可提升效率的电源供应器的制作方法

文档序号:7370987阅读:138来源:国知局
专利名称:可提升效率的电源供应器的制作方法
技术领域
本实用新型是有关于
器,尤指一种于主电压输
主电压输出单元供应+ 5 V
元关闭时,则由低效率的
直流电源,以达到调整输
供应器。
一种可提升效率的电源供应
出单元开启时,由咼效率的
直流电源,于主电压输出单
备援电压输出单元供应+ 5 V
出效率的可提升效率的电源
背景技术
请参照图1 ,其绘示己知的电源供应器的方块示
意图。如图所示,已知的电源供应器中,例如LLC谐 振转换器电路中,其通常具有一较高效率的主电压输 出单元l 0 0及一较低效率的备援电压输出单元2 0 0,其中该主电压输出单元l 0 0可输出+ l 2V、 + 5 V、 +3.3V、 - 1 2V等电压输出,该备援电压输出单 元2 0 0则可输出+ 5V电压输出,其中该备援电压输 出单元2 0 0可于主电压输出单元1 0 O关闭时供应电源々厶印刷电路板(图未示,例如但不限于计算机的
主机板)上的集成电路或遥控器接收电路使用。
惟上述的己知LLC谐振转换器电路,该主电压输
出单元1 0 0及备援电压输出单元2 0 0的输出为两
组独电压输出,亦即,即使当较高效率的主电压输
出单元1 0 0开启时,较低效率的备援电压输出单元
2 00仍然需供电给集成电路或遥控器接收电路使用。如此,将使LLC谐振转换器电路整体供电效率降
低,诚属美中不足之处。
有鉴于此,本实用新型提出一种可提升效率的电
源供应器以改善上述缺点。

实用新型内容
本实用新型的一目的是提供一种可提升效率的电 源供应器,其可于主电压输出单元开启时,由高效率
的主电压输出单元供应+ 5V直流电源,于主电压输出 单元关闭时,则由低效率的备援电压输出单元供应+ 5 V直流电源,以达到调整输出效率的目的。
为达上述的目的,本实用新型的一种可提升效率 的电源供应器,其特征在于,其具有
一主电压输出单元,其具有较高效率且具有至少 一第一直流电压输出及一第二直流电压输出;备援电压输出单元,其具有较低效率且亦具有
至少直流电压输出;
开关, 其可为 一 三端元件,其第 一 端耦接至该
主电压输出单元的第一直流电压输出,第二端耦接至
该主电压输出单元,第三端则耦接至该备援电压输出
单元的直流电压输出。
中该主电压输出单元为一 LLC电源转换器。
中该LLC电源转换器的效率为9 2 % 。
中该UC电源转换器输出+ 1 2V、 + 5V、 +3.
3v及--12V的直流电压,其中该第一直流电压为+5
V,该第二直流电压为+ 1 2V。
其中该备援电压输出单元输出+5V直流电压。
其中该备援电压输出单元的效率为7 0 % 。
中该开关为一晶体管,且该晶体管为NPN或PNP晶体管
中该第—端为集电极,第二端为基极,第三A山 顿
为射极
其中该开关为一电力开关,且该电力开关为N通
道金属氧化半导体场效应晶体管、N通道接面场效应曰 曰曰
体管、p通道金属氧化半导体场效应晶体管或p通道接 面场效应晶体管,且其中该第 一 端是该金属氧化半导体场效应晶体管的漏极,该第二端是该金属氧化半导
体场效应晶体管的栅极,该第三端是该金属氧化半导
体场效应晶体管的源极。
其中该开关的第二端耦接至该第二直'流电压输出
或该主电压输出单元的 一 控制信号。
本实用新型的有益效果是
本实用新型的可提升效率的电源供应器,其可于
主电压输出单元开启时,由高效率的主电压输出单元
供应+ 5 V直流电源,于主电压输出单元关闭时,则由
低效率的备援电压输出单元供应+ 5 V直流电源,可以
达到调整输出效率的目的。


本实用新型的"可提升效率的电源供应器"、特
征及目的以附图及实例详细说明如后,其中-
图1为 一 示意图,其绘示已知的电源供应器的方
块示意图
图2为 一 示意图,其绘示本案一较佳实施例的可
提升效率的电源供应器的方块示意图
具体实施方式
请参照图2,其绘示本案较佳实施例的可提升
效率的电源供应器的方块不思图。如图所示,本实用
新型的可提升效率的电源供应器, 其包括:主电压
输出单元1 0 ;一备援电压输出单元20以及开
关3 0所组合而成。
中,该主电压输出单元10其具有较咼效率,
例如但不限于为9 2,且有至少一第直流电压
输出及一第二直流电压输出其中,该主电压输出单
元1 0例如但不限于为谐振转换器,是般电
源供应器所已知的,故在此不拟赘述该主电压输出
单元10具有+ 12 V+ 5、+ 3.3 V及--12V等直
流电压输出,其中,该第一直流电压可为+ 5 V,该第
一直流电压可为+ 1 2V
该备援电压输出单元20其具有较低效率,例如
但不限于为7 0% ,且亦具有至少一直流电压输出,
例如但不限于为+ 5 V因该备援电压输出单元20使
用机率较低,故通常设计成较低效率的电路,以降低
设计及零件成本
该开关3 0可为二端元件, 其第—一山 顺孝禺接至该
主电压输出单元1 0的第一直流电压输出,第一山 顺親
接至该主电压输出单元10,第三端则孝禺接至该备援
电压输出单元20的直流电压输出。其中该开30例如但不限于为 一 晶体管或电力开关,且该晶体管
可为NPN或PNP晶体管,该电力开关可为N通道金属 氧化半导体场效应晶体管、N通道接面场效应晶体管、 P通道金属氧化半导体场效应晶体管或P通道接面场效
应曰 曰曰体管
当该开关3 0为 一 晶体管时,该第 一 端可为集电
极Coiiector),第二端可为基极(Base),第三丄山 顿可
为射极Emitter)。
当该开关3 0为一电力开关时,该第一端是该金
属氧化半导体场效应晶体管的漏极(Drain),该第
上山 顺是该金属氧化半导体场效应晶体管的栅极(Gate),
该第二上山 顺是该金属氧化半导体场效应晶体管的源极
Sou rC 6)。在本实施例中是以N通道接面场效应曰 曰曰体
管为例加以说明,但并不以此为限。
此外,该开关3 O的第二端可耦接至该第二直流
电压输出,例如但不限于+ 1 2 V或该主电压输出单元
的控制信号C 。在本实施例中是以耦接至该控制信号
c为例加以说明,但并不以此为限。
于运作时,当该主电压输出单元l 0被启动(0N) 时,该主电压输出单元1 0将输出高电位的控制信号C 使该开关3 0导通,此时,该主电压输出单元1 0所 输出的第一直流电压(S卩+ 5V)将输出至原该主电压输出单元l0所接的负载(图未示),另一方面,该主
电压输出单元l 0将由导通的开关3 0将第一直流电 压(即+ 5V)输出至该备援电压输出单元2 0所耦接 的元件。
当该主电压输出单元l 0被关闭(OFF)时,该控 制信号C为浮接(floating)或低电位,使该开关3
0截止,此时,该主电压输出单元l0所中止输出所 有电压,另一方面,该备援电压输出单元2 0将输出+
5 V电源至其所耦接的元件。
如此,由控制该开关3 0的导通或截止,即可决 定由该主电压输出单元l Q或该备援电压输出单元2
0输出+ 5 V电源供元件或负载使用。在该主电压输出 单元1 0关闭时,才由低效率的该备援电压输出单元
2 0供应小部份的+ 5 V电源,因此,可大幅改善电源 供应器电源输出的效率,进而降低电源的浪费。
是以,经由本实用新型的可提升效率的电源供应 器的实施,其可于主电压输出单元开启时,由高效率 的主电压输出单元供应+ 5V直流电源,于主电压输出 单元关闭时,则由低效率的备援电压输出单元供应+ 5 V直流电源,以达到调整输出效率的目的等优点,因此, 确可改善已知电源供应器的缺点。
本案所揭示的,乃较佳实施例,凡是局部的变更或修饰而源于本案的技术思想而为熟习该项技术的人 所易于推知的,俱不脱本案的专利权范畴。
权利要求1.一种可提升效率的电源供应器,其特征在于,其具有一主电压输出单元,其具有较高效率且具有至少一第一直流电压输出及一第二直流电压输出;一备援电压输出单元,其具有较低效率且亦具有至少一直流电压输出;一开关,其可为一三端元件,其第一端耦接至该主电压输出单元的第一直流电压输出,第二端耦接至该主电压输出单元,第三端则耦接至该备援电压输出单元的直流电压输出。
2 .如权利要求1所述的可提升效率的电源供应 器,其特征在于,其中该主电压输出单元为一 LLC电 源转换器。
3 .如权利要求2所述的可提升效率的电源供应 器,其特征在于,其中该LLC电源转换器的效率为9 2 % 。
4 .如权利要求2所述的可提升效率的电源供应 器,其特征在于,其中该LLC电源转换器输出+ 1 2 V、 十5V、 +3.3丫及-1 2V的直流电压,其中该第一直,其具有较高效率且具有至少 一第二直流电压输出;元,其具有较低效率且亦具有-■上山 —* 二顿兀件,第—— A山 顿牵禺接至直流电压输出,第端孝禺接 二顺则稱接至该备援电压输流电压为+ 5V,该第二直流电压为+ 1 2V。
5 .如权利要求1所述的可提升效率的电源供应 器,其特征在于,其中该备援电压输出单元输出+ 5V直流电压。
6 .如权利要求5所述的可提升效率的电源供应 器,其特征在于,其中该备援电压输出单元的效率为 7 0%。
7 .如权利要求1所述的可提升效率的电源供应 器,其特征在于,其中该开关为 一 晶体管,且该晶体 管为NPN或PNP晶体管。
8 .如权利要求7所述的可提升效率的电源供应 器,其特征在于,其中该第一端为集电极,第二端为 基极,第三端为射极。
9 .如权利要求1所述的可提升效率的电源供应 器,其特征在于,其中该开关为一电力开关,且该电 力开关为N通道金属氧化半导体场效应晶体管、N通道接面场效应晶体管、P通道金属氧化半导体场效应晶体管或P通道接面场效应晶体管,且其中该第 一 端是该 金属氧化半导体场效应晶体管的漏极,该第二端是该 金属氧化半导体场效应晶体管的栅极,该第三端是该 金属氧化半导体场效应晶体管的源极。
10 .如权利要求1所述的可提升效率的电源供应器,其特征在于,其中该开关的第二端耦接至该第 二直流电压输出或该主电压输出单元的一控制信号。
专利摘要本实用新型提出一种可提升效率的电源供应器,其具有一主电压输出单元,其具有至少一第一直流电压输出及一第二直流电压输出;一备援电压输出单元,其具有至少一直流电压输出;一开关;以便由上述的结构,当该主电压输出单元启动时,该开关导通,由该主电压输出单元输出该第一直流电压,当该主电压输出单元关闭时,该开关截止,由该备援电压输出单元输出该直流电压至该第一直流电压。
文档编号H02H9/06GK201146381SQ200820001258
公开日2008年11月5日 申请日期2008年1月22日 优先权日2008年1月22日
发明者黄明和 申请人:高效电子股份有限公司
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