专利名称：一种磁场力做功模型的制作方法
技术领域：
用于动力领域。
背景技术：
根据磁场边界条件，磁场具有被铁磁质屏蔽的性质(如图1)。磁场被铁磁质屏 蔽后的区域磁场强度相对减弱，所以未屏蔽的区域磁场强度比屏蔽区的磁场相对较强。 根据这一特点可以得出，被屏蔽的磁场区域和未屏蔽的场区总体形成的区域是一个非保 守场。既然是保守场，那就可以指定一个经过屏蔽区和未屏蔽区回路，用一个磁体或铁 磁质沿着这一回路运动，在运动一个完整的回路后，磁场对磁体或铁磁质做功可以大于 零，从而对外界做功。
发明创造的内容
根据磁屏蔽原理，用磁体或铁磁质在磁场被屏蔽区和未屏蔽区运动，使磁场力 在被屏蔽区对磁体或铁磁质做负功，在未屏蔽区对磁体或铁磁质做正功，因为屏蔽区磁 场强度相对较弱，所以磁场做的正功大于负功，从而对外界做功。
本发明技术方案是应用磁屏蔽原理，屏蔽区磁场较弱，未屏蔽区较强，指定 一个同时经过屏蔽区和未屏蔽区的回路，使磁场在运动一个完整的回路后，对磁体或铁 磁质做的负功较少，正功较多，从而使总功大于零。根据这一原理，有两种具体方案 第一种是产生磁场的磁体与起屏蔽作用的物体相对静止，仅屏蔽磁场的部分区域，一部 分未屏蔽，使磁体或铁磁质在屏蔽区和未屏蔽区运动，可以使磁场力对磁体或铁磁质做 的总功大于零，从而对外界做功。第二种是磁场交替的处于被屏蔽和未屏蔽两种状 态，在这两种状态中，使磁场在未被屏蔽时对磁体或铁磁质做正功，而在被屏蔽时磁场 做负功，未屏蔽时磁场较强，做正功多，被屏蔽时磁场较弱，做负功少，在一个完整的 循环中，总功大于零，从而对外界做功。
应用前景
用于动力领域。
下面结合附图和实施例对发明进一步说明。
图1是一对基本磁元被部分屏蔽后磁场分布区域模型图。
图2是一个实际的磁体被部分屏蔽后磁场分布区域图。
图3是磁场被部分屏蔽后形成非保守场而对磁体做功模型图。
图4是采用磁场通过被屏蔽和未屏蔽状态交替时对磁体做功模型图。
图中1. 一对基本磁元，2.起屏蔽作用的铁磁质，3.磁场未屏蔽区，4.磁场被屏 蔽区，5.屏蔽状态分界面，6.产生磁场的磁体，7.磁场未屏蔽区，8.磁体的一部分被屏蔽 区，9.磁场被屏蔽区，10.受磁场力做功的磁体，11.磁体运动的方向，12.磁体运动的回 路。
具体实施方式
方式1 :如图3所示，磁体6被屏蔽物2部分屏蔽，磁体10沿着回路12运动， 先从未屏蔽区靠近磁场，由于受到引力做正功；然后进入屏蔽区，在屏蔽区远离磁场受 到斥力做负功。由于未屏蔽区磁场较屏蔽区相对强，所以做的正功大于负功，从而对外 界做功。
方式2 如图4所示，这里两个磁体互为磁场，互为做功。先认为磁体6产生 磁场，磁体10受场力做功，两个磁体同时在被屏蔽时互相靠近，由于都受斥力，场力做 负功；然后同时运动到未屏蔽区，互相远离，都受斥力，场力做正功。由于做正功时磁 场较强，总功大于零，从而对外界做功。
权利要求
1.一种磁场力做功模型，根据磁屏蔽原理，由于磁场在被铁磁质屏蔽时，被屏蔽后 的磁场强度比未屏蔽时的磁场强度减弱，根据这一特点，让磁体或铁磁质在磁场被屏蔽 区和未屏蔽区运动，使磁场力在未屏蔽或被较少屏蔽时，对运动的磁体或铁磁质做正功 较多，在被屏蔽或被较多屏蔽区时，对运动的磁体或铁磁质做负功较少，磁场做的正功 大于负功，从而对外界做功。
2.根据权利要求1所述的磁场力做功模型，其特征是起屏蔽作用的物体仅屏蔽磁 场的部分区域，一部分未屏蔽，使磁体或铁磁质在磁场被屏蔽区和未屏蔽区运动，可以 使磁场力对磁体或铁磁质做的总功大于零，从而对外界做功。
3.根据权利要求1所述的磁场力做功模型，其特征是磁场与屏蔽物可以相对运 动，磁场具有被屏蔽和未被屏蔽两种状态，在这两种状态中，使磁场未被屏蔽时对磁体 或铁磁质做正功，而在被屏蔽时磁场做负功，由于磁场做的正功大于负功，从而对外界 做功。
4.根据权利要求1所述的磁场力做功模型，其特征是磁场与屏蔽物体可以相对运 动，磁场具有被较多屏蔽和被较少屏蔽两种状态，在这两种状态中，使磁场在被较少屏 蔽时对磁体或铁磁质做正功，而在被较多屏蔽时磁场做负功，由于磁场做的正功大于负 功，从而对外界做功。
5.根据权利要求1所述的磁场力做功模型，其特征是形成磁场的磁体可以是永磁 体或者电磁体构成的装置。
6.根据权利要求1所述的磁场力做功模型，其特征是在磁场中受磁场力做功的物 体可以是永磁体、电磁体或铁磁质构成的装置。
7.根据权利要求1所述的磁场力做功模型，其特征是磁场中运动的磁体可以是仅 一极在靠近磁场处运动并受场力做功，另一极离磁场较远，受场力做功很小，同样可以 使磁场做的总功大于零。
8.根据权利要求1所述的磁场力做功模型，其特征是磁场中运动的磁体可以是仅 一极沿着指定的回路运动并受场力做功，另一极沿着较小的回路运动或者仅绕一个点转 动，受场力做功很小，同样可以使磁场做的总功大于零。
9.根据权利要求1所述的磁场力做功模型，其特征是磁场中运动的磁体或铁磁质 可以是受磁场引力，在磁场未屏蔽时接近磁场受场力做正功；在磁场被屏蔽时远离磁场 受磁场力做负功，磁场做的正功大于负功，从而对外界做功。
10.根据权利要求1所述的磁场力做功模型，其特征是磁场中运动的磁体或铁磁质 可以是受磁场斥力，在磁场被屏蔽时接近磁场受磁场力做负功；在磁场不被屏蔽时远离 磁场受场力做正功，磁场做的正功大于负功，从而对外界做功。
全文摘要
一种磁场力做功模型，根据磁屏蔽原理，即磁场在被屏蔽后的区域，磁场强度比未屏蔽时的区域强度相对减弱的特点，用磁体或铁磁质在磁场被屏蔽区和未屏蔽区运动，使磁场力在未屏蔽区对磁体或铁磁质做正功较多，在被屏蔽区对磁体或铁磁质做负功较少，磁场做的正功大于负功，从而对外界做功。
文档编号H02N11/00GK102025293SQ20091017323
公开日2011年4月20日 申请日期2009年9月11日 优先权日2009年9月11日
发明者郑永罡 申请人:郑永罡