可调整谐振能量设定、高功因控制等功能。 本发明的进一步技术内容为所述的一种单级高功因回授变频式谐振能量之控制电路，其特征在于高功因脉波宽度控制回路，操作在高频且可作功因修正，并与该电源滤波电路电性连接，可将该电源滤波电路所输入的直流电源，透过场效晶体管(M0SFET)高频切换及变压器之一组线圈与二极管、电容，共同将功因修正，同时透过变压器的另一组线圈，产生推动谐振网络能量。 本发明的进一步技术内容为所述的一种单级高功因回授变频式谐振能量之控制电路，其特征在于高功因脉波宽度控制回路依据谐振网络的共振特性演算出场效晶体管(M0SFET)导通的脉波宽度，如果此脉波宽度固定时，改变场效晶体管(M0SFET)0FF的时间长短，可达到调整之回授谐振能量，即调光的目的，同时也具备提高调光时灯管发光效率，此原理会让谐振回路永远处于谐振的状态下运作。 本发明的进一步技术内容为所述的一种单级高功因回授变频式谐振能量之控制电路，其特征在于高功因脉波宽度控制回路，当电源变动时，电子电路组合回路会侦测电阻的信号及电容上的电压信号，经电子电路组合回路的判断后，提供一个脉波宽度调变的信号给场效晶体管(MOSFET)，此信号配合一个变压器绕两组线圈、一个二极管、一个电容，将使得负载上的谐振能量可以控制同时提高功因，用于灯管，照度不因输入电压变动而改变照度。 与现有技术相比，本发明的有益效果是利用电子电路组合回路，直接驱动一个场效晶体管(MOSFET)，当场效晶体管(MOSFET)导通时，能量储存于变压器上，同时释放谐振网络之谐振能量；当场效晶体管(MOSFET)OFF时，变压器提供能量给谐振网络，所以在谐振网络之负载即可获得一谐振能量，同时变压器亦提供一个能量经二极管储存到电容，如此可使功因提高。 本发明进一步的有益效果是当电源变动时，电子电路组合回路会侦测电阻的信
号及电容上的电压信号，经电子电路组合回路的判断后，提供一个脉波宽度调变的信号给
场效晶体管(MOSFET)，如此可达到一种简易型固定的谐振能量回授控制。 本发明在进一步的有益效果是在调整谐振能量方面，依据谐振网络的共振特
性演算出场效晶体管(MOSFET)导通的脉波宽度，若此脉波宽度固定时，改变场效晶体管
(MOSFET)OFF的时间长短，可达到调整回授谐振能量，即调光的目的，同时也具备提高调光
时灯管发光效率，此原理会让谐振回路永远处于谐振的状态下运作。 下面结合附图和具体实施例对本发明作进一步描述。
图1是本发明单级高功因回授变频式谐振能量之控制电路电路图。
图2是先前技术的调光设计电路图。 图3是先前技术的两级低功因荧光灯电子安定器电路图。
图4是先前技术 两级高功因荧光灯电子安定器电路图。
图5是先前技术的单级高功因荧光灯电子安定器电路图。
图6是先前技术的单级低功因荧光灯电子安定器电路图。
主要组件符号说明
1电源滤波电路 2电子电路组合回路 3高功因脉波宽度控制回路 4谐振网络 31变压器 32 二极管 33电容 34场效晶体管(M0SFET) 35电阻 41负载
具体实施例方式
为了更充分理解本发明的技术内容，下面依照附图并结合本发明的实施例，对发明的技术方案作进一步介绍和说明。 请参阅图1所示，本发明是一种单级高功因回授变频式谐振能量之控制电路，该电路包括有一组电源滤波电路l，一组电子电路组合回路2，一组高功因脉波宽度控制回路3，一组谐振网络4。 利用电子电路组合回路2，直接驱动一个场效晶体管(M0SFET) 34，当场效晶体管(M0SFET)34导通时，能量储存于变压器31上，同时释放谐振网络4的谐振能量；当场效晶体管(M0SFET)340FF时，变压器31提供能量给谐振网络4，所以在谐振网络4之负载41即可获得一谐振能量，同时变压器31也提供一个经二极管32储存到电容33的能量，如此可使功因提高。 当电源滤波电路1电源变动时，电子电路组合回路2会侦测电阻35的信号及电容33上的电压信号，经电子电路组合回路2的判断后，提供一个脉波宽度调变的信号给场效晶体管(M0SFET)34，如此可达到一种简易型固定的谐振能量回授控制。
权利要求
一种单级高功因回授变频式谐振能量之控制电路，其包括有一电源滤波电路；一电子电路组合回路；一高功因脉波宽度控制回路，内含一个变压器绕两组线圈、一个二极管、一个电容、一个场效晶体管(MOSFET)及一个电阻；一谐振网络。
2. 根据权利要求1所述的一种单级高功因回授变频式谐振能量之控制电路，其特征 在于电源滤波电路与该外加交流电源电性连接，可以将该外加交流电源整流滤波成直流电 源。
3. 根据权利要求1所述的一种单级高功因回授变频式谐振能量之控制电路，其特征在 于电子电路组合回路内含柔和启动、电压电流回授、共振频率修正控制、脉波宽度输出以及 可调整谐振能量设定、高功因控制等功能。
4. 根据权利要求1所述的一种单级高功因回授变频式谐振能量之控制电路，其特征在 于高功因脉波宽度控制回路，操作在高频且可作功因修正，并与该电源滤波电路电性连接， 可将该电源滤波电路所输入的直流电源，透过场效晶体管(M0SFET)高频切换及变压器之 一组线圈与二极管、电容，共同将功因修正，同时透过变压器的另一组线圈，产生推动谐振 网络的能量。
5. 根据权利要求1所述的一种单级高功因回授变频式谐振能量之控制电路，其特征在 于高功因脉波宽度控制回路依据谐振网络之共振特性演算出场效晶体管(M0SFET)导通的 脉波宽度，如果此脉波宽度固定时，改变场效晶体管(M0SFET) OFF的时间长短，可达到调整 回授谐振能量，即调光的目的，同时也具备提高调光时灯管发光效率，此原理会让谐振回路 永远处于谐振的状态下运作。
6. 根据权利要求1所述的一种单级高功因回授变频式谐振能量之控制电路，其特征在 于高功因脉波宽度控制回路，当电源变动时，电子电路组合回路会侦测电阻的信号及电容 上的电压信号，经电子电路组合回路的判断后，提供一个脉波宽度调变的信号给场效晶体 管(MOSFET)，此信号配合一个变压器绕两组线圈、一个二极管、一个电容，将使得负载上的 谐振能量可以控制同时提高功因，用于灯管，照度不因输入电压变动而改变照度。
全文摘要
本发明涉及一种单级高功因回授变频式谐振能量之控制电路，其包括有一组电源滤波电路，一组电子电路组合回路，一组高功因脉波宽度控制回路，一组谐振网络。高功因脉波宽度控制回路内包括一个变压器绕两组线圈及一个场效晶体管(MOSFET)，透过电子电路组合回路与谐振回路，即可达到高功因、可设定回授的固定功率，此技术可用于灯管调光，也可使灯管发光效率提高，适用于各式节能灯、日光灯、LED灯、HID灯等灯管，可使成本降低。
文档编号H02M5/00GK101753043SQ20081021993
公开日2010年6月23日 申请日期2008年12月12日 优先权日2008年12月12日
发明者江桂香, 黄千硕, 黄国洪, 黄翊 申请人:江桂香;黄国洪;黄翊;黄千硕