漏电保护插头的制作方法
【专利摘要】本发明公开一种漏电保护插头，包括整流电路、电源降压电路、电源指示灯、脱扣器、第一IC放大电路、可控硅、零序互感器以及试验电路，在第一IC放大电路和可控硅之间还设有超温保护模块以及和超温保护模块连接的第一反向隔离电路；超温保护模块包括分流基准源、热敏电阻、三极管、第一分压电阻、第二分压电阻以及偏置电阻；三极管的集电极连接第一反向隔离电路以及可控硅的控制极；第一分压电阻、第二分压电阻和热敏电阻串联，分流基准源的参考端与上述热敏电阻连接，分流基准源的阴极连接三极管基极以及偏置电阻，分流基准源的阳极连接可控硅的阴极以及第二分压电阻。本发明利用分流基准源的特性，提高了超温漏电保护插头的受控精度。
【专利说明】漏电保护插头
【技术领域】
[0001]本发明涉及电气安全保护装置领域，特别涉及一种漏电保护插头。
【背景技术】
[0002]本发明人之前公开的一种带超温保护的漏电保护插头在实际生产和使用中取得不错的结果，但是也暴露出温度控制不够精确的缺陷，因为环境温度的变化，影响了电子元件的参数，从而不能精确地控制跳闸温度。
【发明内容】
[0003](一)要解决的技术问题
[0004]本发明的目的就是要克服上述缺点，旨在提供一种漏电保护插头。
[0005](二)技术方案
[0006]为解决上述问题，本发明提出一种漏电保护插头，包括整流电路、电源降压电路、电源指示灯、脱扣器、第一 IC放大电路、可控硅、零序互感器以及试验电路，在第一 IC放大电路和可控硅之间还设有超温保护模块以及和超温保护模块连接的第一反向隔离电路；超温保护模块包括分流基准源、热敏电阻、三极管、第一分压电阻、第二分压电阻以及偏置电阻；三极管的集电极连接第一反向隔离电路以及可控硅的控制极；第一分压电阻、第二分压电阻与热敏电阻串联，分流基准源的参考端与热敏电阻连接，分流基准源的阴极连接三极管基极以及偏置电阻，分流基准源的阳极连接可控硅的阴极以及第二分压电阻。
[0007]进一步，分流基准源的参考端和阳极并联电容。
[0008]进一步，还设有第二 IC放大电路以及与其电气连接的转换电路，第二 IC放大电路的输出端连接第二反向隔离电路。
[0009]进一步，转换电路包括第二零序互感器以及第三零序互感器，第二零序互感器一端和第三零序互感器一端连接，第二零序互感器另一端和第三零序互感器的另一端通过转换开关连接。
[0010]进一步，第二零序互感器的初级线圈连接地线和零线，并且地线串联大阻值限流降压电阻。
[0011]进一步，零线和地线之间设有感应电压消除电容和地线带电指示。
[0012]进一步，热敏电阻受热后阻值下降，分流基准源的参考端电压上升至预设值，分流基准源阴极电位下降，使三极管导通。
[0013]进一步，分流基准源优选为TL431。
[0014](三)有益效果
[0015]与现有技术相比，本发明具有以下优点:利用分流基准源的特性，提高了超温漏电保护插头的受控精度。
【专利附图】
【附图说明】[0016]图1为本发明的漏电保护插头的实施例一的模块图；
[0017]图2为本发明的漏电保护插头的实施例一的电路原理图；
[0018]图3为本发明的漏电保护插头的实施例二的模块图；
[0019]图4为本发明的漏电保护插头的实施例二的电路原理图；
[0020]图5为本发明的实施例一的采用正温度系数热敏电阻的电路原理图；
[0021]图6为本发明的实施例二的采用正温度系数热敏电阻的电路原理图。
【具体实施方式】
[0022]下面结合附图和实施例，对本发明的【具体实施方式】作进一步详细描述。以下实施例用于说明本发明，但不用来限制本发明的范围。
[0023]实施例一
[0024]如图1和图2所示，本发明的漏电保护插头，包括整流电路、电源降压电路、电源指示灯、脱扣器、第一 IC放大电路、可控硅SCR、第一零序互感器以及试验电路，其中整流电路由二极管Dl组成，电源指示灯由LED灯串联电阻R4?R6组成，第一 IC放大电路包括漏电检测专用芯片U1、电阻R11、电阻R12，第一反向隔离电路为二极管D2，试验电路包括串联的按钮K、电阻R7?R9组成，电源降压电路由混合连接的电阻R18?R23组成，在第一 IC放大电路和可控硅之间还设有超温保护模块以及和超温保护模块连接的第一反向隔离电路；超温保护模块包括分流基准源U2、热敏电阻RT、三极管Q1、第一分压电阻R15、第二分压电阻R14以及偏置电阻R24 ;三极管Ql的集电极连接第一反向隔离电路以及可控硅SCR的控制极；第一分压电阻R15、第二分压电阻R14与热敏电阻RT串联，分流基准源U2的参考端与热敏电阻RT连接，分流基准源U2的阴极K连接三极管Ql基极以及偏置电阻R24，分流基准源U2的阳极A连接可控硅SCR阴极以及第二分压电阻R14。
[0025]分流基准源U2的参考端和阳极A并联抗干扰电容C10。
[0026]本实施例中的分流基准源U2优选为TL431，TL431是一块精准可调的基准电源电路，具有良好的稳压特性及灵活的稳压值设定，输出电压设点可在Vref (基准电压)至40V之间连续可调，该电路在许多应用场合可替代稳压二极管。
[0027]本实施例的电路原理图参见图2。
[0028]本发明的工作原理如下:如图2所示，热敏电阻RT与第二分压电阻R14的公共端连接分流基准源U2的参考端，采用负温度系数的热敏电阻RT受热后阻值下降，(RT+R15)/R14的比值下降，从而使参考端的电压Vref上升，本实施例中，参考端电压预设为2.5V，当Vref达到预设值，分流基准源U2阴极K电位下降，使三极管Ql导通，三级管Ql集电极有电流流过，而通过三级管Ql集电极与可控硅SCR的控制极连接，从而使可控硅SCR导通，脱扣器开始动作，断开电源。同样的，如图5所示，当采用真温度系数的热敏电阻RT，热敏电阻RT与第一分压电阻R15的公共端连接分流基准源U2的参考端，热敏电阻RT受热后阻值上升，R15/ (R14+RT)的比值下降，从而使参考端的电压Vref上升，当Vref达到预设值，分流基准源U2阴极K电位下降，使三极管Ql导通，三级管Ql集电极有电流流过，而通过三级管Ql集电极与可控硅SCR的控制极连接，从而使可控硅SCR导通，脱扣器开始动作，断开电源。
[0029]实施例二
[0030]本实施例与实施例一的基本结构相同，不同之处在于:[0031]如图3和图4所示，还设有第二 IC放大电路以及与其电气连接的转换电路，第二IC放大电路的输出端连接第二反向隔离电路D2。第二 IC放大电路包括第二漏电检测专用芯片U3及其附属元器件。
[0032]转换电路包括第二零序互感器ZCT2以及第三零序互感器ZCT3，第二零序互感器ZCT2 一端和第三零序互感器ZCT3 —端连接，第二零序互感器ZCT2另一端和第三零序互感器ZCT3的另一端通过转换开关K连接。第二零序互感器ZCT2用于检测零线和地线之间的漏电情况，第三零序互感器ZCT3用于检测地线带电情况。
[0033]第二零序互感器ZCT2的初级线圈连接地线E和零线N，并且地线E串联大阻值限流降压电阻R3。
[0034]零线N和地线E之间设有感应电压消除电容Cl和由电阻Rl和氖泡Xl组成的地线带电指示。
[0035]本实施例的电路原理图参见图4 (采用负温度系数的热敏电阻)，图6为采用正温度系数的热敏电阻的电路原理图。本实施例的工作原理与实施例一的工作原理相同。
[0036]本实施例所提及的电路元件符号仅对本实施例相关的【专利附图】
【附图说明】有效。
[0037]以上仅是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本【技术领域】的普通技术人员来说，在不脱离本发明技术原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本发明的保护范围。
【权利要求】
1.一种漏电保护插头，包括整流电路、电源降压电路、电源指示灯、脱扣器、第一 IC放大电路、可控硅、零序互感器以及试验电路，其特征在于:在第一 IC放大电路和可控硅之间还设有超温保护模块以及和超温保护模块连接的第一反向隔离电路；超温保护模块包括分流基准源、热敏电阻、三极管、第一分压电阻、第二分压电阻以及偏置电阻；三极管的集电极连接第一反向隔离电路以及可控硅的控制极；第一分压电阻、第二分压电阻与热敏电阻串联，分流基准源的参考端与所述热敏电阻连接，分流基准源的阴极连接三极管基极以及偏置电阻，分流基准源的阳极连接可控硅的阴极以及第二分压电阻。
2.根据权利要求1漏电保护插头，其特征在于:分流基准源的参考端和阳极并联电容。
3.根据权利要求2漏电保护插头，其特征在于:还设有第二IC放大电路以及与其电气连接的转换电路，第二 IC放大电路的输出端连接第二反向隔离电路。
4.根据权利要求3漏电保护插头，其特征在于:转换电路包括第二零序互感器以及第三零序互感器，第二零序互感器一端和第三零序互感器一端连接，第二零序互感器另一端和第三零序互感器的另一端通过转换开关连接。
5.根据权利要求4漏电保护插头，其特征在于:第二零序互感器的初级线圈连接地线和零线，并且地线串联大阻值限流降压电阻。
6.根据权利要求5漏电保护插头，其特征在于:零线和地线之间设有感应电压消除电容和地线带电指示。
7.根据权利要求2至6任一项漏电保护插头，其特征在于:热敏电阻受热后阻值下降，分流基准源的参考端电压上升至预设值，分流基准源阴极电位下降，使三极管导通。
8.根据权利要求7漏电保护插头，其特征在于:分流基准源优选为TL431。
【文档编号】H02H3/32GK103825246SQ201410058455
【公开日】2014年5月28日 申请日期:2014年2月20日 优先权日:2014年2月20日
【发明者】钱加灿 申请人:余姚市嘉荣电子电器有限公司