一种水下可插拔式耦合器及耦合方法与流程

文档序号:24493739发布日期:2021-03-30 21:20阅读:171来源:国知局
一种水下可插拔式耦合器及耦合方法与流程

本发明属于水下作业领域,特别涉及一种水下可插拔式耦合器及耦合方法。



背景技术:

水下可插拔装置是海洋装备领域的常用设备,已经商业化的接触式插拔装装置插拔次数少,成本高。近年来也出现了一些非接触式插拔装置,可进行水下插拔的接插件的插合与分离工作基本上由水下机器人rov完成,通过水上专业人员的控制,遥控rov作业手柄抓取接插件一端的手柄,通过对准、矫正等工作完成接插件的插拔。水下机器人rov等设备在水下进行接插件插拔过程中,为保证能够顺利完成接插件的插拔,必须确保接插件两端的同轴度,使接插件的两端处于一条直线,然后进行插合或分离。否则,尤其是插合过程中,若接插件的两端有较大的偏移,极易导致接插件的损坏。此类接插件的价格非常昂贵,操作人员需耗费大量时间进行插拔前的准备,确保每一次插拔均万无一失。因此此类工作对水下作业环境、操作人员专业性等有较高要求,且耗费时间较长,不确定性较大。



技术实现要素:

有鉴于此,本发明提供了一种水下可插拔式耦合器,包括非接触插座和非接触插头,其中,

所述非接触插座包括外壳、插座磁铁、外线圈和水密插座;所述非接触插头包括基体、插头磁铁、中线圈、内线圈和水密插头;其中,插座磁铁与插头磁铁极性相反,非接触插座为中空圆柱体,轴心处底部设置水密插座;非接触插头剖面为t字形,中心镂空,镂空处可插入非接触插座,镂空处由内之外设置内线圈、基体和中线圈,中线圈的两个端线短接,内线圈的端线与水密插头连接,插头磁铁设置在非接触插头的上部,处于t字形水平面,基体还设置在插头磁铁的外周;外线圈固定在外壳内部,外线圈的端口与水密插座连接,插座磁铁设置在非接触插座的上表面,插头磁铁设置在非接触插头的下表面。

优选地,所述外线圈通过注模灌胶用环氧树脂固定在外壳内部。

优选地,所述外壳为金属材质。

优选地,所述外壳为非金属材质。

优选地,所述基体为非金属材质。

优选地,所述基体的上端面用金属材料覆盖。

优选地,所述中线圈通过注模灌胶固定在基体外部。

优选地,所述内线圈通过注模灌胶固定在基体内部。

优选地,所述内线圈中还设置磁芯。

基于上述目的,本发明还提供了一种水下可插拔式耦合方法,采用上述耦合器,包括以下步骤:

s10,非接触插座通过水密缆连接到无线电能接收电路,即连接到整流滤波电路上;

s20,非接触插头通过水密缆连接到无线电能发射电路,即连接到逆变电路上;

s30,将非接触插头插入非接触插座,插座磁铁与插头磁铁自动吸合,将二者固定;

s40,接通发射电路,内线圈中产生高频交变电流;

s50,通过电磁感应,中线圈中感应出高频磁场,将电能传输给接收端的外线圈;

s60,外线圈中产生感应电流并将其通过整流滤波电路输出到接收端;

s70,电能传输完毕,拔出非接触插头。

与现有技术相比,本发明公开的水下可插拔式耦合器及耦合方法,至少具有以下有益效果:结构紧凑的中继式耦合器,采用了三线圈结构,减少了线圈的匝数和大小,增加了线圈间的耦合度,能够实现方便、可靠的水下插拔,不需要严格对准,不限插拔次数,具备可靠的防水耐压结构,能够支持高效的水下非接触式电能传输。

附图说明

为了使本发明的目的、技术方案和有益效果更加清楚,本发明提供如下附图进行说明:

图1为本发明实施例水下可插拔式耦合器的结构示意图;

图2为本发明实施例水下可插拔式耦合器的剖视图;

图3为本发明实施例水下可插拔式耦合器的插头结构图;

图4为本发明实施例水下可插拔式耦合器的内部结构图;

图5为本发明实施例水下紧急释放信标方法的步骤流程图。

具体实施方式

下面将结合附图,对本发明的优选实施例进行详细的描述。

耦合器实施例参见图1-4,包括非接触插座10和非接触插头20,其中,

非接触插座10包括外壳14、插座磁铁12、外线圈13和水密插座11;非接触插头20包括基体21、插头磁铁22、中线圈23、内线圈24和水密插头25;其中,插座磁铁12与插头磁铁22极性相反,非接触插座10为中空圆柱体,轴心处底部设置水密插座11;非接触插头20剖面为t字形,中心镂空,镂空处可插入非接触插座10,镂空处由内之外设置内线圈24、基体21和中线圈23,中线圈23的两个端线短接,内线圈24的端线与水密插头25连接,插头磁铁22设置在非接触插头20的上部,处于t字形水平面,基体21还设置在插头磁铁22的外周;外线圈13固定在外壳14内部,外线圈13的端口与水密插座11连接,插座磁铁12设置在非接触插座10的上表面,插头磁铁22设置在非接触插头20的下表面。

具体实施例中,非接触插座10包括外壳14、外线圈13、插座磁铁12和水密插座11。外壳14可以由金属或者非金属加工。在需要屏蔽电磁干扰的情况下,外壳14采用金属材料。外线圈13通过注模灌胶的方式用环氧树脂固定在金属外壳14内部。外线圈13的端口跟水密插座11连接。插座磁铁12固定在金属外壳14的上端,用于固定非接触插头20。

非接触插头20参见图3,基体21采用非金属材料加工,在需要电磁屏蔽的场合,基体21的上端面可以用金属材料覆盖,基体21的法兰部分固定有插头磁铁22,其极性跟插座磁铁12的极性相反,能够实现可靠吸合。中线圈23通过注模灌胶的方式固定在基体21外部,它的两个端线短接,起到中继线圈的作用。中继线圈由电感跟导线间的寄生电容产生谐振,从而高效的传递电磁能量。内线圈24通过注模灌胶的方式固定在基体21内部,其端线跟水密插头25连接,内线圈24的内部可以根据实际需求放置磁芯。

方法实施例参见图5,包括以下步骤:

s10,非接触插座通过水密缆连接到无线电能接收电路,即连接到整流滤波电路上;

s20,非接触插头通过水密缆连接到无线电能发射电路,即连接到逆变电路上;

s30,将非接触插头插入非接触插座,插座磁铁与插头磁铁自动吸合,将二者固定;

s40,接通发射电路,内线圈中产生高频交变电流;

s50,通过电磁感应,中线圈中感应出高频磁场,将电能传输给接收端的外线圈;

s60,外线圈中产生感应电流并将其通过整流滤波电路输出到接收端;

s70,电能传输完毕,拔出非接触插头。

方法实施例参见耦合器实施例,不再赘述。

以上仅为本发明的较佳实施例而已,并不用以限制本发明,凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等,均应包含在本发明的保护范围之内。



技术特征:

1.一种水下可插拔式耦合器,其特征在于,包括非接触插座和非接触插头,其中,

所述非接触插座包括外壳、插座磁铁、外线圈和水密插座;所述非接触插头包括基体、插头磁铁、中线圈、内线圈和水密插头;其中,插座磁铁与插头磁铁极性相反,非接触插座为中空圆柱体,轴心处底部设置水密插座;非接触插头剖面为t字形,中心镂空,镂空处可插入非接触插座,镂空处由内之外设置内线圈、基体和中线圈,中线圈的两个端线短接,内线圈的端线与水密插头连接,插头磁铁设置在非接触插头的上部,处于t字形水平面,基体还设置在插头磁铁的外周;外线圈固定在外壳内部,外线圈的端口与水密插座连接,插座磁铁设置在非接触插座的上表面,插头磁铁设置在非接触插头的下表面。

2.根据权利要求1所述的耦合器,其特征在于,所述外线圈通过注模灌胶用环氧树脂固定在外壳内部。

3.根据权利要求1所述的耦合器,其特征在于,所述外壳为金属材质。

4.根据权利要求1所述的耦合器,其特征在于,所述外壳为非金属材质。

5.根据权利要求1所述的耦合器,其特征在于,所述基体为非金属材质。

6.根据权利要求1所述的耦合器,其特征在于,所述基体的上端面用金属材料覆盖。

7.根据权利要求1所述的耦合器,其特征在于,所述中线圈通过注模灌胶固定在基体外部。

8.根据权利要求1所述的耦合器,其特征在于,所述内线圈通过注模灌胶固定在基体内部。

9.根据权利要求1所述的耦合器,其特征在于,所述内线圈中还设置磁芯。

10.一种权利要求1-9之一所述耦合器的耦合方法,其特征在于,包括以下步骤:

s10,非接触插座通过水密缆连接到无线电能接收电路,即连接到整流滤波电路上;

s20,非接触插头通过水密缆连接到无线电能发射电路,即连接到逆变电路上;

s30,将非接触插头插入非接触插座,插座磁铁与插头磁铁自动吸合,将二者固定;

s40,接通发射电路,内线圈中产生高频交变电流;

s50,通过电磁感应,中线圈中感应出高频磁场,将电能传输给接收端的外线圈;

s60,外线圈中产生感应电流并将其通过整流滤波电路输出到接收端;

s70,电能传输完毕,拔出非接触插头。


技术总结
本发明公开了一种水下可插拔式耦合器及耦合方法,耦合器的非接触插座包括外壳、插座磁铁、外线圈和水密插座;所述非接触插头包括基体、插头磁铁、中线圈、内线圈和水密插头;其中,插座磁铁与插头磁铁极性相反,非接触插座为中空圆柱体,轴心处底部设置水密插座;非接触插头剖面为T字形,中心镂空,镂空处可插入非接触插座,镂空处由内之外设置内线圈、基体和中线圈,中线圈的两个端线短接,内线圈的端线与水密插头连接。本发明提出了一种结构紧凑的中继式耦合器,采用了三线圈结构,能够实现方便、可靠的水下插拔,并能够支持高效的水下非接触式电能传输。

技术研发人员:史剑光;江晓;彭时林;于海滨;吕帅帅
受保护的技术使用者:杭州电子科技大学
技术研发日:2020.11.30
技术公布日:2021.03.30
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