AC-DC开关电源次级侧的EMC抑制电路的制作方法

文档序号:25515268发布日期:2021-06-18 16:32阅读:343来源:国知局
AC-DC开关电源次级侧的EMC抑制电路的制作方法

本实用新型涉及开关电源技术领域,尤其涉及ac-dc开关电源次级侧的emc抑制电路。



背景技术:

常用的ac-dc开关电源,在工作时,会产生死区振荡,这种类型的振荡由于频率集中和振幅明显的特征,会产生其对应频率的emc干扰,emc干扰会严重影响电子产品性能和应用环境。

目前抑制emc干扰的方法一般有两种,第一种,不直接降低或消除死区振荡,通过控制变压器平衡电压来抑制emc干扰,这种方法对变压器的设计及制作工艺要求很高,增加产品成本;第二种,直接在开关电源的初级侧加入吸收元件,由于开关电源初级侧往往电压较高,因此会严重影响开关电源的效率,并且对加入的元件的耐压性能也有很高的要求。



技术实现要素:

本实用新型针对上述技术问题,提出ac-dc开关电源次级侧的emc抑制电路。

为了解决上述技术问题,本实用新型提出如下技术方案:

ac-dc开关电源次级侧的emc抑制电路,包括变压器m、同步整流芯片ic和emc抑制模块,同步整流芯片ic和emc抑制模块均连接在变压器m的次级侧,emc抑制模块包括pmos管t1、电阻r1、电阻r2、电阻r3、电阻r4、二极管d1和稳压二极管d2,pmos管t1的源极连接在ac-dc开关电源的输出端,pmos管t1的漏级连接两个并联连接的电阻r1和电阻r2后,通过二极管d1与变压器m的次级侧动点相连,pmos管t1的栅极依次连接稳压二极管d2和电阻r4后,与同步整流芯片ic的驱动引脚vg相连,pmos管t1的栅极和源极之间连接电阻r3。

在一些实施方式中,还包括整流开关管t2,整流开关管t2是npn型三极管,整流开关管t2的集电极连接变压器m的次级侧动点,整流开关管t2的发射极接地,整流开关管t2的基级通过电阻r6与同步整流ic的驱动引脚vg。

在一些实施方式中,还包括整流开关管t2,整流开关管t2是nmos管,整流开关管t2的漏极连接变压器m的次级侧动点,整流开关管t2的源极接地,整流开关管t2的栅极通过电阻r6与同步整流芯片ic的驱动引脚vg。

在一些实施方式中,整流开关管t2的源极和栅极之间连接电容c2。

在一些实施方式中,整流开关管t2的源极和漏级之间连接有串联连接的电容c1和电阻r5。

在一些实施方式中,同步整流芯片ic的vdd引脚与ac-dc开关电源的输出端相连;同步整流芯片ic的vd引脚与变压器m的次级侧动点相连。

本实用新型的有益效果是:降低开关电源本身的死区振荡,有效抑制死区振荡带来的emc干扰,优化开关电源的效率;降低变压器平衡电压管控的压力,电路组成元件容易选型,电路控制驱动直接取自于同步整流芯片,无需额外增加,降低生产成本。

附图说明

图1为本实用新型ac-dc开关电源次级侧的emc抑制电路的电路图。

图2为本实用新型ac-dc开关电源次级侧的emc抑制电路的结构框图。

图3为本实用新型ac-dc开关电源次级侧的emc抑制电路另一种实施方式的电路图。

具体实施方式

下面结合附图对本实用新型作进一步详细说明。

图1至图3示意性地给出了本实用新型的ac-dc开关电源次级侧的emc抑制电路,包括变压器m、同步整流芯片ic和emc抑制模块,同步整流芯片ic和emc抑制模块均连接在变压器m的次级侧,emc抑制模块包括pmos管t1、电阻r1、电阻r2、电阻r3、电阻r4、二极管d1和稳压二极管d2,pmos管t1的源极连接在ac-dc开关电源的输出端,pmos管t1的漏级连接两个并联连接的电阻r1和电阻r2后,通过二极管d1与变压器m的次级侧动点相连,pmos管t1的栅极依次连接稳压二极管d2和电阻r4后,与同步整流芯片ic的驱动引脚vg相连,pmos管t1的栅极和源极之间连接电阻r3。

在ac-dc开关电源的一个周期内,初级侧在当前周期关断之后且下个周期开启之前,次级侧绕组应该导通对变压器m进行消磁并使能量传递至次级侧,但是在大多数情况下,次级侧绕组的开通会在下个周期开启之前提前关断,这样初级侧和次级侧同时关断的工作状态,成为死区。

本使用新型提供的ac-dc开关电源次级侧的emc抑制电路,将pmos管t1的栅极与同步整流芯片ic的驱动引脚vg相连,同时将pmos管t1的漏级与变压器m的次级侧动点相连。由此,只有当同时满足变压器m次级侧的动点端处电压低于ac-dc开关电源的输出端电压和同步整流芯片ic的驱动引脚vg关断两个条件,才会开启死区工作状态。死区状态开启后,电阻r1和电阻r2可以消耗死区的能量,降低死区振荡,同时通过变压器m的传递效果,变压器m初级侧的死区振荡也被消除,从而实现从源头上抑制死区振荡带来的emc干扰。通过设置电容d1能够有效防止变压器m次级侧绕组动点电压高使倒灌至其静点。通过设置电阻r3,有效防止pmos管t1误开通。通过设置电阻r4,实现限制电流,保护稳压二极管d2的效果。

在可选的实施例中,通过调节稳压二极管d2的稳压值,可以决定emc抑制模块起作用时ac-dc开关电源的输出值。由此,可使本实用新型提供的ac-dc开关电源次级侧的emc抑制电路能够适用于有多段输出的ac-dc开关电源,增加了抑制电路的适用范围。

在可选的实施例中,可以调节电阻r1和电阻r2的阻值大小。由此,实现ac-dc开关电源效率和emi的抑制效果之间的平衡。

参考说明书附图1,在可选的实施例中,还包括整流开关管t2,整流开关管t2是nmos管,整流开关管t2的漏极连接变压器m的次级侧动点,整流开关管t2的源极接地,整流开关管t2的栅极通过电阻r6与同步整流芯片ic的驱动引脚vg。

参考说明书附图3,在可选的实施例中,还包括整流开关管t2,整流开关管t2是npn型三极管,整流开关管t2的集电极连接变压器m的次级侧动点,整流开关管t2的发射极接地,整流开关管t2的基级通过电阻r6与同步整流ic的驱动引脚vg。

在可选的实施例中,整流开关管t2的源极和栅极之间连接电容c2。

在可选的实施例中,整流开关管t2的源极和漏级之间连接有串联连接的电容c1和电阻r5。

在可选的实施例中,同步整流芯片ic的vdd引脚与ac-dc开关电源的输出端相连;同步整流芯片ic的vd引脚与变压器m的次级侧动点相连。在可选的实施例中,同步整流芯片ic可以是美国芯源系统有限公司的型号为mp6908a的同步整流芯片。

本实用新型通过降低开关电源本身的死区振荡,有效抑制死区振荡带来的emc干扰,优化开关电源的效率;同时降低变压器平衡电压管控的压力;电路组成元件容易选型,电路控制驱动直接取自于同步整流芯片,无需额外增加,降低生产成本。

以上的仅是本实用新型的一些实施方式。对于本领域的普通技术人员来说,在不脱离本实用新型创造构思的前提下,还可以做出若干变形和改进,这些都属于本实用新型的保护范围。



技术特征:

1.ac-dc开关电源次级侧的emc抑制电路,其特征在于,包括变压器m、同步整流芯片ic和emc抑制模块,所述同步整流芯片ic和所述emc抑制模块均连接在所述变压器m的次级侧,

所述emc抑制模块包括pmos管t1、电阻r1、电阻r2、电阻r3、电阻r4、二极管d1和稳压二极管d2,所述pmos管t1的源极连接在所述ac-dc开关电源的输出端,所述pmos管t1的漏级连接两个并联连接的所述电阻r1和所述电阻r2后,通过所述二极管d1与所述变压器m的次级侧动点相连,所述pmos管t1的栅极依次连接所述稳压二极管d2和所述电阻r4后,与所述同步整流芯片ic的驱动引脚vg相连,所述pmos管t1的栅极和源极之间连接所述电阻r3。

2.根据权利要求1所述的ac-dc开关电源次级侧的emc抑制电路,其特征在于,还包括整流开关管t2,所述整流开关管是npn型三极管,所述整流开关管t2的集电极连接所述变压器m的次级侧动点,所述整流开关管t2的发射极接地,所述整流开关管t2的基级通过电阻r6与所述同步整流ic的驱动引脚vg。

3.根据权利要求1所述的ac-dc开关电源次级侧的emc抑制电路,其特征在于,还包括整流开关管t2,所述整流开关管是nmos管,所述整流开关管t2的漏极连接所述变压器m的次级侧动点,所述整流开关管t2的源极接地,所述整流开关管t2的栅极通过电阻r6与所述同步整流芯片ic的驱动引脚vg。

4.根据权利要求3所述的ac-dc开关电源次级侧的emc抑制电路,其特征在于,所述整流开关管t2的源极和栅极之间连接电容c2。

5.根据权利要求3所述的ac-dc开关电源次级侧的emc抑制电路,其特征在于,所述整流开关管t2的源极和漏级之间连接有串联连接的电容c1和电阻r5。

6.根据权利要求1所述的ac-dc开关电源次级侧的emc抑制电路,其特征在于,所述同步整流芯片ic的vdd引脚与所述ac-dc开关电源的输出端相连;所述同步整流芯片ic的vd引脚与所述变压器m的次级侧动点相连。


技术总结
本实用新型公开了AC‑DC开关电源次级侧的EMC抑制电路,包括变压器M、同步整流芯片IC和EMC抑制模块,EMC抑制模块中PMOS管T1的源极连接在AC‑DC开关电源的输出端,PMOS管T1的漏级连接两个并联连接的电阻R1和电阻R2后,通过二极管D1与变压器M的次级侧动点相连,PMOS管T1的栅极依次连接稳压二极管D2和电阻R4后,与同步整流芯片IC的驱动引脚VG相连,PMOS管T1的栅极和源极之间连接电阻R3。本实用新型降低开关电源本身的死区振荡,有效抑制死区振荡带来的EMC干扰,优化开关电源的效率;电路组成元件容易选型,电路控制驱动直接取自于同步整流芯片,无需额外增加,降低生产成本。

技术研发人员:覃华政;周亚君;杨新文;蔡祖亲
受保护的技术使用者:赛尔康技术(深圳)有限公司
技术研发日:2020.09.04
技术公布日:2021.06.18
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