简易型欠电压的保护装置制造方法
【专利摘要】本实用新型涉及一种简易型欠电压的保护装置，包括：一电压检测单元及一启动单元。该电压检测单元包含有一二极管、一可变电阻器、一晶体管及一固定电阻器。该启动单元包含有一第二晶体管。在外部的电压源小于该二极管的电压，第一晶体管的射极接脚至该集极接脚间的电压小于第二晶体管的闸极接脚至源极接脚间的临界电压时，第二晶体管不导通，而关闭该启动单元；在外部的电压源大于二极管的电压，第一晶体管的射极接脚至集极接脚间的电压大于第二晶体管的闸极接脚至源极接脚间的临界电压，则第二晶体管导通，而开启启动单元。本实用新型利用少数的电子零件制作成简易型欠电压的保护装置，使线路简易，让制作上更加容易，可大幅度降低制作成本。
【专利说明】简易型欠电压的保护装置
【技术领域】
[0001]本实用新型有关一种保护装置，尤指一种简易型欠电压的保护装置。
【背景技术】
[0002]由于短路故障等原因，线路电压会在短时间内出现大幅度降低甚至消失的现象。它会给线路和电器设备带来损伤。例如，使电动机疲倒、堵转，从而产生数倍于额定电流的过电流，烧坏电动机；当电压恢复时，大量电动机的自起动又会使电动机的电压大幅度下降，造成危害。引起电动机疲倒的电压称为临界电压。当线路电压降低到临界电压时，保护电器的动作，称为欠电压保护，其任务主要是防止设备因过载而烧毁。当线路电压低于临界电压保护电器才动作的称为失压保护，其主要任务是防止电动机自起动。
[0003]而目前欠电压的保装置，如中国台湾专利证书第1354423号的“一种欠电压保护装置”专利，该专利的图2揭示的欠电压保护装置包括一启动单元以及一电压检测单元。电压检测单元具有一电阻器R3、一积纳二极管D4、一比较器Ul以及一分压单元(R4、R5)。该启动单元具有二个第一二极管D1、复数电阻器Rf R2、一第一开关组件Q1、一第二开关组件Q2、一第二二极管D2、一积纳二极管D3、一电容器C I。
[0004]在上述专利的欠电压保护装置作动时，以该电压检测单元接收到该分压单元(R4、R5)分压后的该输入电压，先通过该比较器Ul将该分压后的该输入电压与该参考电压进行比较，当该分压后的该输入电压闻于该参考电压时，该输出端output输出一正电压值,使该第二第晶体Q 2开启，即可再触发该第一开关组件Q I开启，并使得该风扇得以开始作动。反之，当该分压后的该输入电压低于该参考电压时，该输出端output输出一负电压值，此时该第二晶体管Q2关闭，而无法触发该第一开关组件Q1，该第一开关组件Ql关闭，因此该风扇无法作动，即可达到欠电压保护的功效。
[0005]虽然，上述的欠电压保护装置可有效保护风扇，但是该欠电压保护装置的所使用的电子零件数较多，导致线路复杂，使制作成本增加，造成制作上的困扰。而且所使用的分压电阻R4、R5为固定电阻器直接固接在电路上，当要运用于不同的输入电压上时，此固定电阻器无法进行阻值的调整，因此运用的范围将受到限制。
实用新型内容
[0006]有鉴于此，本实用新型的目的在于提供一种简易型欠电压的保护装置。
[0007]为达到上述的目的，本实用新型提供一种简易型欠电压的保护装置，其电性连接外部的电压源，包括:
[0008]一电压检测单元，包含:
[0009]—二极管，其具有一输入端及一输出端，该输入端以电性连接外部的电压源；
[0010]一可变电阻器，其具有一第一接脚、一第二接脚及一第三接脚，该可变电阻器的第一接脚以电性连接该保护装置的电路接地端，并电性连接外部的电压源，该可变电阻器的第三接脚与该二极管的输出端电性连接；
[0011]一第一晶体管，其具有一集极接脚、一射极接脚及一基极接脚，该第一晶体管的集极接脚与该可变电阻器的第一接脚及该电路接地端电性连接，该第一晶体管的基极接脚与该可变电阻器的第二接脚电性连接；
[0012]一固定电阻器，其上具有一输入端及一输出端，该输入端电性连接该保护装置的电路电源，该固定电阻器的输出端与该第一晶体管的射极接脚电性连接；及
[0013]一启动单元,包含:
[0014]一第二晶体管，其上具有一源极接脚、一汲极接脚及一闸极接脚，该第二晶体管的源极接脚与该第一晶体管的集极接脚及该电路接地端电性连接，该第二晶体管的闸极接脚与该固定电阻器的输出端及第一晶体管的射极接脚电性连接，该第二晶体管的汲极接脚与该保护装置的电路电源电性连接；
[0015]其中，在外部的电压源小于该二极管的电压，且该第一晶体管的射极接脚至该集极接脚间的电压小于第二晶体管的闸极接脚至该源极接脚间的临界电压时，则该第二晶体管不导通，而关闭该启动单元；在外部的电压源大于二极管的电压，且该第一晶体管的射极接脚至该集极接脚间的电压大于第二晶体管的闸极接脚至该源极接脚间的临界电压时，则该第二晶体管导通，而开启该启动单元。
[0016]作为上述一种简易型欠电压的保护装置的优选方案，其中该二极管的输入端以电性连接外部的电压源的正电压源，该电压源的电压范围在(T10v之间。
[0017]作为上述一种简易型欠电压的保护装置的优选方案，其中该二极管为稽纳二极管，该稽纳二极管的电压范围在2.(T62V之间。
[0018]作为上述一种简易型欠电压的保护装置的优选方案，其中该可变电阻器的第一接脚以电性连接外部的电压源的负电压源。
[0019]作为上述一种简易型欠电压的保护装置的优选方案，其中该第一晶体管为PNP型晶体管。
[0020]作为上述一种简易型欠电压的保护装置的优选方案，其中该第二晶体管为N通道的空乏型金氧半场效晶体管。
[0021]作为上述一种简易型欠电压的保护装置的优选方案，其中该外部的电压源小于该二极管的电压时，该射极接脚至该集极接脚间的电压为0.5^0.9V。
[0022]作为上述一种简易型欠电压的保护装置的优选方案，其中该外部的电压源大于二极管的电压时，该射极接脚至该集极接脚间的电压等于该射极接脚至该基极接脚间的电压加上该基极接脚至电路接地端的电压。
[0023]作为上述一种简易型欠电压的保护装置的优选方案，其中该第一晶体管的基极接脚至电路接地端的电压为外部的电压源减去二极管的电压乘于该可变电阻器的分压比。
[0024]作为上述一种简易型欠电压的保护装置的优选方案，其中该可变电阻器的电阻值范围在(Γ500ΚΩ之间。
[0025]为达到上述的目的，本实用新型提供另一种简易型欠电压的保护装置，其电性连接外部的电压源，包括:
[0026]一电压检测单元，包含:
[0027]—二极管，其具有一输入端及一输出端，该输入端以电性连接外部的电压源；
[0028]一可变电阻器，其具有一第一接脚、一第二接脚及一第三接脚，该可变电阻器的第一接脚以电性连接该保护装置的电路接地端，并电性连接外部的电压源，该可变电阻器的第三接脚与该二极管的输出端电性连接；
[0029]一第一晶体管，其具有一集极接脚、一射极接脚及一基极接脚，该第一晶体管的射极接脚与该可变电阻器的第一接脚及该电路接地端电性连接，该第一晶体管的基极接脚与该可变电阻器的第二接脚电性连接；
[0030]一固定电阻器，其上具有一输入端及一输出端，该输入端电性连接该保护装置的电路电源，该固定电阻器的输出端与该第一晶体管的集极接脚电性连接；及
[0031]一启动单元,包含:
[0032]一第二晶体管，其上具有一源极接脚、一汲极接脚及一闸极接脚，该第二晶体管的源极接脚与该第一晶体管的射极接脚及该电路接地端电性连接，该第二晶体管的汲极接脚与该保护装置的电路电源电性连接；
[0033]—反向器,其具有一输入端级一输出端，该反向器的输入端与该固定电阻器的输出端及该第一晶体管的集极接脚电性连接，该反向器的输出端与该第二晶体管的闸极接脚电性连接；
[0034]其中，在外部的电压源小于该二极管的电压时，该第一晶体管的集极至射极的电压等于电路电源，该反向器的输出为低电位，且该启动单元的第二晶体管为截止；在外部的电压源大于该二极管的电压时，该第一晶体管的基极至射极的电压大于顺向导通电压，且该集极至射极的电压等于饱和电压，该反向器的输出为高电位，且该启动单元的第二晶体管为导通。
[0035]作为上述另一种简易型欠电压的保护装置的优选方案，其中该二极管的输入端以电性连接外部的电压源的正电压源，该电压源的电压范围在(T10v之间。
[0036]作为上述另一种简易型欠电压的保护装置的优选方案，其中该二极管为稽纳二极管，该稽纳二极管的电压范围在2.(T62V之间。
[0037]作为上述另一种简易型欠电压的保护装置的优选方案，其中该可变电阻器的第一接脚以电性连接外部的电压源的负电压源。
[0038]作为上述另一种简易型欠电压的保护装置的优选方案，其中该第一晶体管为NPN型晶体管。
[0039]作为上述另一种简易型欠电压的保护装置的优选方案，其中该第二晶体管为N通道的空乏型金氧半场效晶体管。
[0040]作为上述另一种简易型欠电压的保护装置的优选方案，其中该外部的电压源大于该二极管的电压时，该第一晶体管的基极至射极电压的顺向导通电压为0.6^1.1V，该第一晶体管的集极至射极电压的饱和电压为0.2^0.4V。
[0041]作为上述另一种简易型欠电压的保护装置的优选方案，其中该第一晶体管的基极接脚至电路接地端的电压为外部的电压源减去二极管的电压乘于该可变电阻器的分压比。
[0042]作为上述另一种简易型欠电压的保护装置的优选方案，其中该可变电阻器的电阻值范围在(Γ500ΚΩ之间。
[0043]为达到上述的目的，本实用新型提供又一种简易型欠电压的保护装置，其电性连接外部的电压源，包括:
[0044]一电压检测单元，包含:
[0045]—二极管，其具有一输入端及一输出端，该输入端以电性连接外部的电压源；
[0046]—可变电阻器，其具有一第一接脚、一第二接脚及一第三接脚，该可变电阻器的第一接脚以电性连接该保护装置的电路接地端，并电性连接外部的电压源，该可变电阻器的第三接脚与该二极管的输出端电性连接；
[0047]一第一晶体管，其具有一源极接脚、一汲极接脚及一闸极接脚，该第一晶体管的源极接脚与该可变电阻器的第一接脚及该电路接地端电性连接，该第一晶体管的闸极接脚与该可变电阻器的第二接脚电性连接；
[0048]—固定电阻器，其上具有一输入端及一输出端，该固定电阻器的输入端电性连接该保护装置的电路电源，该固定电阻器的输出端与该第一晶体管的汲极接脚电性连接；及
[0049]一启动单元,包含:
[0050]一第二晶体管，其上具有一源极接脚、一汲极接脚及一闸极接脚，该第二晶体管的源极接脚与该第一晶体管的源极接脚及该电路接地端电性连接，该第二晶体管的汲极接脚与该保护装置的电路电源电性连接；
[0051]—反向器，其具有一输入端级一输出端，该反向器的输入端与该固定电阻器的输出端及该第一晶体管的汲极接脚电性连接，该反向器的输出端与该第二晶体管的闸极接脚电性连接；
[0052]其中，在外部的电压源小于二极管电压，第一晶体管的闸极至源极的电压小于第一晶体管的闸极至源极的临界电压时，该第一晶体管不导通，该汲极至源极电压等于电路电源，使该反向器的输出为低电位，该启动单元的第二晶体管为截止；在外部的电压源大于二极管电压，第一晶体管的闸极至源极的电压大于第一晶体管的闸极至源极的临界电压时，该第一晶体管导通，该汲极至源极电压等于零伏特，该反向器的输出为高电位，且该启动单元的第二晶体管为导通。
[0053]作为上述又一种简易型欠电压的保护装置的优选方案，其中该二极管的输入端以电性连接外部的电压源的正电压源，该电压源的电压范围在(T10v之间。
[0054]作为上述又一种简易型欠电压的保护装置的优选方案，其中该二极管为稽纳二极管，该稽纳二极管的电压范围在2.(T62V之间。
[0055]作为上述又一种简易型欠电压的保护装置的优选方案，其中该可变电阻器的第一接脚以电性连接外部的电压源的负电压源。
[0056]作为上述又一种简易型欠电压的保护装置的优选方案，其中该第一晶体管及该第二晶体管为N通道的空乏型金氧半场效晶体管。
[0057]作为上述又一种简易型欠电压的保护装置的优选方案，其中该第一晶体管的闸极接脚至电路接地端的电压为外部的电压源减去二极管的电压乘于该可变电阻器的分压比。
[0058]作为上述又一种简易型欠电压的保护装置的优选方案，其中该可变电阻器的电阻值范围在(Γ500ΚΩ之间。
[0059]本实用新型利用少数的电子零件制作成简易型欠电压的保护装置，使线路简易，让制作上更加容易，可以大幅度降低制作成本；而且使用可变电阻器会根据外部的电压源的大小来调整电阻值，以控制电压值比例输出，让保护装置可运用于不同的输入电压源上。
【专利附图】
【附图说明】
[0060]图1为本实用新型的欠电压保护装置的电路方块示意图；
[0061]图2为本实用新型的欠电压保护装置的电路线路示意图；
[0062]图3为本实用新型的欠电压保护装置的另一实施例电路线路示意图；
[0063]图4为本实用新型的欠电压保护装置的再一实施例电路线路示意图。
[0064]【主要元件符号说明】
[0065]电压检测单元-1 ;二极管-11 ;输入端-111 ;输出端-112 ;可变电阻器_12 ;第一接脚-121 ;第二接脚-122 ;第三接脚-123 ;第一晶体管-13、15、16 ;集极接脚_131、151 ;射极接脚_132、152 ;基极接脚_133、153 ;固定电阻器_14 ;输入端-141 ;输出端-142 ；
[0066]启动单元-2;第二晶体管-21 ;源极接脚_211、161 ;汲极接脚-212、162 ;闸极接脚-213、163 ；
[0067]反向器-3 ;输入端-31 ;输出端-32 ;
[0068]保护装置-10 ;电路接地端-101 ;电路电源-102 ；
[0069]电压源-20 ;正电压源-201 ;负电压源-202。
【具体实施方式】
[0070]为了让本实用新型的上述和其它目的、特征、和优点能更明显，下文将配合附图，作详细说明如下。
[0071]请参阅图1及图2，为本实用新型的欠电压保护装置的电路方块及电路线路示意图。如图所示:本实用新型的简易型欠电压的保护装置10，包括:一电压检测单元I及一启动单元2。
[0072]该电压检测单元1，包含有一二极管(Dl)ll、一可变电阻器(Rl) 12、一晶体管(Ql) 13及一固定电阻器(R2) 14。
[0073]该二极管11，具有一输入端111及一输出端112,该输入端111以电性连接外部的电压源20的正电压源(+Vin)201。在本图中，该二极管11为稽纳二极管。在本图中，该稽纳二极管的电压范围在2.(T62V之间。
[0074]该可变电阻器12，具有一第一接脚121、一第二接脚122及一第三接脚123。该可变电阻器12的第一接脚121以电性连接该保护装置10的电路接地端101，并电性连接外部的电压源20的负电压源(-Vin) 202，该可变电阻器12的第二接脚122与该晶体管13的基极接脚133电性连接，该可变电阻器12的第三接脚123与该二极管11的输出端112电性连接。在本图中，该可变电阻器12的电阻值范围在(Γ500ΚΩ之间。
[0075]该第一晶体管13，具有一集极接脚131、一射极接脚132及一基极接脚133。该第一晶体管13的集极接脚131与该可变电阻器12的第一接脚121及该电路接地端101电性连接，该第一晶体管13的基极接脚133与该可变电阻器12的第二接脚122电性连接。在本图中，该第一晶体管13为PNP型晶体管。
[0076]该固定电阻器14,其上具有一输入端141及一输出端142,该输入端141电性连接该保护装置10的电路电源(Vcc) 102，该固定电阻器14的输出端142与该第一晶体管13的射极接脚132电性连接。
[0077]该启动单元2，由一第二晶体管21组成。该第二晶体管21上具有一源极接脚(Source) 211、一汲极接脚(Drain) 212及一闸极接脚(Gate) 213,该第二晶体管21的源极接脚211与该第一晶体管13的集极接脚131及该电路接地端101电性连，该第二晶体管21的闸极接脚213与该固定电阻器14的输出端142及第一晶体管13的射极接脚132电性连接，该第二晶体管21的汲极接脚212与该保护装置的电路电源电性连接。在本图中，该第二晶体管21为N通道的空乏型金氧半场效晶体管(cbplet1n mode M0SFET)。
[0078]本实用新型的电路动作原理，则是通过二极管11、可变电组器12的压降及第一晶体管13的射极接脚132至该基极接脚133间的电压(Veb)控制该射极接脚132至该集极接脚131间的电压(Vec)准位。
[0079]当外部的电压源(Vin) 20 (电压源20的电压范围在(TlOOV之间)小于该二极管11的电压(Vz)，该射极接脚132至该集极接脚131间的电压(Vec)约0.5^0.9V[即Veb电压]，此时射极接脚132至该集极接脚131间的电压(Vec)小于第二晶体管21的闸极接脚213至该源极接脚211间的临界电压(Vgsthreshoid voltage)时,则该第二晶体管21不导通(Turn OFF),而关闭该启动单元2。
[0080]当外部的电压源(Vin) 20大于二极管11的电压(Vz)，该射极接脚132至该集极接脚131间的电压(Vec)等于是该射极接脚132至该基极接脚133间的电压(Veb)加上该基极接脚133至电路接地端101的电压(Vb)[即为Vec=Veb+Vb]，且在该射极接脚132至该集极接脚131间的电压(Vec)大于第二晶体管21的闸极接脚213至该源极接脚211间的临界电压(Vgsthreshoid voltage),则该第二晶体管21导通(Turn ON),而开启该启动单元2。在本图中，该基极接脚133至电路接地端101的电压(Vb)为外部的电压源20减去二极管11的电压[Vb=(Vin-Vz)]乘于可变电阻器12的分压比。
[0081]请参阅图3，为本实用新型的欠电压保护装置的另一实施例电路线路示意图。如图所示:本图的欠电压保护装置的电路线路与图2大致相同，不同处是在于图3的第一晶体管15改为NPN型晶体管，该第一晶体管15，具有一集极接脚151、一射极接脚152及一基极接脚153。该第一晶体管15的射极接脚152与该可变电阻器12的第一接脚121及该电路接地端101电性连接，该第一晶体管15的基极接脚153与该可变电阻器12的第二接脚122电性连接，该集极接脚151与该固定电阻器14的输出端142电性连接。且，该第一晶体管15的集极接脚151与该固定电阻器14的输出端142电性连接处及该启动单元2之间电性连接有一反向器3,该反向器3的输入端31与该第一晶体管15的集极接脚151与该固定电阻器14的输出端142电性连接处电性连接，该反向器3的输出端32与该第二晶体管21的闸极接脚213电性连接。
[0082]当VirKVDl，第一晶体管(Ql) 15的集极至射极电压(Vce)=电路电源(Vcc)，因此反向器3的输出为低电位(Low)，所以该启动单元2的第二晶体管21为截止(Turn OFF)。
[0083]当Vin>VDl，第一晶体管(Ql) 15的基极至射极电压(Vbe) >顺向导通电压(0.6?1.1V)，因此集极至射极电压(Vce) =饱和电压(0.2^0.4V)，该反向器3的输出为高电位(HIGH)，所以该启动单元2的第二晶体管21为导通(Turn ON)。
[0084]该基极接脚153至电路接地端101的电压(Vb)为外部的电压源20减去二极管11的电压[Vb=(Vin-Vz)]乘以可变电阻器12的分压比。
[0085]请参阅图4，为本实用新型的欠电压保护装置的再一实施例电路线路示意图。如图所示:本图的欠电压保护装置的电路线路与图2大致相同，不同处是在于图4的第一晶体管16改为N通道的空乏型金氧半场效晶体管，该第一晶体管16具有一源极接脚161、一汲极接脚162及一闸极接脚163，该第一晶体管16的源极接脚161与该可变电阻器12的第一接脚121及该电路接地端101电性连接，该第一晶体管16的闸极接脚163与该可变电阻器12的第二接脚122电性连接，该第一晶体管16的汲极接脚162与该固定电阻器14的输出端142电性连接。且，该第一晶体管16的汲极接脚162与该固定电阻器14的输出端142电性连接处及该启动单元2之间电性连接有一反向器3，该反向器3的输入端31与该第一晶体管16的汲极接脚162与该固定电阻器14的输出端142电性连接处电性连接，该反向器3的输出端32与该第二晶体管21的闸极接脚213电性连接。
[0086]当Vin〈VDl时，第一晶体管(Ql) 16的闸极至源极电压(Vgs)〈第一晶体管16的闸极至源极的临界电压(Vgs，th)，该第一晶体管16不导通，汲极至源极电压(Vds)=电路电源(Vcc)，因此该反向器3的输出为低电位(Low)，所以该启动单元2的第二晶体管21为截止(Turn OFF)。
[0087]当Vin>VDl时，第一晶体管(Ql) 16的闸极至源极电压(Vgs) >第一晶体管16的闸极至源极的临界电压(Vgs，th)，该第一晶体管16导通，汲极至源极电压(Vds)=OV,因此该反向器3的输出为高电位(HIGH)，所以该启动单元2的第二晶体管21为导通(Turn ON)。
[0088]该闸极接脚163至电路接地端101的电压(Vg)为外部的电压源20减去二极管11的电压[Vg=(Vin-Vz)]乘于可变电阻器12的分压比。
[0089]通过上述的少数电子零件来制作简易型欠电压的保护装置10，使制作更佳容易，可大幅度降低制作成本，且在欠电压时，可以保护负载的寿命。
[0090]进一步，本实用新型的可变电阻器12的电阻值调整，会根据外部的电压源(Vin) 20的大小来调整电阻值，以控制电压值比例输出，让保护装置10可运用于不同的输入电压源上。
[0091]以上所述，仅为本实用新型的较佳实施例，并非因此而限定本实用新型的专利保护范围，故举凡运用本实用新型说明书及附图所作的均等变化与修饰，皆为本实用新型的保护范围所涵盖。
【权利要求】
1.一种简易型欠电压的保护装置，其电性连接外部的电压源，其特征在于，包括: 一电压检测单元，包含: 一二极管，其具有一输入端及一输出端，该输入端以电性连接外部的电压源； 一可变电阻器，其具有一第一接脚、一第二接脚及一第三接脚，该可变电阻器的第一接脚以电性连接该保护装置的电路接地端，并电性连接外部的电压源，该可变电阻器的第三接脚与该二极管的输出端电性连接； 一第一晶体管，其具有一集极接脚、一射极接脚及一基极接脚，该第一晶体管的集极接脚与该可变电阻器的第一接脚及该电路接地端电性连接，该第一晶体管的基极接脚与该可变电阻器的第二接脚电性连接； 一固定电阻器，其上具有一输入端及一输出端，该输入端电性连接该保护装置的电路电源，该固定电阻器的输出端与该第一晶体管的射极接脚电性连接；及 一启动单元，包含: 一第二晶体管，其上具有一源极接脚、一汲极接脚及一闸极接脚，该第二晶体管的源极接脚与该第一晶体管的集极接脚及该电路接地端电性连接，该第二晶体管的闸极接脚与该固定电阻器的输出端及第一晶体管的射极接脚电性连接，该第二晶体管的汲极接脚与该保护装置的电路电源电性连接； 其中，在外部的电压源小于该二极管的电压，且该第一晶体管的射极接脚至该集极接脚间的电压小于第二晶体管的闸极接脚至该源极接脚间的临界电压时，则该第二晶体管不导通，而关闭该启动单元；在外部的电压源大于二极管的电压，且该第一晶体管的射极接脚至该集极接脚间的电压大于第二晶体管的闸极接脚至该源极接脚间的临界电压时，则该第二晶体管导通，而开启该启动单元。
2.如权利要求1所述的保护装置，其特征在于，该二极管的输入端以电性连接外部的电压源的正电压源，该电压源的电压范围在(T10v之间。
3.如权利要求2所述的保护装置，其特征在于，该二极管为稽纳二极管，该稽纳二极管的电压范围在2.(T62V之间。
4.如权利要求3所述的保护装置，其特征在于，该可变电阻器的第一接脚以电性连接外部的电压源的负电压源。
5.如权利要求4所述的保护装置，其特征在于，该第一晶体管为PNP型晶体管。
6.如权利要求5所述的保护装置，其特征在于，该第二晶体管为N通道的空乏型金氧半场效晶体管。
7.如权利要求6所述的保护装置，其特征在于，该外部的电压源小于该二极管的电压时，该射极接脚至该集极接脚间的电压为0.5^0.9V。
8.如权利要求7所述的保护装置，其特征在于，该外部的电压源大于二极管的电压时，该射极接脚至该集极接脚间的电压等于该射极接脚至该基极接脚间的电压加上该基极接脚至电路接地端的电压。
9.如权利要求8所述的保护装置，其特征在于，该第一晶体管的基极接脚至电路接地端的电压为外部的电压源减去二极管的电压乘于该可变电阻器的分压比。
10.如权利要求9所述的保护装置，其特征在于，该可变电阻器的电阻值范围在0?500ΚΩ之间。
11.一种简易型欠电压的保护装置，其电性连接外部的电压源，其特征在于，包括: 一电压检测单元，包含: 一二极管，其具有一输入端及一输出端，该输入端以电性连接外部的电压源； 一可变电阻器，其具有一第一接脚、一第二接脚及一第三接脚，该可变电阻器的第一接脚以电性连接该保护装置的电路接地端，并电性连接外部的电压源，该可变电阻器的第三接脚与该二极管的输出端电性连接； 一第一晶体管，其具有一集极接脚、一射极接脚及一基极接脚，该第一晶体管的射极接脚与该可变电阻器的第一接脚及该电路接地端电性连接，该第一晶体管的基极接脚与该可变电阻器的第二接脚电性连接； 一固定电阻器，其上具有一输入端及一输出端，该输入端电性连接该保护装置的电路电源，该固定电阻器的输出端与该第一晶体管的集极接脚电性连接；及 一启动单元，包含: 一第二晶体管，其上具有一源极接脚、一汲极接脚及一闸极接脚，该第二晶体管的源极接脚与该第一晶体管的射极接脚及该电路接地端电性连接，该第二晶体管的汲极接脚与该保护装置的电路电源电性连接； 一反向器，其具有一输入端级一输出端，该反向器的输入端与该固定电阻器的输出端及该第一晶体管的集极接脚电性连接，该反向器的输出端与该第二晶体管的闸极接脚电性连接； 其中，在外部的电压源小于该二极管的电压时，该第一晶体管的集极至射极的电压等于电路电源，该反向器的输出为低电位，且该启动单元的第二晶体管为截止；在外部的电压源大于该二极管的电压时，该第一晶体管的基极至射极的电压大于顺向导通电压，且该集极至射极的电压等于饱和电压，该反向器的输出为高电位，且该启动单元的第二晶体管为导通。
12.如权利要求11所述的保护装置，其特征在于，该二极管的输入端以电性连接外部的电压源的正电压源，该电压源的电压范围在(T10v之间。
13.如权利要求12所述的保护装置，其特征在于，该二极管为稽纳二极管，该稽纳二极管的电压范围在2.(T62V之间。
14.如权利要求13所述的保护装置，其特征在于，该可变电阻器的第一接脚以电性连接外部的电压源的负电压源。
15.如权利要求14所述的保护装置，其特征在于，该第一晶体管为NPN型晶体管。
16.如权利要求15所述的保护装置，其特征在于，该第二晶体管为N通道的空乏型金氧半场效晶体管。
17.如权利要求16所述的保护装置，其特征在于，该外部的电压源大于该二极管的电压时，该第一晶体管的基极至射极电压的顺向导通电压为0.6^1.1V，该第一晶体管的集极至射极电压的饱和电压为0.2^0.4V。
18.如权利要求17所述的保护装置，其特征在于，该第一晶体管的基极接脚至电路接地端的电压为外部的电压源减去二极管的电压乘于该可变电阻器的分压比。
19.如权利要求18所述的保护装置，其特征在于，该可变电阻器的电阻值范围在0?500ΚΩ之间。
20.一种简易型欠电压的保护装置，其电性连接外部的电压源，其特征在于，包括: 一电压检测单元，包含: 一二极管，其具有一输入端及一输出端，该输入端以电性连接外部的电压源； 一可变电阻器，其具有一第一接脚、一第二接脚及一第三接脚，该可变电阻器的第一接脚以电性连接该保护装置的电路接地端，并电性连接外部的电压源，该可变电阻器的第三接脚与该二极管的输出端电性连接； 一第一晶体管，其具有一源极接脚、一汲极接脚及一闸极接脚，该第一晶体管的源极接脚与该可变电阻器的第一接脚及该电路接地端电性连接，该第一晶体管的闸极接脚与该可变电阻器的第二接脚电性连接； 一固定电阻器，其上具有一输入端及一输出端，该固定电阻器的输入端电性连接该保护装置的电路电源，该固定电阻器的输出端与该第一晶体管的汲极接脚电性连接；及 一启动单元，包含: 一第二晶体管，其上具有一源极接脚、一汲极接脚及一闸极接脚，该第二晶体管的源极接脚与该第一晶体管的源极接脚及该电路接地端电性连接，该第二晶体管的汲极接脚与该保护装置的电路电源电性连接； 一反向器，其具有一输入端级一输出端，该反向器的输入端与该固定电阻器的输出端及该第一晶体管的汲极接脚电性连接，该反向器的输出端与该第二晶体管的闸极接脚电性连接； 其中，在外部的电压源小于二极管电压，第一晶体管的闸极至源极的电压小于第一晶体管的闸极至源极的临界电压时，该第一晶体管不导通，该汲极至源极电压等于电路电源，使该反向器的输出为低电位，该启动单元的第二晶体管为截止；在外部的电压源大于二极管电压，第一晶体管的闸极至源极的电压大于第一晶体管的闸极至源极的临界电压时，该第一晶体管导通，该汲极至源极电压等于零伏特，该反向器的输出为高电位，且该启动单元的第二晶体管为导通。
21.如权利要求20所述的保护装置，其特征在于，该二极管的输入端以电性连接外部的电压源的正电压源，该电压源的电压范围在(Γ100V之间。
22.如权利要求21所述的保护装置，其特征在于，该二极管为稽纳二极管，该稽纳二极管的电压范围在2.(T62V之间。
23.如权利要求22所述的保护装置，其特征在于，该可变电阻器的第一接脚以电性连接外部的电压源的负电压源。
24.如权利要求23所述的保护装置，其特征在于，该第一晶体管及该第二晶体管为N通道的空乏型金氧半场效晶体管。
25.如权利要求24所述的保护装置，其特征在于，该第一晶体管的闸极接脚至电路接地端的电压为外部的电压源减去二极管的电压乘于该可变电阻器的分压比。
26.如权利要求25所述的保护装置，其特征在于，该可变电阻器的电阻值范围在0?500ΚΩ之间。
【文档编号】H02H3/24GK204179636SQ201420595237
【公开日】2015年2月25日 申请日期:2014年10月15日 优先权日:2014年10月15日
【发明者】陈联兴, 蔡正特, 黄盛亘 申请人:博大科技股份有限公司