一种防止适配器反接的装置的制作方法

本实用新型涉及适配器供电技术，具体涉及一种防止适配器反接的装置。

背景技术：

现在市场上便携式电子产品较多，便携式电子产品供电方式一般采用适配器+锂电池的供电方式。由于适配器接口差异导致适配器在接入设备时存在反向插入情况，此时便携式电子产品的供电存在反向情况，容易导致后级电路损坏。

因此，有必要提出一种防止适配器反接的装置，防止适配器反向供电烧毁后级电路。

技术实现要素：

本实用新型所要解决的技术问题是：提出一种防止适配器反接的装置，防止适配器反向供电烧毁后级电路，提高电子产品的可靠性。

本实用新型解决上述技术问题采用的技术方案是：

一种防止适配器反接的装置，包括：控制芯片、第一nmos管、第二nmos管、第一至第三电阻以及第一至第三电容；适配器输入端通过所述第一电容接地，并通过所述第一电阻与第二电阻组成的分压电路接地；所述分压电路的分压点连接第二nmos管的栅极；所述第二nmos管的漏极连接第一nmos管的栅极，并接入控制芯片的门控端；所述第一nmos管的漏极通过第二电容与第三电容的并联电路接地，并连接输出负载；所述第一nmos管的源极和第二nmos管的源极均连接适配器输入端。

本实用新型的有益效果是：

基于上述装置电路结构的设计，在正常接入适配器时，能够正常为输出负载供电；当适配器反接时，适配器无输出电流，从而防止适配器反向供电烧毁后级电路，提高便携式电子产品可靠性；该装置电路结构简单，实现成本低，且能够有效保护电子产品。

附图说明

图1为本实用新型实施例中的防止适配器反接的装置电路结构图；

图中，up1为控制ic，cp1为第一电容，cp2为第二电容，cp3为第三电容，rp1为第一电阻，rp2为第二电阻，rp3为第三电阻，qp1为第一nmos管，qp2为第二nmos管。

具体实施方式

本实用新型旨在提出一种防止适配器反接的装置，防止适配器反向供电烧毁后级电路，提高电子产品的可靠性。

实施例：

如图1所示，本实施例中的防止适配器反接的装置包括控制icup1、第一nmos管qp1、第二nmos管qp2、第一至第三电阻rp1-rp3以及第一至第三电容cp1-cp3；适配器输入端通过所述第一电容cp1接地，并通过所述第一电阻rp1与第二电阻rp2组成的分压电路接地；所述分压电路的分压点连接第二nmos管qp2的栅极；所述第二nmos管qp2的漏极连接第一nmos管qp1的栅极，并接入控制icup1的门控端；所述第一nmos管qp1的漏极通过第二电容cp2与第三电容cp3的并联电路接地，并连接输出负载；所述第一nmos管qp1的源极和第二nmos管qp2的源极均连接适配器输入端。

上述电路的工作原理是：

当正常接入适配器，12v输入电压通过rp1和rp2分压，第二nmos管qp2的第1脚电压小于控制icup1的第3脚acgate自举输出电压(此自举输出电压高于适配器输入电压)，因此第二nmos管qp2处于关断状态，第一nmos管qp1由于控制icup1的第3脚acgate自举输出电压高于适配器输入电压而处于开启状态，适配器能够正常给负载供电。

当适配器反接时，第二nmos管qp2的1脚电压高于第二nmos管qp2的第3脚电压，从而使第二nmos管qp2导通，将控制icup1的第3脚acgate连接到地，第二nmos管qp2第2脚电压、第一nmos管qp1第2脚电压和控制icup1的第3脚acgate电压相等，因此第一nmos管qp1处于关断状态，适配器无电流输出，由此可以避免在反接时对后级电路带来的损害。

以上所述仅为本实用新型的较佳实施例而已，并不用以限制本实用新型，应当指出的是，凡在本实用新型的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本实用新型的保护范围之内。

技术特征：

1.一种防止适配器反接的装置，其特征在于，

包括：控制芯片(up1)、第一nmos管(qp1)、第二nmos管(qp2)、第一至第三电阻(rp1-rp3)以及第一至第三电容(cp1-cp3)；

适配器输入端通过所述第一电容(cp1)接地，并通过所述第一电阻(rp1)与第二电阻(rp2)组成的分压电路接地；所述分压电路的分压点连接第二nmos管(qp2)的栅极；所述第二nmos管(qp2)的漏极连接第一nmos管(qp1)的栅极，并接入控制芯片(up1)的门控端；所述第一nmos管(qp1)的漏极通过第二电容(cp2)与第三电容(cp3)的并联电路接地，并连接输出负载；所述第一nmos管(qp1)的源极和第二nmos管(qp2)的源极均连接适配器输入端。

技术总结
本实用新型涉及适配器供电技术，其公开了一种防止适配器反接的装置，防止适配器反向供电烧毁后级电路，提高电子产品的可靠性。该装置包括：控制芯片、第一NMOS管、第二NMOS管、第一至第三电阻以及第一至第三电容；适配器输入端通过所述第一电容接地，并通过所述第一电阻与第二电阻组成的分压电路接地；所述分压电路的分压点连接第二NMOS管的栅极；所述第二NMOS管的漏极连接第一NMOS管的栅极，并接入控制芯片的门控端；所述第一NMOS管的漏极通过第二电容与第三电容的并联电路接地，并连接输出负载；所述第一NMOS管的源极和第二NMOS管的源极均连接适配器输入端。

技术研发人员：张俊;丁峰峰
受保护的技术使用者：四川长虹电器股份有限公司
技术研发日：2020.03.13
技术公布日：2020.08.18