一种用于RF端口防雷击的浪涌防护电路的制作方法

一种用于rf端口防雷击的浪涌防护电路
技术领域
1.本实用新型涉及电力电子领域，尤其是涉及一种用于rf端口防雷击的浪涌防护电路。


背景技术：

2.目前， 在直流电源输入或相关电力系统中，为了防止负向浪涌导致后级电路和设备的损坏，通常会在直流输入端与后级电路之间设置浪涌防护电路，在发生负向浪涌时及时关断后级电路的电源供给，通过压敏电阻(vr)或瞬态电压抑制器(tvs)将浪涌电流泄放，实现对后级电路的浪涌保护。
3.现在行业使用的rf端口浪涌防护电路，大部分采用的是二级分段吸收电路，钳位电压会较高，后端的放大器容易损坏，行业内即使采用了三级防护电路，第三级也是采用静电保护器，钳位电压会有10v左右，对于后端的放大器是不允许的，并且静电保护器越多，结电容会越大，信号丢包会越严重。


技术实现要素：

4.为解决上述问题，本实用新型提供一种用于rf端口防雷击的浪涌防护电路，在三级防护电路采用t型滤波电路，即先串联电容再并联落地电感再串联电容的方式，nh级别的落地高频电感，对于rf端口的高频信号（1ghz）来说，表现出高阻状态，因此不会造成信号的丢包，将浪涌电压直接往地线导，因此钳位电压会非常低，可以有效的抑制浪涌尖峰电压。
5.一种用于rf端口防雷击的浪涌防护电路，该浪涌防护电路是用于高速信号rf端口，包括一级防护电路、二级防护电路和t型滤波电路，所述一级防护电路、二级防护电路和t型滤波电路并联；
6.所述一级防护电路包括陶瓷气体放电管；
7.所述二级防护电路包括静电保护器和隔直电容c1，所述静电保护器的两端分别与隔直电容c1、地连接，所述隔直电容c1用于退耦；
8.所述t型滤波电路包括电容c2、电感l1、电容c3，所述电容c2和电容c3串联，所述电感l1一端连接在电容c2和电容c3之间，另一端接地。
9.作为本实用新型进一步的方案：所述陶瓷气体放电管采用的型号为sc2e5
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90lsmd。
10.作为本实用新型进一步的方案：所述静电保护器采用的型号为se03d3d01gw。
11.作为本实用新型进一步的方案：所述静电保护器的通流量可高达17a。
12.与现有技术相比，本实用新型的有益效果是：本实用新型改进型的rf端口浪涌防护电路，三级防护电路采用的是t型滤波电路，即先串联电容再并联落地电感再串联电容的方式，nh级别的落地高频电感，对于rf端口的高频信号（1ghz）来说，表现出高阻状态，因此不会造成信号的丢包。但是对于相对较低频率的浪涌电压来说，表现出低阻状态，将浪涌电压直接往地线导，因此钳位电压会非常低，可以有效的抑制浪涌尖峰电压。这里采用了nh级
别的落地电感，可以几乎不用不考虑结电容的问题，因此对信号的影响是极小的，信号不容易丢包。因此改进型的rf端口的浪涌防护电路不仅钳位电压低，成本低，结电容也小，是大部分产品的选择。
13.本实用新型的附加方面和优点将在下面的描述中部分给出，部分将从下面的描述中变得明显，或通过本实用新型的实践了解到。
附图说明
14.为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
15.图1是本实用新型的电路原理图。
具体实施方式
16.下面将对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。
17.请参阅图1，本实用新型实施例中，一种用于rf端口防雷击的浪涌防护电路，该浪涌防护电路是用于高速信号rf端口，可以承受1.2/50
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8/20us组合波 6kv的浪涌测试，且浪涌防护电路连接在电源及电子设备之间，包括一级防护电路、二级防护电路和t型滤波电路，一级防护电路、二级防护电路和t型滤波电路并联。
18.其中，一级防护电路采用电压为90v的大通流型，且型号为sc2e5
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90lsmd的陶瓷气体放电管。
19.优选的，二级防护电路采用反应速度较快的静电保护器，该二级防护电路还连接有一隔直电容c1用于退耦，该隔直电容c1并联在陶瓷气体放电管和静电保护器之间。隔直电容c1的容抗可以起到一定的限流作用，可以保护后端的静电保护器不容易损坏。
20.优选的，t型滤波电路包括电容c2、电感l1、电容c3，电容c2和电容c3串联，电感l1一端连接在电容c2和电容c3之间，另一端接地。浪涌防护电路从rf端口的信号线进入，大部分的浪涌电流会先通过第一级的大通流型陶瓷气体放电管，剩余的浪涌电流会流入后端的静电保护器，由于中间采用了隔直电容c1作为退耦，隔直电容c1的容抗可以起到一定的限流作用，可以保护后端的静电保护器不容易损坏，静电保护器在这里采用的是sod
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323封装的esd型号为se03d3d01gw，通流量高达17a，浪涌等级高，不容易被击穿。
21.由于，rf端口的放大器一般耐压都比较低，因此这里加入了三级防护电路，该三级防护电路采用的是t型滤波电路，即先串联电容c2，再并联落地电感l1，再串联电容c3的方式，然后再进入后端的放大器，nh级别的落地电感l1，对于rf端口的高频信号来说，表现出高阻状态，因此不会造成信号的丢包。但是对于相对较低频率的浪涌电压来说，表现出低阻状态，可以有效的抑制浪涌尖峰电压。
22.本实用新型改进型的rf端口浪涌防护电路，三级防护电路采用的是t型滤波电路，
即先串联电容c2，再并联落地电感l1，再串联电容c3的方式，nh级别的落地高频电感l1，对于rf端口的高频信号（1ghz）来说，表现出高阻状态，因此不会造成信号的丢包。但是对于相对较低频率的浪涌电压来说，表现出低阻状态，将浪涌电压直接往地线导，因此钳位电压会非常低，可以有效的抑制浪涌尖峰电压。这里采用了nh级别的落地电感，可以几乎不用不考虑结电容的问题，因此对信号的影响是极小的，信号不容易丢包。因此改进型的rf端口的浪涌防护电路不仅钳位电压低，成本低，结电容也小。
23.对于本领域技术人员而言，显然本实用新型不限于上述示范性实施例的细节，而且在不背离本实用新型的精神或基本特征的情况下，能够以其他的具体形式实现本实用新型。因此，无论从哪一点来看，均应将实施例看作是示范性的，而且是非限制性的，本实用新型的范围由所附权利要求而不是上述说明限定，因此旨在将落在权利要求的等同要件的含义和范围内的所有变化囊括在本实用新型内。不应将权利要求中的任何附图标记视为限制所涉及的权利要求。


技术特征：
1.一种用于rf端口防雷击的浪涌防护电路，该浪涌防护电路是用于高速信号rf端口，其特征在于，包括一级防护电路、二级防护电路和t型滤波电路，所述一级防护电路、二级防护电路和t型滤波电路并联；所述一级防护电路包括陶瓷气体放电管；所述二级防护电路包括静电保护器和隔直电容c1，所述静电保护器的两端分别与隔直电容c1、地连接，所述隔直电容c1用于退耦；所述t型滤波电路包括电容c2、电感l1、电容c3，所述电容c2和电容c3串联，所述电感l1一端连接在电容c2和电容c3之间，另一端接地。2.根据权利要求1所述的浪涌防护电路，其特征在于，所述陶瓷气体放电管采用的型号为sc2e5
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90lsmd。3.根据权利要求1所述的浪涌防护电路，其特征在于，所述静电保护器采用的型号为se03d3d01gw。4.根据权利要求3所述的浪涌防护电路，其特征在于，所述静电保护器的通流量可高达17a。

技术总结
本实用新型涉及电力电子领域，尤其是涉及一种用于RF端口防雷击的浪涌防护电路，该浪涌防护电路是用于高速信号RF端口，包括一级防护电路、二级防护电路和T型滤波电路，一级防护电路、二级防护电路和T型滤波电路并联，T型滤波电路包括电容C2、电感L1、电容C3，所述电容C2和电容C3串联，电感L1一端连接在电容C2和电容C3之间，另一端接地。本实用新型在三级防护电路采用T型滤波电路，即先串联电容再并联落地电感再串联电容的方式，nH级别的落地高频电感，对于RF端口的高频信号来说，表现出高阻状态，因此不会造成信号的丢包，将浪涌电压直接往地线导，因此钳位电压会非常低，可以有效的抑制浪涌尖峰电压。浪涌尖峰电压。浪涌尖峰电压。


技术研发人员：王兴乐 何颖儿 王顺安 王深彪 王兴安
受保护的技术使用者：深圳市硕凯电子股份有限公司
技术研发日：2021.05.31
技术公布日：2021/11/24