专利名称：用于开关电源中的软启动电路的制作方法
技术领域：
本发明涉及模拟集成电路中开关电源领域，特别是涉及一种用于开关电源中的软启动电路。
背景技术：
随着便携式电子设备的迅速普及，开关电源芯片因其具有能量转换效率高的特点得到了广泛应用。在开关电源芯片的工作应用中，因为在上电过程中有电流过冲的现象，会导致芯片损坏；所以，必须设计软启动电路来消除这一现象。现有的各种软启动电路具有结构复杂，工作不可靠以及占用芯片面积大等缺点。
发明内容
本发明要解决的技术问题是提供一种用于开关电源中的软启动电路，能消除电流过冲现象，使芯片不受损坏。为解决上述技术问题，本发明的用于开关电源中的软启动电路，包括一由NMOS晶体管M1、M2组成的电流镜模块，NMOS晶体管M1、M2的源极接电源VDD，NM0S晶体管M2的漏极和栅极以及NMOS晶体管Ml的栅极与基准电流模块相连接；NM0S晶体管Ml的漏极与开关SI的一端和电容Cl的上极板相连接；开关SI的另一端和电容Cl的下极板接地；一比较器BJ，其反相输入端与基准电压模块相连接；其正相输入端与NMOS晶体管Ml的漏极及PMOS开关晶体管M3的源极相连接；该比较器BJ的输出端与反相器FXl的输入端相连接；PMOS开关晶体管M3的栅极与反相器FXl的输出端相连接，PMOS开关晶体管M3的漏极与PMOS开关晶体管M4的源极相连接，并作为电路的输出端；反相器FX2的输入端与反相器FXl的输出端相连接；反相器FX2的输出端与PMOS开关晶体管M4的栅极相连接；PM0S开关晶体管M4的漏极与所述基准电压模块相连接。由于采用本发明的用于开关电源中的软启动电路，利用给电容Cl上极板充电的方式，在上电过程中得到一个缓变的基准电压输出；使得开关电源芯片在上电过程中内部基准电压缓慢上升，从而消除电流过冲现象，保护芯片不受损坏。与现有技术相比，本发明的软启动电路软启动效果好，电路结构简单，且能有效节省芯片的面积。
下面结合附图与具体实施方式
对本发明作进一步详细的说明附图是用于开关电源中的软启动电路一实施例原理图。
具体实施例方式在开关电源芯片的工作应用中，由于在上电过程中有电流过冲的现象，因此会导致芯片损坏。本发明能有效解决上述问题，使得开关电源芯片在上电过程中内部基准电压缓慢上升，从而消除电流过冲现象，保护芯片不受损坏。参见附图所示，在本实施例中，所述用于开关电源中的软启动电路包括一由NMOS晶体管Ml、M2组成的电流镜模块，基准电流模块，开关SI，电容Cl，一比较器BJ，反相器FX1、FX2，PMOS开关晶体管M3、M4，基准电压模块。开关S1在电路上电前将电容Cl的电位拉到地，电路上电后基准电流模块通过电流镜模块给电容Cl的上极板充电。当电容Cl的上极板的电位小于基准电压时，所述比较器BJ输出低电平，PMOS开关晶体管M3导通，输出Vo为电容Cl的上极板的电位；当电容Cl的上极板的电位大于基准电压时，所述比较器BJ输出高电平，PMOS开关晶体管M4导通，输出Vo为基准电压。在本实施例中，给电容Cl上极板充电的偏置电流大小I和电容值C决定了软启动的时间长短。由电容的CV特性可知
权利要求
1.一种用于开关电源中的软启动电路，其特征在于，包括一由第一 NMOS晶体管和第二 NMOS晶体管组成的电流镜模块，第一 NMOS晶体管和第二NMOS晶体管的源极接电源，第二 NMOS晶体管的漏极和栅极以及第一 NMOS晶体管的栅极与基准电流模块相连接；第一 NMOS晶体管的漏极与一开关的一端和一电容的上极板相连接；所述开关的另一端和所述电容的下极板接地；一比较器，其反相输入端与基准电压模块相连接；其正相输入端与第一 NMOS晶体管的漏极及第一 PMOS开关晶体管的源极相连接；该比较器输出端与第一反相器的输入端相连接;第一 PMOS开关晶体管的栅极与第一反相器的输出端相连接，该第一 PMOS开关晶体管的漏极与第二 PMOS开关晶体管的源极相连接，并作为电路的输出端；一第二反相器的输入端与第一反相器的输出端相连接；该第二反相器的输出端与第二PMOS开关晶体管的栅极相连接；该第二 PMOS开关晶体管的漏极与所述基准电压模块相连接。
2.如权利要求1所述的软启动电路，其特征在于当所述电容的上极板的电位小于基准电压时，电路输出端为该电容的上极板的电位；当所述电容的上极板的电位大于基准电压时，电路输出端为基准电压。
全文摘要
本发明公开了一种用于开关电源中的软启动电路，包括基准电流模块、电流镜模块、一开关、一电容、一比较器、基准电压模块以及第一PMOS开关晶体管和第二PMOS开关晶体管。其中，开关在上电前将电容的电位拉到地，上电后基准电流模块通过电流镜模块给电容的上极板充电。当电容的上极板的电位小于基准电压时，比较器输出低电平，第一PMOS开关晶体管导通，电路的输出端为电容的上极板的电位；当电容的上极板的电位大于基准电压时，比较器输出高电平，第二PMOS开关晶体管导通，电路的输出端为基准电压。本发明能消除电流过冲现象，使芯片不受损坏，软启动效果好，且电路结构简单，节省芯片面积。
文档编号H02M1/36GK103051166SQ20111030757
公开日2013年4月17日 申请日期2011年10月12日 优先权日2011年10月12日
发明者葛佳乐, 周斐 申请人:上海华虹集成电路有限责任公司