专利名称：一种锂电池充电保护芯片的制作方法
技术领域：
本申请涉及锂电池技术领域，特别是涉及一种锂电池充电保护芯片。
背景技术：
锂电池在充电时，PMIC(Power Management IC，电源管理芯片)检测锂电池充电保护芯片的OUT引脚输出的充电电流lout，依据检测到的充电电流Iout数值，PMIC通过内部运算，产生一个下拉电流Igatdrv。PMIC的引脚与锂电池充电保护芯片的GATDRV引脚相连， 所以锂电池充电保护芯片的GATDRV引脚出的电流为下拉电流Igatdrv。进一步，锂电池充电保护芯片通过内部电路调节OUT引脚输出的充电电流Iout，以保证充电电流Iout在锂电池的充电电流范围内。目前，锂电池充电保护芯片通常采用PNP型三极管，调节OUT引脚输出的充电电流 lout，如图1所示。图1中，10为PMIC，PMIC具有GATDRV、VBAT和ISEN引脚，11为锂电池充电保护芯片，具有GATDRV、ACIN和OUT引脚，Iout为OUT引脚输出的充电电流，Igatdrv 为GATDRV引脚输出的下拉电流，12为电阻，13为锂电池，各个部件之间的连接关系请参阅图1。从图1中可以看出，Iout = β Xlgatdrv，从而在PNP型三极管的参数β已知的情况下，调整锂电池充电保护芯片11的GATDRV引脚处的下拉电流Igatdrv，即可保证充电电流lout。但是，PNP型三极管的参数β随着温度和电流的变化而变化，同时，PNP型三极管的参数β的离散性大，导致OUT引脚输出的充电电流lout精确度低，从而导致锂电池充电值准确度降低。
发明内容
有鉴于此，本申请实施例公开一种锂电池充电保护芯片，提高充电电流Iout精确度，进一步提高锂电池充电值准确度。技术方案如下本申请实施例公开一种锂电池充电保护芯片，芯片上具有OUT引脚和GATDRV引脚，所述OUT引脚和GATDRV引脚之间连接有的镜像电流源，所述镜像电流源包括两个MOS管。优选地，所述镜像电流源还包括运算放大器，所述两个MOS管为P沟道增强型 MOS管；其中两个P沟道增强型MOS管的栅极短接，源极短接到电源，一个P沟道增强型MOS管的漏极连接所述OUT引脚，另一个P沟道增强型MOS管的漏极连接所述GATDRV引脚；所述运算放大器的输出端连接两个P沟道增强型MOS管的栅极短接点，反相输入端连接一个P沟道增强型MOS管的漏极，正相输入端连接另一个P沟道增强型MOS管的漏极。优选地，所述电源为所述锂电池充电保护芯片的内部电源。优选地，所述MOS管为N沟道增强型MOS管。应用上述技术方案，锂电池充电保护芯片的OUT引脚和GATDRV引脚连接，且包括两个MOS管的镜像电流源，依据镜像电流源的原理，OUT引脚输出的充电电流Iout与 GATDRV引脚输出的下拉电流Igatdrv成比例，即lout = kX Igatdrv，k为宽长比。与现有技术相比，锂电池充电保护芯片的OUT引脚输出的充电电流Iout的精确度由宽长比k决定，宽长比k为镜像电流源中两个MOS管的宽长比，其不受温度和电流影响，且离散性小，从而提高了 OUT引脚输出的充电电流Iout精确度，进一步提高锂电池充电值准确度。
为了更清楚地说明本申请实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请中记载的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下， 还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为现有锂电池充电保护芯片的局部示意图；图2为本申请实施例公开的锂电池充电保护芯片的局部示意图。
具体实施例方式发明人经过实践发现，现有锂电池充电保护芯片提供的充电电流Iout受PNP型三极管的参数β影响，由于PNP型三极管的参数β随着温度和电流的变化而变化，同时，PNP 型三极管的参数β的离散性大，导致OUT引脚输出的充电电流lout精确度低，从而导致锂电池充电值准确度降低。为了解决上述问题，本申请实施例公开了一种锂电池充电保护芯片，如图1所示，图1为本申请实施例公开的锂电池充电保护芯片的局部示意图，其中21 为锂电池充电保护芯片，OUT和GATDRV为锂电池充电保护芯片21的引脚，Iout为OUT引脚输出的充电电流，Igatdrv为GATDRV引脚输出的下拉电流，22为镜像电流源。其中镜像电流源22连接在锂电池充电保护芯片21的OUT引脚和GATDRV引脚之间，镜像电流源22包括两个MOS管23和24。两个MOS管可以为P沟道增强型MOS管。为了保证锂电池充电保护芯片21的OUT引脚输出的充电电流Iout精确度，镜像电流源22还包括运算放大器25。其中两个P沟道增强型MOS管23和M的栅极短接，源极短接到电源，如数值与锂电池充电保护芯片21的内部电源相同的单独电源，也可以直接短接到锂电池充电保护芯片21 的内部电源。P沟道增强型MOS管23的漏极连接锂电池充电保护芯片21的OUT引脚，P沟道增强型MOS管M的漏极连接锂电池充电保护芯片21的GATDRV引脚。运算放大器25的输出端连接两个P沟道增强型MOS管23和M的栅极短接点，反相输入端连接P沟道增强型MOS管23的漏极，正相输入端连接P沟道增强型MOS管M的漏极。上述P沟道增强型MOS管23和M的栅极短接，源极短接到电源，漏极分别连接运算放大器25的反相输入端和正相输入端。根据MOS管的特性，两个MOS管的栅极、源极和漏极电位分别相同时，流过两个MOS管的电流与两个MOS管的宽长比k有关。P沟道增强型MOS管23和M的漏极分别连接锂电池充电保护芯片21的OUT引脚和锂电池充电保护芯片21的GATDRV引脚，因此OUT引脚输出的充电电流Iout为流过P沟道增强型MOS管23的漏极的电流，GATDRV引脚输出的下拉电流Igatdrv为流过P沟道增强
4型MOS管M的漏极的电流，即lout = kX Igatdrv0宽长比k为镜像电流源中两个MOS管的宽长比，其不受温度和电流影响，且离散性小，从而提高了 OUT引脚输出的充电电流Iout 精确度。上述镜像电流源22中的两个MOS管还可以为N沟道增强型MOS管，两个N沟道增强型MOS管的栅极、源极和漏极电位分别相同时，同样可以保证lout = kX Igatdrv，其中k 为两个MOS管的宽长比。应用上述技术方案，锂电池充电保护芯片21的OUT引脚和GATDRV连接，且包括两个MOS管的镜像电流源22，依据镜像电流源22的原理，OUT引脚输出的充电电流Iout与 GATDRV引脚输出的下拉电流Igatdrv成比例，即lout = kX Igatdrv，k为宽长比。与现有技术相比，锂电池充电保护芯片的OUT引脚输出的充电电流Iout的精确度由宽长比k决定，宽长比k为镜像电流源中两个MOS管的宽长比，其不受温度和电流影响，且离散性小，从而提高了 OUT引脚输出的充电电流Iout精确度，进一步提高锂电池充电值准确度。以上所述仅是本申请的具体实施方式
，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本申请原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本申请的保护范围。
权利要求
1.一种锂电池充电保护芯片，芯片上具有OUT引脚和GATDRV引脚，其特征在于，所述 OUT引脚和GATDRV引脚之间连接有的镜像电流源，所述镜像电流源包括两个MOS管。
2.根据权利要求1所述的锂电池充电保护芯片，其特征在于，所述镜像电流源还包括 运算放大器，所述两个MOS管为P沟道增强型MOS管；其中两个P沟道增强型MOS管的栅极短接，源极短接到电源，一个P沟道增强型MOS管的漏极连接所述OUT引脚，另一个P沟道增强型MOS管的漏极连接所述GATDRV引脚；所述运算放大器的输出端连接两个P沟道增强型MOS管的栅极短接点，反相输入端连接一个P沟道增强型MOS管的漏极，正相输入端连接另一个P沟道增强型MOS管的漏极。
3.根据权利要求2所述的锂电池充电保护芯片，其特征在于，所述电源为所述锂电池充电保护芯片的内部电源。
4.根据权利要求1所述的锂电池充电保护芯片，其特征在于，所述MOS管为N沟道增强型MOS管。
全文摘要
本申请公开了一种锂电池充电保护芯片，芯片上具有OUT引脚和GATDRV引脚，所述OUT引脚和GATDRV引脚之间连接有的镜像电流源，所述镜像电流源包括两个MOS管。应用上述技术方案，锂电池充电保护芯片的OUT引脚和GATDRV引脚连接，且包括两个MOS管的镜像电流源，依据镜像电流源的原理，OUT引脚输出的充电电流Iout与GATDRV引脚输出的下拉电流Igatdrv成比例，即Iout＝k×Igatdrv，k为宽长比。宽长比k为镜像电流源中两个MOS管的宽长比，其不受温度和电流影响，且离散性小，从而提高了OUT引脚输出的充电电流Iout精确度，进一步提高锂电池充电值准确度。
文档编号H02J7/00GK102355018SQ20111027164
公开日2012年2月15日 申请日期2011年9月14日 优先权日2011年9月14日
发明者杨兴洲 申请人:开源集成电路(苏州)有限公司