一种具有迟滞窗口宽范围输入的电源欠压保护电路的制作方法

文档序号:11692590阅读:133来源:国知局

本发明涉及一种电源欠压保护电路,具体涉及一种具有迟滞窗口宽范围输入的电源欠压保护电路。



背景技术:

输入欠压保护电路是电源模块的核心保护单元,其作用是模块的输入电压低于正常工作电压范围时,将模块关断,保护模块内部器件不受损伤。常规的输入欠压保护电路在欠压保护点附近输出电压容易产生振荡,电路容易误触发,抗干扰能力差。



技术实现要素:

本发明的目的在于提供一种具有迟滞窗口宽范围输入的电源欠压保护电路,不易产生误触发,抗干扰能力强。

为实现上述目的,本发明采用了以下技术方案:

一种具有迟滞窗口宽范围输入的电源欠压保护电路,包括比较器n3、基准源n1、分压电路、稳压电路及开关电路,所述分压电路由电阻r2及电阻r3串联组成,所述比较器n3的反相输入端连接在电阻r2及电阻r3之间,电阻r3的另一端接地,电阻r2的另一端为电压输入端;比较器n3的同相输入端经电阻r4与基准源n1的阴极相连,所述基准源n1的阳极接地,其参考端经电容c1接地,所述比较器n3的输出端与开关电路的输入端相连,且比较器n3的同相输入端经电阻r5与其输出端相连,所述稳压电路的输入端接地,其输出端与比较器n3的反相输入端相连。

所述稳压电路包括稳压管n2及电容c2,所述稳压管n2的阴极与比较器n3的反相输入端相连,稳压管n2的阳极接地,所述电容c2并联于稳压管n2的两端。

所述开关电路包括二极管v1、电阻r6及三极管v2,所述二极管v1的阳极与比较器n3的输出端相连,二极管v1的阴极经电阻r6与三极管v2的基极相连,所述三极管v2的集电极为开关电路的输出端,其发射极接地。

由上述技术方案可知,本发明所述的具有迟滞窗口宽范围输入的电源欠压保护电路的开启电压与关断电压有一定的窗口电压,电路中比较器电路引入正反馈后,由于存在两个不同的触发电平,当要求比较器输出电平向相反方向转变时,输入电压值必须有一定的变化量才可以。因此,电路不易产生误触发,稳定性较好,有较强的抗干扰能力,可靠性较高。

附图说明

图1是本发明的电路图。

具体实施方式

下面结合附图对本发明做进一步说明:

如图1所示,本实施例的具有迟滞窗口宽范围输入的电源欠压保护电路,包括比较器n3、基准源n1、分压电路、稳压电路及开关电路,分压电路由电阻r2及电阻r3串联组成,比较器n3的反相输入端连接在电阻r2及电阻r3之间,电阻r3的另一端接地,电阻r2的另一端为该电源欠压保护电路的电压输入端;比较器n3的同相输入端经电阻r4与基准源n1的阴极相连,基准源n1的阳极接地,其参考端经电容c1接地,比较器n3的输出端与开关电路的输入端相连,且比较器n3的同相输入端经电阻r5与其输出端相连,稳压电路的输入端接地,其输出端与比较器n3的反相输入端相连。

本实施例中,该稳压电路包括稳压管n2及电容c2,稳压管n2的阴极与比较器n3的反相输入端相连,稳压管n2的阳极接地,电容c2并联于稳压管n2的两端。开关电路包括二极管v1、电阻r6及三极管v2,二极管v1的阳极与比较器n3的输出端相连,二极管v1的阴极经电阻r6与三极管v2的基极相连,三极管v2的集电极为开关电路的输出端,其发射极接地。

工作原理:设基准源n1两端的电压为vref,比较器n3输出的高电平为vh,此时同相输入端的电压为vrh;比较器n3输出的低电平为vl,此时同相端的电压vrl。输入电压vi经过电阻r2,r3分压送入比较器n3反向输入端,当比较器n3反相输入端的电压小于vrl时,比较器n3输出高电平,三极管v2导通,连接至pwm控制器comp端为低电平,从而关断pwm脉冲输出,模块无输出。当比较器n3反相输入端的电压大于vrh时,比较器n3输出低电平,三极管v2关断,连接至pwm控制器comp端为高电平,pwm脉冲输出正常,模块也正常工作。

以上所述的实施例仅仅是对本发明的优选实施方式进行描述,并非对本发明的范围进行限定,在不脱离本发明设计精神的前提下,本领域普通技术人员对本发明的技术方案作出的各种变形和改进,均应落入本发明权利要求书确定的保护范围内。



技术特征:

技术总结
本发明涉及一种具有迟滞窗口宽范围输入的电源欠压保护电路,包括比较器N3、基准源N1、分压电路、稳压电路及开关电路,比较器N3的反相输入端连接在两串联电阻R2、电阻R3之间的节点处,电阻R3的另一端接地,电阻R2的另一端为电压输入端;比较器N3的同相输入端经电阻R4与基准源N1的阴极相连,所述基准源N1的阳极接地,其参考端经电容C1接地,所述比较器N3的输出端与开关电路的输入端相连,且比较器N3的同相输入端经电阻R5与其输出端相连,所述稳压电路的输入端接地,其输出端与比较器N3的反相输入端相连。本发明电路简单、不易产生误触发,稳定性较好,有较强的抗干扰能力,可靠性较高。

技术研发人员:杨正男;胡进;张石磊;吴磊;袁宝山;郭靖;赵隆冬;胡海斌;马升杰;刘航志;王粤桦
受保护的技术使用者:中国电子科技集团公司第四十三研究所
技术研发日:2017.05.22
技术公布日:2017.07.21
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